基板処理装置
【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平流し方式で被処理基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。
【０００３】
一般に、平流し方式の洗浄装置や現像装置では、たとえば特許文献１に示されるように、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツールとして、エアナイフが用いられている。エアナイフは、搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過する際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされる）。
【特許文献１】特開２００３−７５８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のこの種の基板処理装置では、エアナイフの傍を通過する基板表面からミストが発生して、周囲に飛散または舞い上がったミストの一部がエアナイフの下流側に廻り込んで乾燥処理直後の基板表面に付着することがあり、歩留りを下げる原因になっていた。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力空間を形成する差圧形成手段とを有し、前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を払い落とす構成とした。
【０００７】
上記の構成においては、搬送路上で基板が隔壁の開口部を通り抜ける際に、基板と開口部との間に形成される隙間を通って下流側の第２の室から上流側の第１の室に向って、つまり搬送方向に逆らう向きで空気流が吹き抜けることにより、基板の表面に付着している液が該空気流の風圧によって基板後方へ払い落とされ、一部はミストとなって第１の室内で飛散ないし拡散する。こうして、開口部を通り抜けた基板の表面は液を取り除かれた状態つまり乾燥状態になる。基板と開口部との間に形成される隙間は、狭いほど大きな液切り用の風圧を得ることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定されてよい。
【０００８】
また、好ましい一態様として、第２の室側で隔壁が開口部に向かって断面テーパ状に絞られる。かかる構成によれば、第１の室から第２の室に向かって開口部を吹き抜ける空気流の指向性を高め、基板表面の液を一層効果的に払い落とすことができる。
【０００９】
また、好ましい一態様として、開口部付近にて搬送路上を移動する基板がぶれないように基板の両側縁部に上から接触する押えローラが設けられる。押えローラの働きで基板がぶれずに水平姿勢を保って開口部を通り抜けられるので、開口部を可及的に狭くすることができる。
【００１０】
また、好ましくは、第２の室に給気口が設けられ、気体供給系より給気口を介して第２の室気内に所定の流量で空気が供給されてよい。一方で、第１の室に排気口が設けられ、第１の室内の空気およびミストが排気口を介して排気系統へ排気されてよい。かかる給排気機構により、開口部を通る空気流の圧力ひいては基板液切り能力が安定に保たれるとともに、第１の室から第２の室へのミストの侵入を一層確実に防止できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させ、ひいては歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１３】
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１４】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１７】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００１８】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００１９】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２０】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２１】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２２】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２３】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２４】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２５】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２６】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００２７】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００２８】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００２９】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３０】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３１】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３２】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３３】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３４】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００３５】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００３６】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００３７】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００３８】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００３９】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４０】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４１】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４３】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４４】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４５】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４６】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４７】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００４８】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００４９】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１０を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に適用した一実施形態を説明する。
【００５０】
図４に、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の一構成例を示す。このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロックまたはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
【００５１】
これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬出部を構成している。
【００５２】
基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。もっとも、リフトピン１１８，１２０を設けずに搬送ローラ１１２を延設することにより基板Ｇの受け渡しを行う構成も可能である。
【００５３】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室（Ｍ3）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。
【００５４】
ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４，１３５が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３６も設けられている。
