基板処理装置
【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して一連の処理（例えば、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の処理）を行うことによって製造される。
【０００３】
これらの処理を行う基板処理装置は、例えば、複数の処理ブロック（基板表面に反射防止膜を形成する反射防止膜用処理ブロック、反射防止膜の上にレジスト膜を塗布するレジスト膜用処理ブロック、露光後の基板を現像する現像処理ブロック等）を並設した構成を備え、露光処理を行う露光装置に隣接して配置される。
【０００４】
基板は、各処理ブロックに所定の順序で搬送されながら一連の処理を受ける。すなわち、カセットに収容された未処理基板は、搬送装置によって一枚ずつ運び出され、インデクサブロックを介して反射防止膜用処理ブロックに搬入される。そして、そこで表面に反射防止膜を形成される。反射防止膜が形成された基板は、続いてレジスト膜用処理ブロックに搬入され、そこでレジスト膜を塗布される。レジスト膜が形成された基板は、一旦基板処理装置から外部装置である露光装置へと運ばれ、そこで露光処理される。露光処理後の基板は再び基板処理装置内に搬入され、現像処理ブロックにて現像される。これらの処理を受けてその表面にレジストパターンが形成された基板は、インデクサブロックを介して再びカセットに収容される。
【０００５】
ところで、カセットに収容されている未処理基板は、必ずしも清浄な状態にあるとは限らない。汚れた基板に対して一連の処理が実行されてしまうと欠陥が発生してしまう。また、端面や裏面等にパーティクル等が付着した基板がトラック内に搬入されてしまうと、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーションの原因となってしまう。
【０００６】
特に、液浸法（投影光学系と基板との間に、屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態とすることによって、基板表面における露光光を短波長化し、微細な露光パターンを形成することを可能とする露光方法）による露光処理を行う露光装置の場合、基板の端面や裏面等に付着したパーティクル等によって露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００７】
このような問題を回避するために、基板の端面を洗浄する処理ブロック（端面洗浄処理ブロック）を備える基板処理装置が提案されている（特許文献１参照）。ここでは、端面洗浄処理ブロックにて基板の端面を洗浄することによって、露光装置内の汚染を防止している。
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−５６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載の構成によると、基板の端面に付着したパーティクル等によって露光装置内が汚染されるといった事態を防止することができる。しかしながら、端面を洗浄するための処理ブロックを設ける構成では、装置のフットプリントが拡大してしまうという問題があった。
【００１０】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットを配置した処理部と、未処理の基板を外部から受け入れて前記処理部に渡すとともに、処理済みの基板を前記処理部から受け取って外部に搬出するインデクサ部と、を備え、前記インデクサ部が、前記処理部に渡す前の基板の端面を洗浄する端面洗浄部、を備える。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、所定の洗浄液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、前記超音波振動が付与された前記洗浄液を被洗浄基板の端面に供給する吐出ノズルと、を備える。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、水平方向に沿った両端部が開放され、断面コの字型の形状を有する液だまり形成部材、をさらに備え、前記液だまり形成部材の内側空間に前記吐出ノズルから前記洗浄液を吐出することによって形成された液だまりに前記被洗浄基板の端部を浸して前記被洗浄基板の端面を洗浄する。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、洗浄液と加圧された気体とを混合して洗浄液の液滴を生成して被洗浄基板の端面に供給する二流体ノズル、を備える。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、被洗浄基板に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記被洗浄基板の端面に摺接する洗浄ブラシと、を備える。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記インデクサ部が、前記処理部に渡す前の基板の上下面を反転させる反転部と、前記処理部に渡す前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、をさらに備える。
【００１７】
請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記インデクサ部が、複数の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、所定の保持手段で基板を保持して、前記カセット、前記処理部および前記端面洗浄部の間で基板を搬送する基板搬送装置と、をさらに備え、前記基板搬送装置が、その端面部を洗浄される前の基板を保持する第１の保持手段と、その端面部を洗浄された後の基板を保持する第２の保持手段と、を備える。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１から７に記載の発明によると、基板の端面を洗浄する端面洗浄部をインデクサ部に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。また、処理部に渡す前に基板の端面を洗浄することができるので、処理部に搬入される基板の端面を清浄な状態にすることができる。これにより、欠陥の発生および処理部へのクロスコンタミネーションを回避することができる。
【００１９】
特に、請求項２に記載の発明によると、基板の端面に超音波振動が付与された洗浄液を供給することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【００２０】
特に、請求項３に記載の発明によると、洗浄液の液だまりに被洗浄基板の端部を浸した状態とするので、基板の端面の全体を確実に洗浄液に接触させることができる。これにより、高い洗浄効果を得ることができる。
【００２１】
特に、請求項４に記載の発明によると、基板の端面に洗浄液と加圧された気体とを混合することにより生成された洗浄液の液滴を供給することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【００２２】
特に、請求項５に記載の発明によると、基板の端面に洗浄ブラシを摺接させることによって、基板の端面に付着したパーティクルを確実に除去することができる。
【００２３】
特に、請求項６に記載の発明によると、処理部に渡す前に基板の裏面を洗浄することができるので、処理部に搬入される基板の裏面を清浄な状態にすることができる。これにより、基板の裏面に付着したパーティクル等により処理部が汚染されることを防止することができる。また、裏面洗浄部をインデクサ部に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。
【００２４】
