【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置１００はウエハＷを上方から支持する回転自在の基板支持部１０と、基板支持部１０の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハＷに対して供給するトッププレートノズル１０ｎとを備えている。トッププレートノズル１０ｎは基板支持部１０に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０から離間した状態でトッププレートノズル１０ｎからリンス液をウエハＷに対して供給する。トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０に接近させた状態で、トッププレートノズル１０ｎからリンス液を基板支持部１０の下面に供給して洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】ａ）処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること；ｂ）液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及びｃ）水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び／または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８１と、ノズル８１を支持するノズル支持アーム８２とを備えている。ノズル支持アーム８２には吸引機構７１が設けられている。この吸引機構７１は、ノズル支持アーム８２の表面に形成された吸引部７８と、吸引部７８を介してノズル支持アーム８２の表面に付着した液滴を吸引する吸引管７３と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、下流側のＦＦＵ１３６から隙間Ｋを通って廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に上部排気口１２４に吸い込まれる。基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を溶解または融解させた処理液で置換し、充填する、処理液充填工程、
前記凹部に充填された前記処理液から固体の昇華性物質を析出させる、固体析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を加熱により融解した充填用融液で置換し、充填する、融液充填工程、
前記凹部に充填された前記融液を冷却することにより固体の昇華性物質を析出させる、冷却析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有するウェハの洗浄方法であって、前記充填用融液が、含有する昇華性物質の融点以上、融点＋２５℃以下の温度範囲内で充填用処理剤を融解させた融液であることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器１内にウエハＷを搬入出する搬入出口２を囲むように、処理容器１と蓋体３との間に第１のシール部材１１及び第２のシール部材１２を搬入出口２側から処理容器１の外側に向かってこの順番で配置して、第１のシール部材１１については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第１のシール部材１１に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域１３に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域１３における圧力が処理容器内１の圧力よりも低く且つ処理容器１の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第２のシール部材１２により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理時に天板に付着したヒュームが、ＳＰＭ処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板３２は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード７０は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置及びこれを利用する超臨界流体排出方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、超臨界流体が提供される容器と、前記容器から前記超臨界流体が排出されるベントラインと、前記ベントラインに設置されて超臨界流体の凍結を防止する凍結防止ユニットと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器３１内に高圧流体を供給する際、流体供給路３５１に設けられた遮断部を開き、流量調整部３５４により流量を調整した状態で開閉弁３５２を開いて処理容器３１に高圧流体を導入し（または原料流体を処理容器３１内で高圧流体に変化させ）、基板Ｗの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁３５２と減圧弁３４２とを開き、処理容器３１に接続された排出路３４１を介して流体供給路３５１と処理容器３１とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Ｗを当該処理容器３１から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液（ＳＬ）を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質（ＳＳ）で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が１５度以下であるとする。 （もっと読む）

【課題】液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルを保持するノズルアーム４とを含む。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。ノズルアーム４の少なくとも一部の直交断面Ｃ１は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している頂部４５と、頂部４５より側方に位置している側部４２と、頂部４５から側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）