【００５５】
リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３９も設けられている。
【００５６】
乾燥処理部Ｍ5には、本実施形態における液切り用のエアナイフ機構として複数（図示の例では一対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送路１１４を挟んで上下に配置されている。
【００５７】
処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。
【００５８】
ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における全体の動作および作用を説明する。基板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向けて搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成されており、その長辺方向または長手方向が搬送方向と平行になる向きで搬送路１１４上を搬送される。
【００５９】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対して、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカリ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプレー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置して、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付けてもよい。
【００６０】
次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２６，１２８の間を通り抜け、その際に各ロールブラシ１２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液たとえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を洗い流す。
【００６１】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エアカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ2側のパン１４４に落とされる。
【００６２】
ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液（たとえば純水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着または残存している異物が除去される。
【００６３】
ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリンス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ3側のパン１４６に落とされる。
【００６４】
リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下両面に対して、上下のリンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水を吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面には清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。
【００６５】
リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられ、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされる。
【００６６】
乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエアナイフ１４０，１４２が気体（たとえば空気または窒素ガス等の中性ガス）を吹き付けることにより、基板表面に付いていたリンス液を取り除く（液切りする）。後に詳しく説明するように、この液切りに際しては、エアナイフ１４０，１４２付近の基板表面より発生するミストが周囲へ拡散したり基板表面に再付着することなく回収除去されるようになっている。
【００６７】
なお、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所的に残るのを防止するために、エアナイフ１４０，１４２の少し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）よりたとえば純水を基板Ｇの上面または全面に万遍に吹き付けるのが好ましい。
【００６８】
乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られる。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００６９】
次に、図５〜図８につき、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の実施例を説明する。
【００７０】
図５に、乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の一実施例を一部断面斜視図で示す。このエアナイフ１４０は、ナイフ状の鋭利な気体たとえばエアを噴出する気体噴出部１５２と、この気体噴出部１５２の長手方向に延びる一側面に連設されたミスト回収部１５４とを有する。
【００７１】
気体噴出部１５２は、搬送路１１４の左右幅方向において基板Ｇ（図５には図示せず）の端から端までカバーするスリット型の気体噴出口１５６を有する長尺状ノズル体として構成されており、このノズル体の内部は整流用の多孔板１５８によって上部のバッファ室１６０と下部の断面テーパ状の噴射室１６２とに区画されている。なお、このノズル体の左右端面は閉塞している。バッファ室１６０の天井部には１箇所または複数箇所にて給気管１６４が接続されている。図示しない気体供給源からの陽圧のエアが給気管１６４を介してバッファ室１６０に供給され、バッファ室１６０にいったん蓄積されたエアが多孔板１５８および噴射室１６２を通って気体噴出口１５６より所定の圧力および流量でナイフ状に噴出または吐出されるようになっている。
【００７２】
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２の一側壁を兼ねる一方（内側）の側壁部１６６と、この側壁部１６６に接続する天井部１６７から気体噴出部１５２の気体噴出口１５６よりも少し上の高さ位置まで彎曲しながら庇状に延在する他方（外側）の側壁部１６８とで構成されるミスト回収室１７０を有しており、このミスト回収室１７０の下端に形成される開口をミスト吸い込み口１７２としている。なお、ミスト回収室１７０の左右両端は閉塞している。ミスト回収室１７０の天井部１６７には１箇所または複数箇所にて排気管１７４が接続されている。図示しない負圧源からの負圧吸引力が排気管１７４を介してミスト回収室１７０に伝えられることにより、ミスト吸い込み口１７２付近に浮遊しているミストが周囲のエアと一緒にミスト回収室１７０の内奥に吸い込まれ、排気管１７４を通って負圧源側へ送られるようになっている。
【００７３】
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２からの気体の風圧で基板表面（図示せず）より発生するミストをほぼ漏れなく回収できるように、気体噴出部１５２より噴出される気体の大部分を外に逃がさず吸い込むのが好ましい。この条件を満たすように、ミスト回収部１５４側でミスト吸い込み口１７２の形状・サイズや負圧吸引力または排気流量等を適宜設定したり、気体噴出部１５２側で気体噴出口１５６の形状・サイズや気体噴出量等を適宜設定してよい。
【００７４】
図６に、エアナイフ１４０の気体噴出部１５２に液切り用のエアを供給し、エアナイフ１４０のミスト回収部１５４よりミストを回収するシステムの一実施例を示す。
【００７５】
このエア供給およびミスト回収システムは、給気および排気兼用型の電動式ブロアファン１８０を有する空気循環系統として構成されている。より詳細には、ファン１８０の出側を給気管１６４を介して気体噴出部１５２に接続し、ファン１８０の入側を排気管１７４を介してミスト回収部１５４に接続している。給気管１６４の途中には、ファン１８０より給気されるエアの中に含まれる塵埃等の粒子を捕集するためのエアフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１８２や、エアの給気流量を調整するための流量調整器１８４等が設けられる。また、排気管１７４の途中には、ミスト回収部１５４より回収されるエアの中に含まれるミストを捕集するためのミストトラップ１８６や、エアの排気流量を調整するための流量調整器１８８等が設けられる。
【００７６】