特に、請求項７に記載の発明によると、端面が洗浄される前の基板を保持する保持手段と、端面が洗浄された後の基板を保持する保持手段とを使い分けるので、端面が洗浄された後の基板が汚れた保持手段に保持されることによって再び汚染されてしまうといった事態を回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
この発明の実施の形態に係る基板処理装置５００について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００２６】
〈１．基板処理装置５００の構成〉
はじめに、基板処理装置５００の全体構成を図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置５００の全体構成を示す平面図である。基板処理装置５００は、液浸露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行う装置である。
【００２７】
基板処理装置５００は、主として、インデクサブロック９と、インデクサブロック９から搬入される基板Ｗに対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットをそれぞれ配置した複数の処理部（反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６）をこの順に並設した構成となっている。
【００２８】
また、インターフェースブロック１６の＋Ｙ側には、この基板処理装置５００とは別体の露光装置１７が接続される。露光装置１７は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。
【００２９】
インデクサブロック９は、未処理の基板を外部から受け入れて処理部に渡すとともに、処理済みの基板を処理部から受け取って外部に搬出する機能部である。より具体的には、複数の基板Ｗを収容するカセット（キャリア）Ｃから未処理基板を取り出して処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡すとともに、反射防止膜用処理ブロック１０から処理済み基板を受け取ってカセットＣに収容する。
【００３０】
インデクサブロック９には、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１と、１以上のカセット載置台９２と、洗浄処理部９３と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。このうち、一方のハンドＩＲＨ１（洗浄前用ハンドＩＲＨ１）は、洗浄処理部９３にて洗浄処理が行われる前の基板Ｗの搬送に用いられる。また、他方のハンドＩＲＨ２（洗浄後用ハンドＩＲＨ２）は、洗浄処理部９３にて洗浄処理が行われた後の基板Ｗの搬送に用いられる。インデクサブロック９のレイアウトについては後に説明する。
【００３１】
反射防止膜用処理ブロック１０には、反射防止膜用熱処理部１００，１０１と、反射防止膜用塗布処理部３０と、第２のセンターロボットＣＲ２とが設けられている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１と反射防止膜用塗布処理部３０とは、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を上下に有している。
【００３２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられている。また、隔壁２０の一部分には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に使用される。
【００３３】
レジスト膜用処理ブロック１１には、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１と、レジスト膜用塗布処理部４０と、第３のセンターロボットＣＲ３とが設けられている。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１とレジスト膜用塗布処理部４０とは、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を上下に有している。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられている。また、隔壁２１の一部分には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用される。
【００３５】
現像処理ブロック１２には、現像用熱処理部１２０，１２１と、現像処理部５０と、第４のセンターロボットＣＲ４とが設けられている。現像用熱処理部１２０，１２１と現像処理部５０とは、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を上下に有している。
【００３６】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられている。また、隔壁２２の一部分には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用される。
【００３７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３には、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１と、レジストカバー膜用塗布処理部６０と、第５のセンターロボットＣＲ５とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１とレジストカバー膜用塗布処理部６０とは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。第５のセンターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を上下に有している。
【００３８】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられている。また、隔壁２３の一部分には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用される。
【００３９】
レジストカバー膜除去ブロック１４には、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂと、第６のセンターロボットＣＲ６とが設けられている。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向配置されている。第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を上下に有している。
【００４０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられている。また、隔壁２４の一部分には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用される。
【００４１】
洗浄／乾燥処理ブロック１５には、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と、洗浄／乾燥処理部８０と、第７のセンターロボットＣＲ７とが設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１は、インターフェースブロック１６に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を有している。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と洗浄／乾燥処理部８０とは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向配置されている。また、第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を上下に有している。
