説明

Fターム[5F157AB62]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 移送の態様、搬入搬出口の配置 (583) | 直線運動 (149)

Fターム[5F157AB62]に分類される特許

1 - 20 / 149



【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラ9と、処理液吐出口21が形成され、この処理液吐出口21とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル2と、処理液保持面31を備え、処理液吐出口21と処理液保持面31との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の表面に供給された処理液がガラス基板100の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ5と、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部4とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記遮蔽扉(33)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(36)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 基板を均一に処理することが可能な基板処理装置および搬送ローラを提供する。
【解決手段】 搬送ローラ1は、駆動軸3と、複数のローラ部2とから成る。そして、複数のローラ部2は、各々、同一形状を成す3個のローラ部材2a、2b、2cから構成される。これらのローラ部材2a、2b、2cには、その表面が駆動軸3を中心とする円上に配置されたガラス基板との当接領域と、その表面が円より駆動軸3の軸心側に配置されたガラス基板との非当接領域とが形成されている。この当接領域は、円の円周全域の1/3をわずかに越えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、基板Wを搬送する搬送部2と、その搬送部2により搬送される基板Wの被洗浄面Sに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル3とを備え、その供給ノズル3は、被洗浄面S上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Wの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 (もっと読む)


【課題】基板を洗浄する回転ブラシに、汚染粒子が静電吸着されることを防止することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、基板9を搬送する搬送機構2と、基板9との摩擦によりマイナスに帯電する材料で形成され、基板9に接触して回転することにより基板9に付着している汚染粒子を除去する回転ブラシ3と、マイナスに帯電している微小気泡を含む洗浄液を回転ブラシ3に向けて供給する第1洗浄液供給部6と、を備える。 (もっと読む)


【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第1センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第2センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第3センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第1乃至第3センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 (もっと読む)


【課題】タンクである容器の破損を抑制しつつ、効率的に溶剤蒸気を発生できる蒸気発生装置を提供する。
【解決手段】
この蒸気発生装置37では、フランジ75aを有する支持部材75、第1凹部75b、及び第1Oリング76により、タンク71を下側から支持しているので、従来のような加熱手段からの熱による熱応力により、接着シールが破損することもなく、タンク71の支持機能を維持することができる。また、支持部材75、支持部材75の側部に形成された第2凹部75c、及び第2Oリング77により、タンク71を側部から支持しているので、第2Oリング77によりタンク71の側部下側の熱変形に対応できる。さらに、上側アルミ板81の上部とタンク71との間には伝熱スポンジ84が設けられているので、タンク71の底面の反りとヒータ41の反りに対応できる。 (もっと読む)


【課題】被加工物に洗浄液を噴射することによって切削屑が混入したミストが飛散しても、この飛散したミストに混入されている切削屑が再び被加工物の表面に付着することがないスピンナー洗浄装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持し回転可能なスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄液を噴射する噴射口を有する洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄液噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置であって、洗浄液噴射ノズルの噴射口の背部を覆って配設された集塵傘と、集塵傘に設けられた吸引口に一端が連通して配設された吸引チューブと、吸引チューブの他端が接続された吸引源とを具備するミスト吸引手段を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)の周縁を保持する保持プレート(30)と、基板を下方から支持するリフトピン(22)を有するリフトピンプレート(20)と、保持プレートを回転させる回転駆動部(39)と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管(40)と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル(60)と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構(44,46,50,52)を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口(61)を有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1Aは、循環路と、濃度センサ21と、制御部26とを備える。循環路は、キレート過水液100を用いてガラス基板200の洗浄を行なう洗浄槽10と、キレート過水液100を一時的に貯留する貯留槽16と、これら洗浄槽10および貯留槽16を接続する送り管18および戻し管15とを含んでいる。濃度センサ21は、キレート過水液100の濃度を検出するためのものであり、送り管18に設けられている。制御部26は、濃度センサ21によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽16に供給することでキレート過水液100の濃度管理を行なう。 (もっと読む)


【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハWを浸漬可能なリンス槽31に満たされた洗浄液Lの液面L1より上方に上方ノズル34を設け、ウェーハWを立てた状態で洗浄液Lに浸漬し、上方ノズル34からリンス槽31の底部に向かって噴射液Fを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Fをリンス槽31内に導入することでウェーハWを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第1の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第2の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体21は、被処理基板Wを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部243からは回転している被処理基板Wの下面に処理液が供給される。囲み部材3は回転する被処理基板Wを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材3の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部32は、被処理被処理基板Wの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 (もっと読む)


【課題】基板の洗浄処理を効率よく行うことができ、設置スペースを小さくすることができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給台30と、回収台36と、供給台30から回収台36までの搬送経路に沿って配置され、基板を洗浄する一連の洗浄処理工程を行う複数個の洗浄処理槽22,24,26と、互いに隣接する洗浄処理槽22,24,26の間に配置された仮置台32,34と、基板が収納されたラック2,4,6,8を搬送する複数の搬送アーム部44,46,48とを備える。搬送アーム部44,46,48は、それぞれ、搬送経路の互いに異なる区間において、基板が収納されたラック2,4,6,8を、供給台30又は仮置台32,34から洗浄処理槽22,24,26に搬送する第1の動作と、洗浄処理槽22,24,26から仮置台32,34又は回収台36に搬送する第2の動作とを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】RFアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓52の上に設けられるRFアンテナ54が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル62に分割されている。内側コイル58は、単一または直列接続の内側コイルセグメント59を有する。中間コイル60は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている2つの中間コイルセグメント61(1),61(2)を有する。外側コイル62は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている3つの外側コイルセグメント63(1),63(2),63(3)を有する。 (もっと読む)


【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板の前端面が高温加熱プレート10の上流側端部を通過するときに、基板を高速で搬送する。その後、基板を低速で搬送し、基板の後端面が高温加熱プレート10の下流側端部を通過するときに、再び基板を高速で搬送する。基板の前端面および後端面は、高温加熱プレート10の上流側端部および下流側端部を、それぞれ迅速に通過する。このため、高温加熱プレート10から基板の前端面および後端面に与えられる熱量が、抑制される。その結果、基板の熱均一性が向上する。 (もっと読む)


1 - 20 / 149