このエア供給およびミスト回収システムにおいて、ブロアファン１８０の出側より送出されたエアは給気管１６４を通って気体噴出部１５２に供給される。途中のＵＬＰＡフィルタ１８２では不所望な粒子を取り除かれて清浄な空気となり、流量調整器１８４では所望の流量に調整される。上記のように、気体噴出部１５２に供給されたエアは、内部で蓄積・整流されたうえでスリット状の気体噴出口１５６よりナイフ状の鋭利な空気流として吐出される。この気体噴出口１５６より吹き出されたエアは図示しない基板Ｇの表面に当たって反射し、ミスト吸い込み口１７２からミスト回収室１７０に吸い込まれる。その際、エアの風圧で基板表面からミストが発生したときは、そのミストもエアと一緒に巻き込まれるようにしてミスト回収室１７０に吸い込まれ、排気管１７４へ送られる。排気管１７４を通って回収されたミストおよびエアのうちミストだけがミストトラップ１８６に捕集され、エアはブロアファン１８０の入側へ送られる。ミストトラップ１８６は、たとえば公知のラビリンス方式またはサイクロン方式によってミストをトラップ部材に捕集するものであってよい。流量調整器１８８は、排気管１７４を流れるエアの流量を調整し、ひいてはミスト吸い込み口１７２ないしミスト回収室１７０の吸い込み力を調整することができる。
【００７７】
搬送路１１４の下に配置される他方のエアナイフ１４２も、上記エアナイフ１４０と実質的に同じ構成および機能を有するものであってよい。また、両エアナイフ１４０，１４２を上記のようなエア供給およびミスト回収システムの中で並列接続する構成としてもよい。
【００７８】
次に、図７につき、乾燥処理部Ｍ5内のエアナイフ機構の作用を説明する。両エアナイフ１４０，１４２を通過する基板Ｇは、前段のリンス処理部Ｍ4で上下リンスノズル１３７，１３８よりリンス液を浴びてきており、概して、基板上面にはリンス液が１つないし数個の液膜Ｒaの形態で付いており、基板下面にはリンス液が無数の液滴Ｒbの形態で付いている。
【００７９】
搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイフ１４０，１４２の傍を通過する際に、各エアナイフ１４０，１４２の気体噴出部１５２は搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を噴出してそれぞれ斜め上方および斜め下方から基板Ｇの上面および下面に吹き付ける。
【００８０】
そうすると、基板Ｇの上面では、リンス液の液膜Ｒaが表面張力に抗して基板後方へ吹き寄せられると同時に、エアの風圧を直接受ける上部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに上部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。また、基板Ｇの下面でも、リンス液の液滴Ｒbが基板後方へ寄せ集められると同時に、エアの風圧を直接受ける下部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに下部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。
【００８１】
一例として、各エアナイフ１４０，１４２において、気体噴出部１５２のエア噴出流量は約１ｍ3／分に設定され、ミスト回収部１５４のエア排気流量はエア噴出流量を上回る流量たとえば１.２ｍ3／分に設定されてよい。また、基板Ｇのとの離間距離は、気体噴出口１５６が約３〜４ｍｍ、ミスト回収室１７０の外側壁部１６８が約５〜６ｍｍに設定されてよい。
【００８２】
このように、各エアナイフ１４０，１４２において、その傍を通過する搬送路１１４上の基板Ｇに対して気体噴出部１５２が搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を吹き付けるのと並行して、気体噴出部１５２の上流側に隣接して配置されているミスト回収部１５４が基板表面から発生するミストを周囲に拡散する前に吸い込んで回収することにより、搬送方向下流側へのミストの回り込みを防止し、ひいては乾燥処理直後の基板表面へのミストの再付着を確実に防止することができる。
【００８３】
図８に、上部エアナイフ１４０の一変形例を示す。上部エアナイフ１４０では、ミスト回収室１７０に吸い込まれたミストｍの一部が内壁１６６，１６８に付着して液滴となり、重力によって基板Ｇ上に垂れ落ちる可能性がある。この変形例では、ミスト回収室１７０の下端内側に樋部１９０を設け、この樋部１９０の中に液滴を落として集液することで、垂れ落ちを防止するようにしている。この樋部１９０に集液された液は適宜回収されてよく、たとえばミスト回収室１７０の左右端部の片側および／両側から負圧またはバキューム吸引力で排液する構成としてよい。
【００８４】
図９に、本発明の一実施形態における乾燥処理室Ｍ5および基板乾燥機構の別の構成例を示す。この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。下流側の室Ｍ5b内には気体供給系（図示せず）より給気口１９６を介して気体たとえば空気が適当な流量で供給される一方で、上流側の室Ｍ5a内の空気は主として排気口１９８およびドレイン口２００から適当な流量で排気系統（図示せず）へ排気される。これにより、両室Ｍ5b，Ｍ5aの間では相対的に高圧および低圧の空間がそれぞれ形成され、下流側の高圧室Ｍ5bから隔壁１９４の基板通り抜け開口部１９２を通って上流側の低圧室Ｍ5aへ空気が流れ込む。この空気流の風速および流量は、両室Ｍ5b，Ｍ5a間の圧力差を変えることによって適宜調節できる。なお、パン１５０は上流側の室Ｍ5aだけに設けられてよい。
【００８５】
図１０に、この実施形態における基板乾燥処理の作用を示す。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の室Ｍ5bから上流側の室Ｍ5aに向って、つまり搬送方向に逆らう向きで空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。これにより、基板Ｇは表面から液を取り除かれた状態つまり乾燥状態で下流側の室Ｍ5bに抜け出ることとなり、室Ｍ5b内ではミストｍの再付着するおそれもない。上流側の室Ｍ5aでは排気口１９８やドレイン口２００を介してミストが室外へ排出される。
【００８６】
上記基板Ｇと開口部１９２との間に形成される隙間Ｋ（Ｄa,Ｄb）は、狭いほど空気流Ａの風圧を大きくすることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定してよい。また、下流側の室Ｍ5bにおいて隔壁１９４を仮想線（一点鎖線）１９４'で示すように開口部１９２に向って断面テーパ状に絞る構成とすることにより、開口部１９２を吹き抜ける空気流Ａの指向性を高めることができる。
【００８７】
また、隔壁１９４の開口部１９２付近で基板Ｇは搬送方向と逆向きの空気流Ａを受けるので、基板Ｇがぶれないように水平姿勢を保つのが好ましい。この実施形態では、図９に示すように、開口部１９２の前後または両側にて搬送路１１４上に、基板Ｇの上面の左右両側縁部に接触する押えローラ２０２を設けている。
【００８８】
上記した構成例では搬送路１１４に沿って上下一対のエアノズル１４０，１４２を配置したが、３個以上または二対以上配置する構成や、片側だけに１個または複数個配置する構成も可能である。
【００８９】
上記構成例の気体供給およびミスト回収システム（図６）は、ブロアファン１８０を有する空気循環系統によって構成された。しかし、気体供給システムとミスト回収システムとを独立させる構成も可能である。その場合、気体供給シスムに気体タンクや給気ポンプを使用してもよく、ミスト回収システムにバキューム装置たとえばエジェクト装置を使用してもよい。
【００９０】
上記構成例のエアナイフ機構は、気体噴出部１５２の片側にミスト回収部１５４を連設する構成であった。しかし、気体噴出部１５２の両側にミスト回収部１５４を連接する構成も可能である。また、気体噴出部１５２とミスト回収部１５４とを一体型に代えて分離独立型の構成とすることも可能である。また、気体噴出部１５２の気体噴出口１５６をスリット型に代えて多孔型にすることも可能であり、ミスト回収部１５４においてもミスト回収室１７０等の各部の構成を種々変形することができる。
【００９１】
上記した実施形態では、搬送ローラ１１２を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能であり、さらには適当な治具によって基板を水平方向に搬送する方式も可能である。。
【００９２】
搬送路の途中で、たとえば乾燥処理部Ｍ5内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能である。その場合、エアナイフも基板の傾斜に合せて傾斜状態に切り換える構成とすることができる。
【００９３】
上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニットまたは洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上のリンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任意の液の液切りに適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。
【００９４】
図１１に、図６に示すミスト回収システムの他の構成例を示す。図１１において、図６における構成要素と同一のものについては同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００９５】