【００４２】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。また、隔壁２５の一部分には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用される。
【００４３】
インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。
【００４４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ側から見た側面図である。インデクサブロック９の洗浄処理部９３（図１参照）は、１以上の処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ、２個の反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２および裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）が上下に積層配置されている。各処理ユニット９３１の具体的な構成については、後に説明する。
【００４５】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１と、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１と、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４７】
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１と、スピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２とを備える。
【００４８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル６３（図示省略）とを備える。
【００４９】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解させる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２とを備える。
【００５０】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置されている。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１と、スピンチャック８１上に保持された基板Ｗに洗浄液（例えば純水）を供給する供給ノズル８２とを備える。
【００５１】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８と、スピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９とを備える。
【００５２】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ側から見た側面図である。
【００５３】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、それぞれ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰと２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰとが上下に積層配置されている。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５５】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５７】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。
【００５８】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５１には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４も配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５９】
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。
【００６０】
〈２．基板処理装置５００の動作〉
続いて、基板処理装置５００の処理動作について、図１〜図３および図４を参照しながら説明する。図４は、基板処理装置の動作の流れを示す図である。なお、以下に説明する各構成部の動作は、制御部９１によって制御される。
【００６１】
この基板処理装置５００において基板Ｗの処理を行うときには、まず、インデクサブロック９のカセット載置台９２上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたカセット（キャリア）Ｃが搬入される（ステップＳ１）。
【００６２】
カセット載置台９２上にカセットＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１を用いてカセットＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動して、未処理の基板Ｗを洗浄処理部９３へ搬送する。洗浄処理部９３では、基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２）。この処理については後に説明する。ただし、本明細書において「端面」とは、基板Ｗの側面および、基板Ｗの上下面であってその周縁から３〜４ｍｍの環状領域を指す。
【００６３】
端面および裏面の洗浄処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて洗浄処理部９３から基板Ｗを取り出し、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転して当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６４】
反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ３）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６５】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ４）。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１における熱処理が終了すると、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６６】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部に、レジスト膜が塗布形成される（ステップＳ５）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６７】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ６）。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６８】