この構成例では、エアの湿度を減少させるために、ミストトラップ１８６と流量調整器１８８との間に除湿器１８１をさらに設けている。ミスト回収部１５４から排気された気体はミストトラップ１８６でミストを補集した後であっても、依然として水蒸気が含まれている。除湿器１８１により、水蒸気混じりの気体の湿度を適切に調整すれば、例えば、より乾燥した気体を再び気体噴出部１５２から噴出させることができる。これにより例えば新しい気体を使用する必要がなく気体の消費量を削減することができる。また、より乾燥した気体を噴出させることで基板の周囲の雰囲気も乾燥し、ミストの発生を抑制することができる。
【００９６】
図１２に、気体噴出部の一変形例を示す。図１２（ａ）は、気体噴出部（気体噴出ノズル）１５２を模式的に示す。図示のように、気体噴出ノズル１５２の先端に吐出口１５７が設けられている。図１２（ｂ）は、吐出口１５７の形状を示す。吐出口１５７は、たとえば３つのエリアから構成され、それぞれのエリアには気体が噴出する孔１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃが設けられている。両端のエリアの孔１５７ａおよび１５７ｃは、中央のエリアの孔１５７ｂよりも大きくなっている。気体噴出部１５２より気体を噴出するとき、図１２（ｃ）のように両端エリアにおける孔１５７ａ，１５７ｃの気体噴出量が中央エリアにおける孔１５７ｂの気体噴出量よりも大きい。これにより、液残りの多い基板の端部に強めに気体を吹き付けることができる。
【００９７】
一般的に、基板Ｇの端部の領域には処理液を除去しきれず「液残り」が発生しやすいが、上記の構成によれば、確実にその「液残り」を防止できる。
【００９８】
なお、この気体噴出ノズル１５２において、吐出口または孔１５７ａ、１５７ｂ、１５７ｃは、ノズル１５２の長手方向の端部から中央部にかけて段階的に小さくなるように形成してもよい。
【００９９】
図１３に、気体噴出部１５２より噴出される気体の噴出量の変化を示す。上述のように、一般的に矩形の基板Ｇの端部には処理液が残りやすくなる。そこで、この実施形態では、図１３（ａ）、（ｃ）に示すように矢印方向に流れてくる基板Ｇの下流側端部および上流側端部の領域に吹き付ける気体の量を、図１３（ｂ）に示すように基板Ｇの中央部の領域に吹き付ける量より多くする。基板Ｇの中央部の領域は液残りが少ないため、図１３（ｂ）に示すように比較的弱く吹き付けても除去することができる。
【０１００】
このように、搬送路上で基板Ｇが搬送されることで、気体を噴きつける場所が順に端部、中央部、端部と移行するのに対し、気体噴出の強さは強く、弱く、強く、という具合に、液残りの量に応じて気体噴出の強さを調整することが好ましい。これにより、基板各部の液残りを除去するために必要最小限の強さで気体噴出を行うことができ、省エネルギー化を図ることができる。この気体の噴出量は流量調整器１８４により調整する。
【０１０１】
また、給気側の流量調整器１８４の調節に伴って、排気側の流量調整器１８８を調整することにより、ミストの発生量に応じて排気量を調節してもよい。上記のように基板Ｇの端部に向けて気体を強く噴出した場合、端部に残っている液が多いぶんミストも多めに発生する。一方で、基板Ｇの中央部に向けて気体を噴出した場合には、中央部に残っている液が少ないためミスト発生量も少ない。このとき、例えば気体を強く噴出する場合には排気量が多くなるように、弱く噴出する場合には排気量が少なくなるように調整する。つまり、給気側の流量調整器１８４により噴出量が強く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を強く調整する。また、給気側の流量調整器１８４により噴出量が弱く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を弱く調整する。この動作は自動で制御させるようにしてもよい。
【０１０２】
このように、給気（噴出）側の流量調整器１８４と排気側の流量調整器１８８とを連動して作動させ、適切な強さで効率よくミストを除去することができる。これにより、ブロアファン１８０で消費されるエネルギーを可及的に小さくすることができ、省エネを達成することができる。
【０１０３】
この場合、エアナイフ１４０が設けられている乾燥部Ｍ５内の圧力が、大気圧よりも高くなるように制御することが好ましい。これにより、外部からパーティクルが侵入するのを防止することができる。
【０１０４】
図１４に、上記した（図１２および図１３において説明した）基板Ｇの表面上でエアが強く噴射される領域（破線で示す）を示す。
【０１０５】
図１５は、図８に示したエアナイフ１４０の他の例を示す。この例では、樋部１９０に集められた処理液をポンプ１８９によって吸引する構成としてもよい。これにより、樋部１９０に集められた液が満杯になって溢れ落ちることを防止でき、処理品質を向上させることができる。
【０１０６】
図１６に、上部エアナイフ１４０の他の変形例を示す。この例では、ミスト回収部１５４における側壁部１６８の下部１６８ａにより基板Ｇ上の処理液を掻いている。このように、長く下方へ延びた側壁部１６８によって処理液の一部が塞き止められて除去されるため、気体噴出部１５２およびミスト回収部１５２における気体噴出およびミスト回収の負担が軽減され、気体噴出部１５２からの気体の量を少なくすることができる。これにより、省エネルギー化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】上記塗布現像処理システムにおけるスクラバ洗浄ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】上記スクラバ洗浄ユニットで用いるエアナイフ機構の構成を示す一部断面斜視図である。
【図６】上記スクラバ洗浄ユニットで用いるエア供給およびミスト回収システムの構成を示すブロック図である。
【図７】上記エアナイフ機構の作用を示す略断面図である。
【図８】一変形例によるエアナイフ機構の構成を示す略断面図である。
【図９】本発明の一実施形態における乾燥処理部および基板乾燥機構の構成を示す略側面図である。
【図１０】実施形態における乾燥処理の作用を示す部分拡大側面図である。
【図１１】ミスト回収システムの他の構成例を示す図である。
【図１２】気体噴出部の一変形例を示す図である。
【図１３】気体噴出部より噴出される気体の噴出量の変化を示す側面図である。
【図１４】基板の表面上でエアが強く噴射される領域を示す平面図である。
【図１５】図８に示したエアナイフ機構の他の例を示す略断面図である。
【図１６】エアナイフの一変形例を示す略断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０ 塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション
２４ 洗浄プロセス部
４２ スクラバ洗浄ユニット
９４（ＤＥＶ） 現像ユニット
１１２ 搬送ローラ
１１４ 搬送路
Ｍ5 乾燥処理部
１４０ 上部エアナイフ
１４２ 下部エアナイフ
１５２ 気体噴出部
１５４ ミスト回収部
１５６ 気体噴出口
１５７ａ〜１５７ｃ 吐出口（孔）
１６４ 給気管
１７０ ミスト回収室
１７２ ミスト吸い込み口
１７４ 排気管
１８０ ブロアファン
１８１ 除湿器
１８９ ポンプ
１９０ 樋部
Ｍ5a 上流側（低圧）室
Ｍ5b 下流側（高圧）室
１９２ 基板通り抜け開口部
１９４ 隔壁
１９６ 給気口
１９８ 排気口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平流し方式で被処理基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。
【０００３】
一般に、平流し方式の洗浄装置や現像装置では、たとえば特許文献１に示されるように、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツールとして、エアナイフが用いられている。エアナイフは、搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過する際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされる）。
【特許文献１】特開２００３−７５８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のこの種の基板処理装置では、エアナイフの傍を通過する基板表面からミストが発生して、周囲に飛散または舞い上がったミストの一部がエアナイフの下流側に廻り込んで乾燥処理直後の基板表面に付着することがあり、歩留りを下げる原因になっていた。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力空間を形成する差圧形成手段とを有し、前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を払い落とす構成とした。
【０００７】
上記の構成においては、搬送路上で基板が隔壁の開口部を通り抜ける際に、基板と開口部との間に形成される隙間を通って下流側の第２の室から上流側の第１の室に向って、つまり搬送方向に逆らう向きで空気流が吹き抜けることにより、基板の表面に付着している液が該空気流の風圧によって基板後方へ払い落とされ、一部はミストとなって第１の室内で飛散ないし拡散する。こうして、開口部を通り抜けた基板の表面は液を取り除かれた状態つまり乾燥状態になる。基板と開口部との間に形成される隙間は、狭いほど大きな液切り用の風圧を得ることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定されてよい。