現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００６９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面のレジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される。（ステップＳ７）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００７０】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ８）。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００７１】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。さらに、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【００７２】
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ９）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、基板Ｗに対して液浸露光処理が行われ、基板Ｗの上面に所定の電子パターンが露光される。
【００７３】
その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ１０）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ１１）。
【００７４】
洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【００７５】
インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１２）。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００７６】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ１３）。
【００７７】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７８】
さらに、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（ステップＳ１４）。
【００７９】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１５）。また、現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８０】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。さらに、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをカセット載置台９２上のカセットＣに収納する。その後、カセット載置台９２上からカセットＣが搬出され（ステップＳ１６）、基板処理装置５００における一連の基板処理が終了する。
【００８１】
〈３．インデクサブロック９のレイアウト〉
次に、インデクサブロック９の構成についてより詳細に説明する。上述の通り、インデクサブロック９には、制御部９１と、１以上のカセット載置台９２と、１以上の処理ユニット９３１を備える洗浄処理部９３と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。ここで、これら各部のレイアウトについて、図５を参照しながら説明する。図５（ａ）（ｂ）は、インデクサブロック９のレイアウト例を示す平面図および側面図である。
【００８２】
洗浄処理部９３は、カセット載置台９２に隣接して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｘ方向に移動することによって（矢印ＡＲ９０１）、任意のカセット載置台９２および洗浄処理部９３にアクセスすることができる。
【００８３】
また、洗浄処理部９３の備える１以上（図５では４個）の処理ユニット９３１は、積層して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【００８４】
なお、この実施の形態においては、洗浄処理部９３は、４つの処理ユニット９３１から構成されているが、洗浄処理部９３は必ずしも４つの処理ユニット９３１から構成されなくともよい。これについては、後に変形例として説明する。
【００８５】
〈４．洗浄処理部９３の構成〉
次に、洗浄処理部９３の構成についてより詳細に説明する。上述の通り、洗浄処理部９３は処理ユニット９３１として、端面洗浄処理ユニットＥＣと、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫと、２個の反転ユニットＲＥＶ２とを備える。これら各ユニットは、例えば、図６に示すように、上から、第１の反転ユニットＲＥＶ１、端面洗浄処理ユニットＥＣ、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ、第２の反転ユニットＲＥＶ２、の順に積層配置される。ただし、処理ユニット９３１の積層順序はこれに限らない。例えば、上から、端面洗浄処理ユニットＥＣ、第１の反転ユニットＲＥＶ１、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ、第２の反転ユニットＲＥＶ２の順に積層配置する構成としてもよい。
【００８６】
次に、各ユニットについてより具体的に説明する。なお、以下において、第１および第２の反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２を特に区別しない場合には、単に「反転ユニットＲＥＶ」と示す。
【００８７】
〈４−１．端面洗浄処理ユニットＥＣ〉
端面洗浄処理ユニットＥＣについて、図７、図８を参照しながら説明する。図７は、端面洗浄処理ユニットＥＣの全体構成を示す図である。図８（ａ）（ｂ）は、ノズル部分を示す側面図および平面図である。端面洗浄処理ユニットＥＣは、主として、スピンチャック２１０と、ノズル移動機構２２０と、コの字型ノズル２３０と、超音波ノズル２４０とを備える。
【００８８】
スピンチャック２１０は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。スピンチャック２１０は、図示を省略する電動モータによって回転される回転軸２１１の上端に固定されている。また、スピンチャック２１０には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２１０上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２１０に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００８９】
ノズル移動機構２２０は、スピンチャック２１０の側方でかつ端面洗浄処理ユニットＥＣの上部に配置されている。また、ノズル移動機構２２０には、下方に延びる棒状のノズル支持部材２２１が取り付けられている。ノズル移動機構２２０を駆動制御することによって、ノズル支持部材２２１を水平方向（矢印ＡＲ２２１）に移動させることができる。
【００９０】
コの字型ノズル２３０は、ノズル支持部材２２１の下端に取り付けられ、スピンチャック２１０に保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置している。ノズル移動機構２２０を駆動制御してノズル支持部材２２１を水平方向に移動させることによって、コの字型ノズル２３０を水平方向（矢印ＡＲ２３０）に移動させることができる。コの字型ノズル２３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック２１０に保持された被処理基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる（図７の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗの端面位置から離れた退避位置に置かれる（図７の仮想線位置）。