【０００８】
また、好ましい一態様として、第２の室側で隔壁が開口部に向かって断面テーパ状に絞られる。かかる構成によれば、第１の室から第２の室に向かって開口部を吹き抜ける空気流の指向性を高め、基板表面の液を一層効果的に払い落とすことができる。
【０００９】
また、好ましい一態様として、開口部付近にて搬送路上を移動する基板がぶれないように基板の両側縁部に上から接触する押えローラが設けられる。押えローラの働きで基板がぶれずに水平姿勢を保って開口部を通り抜けられるので、開口部を可及的に狭くすることができる。
【００１０】
また、好ましくは、第２の室に給気口が設けられ、気体供給系より給気口を介して第２の室気内に所定の流量で空気が供給されてよい。一方で、第１の室に排気口が設けられ、第１の室内の空気およびミストが排気口を介して排気系統へ排気されてよい。かかる給排気機構により、開口部を通る空気流の圧力ひいては基板液切り能力が安定に保たれるとともに、第１の室から第２の室へのミストの侵入を一層確実に防止できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させ、ひいては歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１３】
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１４】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１７】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００１８】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００１９】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２０】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２１】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２２】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２３】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２４】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２５】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２６】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００２７】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００２８】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００２９】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３０】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３１】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３２】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３３】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３４】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００３５】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００３６】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００３７】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００３８】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００３９】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４０】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４１】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４３】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４４】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４５】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４６】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４７】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００４８】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００４９】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１０を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に適用した一実施形態を説明する。
【００５０】
図４に、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の一構成例を示す。このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロックまたはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
【００５１】
これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬出部を構成している。
【００５２】
基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。もっとも、リフトピン１１８，１２０を設けずに搬送ローラ１１２を延設することにより基板Ｇの受け渡しを行う構成も可能である。
【００５３】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室（Ｍ3）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。
【００５４】
ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４，１３５が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３６も設けられている。
【００５５】
リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３９も設けられている。
【００５６】
乾燥処理部Ｍ5には、本実施形態における液切り用のエアナイフ機構として複数（図示の例では一対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送路１１４を挟んで上下に配置されている。
【００５７】
処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。
【００５８】
ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における全体の動作および作用を説明する。基板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向けて搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成されており、その長辺方向または長手方向が搬送方向と平行になる向きで搬送路１１４上を搬送される。
【００５９】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対して、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカリ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプレー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置して、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付けてもよい。
【００６０】
次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２６，１２８の間を通り抜け、その際に各ロールブラシ１２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液たとえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を洗い流す。