【００９１】
コの字型ノズル２３０は、図８に示すように、水平方向に沿った両端部Ｔが開放された断面コの字型の形状をしている。コの字形状の開放面Ｄ０は、スピンチャック２１０に保持された基板Ｗの端面Ｒに対向している。つまり、コの字型ノズル２３０が処理位置におかれると、被処理基板Ｗの端部Ｒがコの字型ノズル２３０の上面Ｄ１と下面Ｄ２との間に挿入され、端面Ｒがコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖ内に位置する状態となる。ただし、ここで「端部」とは基板Ｗの周縁から３〜４ｍｍの部分を指す。
【００９２】
超音波ノズル２４０は、コの字型ノズル２３０の背面Ｄ３に貫通して取り付けられている。超音波ノズル２４０には、洗浄液供給管２４１が接続されている。洗浄液供給管２４１の他端は、開閉バルブ２４２を介して洗浄液供給源２４３に接続されている。なお、洗浄液としては、例えば純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素薬液等が用いられる。開閉バルブ２４２を開くと、洗浄液供給管２４３を通じて超音波ノズル２４０に洗浄液が供給され、超音波ノズル２４０は、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに洗浄液を吐出する。
【００９３】
また、超音波ノズル２４０には、高周波振動子２５０が取り付けられている。高周波振動子２５０は高周波発生装置（図示省略）と接続されている。高周波発生装置から高周波振動子２５０に高周波電流を供給すると、高周波振動子２５０が超音波振動する。これによって、超音波ノズル２４０内を通る洗浄液に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。すなわち、超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０から吐出されることになる。なお、洗浄液に印加する高周波出力は、基板の種類や洗浄条件等に応じて適宜決定する。
【００９４】
超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０からコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに吐出されると、吐出された洗浄液とコの字型ノズル２３０の内周壁部との界面張力によって、図８に示すように、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに洗浄液の液だまりＬが形成され、内側空間Ｖ内に位置している被処理基板Ｗの端面部Ｒがこの液だまりＬに浸される。すると、端面部Ｒに付着したパーティクルは、高周波振動の衝撃を受けて基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。
【００９５】
〈４−２．反転ユニットＲＥＶ〉
続いて、反転ユニットＲＥＶ端面洗浄処理ユニットＥＣについて、図９、図１０を参照しながら説明する。図９は、反転ユニットＲＥＶの要部構成を示す斜視図である。図１０は、図９の矢印ＡＲ３０の方向から見た反転ユニットＲＥＶの概略正面図である。反転ユニットＲＥＶは、基板Ｗの上下面を反転させるユニットである。反転ユニットＲＥＶは、主として、昇降テーブル３１０と反転チャック３３０とを備える。
【００９６】
昇降テーブル３１０は、例えばエアシリンダを用いて構成された図示を省略する昇降駆動機構によって鉛直方向に沿って昇降可能とされている。昇降テーブル３１０の上面には同一円周上に沿って複数個（本実施形態では６個）の支持ピン３１８が立設されている。各支持ピン３１８は、基板Ｗの下面周縁部を下から支持する支持部３１８ａと、その支持部の上面に突設されたピン部３１８ｂとによって構成されている。なお、反転ユニットＲＥＶの昇降テーブル３１０は、裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫ２のスピンチャック４２７のように基板Ｗを回転させるものではなく、基板Ｗを強固に保持する必要性に乏しいため、６個の支持ピン３１８は全て昇降テーブル３１０に固定設置されている。すなわち、昇降テーブル３１０のピン部３１８ｂは単に基板Ｗの水平方向位置を規制するための部材である。
【００９７】
左右一対の反転チャック３３０は円盤形状の回転台３３５の径方向に沿って設けられている。反転チャック３３０は、回転台３３５に内蔵されたスライド駆動機構によって、図１０の矢印ＡＲ３１に示すようなスライド移動を行う。一対の反転チャック３３０，３３０は連動してスライド移動を行うことにより、両チャック間の距離を伸縮する。反転チャック３３０には、基板Ｗの端縁部を把持するための開口である把持部３３１が設けられている。昇降テーブル３１０が基板Ｗを反転チャック３３０と同じ高さ位置に保持した状態にて２個の反転チャック３３０，３３０がその間隔を縮めるようにスライド移動することにより、把持部３３１によって基板Ｗの端縁部を把持することができる。なお、把持部３３１には昇降テーブル３１０の支持ピン３１８との干渉を避けるための切り欠きが形成されている。
【００９８】
また、回転台３３５はユニット基台３３９に設けられた回転駆動機構によって鉛直面内にて図１０の矢印ＡＲ３２に示す方向に回転可能とされている。回転台３３５が回転することによって一対の反転チャック３３０，３３０も矢印ＡＲ３２に示す方向に回転する。
【００９９】
反転ユニットＲＥＶが基板Ｗの上下面を反転させるときには、まず、昇降テーブル３１０が反転チャック３３０よりもさらに上方の搬出入位置にまで上昇する。搬出入位置にて支持ピン３１８に基板Ｗを受け取った昇降テーブル３１０は反転チャック３３０に基板Ｗを受け渡す受渡位置にまで下降する。この受渡位置とは、水平方向に沿って相対向して静止している反転チャック３３０と昇降テーブル３１０に保持された基板Ｗとが同じ高さとなる位置である。なお、昇降テーブル３１０が受渡位置に下降するときには一対の反転チャック３３０間を基板Ｗが通過可能な間隔となるように反転チャック３３０が移動している。
【０１００】
昇降テーブル３１０が受渡位置に下降した状態にて、一対の反転チャック３３０がその間隔を狭めるようにスライド移動を開始し、やがて両反転チャック３３０の把持部３３１によって基板Ｗの端縁部が把持される。これによって基板Ｗは反転チャック３３０に保持されることとなり、昇降テーブル３１０はさらに下方の待避位置にまで下降する。待避位置とは、続く反転工程において反転チャック３３０と昇降テーブル３１０とが衝突しない位置である。
【０１０１】
次に、回転台３３５が１８０°の回転動作（半回転）を行って基板Ｗの上下面を反転させる。その後、再び昇降テーブル３１０が待避位置から受渡位置にまで上昇して基板Ｗを支持ピン３１８に受け取るとともに、一対の反転チャック３３０がその間隔を拡げるようにスライド移動を行う。そして、反転後の基板Ｗを受け取った昇降テーブル３１０がさらに上記搬出入位置にまで上昇し、支持ピン３１８から反転後の基板Ｗが搬出される。なお、支持ピン３１８は基板Ｗの端縁部を支持するものであるため、反転によってパターン形成のなされた基板Ｗの表面が下面になったとしても、そのパターンを損なうおそれはない。
【０１０２】
〈４−３．裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ〉
続いて、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫについて、図１１を参照しながら説明する。図１１は、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫの構成を示す図である。裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫは、主として、スピンチャック４２７と、洗浄用ノズル回動機構４６０と、洗浄用ノズル４５０と、乾燥用ノズル回動機構４７０と、乾燥用ノズル４５１と、を備える。