【００６１】
スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エアカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ2側のパン１４４に落とされる。
【００６２】
ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液（たとえば純水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着または残存している異物が除去される。
【００６３】
ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリンス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ3側のパン１４６に落とされる。
【００６４】
リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下両面に対して、上下のリンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水を吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面には清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。
【００６５】
リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられ、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされる。
【００６６】
乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエアナイフ１４０，１４２が気体（たとえば空気または窒素ガス等の中性ガス）を吹き付けることにより、基板表面に付いていたリンス液を取り除く（液切りする）。後に詳しく説明するように、この液切りに際しては、エアナイフ１４０，１４２付近の基板表面より発生するミストが周囲へ拡散したり基板表面に再付着することなく回収除去されるようになっている。
【００６７】
なお、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所的に残るのを防止するために、エアナイフ１４０，１４２の少し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）よりたとえば純水を基板Ｇの上面または全面に万遍に吹き付けるのが好ましい。
【００６８】
乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られる。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００６９】
次に、図５〜図８につき、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の実施例を説明する。
【００７０】
図５に、乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の一実施例を一部断面斜視図で示す。このエアナイフ１４０は、ナイフ状の鋭利な気体たとえばエアを噴出する気体噴出部１５２と、この気体噴出部１５２の長手方向に延びる一側面に連設されたミスト回収部１５４とを有する。
【００７１】
気体噴出部１５２は、搬送路１１４の左右幅方向において基板Ｇ（図５には図示せず）の端から端までカバーするスリット型の気体噴出口１５６を有する長尺状ノズル体として構成されており、このノズル体の内部は整流用の多孔板１５８によって上部のバッファ室１６０と下部の断面テーパ状の噴射室１６２とに区画されている。なお、このノズル体の左右端面は閉塞している。バッファ室１６０の天井部には１箇所または複数箇所にて給気管１６４が接続されている。図示しない気体供給源からの陽圧のエアが給気管１６４を介してバッファ室１６０に供給され、バッファ室１６０にいったん蓄積されたエアが多孔板１５８および噴射室１６２を通って気体噴出口１５６より所定の圧力および流量でナイフ状に噴出または吐出されるようになっている。
【００７２】
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２の一側壁を兼ねる一方（内側）の側壁部１６６と、この側壁部１６６に接続する天井部１６７から気体噴出部１５２の気体噴出口１５６よりも少し上の高さ位置まで彎曲しながら庇状に延在する他方（外側）の側壁部１６８とで構成されるミスト回収室１７０を有しており、このミスト回収室１７０の下端に形成される開口をミスト吸い込み口１７２としている。なお、ミスト回収室１７０の左右両端は閉塞している。ミスト回収室１７０の天井部１６７には１箇所または複数箇所にて排気管１７４が接続されている。図示しない負圧源からの負圧吸引力が排気管１７４を介してミスト回収室１７０に伝えられることにより、ミスト吸い込み口１７２付近に浮遊しているミストが周囲のエアと一緒にミスト回収室１７０の内奥に吸い込まれ、排気管１７４を通って負圧源側へ送られるようになっている。
【００７３】
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２からの気体の風圧で基板表面（図示せず）より発生するミストをほぼ漏れなく回収できるように、気体噴出部１５２より噴出される気体の大部分を外に逃がさず吸い込むのが好ましい。この条件を満たすように、ミスト回収部１５４側でミスト吸い込み口１７２の形状・サイズや負圧吸引力または排気流量等を適宜設定したり、気体噴出部１５２側で気体噴出口１５６の形状・サイズや気体噴出量等を適宜設定してよい。
【００７４】
図６に、エアナイフ１４０の気体噴出部１５２に液切り用のエアを供給し、エアナイフ１４０のミスト回収部１５４よりミストを回収するシステムの一実施例を示す。
【００７５】
このエア供給およびミスト回収システムは、給気および排気兼用型の電動式ブロアファン１８０を有する空気循環系統として構成されている。より詳細には、ファン１８０の出側を給気管１６４を介して気体噴出部１５２に接続し、ファン１８０の入側を排気管１７４を介してミスト回収部１５４に接続している。給気管１６４の途中には、ファン１８０より給気されるエアの中に含まれる塵埃等の粒子を捕集するためのエアフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１８２や、エアの給気流量を調整するための流量調整器１８４等が設けられる。また、排気管１７４の途中には、ミスト回収部１５４より回収されるエアの中に含まれるミストを捕集するためのミストトラップ１８６や、エアの排気流量を調整するための流量調整器１８８等が設けられる。
【００７６】
このエア供給およびミスト回収システムにおいて、ブロアファン１８０の出側より送出されたエアは給気管１６４を通って気体噴出部１５２に供給される。途中のＵＬＰＡフィルタ１８２では不所望な粒子を取り除かれて清浄な空気となり、流量調整器１８４では所望の流量に調整される。上記のように、気体噴出部１５２に供給されたエアは、内部で蓄積・整流されたうえでスリット状の気体噴出口１５６よりナイフ状の鋭利な空気流として吐出される。この気体噴出口１５６より吹き出されたエアは図示しない基板Ｇの表面に当たって反射し、ミスト吸い込み口１７２からミスト回収室１７０に吸い込まれる。その際、エアの風圧で基板表面からミストが発生したときは、そのミストもエアと一緒に巻き込まれるようにしてミスト回収室１７０に吸い込まれ、排気管１７４へ送られる。排気管１７４を通って回収されたミストおよびエアのうちミストだけがミストトラップ１８６に捕集され、エアはブロアファン１８０の入側へ送られる。ミストトラップ１８６は、たとえば公知のラビリンス方式またはサイクロン方式によってミストをトラップ部材に捕集するものであってよい。流量調整器１８８は、排気管１７４を流れるエアの流量を調整し、ひいてはミスト吸い込み口１７２ないしミスト回収室１７０の吸い込み力を調整することができる。
【００７７】
搬送路１１４の下に配置される他方のエアナイフ１４２も、上記エアナイフ１４０と実質的に同じ構成および機能を有するものであってよい。また、両エアナイフ１４０，１４２を上記のようなエア供給およびミスト回収システムの中で並列接続する構成としてもよい。
【００７８】
次に、図７につき、乾燥処理部Ｍ5内のエアナイフ機構の作用を説明する。両エアナイフ１４０，１４２を通過する基板Ｇは、前段のリンス処理部Ｍ4で上下リンスノズル１３７，１３８よりリンス液を浴びてきており、概して、基板上面にはリンス液が１つないし数個の液膜Ｒaの形態で付いており、基板下面にはリンス液が無数の液滴Ｒbの形態で付いている。
【００７９】
搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイフ１４０，１４２の傍を通過する際に、各エアナイフ１４０，１４２の気体噴出部１５２は搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を噴出してそれぞれ斜め上方および斜め下方から基板Ｇの上面および下面に吹き付ける。
【００８０】