【０１０３】
スピンチャック４２７は、上述した端面洗浄処理ユニットＥＣのスピンチャック２０１と同様、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。ただし、端面洗浄処理ユニットＥＣのスピンチャック２０１は基板Ｗの下面を真空吸着するタイプのものであったが、裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫのスピンチャック４２７は基板Ｗの端縁部を把持するタイプのものである。すなわち、スピンチャック４２７の上面周縁部には同一円周上に沿って複数個（本実施形態では６個）の支持ピン４２８が立設されている。各支持ピン４２８は、基板Ｗの下面周縁部を下から支持する円筒状の支持部と、その支持部の上面に突設されて基板Ｗの端縁部に当接して押圧するピン部とによって構成されている。６個の支持ピン４２８のうち３個についてはスピンチャック４２７に固定設置された固定支持ピンとされている。固定支持ピンは、円筒状支持部の軸心上にピン部を突設している。一方、６個の支持ピン４２８のうち残りの３個についてはスピンチャック４２７に対して回転（自転）自在に設置された可動支持ピンとされている。可動支持ピンでは、円筒状支持部の軸心から若干偏心してピン部が突設されている。３個の可動支持ピンは図示省略のリンク機構および駆動機構によって連動して回動駆動される。可動支持ピンが回動することにより、６個のピン部で基板Ｗの端縁部を把持することと、基板Ｗの把持を解除することとが可能である。６個の支持ピン４２８によって基板Ｗの端縁部を把持することにより、スピンチャック４２７は基板Ｗの下面中央部に接触することなく基板Ｗを保持することができる。
【０１０４】
洗浄用ノズル回動機構４６０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック４２７の側方に配置されている。洗浄用ノズル回動機構４６０には、上方に延びる回動軸４６１が接続されている。さらに、回動軸４６１には、水平方向に延びるアーム４６２が連結されている。洗浄用ノズル回動機構４６０を駆動制御することによって、アーム４６２を回動させることができる。
【０１０５】
洗浄用ノズル４５０は、アーム４６２の先端に取り付けられている。洗浄用ノズル回動機構４６０を駆動制御してアーム４６２を回動させることによって、洗浄用ノズル４５０をスピンチャック４２７に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。洗浄用ノズル４５０は、基板Ｗの裏面洗浄処理を行う間は、スピンチャック４２７に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる。また、裏面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１１に示す位置）に置かれる。
【０１０６】
洗浄用ノズル４５０には、洗浄液供給管４６３が接続されている。洗浄液供給管４６３の他端は、開閉バルブ４６４を介して洗浄液供給源４６５に接続されている。開閉バルブ４６４を開くと、洗浄液供給管４６５を通じて、洗浄用ノズル４５０に洗浄液が供給される。これによって、洗浄用ノズル４５０から基板Ｗの裏面へ洗浄液を供給することができる。なお、洗浄用ノズル４５０として、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルを採用することができる。
【０１０７】
乾燥用ノズル回動機構４７０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック４２７の側方であって、洗浄用ノズル回動機構４６０とは逆側に配置されている。乾燥用ノズル回動機構４７０には、上方に延びる回動軸４７１が接続されている。さらに、回動軸４７１には、水平方向に延びるアーム４７２が連結されている。乾燥用ノズル回動機構４７０を駆動制御することによって、アーム４７２を回動させることができる。
【０１０８】
乾燥用ノズル４５１は、アーム４７２の先端に取り付けられている。乾燥用ノズル回動機構４７０を駆動制御してアーム４７２を回動させることによって、乾燥用ノズル４５１をスピンチャック４２７に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。乾燥用ノズル４５１は、基板Ｗの乾燥処理を行う間は、スピンチャック４２７に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる。また、乾燥処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置に置かれる。
【０１０９】
乾燥用ノズル４５１には、乾燥用供給管４７３が接続されている。乾燥用供給管４７３の他端は、開閉バルブ４７４を介して不活性ガス供給源４７５に接続されている。開閉バルブ４７４を開くと、乾燥用供給管４７３を通じて、乾燥用ノズル４５１に不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ））が供給される。これによって、乾燥用ノズル４５１から基板Ｗの裏面へ不活性ガスを供給することができる。
【０１１０】
なお、スピンチャック４２７の周囲には、スピンチャック４２７に保持された基板Ｗを囲繞する処理カップ４２３が設けられている。処理カップ４２３の内側には、円筒状の仕切壁４３３が設けられている。また、スピンチャック４２７の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた洗浄液を排液するための排液空間４３１が仕切壁４３３の内側に形成されている。さらに、排液空間４３１を取り囲むように、処理カップ４２３の外壁と仕切壁４３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間４３２が形成されている。
【０１１１】
排液空間４３１には、排液処理装置（図示省略）へ処理液を導くための排液管４３４が接続され、回収液空間４３２には、回収処理装置（図示省略）へ処理液を導くための回収管４３５が接続されている。
【０１１２】
また、処理カップ４２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード４２４が設けられている。このスプラッシュガード４２４は、回転軸４２５に対して回転対称な形状とされている。スプラッシュガード４２４の上端部の内面には、断面くの字形状の排液案内溝４４１が環状に形成されている。また、スプラッシュガード４２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４４２が形成されている。回収液案内部４４２の上端付近には、処理カップ４２３の仕切壁４３３を受け入れるための仕切壁収納溝４４３が形成されている。
【０１１３】
このスプラッシュガード４２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示省略）によって鉛直方向に沿って昇降駆動される。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード４２４を、回収液案内部４４２がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む回収位置と、排液案内溝４４１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む排液位置との問で昇降させる。スプラッシュガード４２４が回収位置（図１１に示す位置）にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した洗浄液が回収液案内部４４２により回収液空間４３２に導かれ、回収管４３５を介して回収される。一方、スプラッシュガード４２４が排液位置にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散したａ洗浄液が排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４を介して排液される。このようにして、洗浄液の排液および回収を切り換えて実行可能とされている。
【０１１４】
〈５．洗浄処理部９３における洗浄処理の流れ〉
続いて、洗浄処理部９３にて行われる基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理（図４のステップＳ２）の流れについて、図１２を参照しながら説明する。図１２は、洗浄処理部９３の動作の流れを示す図である。なお、以下に説明する各構成部の動作は、制御部９１（図１参照）によって制御される。
【０１１５】
インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１を用いてカセットＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出して、洗浄処理部９３の端面洗浄処理ユニットＥＣへ搬送する。端面洗浄処理ユニットＥＣでは、基板Ｗの端面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２１）。
【０１１６】
端面の洗浄処理の流れについてより具体的に説明する。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗをスピンチャック２１０上に載置する。すると、スピンチャック２１０は、載置された基板Ｗを吸着保持する。これによって、基板Ｗは、水平姿勢にて保持されることになる。
【０１１７】
続いて、ノズル移動機構２２０が、待避位置にあるコの字型ノズル２３０を処理位置まで移動させる。これによって、基板Ｗの端部がコの字型ノズル２３０の上面Ｄ１と下面Ｄ２との間に挿入され、端面Ｒがコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖ内に位置する状態となる。
【０１１８】
続いて、回転軸２１１が回転を開始する。これによって、スピンチャック２１０に保持されている基板Ｗが回転することになる。その後、開閉バルブ２４２を開放するとともに高周波発生装置から高周波振動子２５０に高周波電流を供給して、高周波振動子２５０を超音波振動させる。すると、超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０からコの字型ノズル２３０の内部に吐出され、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに超音波振動状態となった洗浄液の液だまりＬが形成され、内側空間Ｖ内に位置している基板Ｗの端面部Ｒがこの液だまりＬに浸される。これによって、端面部Ｒに付着したパーティクル等が高周波振動の衝撃を受けて基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。コの字型ノズル２３０からあふれ出た液体は図示しない排液機構によって排液される。
【０１１９】
所定時間が経過すると、洗浄液の供給が停止されるとともに回転軸２１１の回転が停止される。そして、ノズル移動機構２２０が、処理位置にあるコの字型ノズル２３０を待避位置まで移動させる。さらにスピンチャック２１０が基板Ｗの吸着保持を解除し、インデクサロボットＩＲが、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて端面洗浄処理ユニットＥＣにある端面洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。以上で、基板Ｗの端面の洗浄処理が終了する。
【０１２０】
再び図１２を参照する。ステップＳ２１の処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、端面洗浄処理ユニットＥＣから取り出した端面洗浄処理後の基板Ｗを第１の反転ユニットＲＥＶ１へ搬送する。第１の反転ユニットＲＥＶ１では、基板Ｗは、その裏面が上面となるように反転される（ステップＳ２２）。反転ユニットＲＥＶ１における反転動作は上述した通りである。ただし、ここで、基板Ｗの「表面」とは、パターン形成がなされる主面であり、基板Ｗの「裏面」とは表面の反対側の面である。
【０１２１】
ステップＳ２２の処理が終了すると、続いて、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて第１の反転ユニットＲＥＶ１にある反転された基板Ｗを取り出して、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫへ搬送する。裏面洗浄ユニットＳＯＡＫでは、基板Ｗの裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２３）。
【０１２２】
裏面の洗浄処理の流れについてより具体的に説明する。基板Ｗの搬入時にはスプラッシュガード４２４は下降した状態にあり、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗをスピンチャック４２７上に載置する。すると、スピンチャック４２７の６個の支持ピン４２８が載置された基板Ｗの端縁部を把持する。これによって、基板Ｗは、その裏面を上側に向けて水平姿勢にて保持されることになる。
【０１２３】
続いて、スプラッシュガード４２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル４５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、回転軸４２５が回転を開始する。これによって、スピンチャック４２７に保持されている基板Ｗが回転することになる。その後、開閉バルブ４６４を開放して洗浄処理用ノズル４５０から洗浄液を基板Ｗの上面（ここでは裏面）に吐出する。これによって、基板Ｗの裏面洗浄処理が進行し、基板Ｗの裏面に付着していたパーティクル等が洗い流される。回転する基板Ｗから遠心力によって飛散した液体は排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４から排液される。
【０１２４】
所定時間が経過すると、回転軸４２５の回転速度が低下する。これによって、基板Ｗの回転により振り切られる洗浄液の量が減少し、基板Ｗの裏面全体に水膜が形成され、いわゆる液盛りされた状態となる。なお、回転軸４２５の回転を停止させて基板Ｗの裏面全体に水膜を形成してもよい。
【０１２５】
続いて、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、開閉バルブ４７４を開放して乾燥処理用ノズル４５１から基板Ｗの上面中心部近傍に不活性ガスを吐出する。これによって、基板Ｗの裏面中心部の水分が基板Ｗの周縁部に押し流され、基板Ｗの裏面周縁部のみに水膜が残留する状態となる。
【０１２６】
続いて、回転軸４２５の回転数が再度上昇するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が基板Ｗの裏面中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。すると、基板Ｗの裏面上に残留する水膜に大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの裏面全体に不活性ガスが吹き付けられることになる。これによって、基板Ｗ上の水膜を確実に取り除くことができる。すなわち、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０１２７】