そうすると、基板Ｇの上面では、リンス液の液膜Ｒaが表面張力に抗して基板後方へ吹き寄せられると同時に、エアの風圧を直接受ける上部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに上部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。また、基板Ｇの下面でも、リンス液の液滴Ｒbが基板後方へ寄せ集められると同時に、エアの風圧を直接受ける下部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに下部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。
【００８１】
一例として、各エアナイフ１４０，１４２において、気体噴出部１５２のエア噴出流量は約１ｍ3／分に設定され、ミスト回収部１５４のエア排気流量はエア噴出流量を上回る流量たとえば１.２ｍ3／分に設定されてよい。また、基板Ｇのとの離間距離は、気体噴出口１５６が約３〜４ｍｍ、ミスト回収室１７０の外側壁部１６８が約５〜６ｍｍに設定されてよい。
【００８２】
このように、各エアナイフ１４０，１４２において、その傍を通過する搬送路１１４上の基板Ｇに対して気体噴出部１５２が搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を吹き付けるのと並行して、気体噴出部１５２の上流側に隣接して配置されているミスト回収部１５４が基板表面から発生するミストを周囲に拡散する前に吸い込んで回収することにより、搬送方向下流側へのミストの回り込みを防止し、ひいては乾燥処理直後の基板表面へのミストの再付着を確実に防止することができる。
【００８３】
図８に、上部エアナイフ１４０の一変形例を示す。上部エアナイフ１４０では、ミスト回収室１７０に吸い込まれたミストｍの一部が内壁１６６，１６８に付着して液滴となり、重力によって基板Ｇ上に垂れ落ちる可能性がある。この変形例では、ミスト回収室１７０の下端内側に樋部１９０を設け、この樋部１９０の中に液滴を落として集液することで、垂れ落ちを防止するようにしている。この樋部１９０に集液された液は適宜回収されてよく、たとえばミスト回収室１７０の左右端部の片側および／両側から負圧またはバキューム吸引力で排液する構成としてよい。
【００８４】
図９に、本発明の一実施形態における乾燥処理室Ｍ5および基板乾燥機構の別の構成例を示す。この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。下流側の室Ｍ5b内には気体供給系（図示せず）より給気口１９６を介して気体たとえば空気が適当な流量で供給される一方で、上流側の室Ｍ5a内の空気は主として排気口１９８およびドレイン口２００から適当な流量で排気系統（図示せず）へ排気される。これにより、両室Ｍ5b，Ｍ5aの間では相対的に高圧および低圧の空間がそれぞれ形成され、下流側の高圧室Ｍ5bから隔壁１９４の基板通り抜け開口部１９２を通って上流側の低圧室Ｍ5aへ空気が流れ込む。この空気流の風速および流量は、両室Ｍ5b，Ｍ5a間の圧力差を変えることによって適宜調節できる。なお、パン１５０は上流側の室Ｍ5aだけに設けられてよい。
【００８５】
図１０に、この実施形態における基板乾燥処理の作用を示す。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の室Ｍ5bから上流側の室Ｍ5aに向って、つまり搬送方向に逆らう向きで空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。これにより、基板Ｇは表面から液を取り除かれた状態つまり乾燥状態で下流側の室Ｍ5bに抜け出ることとなり、室Ｍ5b内ではミストｍの再付着するおそれもない。上流側の室Ｍ5aでは排気口１９８やドレイン口２００を介してミストが室外へ排出される。
【００８６】
上記基板Ｇと開口部１９２との間に形成される隙間Ｋ（Ｄa,Ｄb）は、狭いほど空気流Ａの風圧を大きくすることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定してよい。また、下流側の室Ｍ5bにおいて隔壁１９４を仮想線（一点鎖線）１９４'で示すように開口部１９２に向って断面テーパ状に絞る構成とすることにより、開口部１９２を吹き抜ける空気流Ａの指向性を高めることができる。
【００８７】
また、隔壁１９４の開口部１９２付近で基板Ｇは搬送方向と逆向きの空気流Ａを受けるので、基板Ｇがぶれないように水平姿勢を保つのが好ましい。この実施形態では、図９に示すように、開口部１９２の前後または両側にて搬送路１１４上に、基板Ｇの上面の左右両側縁部に接触する押えローラ２０２を設けている。
【００８８】
上記した構成例では搬送路１１４に沿って上下一対のエアノズル１４０，１４２を配置したが、３個以上または二対以上配置する構成や、片側だけに１個または複数個配置する構成も可能である。
【００８９】
上記構成例の気体供給およびミスト回収システム（図６）は、ブロアファン１８０を有する空気循環系統によって構成された。しかし、気体供給システムとミスト回収システムとを独立させる構成も可能である。その場合、気体供給シスムに気体タンクや給気ポンプを使用してもよく、ミスト回収システムにバキューム装置たとえばエジェクト装置を使用してもよい。
【００９０】
上記構成例のエアナイフ機構は、気体噴出部１５２の片側にミスト回収部１５４を連設する構成であった。しかし、気体噴出部１５２の両側にミスト回収部１５４を連接する構成も可能である。また、気体噴出部１５２とミスト回収部１５４とを一体型に代えて分離独立型の構成とすることも可能である。また、気体噴出部１５２の気体噴出口１５６をスリット型に代えて多孔型にすることも可能であり、ミスト回収部１５４においてもミスト回収室１７０等の各部の構成を種々変形することができる。
【００９１】
上記した実施形態では、搬送ローラ１１２を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能であり、さらには適当な治具によって基板を水平方向に搬送する方式も可能である。。
【００９２】
搬送路の途中で、たとえば乾燥処理部Ｍ5内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能である。その場合、エアナイフも基板の傾斜に合せて傾斜状態に切り換える構成とすることができる。
【００９３】
上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニットまたは洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上のリンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任意の液の液切りに適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。
【００９４】
図１１に、図６に示すミスト回収システムの他の構成例を示す。図１１において、図６における構成要素と同一のものについては同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００９５】
この構成例では、エアの湿度を減少させるために、ミストトラップ１８６と流量調整器１８８との間に除湿器１８１をさらに設けている。ミスト回収部１５４から排気された気体はミストトラップ１８６でミストを補集した後であっても、依然として水蒸気が含まれている。除湿器１８１により、水蒸気混じりの気体の湿度を適切に調整すれば、例えば、より乾燥した気体を再び気体噴出部１５２から噴出させることができる。これにより例えば新しい気体を使用する必要がなく気体の消費量を削減することができる。また、より乾燥した気体を噴出させることで基板の周囲の雰囲気も乾燥し、ミストの発生を抑制することができる。
【００９６】
図１２に、気体噴出部の一変形例を示す。図１２（ａ）は、気体噴出部（気体噴出ノズル）１５２を模式的に示す。図示のように、気体噴出ノズル１５２の先端に吐出口１５７が設けられている。図１２（ｂ）は、吐出口１５７の形状を示す。吐出口１５７は、たとえば３つのエリアから構成され、それぞれのエリアには気体が噴出する孔１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃが設けられている。両端のエリアの孔１５７ａおよび１５７ｃは、中央のエリアの孔１５７ｂよりも大きくなっている。気体噴出部１５２より気体を噴出するとき、図１２（ｃ）のように両端エリアにおける孔１５７ａ，１５７ｃの気体噴出量が中央エリアにおける孔１５７ｂの気体噴出量よりも大きい。これにより、液残りの多い基板の端部に強めに気体を吹き付けることができる。
【００９７】
一般的に、基板Ｇの端部の領域には処理液を除去しきれず「液残り」が発生しやすいが、上記の構成によれば、確実にその「液残り」を防止できる。
【００９８】
なお、この気体噴出ノズル１５２において、吐出口または孔１５７ａ、１５７ｂ、１５７ｃは、ノズル１５２の長手方向の端部から中央部にかけて段階的に小さくなるように形成してもよい。
【００９９】
図１３に、気体噴出部１５２より噴出される気体の噴出量の変化を示す。上述のように、一般的に矩形の基板Ｇの端部には処理液が残りやすくなる。そこで、この実施形態では、図１３（ａ）、（ｃ）に示すように矢印方向に流れてくる基板Ｇの下流側端部および上流側端部の領域に吹き付ける気体の量を、図１３（ｂ）に示すように基板Ｇの中央部の領域に吹き付ける量より多くする。基板Ｇの中央部の領域は液残りが少ないため、図１３（ｂ）に示すように比較的弱く吹き付けても除去することができる。
【０１００】
このように、搬送路上で基板Ｇが搬送されることで、気体を噴きつける場所が順に端部、中央部、端部と移行するのに対し、気体噴出の強さは強く、弱く、強く、という具合に、液残りの量に応じて気体噴出の強さを調整することが好ましい。これにより、基板各部の液残りを除去するために必要最小限の強さで気体噴出を行うことができ、省エネルギー化を図ることができる。この気体の噴出量は流量調整器１８４により調整する。
【０１０１】
また、給気側の流量調整器１８４の調節に伴って、排気側の流量調整器１８８を調整することにより、ミストの発生量に応じて排気量を調節してもよい。上記のように基板Ｇの端部に向けて気体を強く噴出した場合、端部に残っている液が多いぶんミストも多めに発生する。一方で、基板Ｇの中央部に向けて気体を噴出した場合には、中央部に残っている液が少ないためミスト発生量も少ない。このとき、例えば気体を強く噴出する場合には排気量が多くなるように、弱く噴出する場合には排気量が少なくなるように調整する。つまり、給気側の流量調整器１８４により噴出量が強く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を強く調整する。また、給気側の流量調整器１８４により噴出量が弱く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を弱く調整する。この動作は自動で制御させるようにしてもよい。
【０１０２】
このように、給気（噴出）側の流量調整器１８４と排気側の流量調整器１８８とを連動して作動させ、適切な強さで効率よくミストを除去することができる。これにより、ブロアファン１８０で消費されるエネルギーを可及的に小さくすることができ、省エネを達成することができる。
【０１０３】
この場合、エアナイフ１４０が設けられている乾燥部Ｍ５内の圧力が、大気圧よりも高くなるように制御することが好ましい。これにより、外部からパーティクルが侵入するのを防止することができる。
【０１０４】
図１４に、上記した（図１２および図１３において説明した）基板Ｇの表面上でエアが強く噴射される領域（破線で示す）を示す。
【０１０５】
図１５は、図８に示したエアナイフ１４０の他の例を示す。この例では、樋部１９０に集められた処理液をポンプ１８９によって吸引する構成としてもよい。これにより、樋部１９０に集められた液が満杯になって溢れ落ちることを防止でき、処理品質を向上させることができる。
【０１０６】
図１６に、上部エアナイフ１４０の他の変形例を示す。この例では、ミスト回収部１５４における側壁部１６８の下部１６８ａにより基板Ｇ上の処理液を掻いている。このように、長く下方へ延びた側壁部１６８によって処理液の一部が塞き止められて除去されるため、気体噴出部１５２およびミスト回収部１５２における気体噴出およびミスト回収の負担が軽減され、気体噴出部１５２からの気体の量を少なくすることができる。これにより、省エネルギー化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】上記塗布現像処理システムにおけるスクラバ洗浄ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】上記スクラバ洗浄ユニットで用いるエアナイフ機構の構成を示す一部断面斜視図である。
【図６】上記スクラバ洗浄ユニットで用いるエア供給およびミスト回収システムの構成を示すブロック図である。
【図７】上記エアナイフ機構の作用を示す略断面図である。
【図８】一変形例によるエアナイフ機構の構成を示す略断面図である。
【図９】本発明の一実施形態における乾燥処理部および基板乾燥機構の構成を示す略側面図である。
【図１０】実施形態における乾燥処理の作用を示す部分拡大側面図である。
【図１１】ミスト回収システムの他の構成例を示す図である。
【図１２】気体噴出部の一変形例を示す図である。
【図１３】気体噴出部より噴出される気体の噴出量の変化を示す側面図である。
【図１４】基板の表面上でエアが強く噴射される領域を示す平面図である。
【図１５】図８に示したエアナイフ機構の他の例を示す略断面図である。
【図１６】エアナイフの一変形例を示す略断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０ 塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション
２４ 洗浄プロセス部
４２ スクラバ洗浄ユニット
９４（ＤＥＶ） 現像ユニット
１１２ 搬送ローラ
１１４ 搬送路
Ｍ5 乾燥処理部
１４０ 上部エアナイフ
１４２ 下部エアナイフ
１５２ 気体噴出部
１５４ ミスト回収部
１５６ 気体噴出口
１５７ａ〜１５７ｃ 吐出口（孔）
１６４ 給気管
１７０ ミスト回収室
１７２ ミスト吸い込み口
１７４ 排気管
１８０ ブロアファン
１８１ 除湿器
１８９ ポンプ
１９０ 樋部
Ｍ5a 上流側（低圧）室
Ｍ5b 下流側（高圧）室
１９２ 基板通り抜け開口部
１９４ 隔壁
１９６ 給気口
１９８ 排気口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、
前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、
前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力の空間を形成する差圧形成手段とを有し、
前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を払い落とす基板処理装置。
【請求項２】
前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を４ｍｍ以下に設定する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の室側で前記隔壁が前記開口部に向かって断面テーパ状に絞られている請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記開口部付近にて前記搬送路上を移動する前記基板がぶれないように前記基板の両側縁部に上から接触する押えローラを有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２の室に給気口が設けられ、気体供給系より前記給気口を介して前記第２の室気内に所定の流量で空気が供給される請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の室に排気口が設けられ、前記第１の室内の空気およびミストが前記排気口を介して排気系統へ排気される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、
前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、
前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力の空間を形成する差圧形成手段とを有し、
前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を払い落とす基板処理装置。
【請求項２】
前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を４ｍｍ以下に設定する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の室側で前記隔壁が前記開口部に向かって断面テーパ状に絞られている請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記開口部付近にて前記搬送路上を移動する前記基板がぶれないように前記基板の両側縁部に上から接触する押えローラを有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２の室に給気口が設けられ、気体供給系より前記給気口を介して前記第２の室気内に所定の流量で空気が供給される請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の室に排気口が設けられ、前記第１の室内の空気およびミストが前記排気口を介して排気系統へ排気される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００７−３００１２９（Ｐ２００７−３００１２９Ａ）
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３０３８４（Ｐ２００７−１３０３８４）
【出願日】平成１９年５月１６日（２００７．５．１６）
【分割の表示】特願２００２−３２５１２１（Ｐ２００２−３２５１２１）の分割
【原出願日】平成１４年１１月８日（２００２．１１．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１６日（２００７．５．１６）
【分割の表示】特願２００２−３２５１２１（Ｐ２００２−３２５１２１）の分割
【原出願日】平成１４年１１月８日（２００２．１１．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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