続いて、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル４５１が所定の位置に退避するとともに、回転軸４２５の回転が停止する。さらに、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、支持ピン４２８が基板Ｗの端縁部把持を解除し、インデクサロボットＩＲが、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて裏面洗浄ユニットＳＯＡＫにある裏面洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。以上で、基板Ｗの裏面の洗浄処理が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるスプラッシュガード４２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１２８】
再び図１２を参照する。ステップＳ２３の処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫから取り出した裏面洗浄処理後の基板Ｗを第２の反転ユニットＲＥＶ２へ搬送する。第２の反転ユニットＲＥＶ２では、基板Ｗは、その表面が上面となるように反転される（ステップＳ２４）。反転ユニットＲＥＶ２における反転動作は上述した通りである。
【０１２９】
ステップＳ２４の処理が終了すると、続いて、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて第２の反転ユニットＲＥＶ２にある反転された基板Ｗ（すなわち、反転されることによって、その表面が上面となっている基板Ｗ）を取り出して、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転して当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する（ステップＳ２５）。以上で、基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理が終了する。
【０１３０】
〈６．効果〉
上記の実施の形態によると、洗浄処理部９３をインデクサブロック９に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。また、端面洗浄処理ユニットＥＣにおいて、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡す前に基板の端面を洗浄することができるので、処理ブロック１０に搬入される基板の端面を清浄な状態にすることができる。また、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫにおいて、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡す前に基板の裏面を洗浄することができるので、端面だけでなく裏面をも清浄な状態にすることができる。これにより、汚れた基板に対して一連の処理が実行されて欠陥が発生してしまうといった事態を回避できる。また、端面や裏面等にパーティクル等が付着した基板がトラック内に搬入されてしまうことにより、トラックや露光装置が汚染されるといった事態を回避できる。
【０１３１】
また、上記の実施の形態においては、端面洗浄処理ユニットＥＣが超音波振動が付与された洗浄液を基板Ｗの端面に供給する超音波ノズル２４０を備えるので、基板の端面を超音波振動が付与された洗浄液でもって洗浄することができる。これによって、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【０１３２】
また、上記の実施の形態においては、端面洗浄処理ユニットＥＣが液だまりを形成するコの字型ノズル２３０を備え、基板の端部を洗浄液の液だまりに浸した状態とするので、基板の端面の全体を確実に洗浄液に接触させることができる。これにより、高い洗浄効果を得ることができる。特に、基板Ｗの端面付近が疎水性の状態にある場合であっても洗浄液が十分に行き渡るので、端面付近に付着したパーティクル等を確実に取り除くことができる。
【０１３３】
また、上記の実施の形態においては、端面が洗浄される前の基板を保持するハンド（洗浄前用ハンドＩＲＨ１）と、端面が洗浄された後の基板を保持するハンド（洗浄後用ハンドＩＲＨ２）とを使い分けるので、端面が洗浄された後の基板が汚れたハンドに保持されることによって再び汚染されてしまうといった事態を回避できる。したがって、端面が洗浄された後の基板を清浄な状態に保って反射防止膜用処理ブロック１０に搬入することができる。
【０１３４】
〈７．変形例〉
〈７−１．インデクサブロック９のレイアウトの変形例〉
上記の実施の形態においは、洗浄処理部９３がカセット載置台９２に隣接して配置されるインデクサブロック９のレイアウトを示しているが、インデクサブロック９のレイアウトはこれに限らない。
【０１３５】
〈インデクサブロック９のレイアウトの第１の変形例〉
第１の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトについて、図１３を参照しながら説明する。図１３（ａ）（ｂ）は、第１の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトを示す平面図および側面図である。
【０１３６】
ここでは、洗浄処理部９３は、カセット載置台９２と上下に積層して配置される。特に好ましくは、図１３（ｂ）に示すように、洗浄処理部９３がカセット載置台９２の下側に配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、カセット載置台９２もしくは洗浄処理部９３にアクセスすることができる。
【０１３７】
また、ここでは、洗浄処理部９３の備える１以上（図１３では、３個）の処理ユニット９３１は、互いに隣接して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｘ方向に移動することによって（矢印ＡＲ９０１）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【０１３８】
〈インデクサブロック９のレイアウトの第２の変形例〉
第２の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトについて、図１４を参照しながら説明する。図１４（ａ）（ｂ）は、第２の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトを示す平面図および側面図である。
【０１３９】
ここでは、洗浄処理部９３は、インデクサロボットＩＲの上方に配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、洗浄処理部９３にアクセスすることができる。ただし、洗浄処理部９３は、インデクサロボットＩＲのＸ方向についての移動（矢印ＡＲ９０１）を妨げない高さに配置する。
【０１４０】
また、ここでは、洗浄処理部９３の備える１以上（図１４では、２個）の処理ユニット９３１は、互いに積層して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【０１４１】
〈７−２．端面洗浄処理ユニットＥＣの変形例〉
上記の実施の形態に係る端面洗浄処理ユニットＥＣにおいては、コの字型ノズル２３０および超音波ノズル２４０等を用いて基板Ｗの端面を洗浄する構成を示しているが、端面洗浄処理ユニットＥＣの構成はこれに限らない。
【０１４２】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第１の変形例〉
第１の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣａについて、図１５、図１６を参照しながら説明する。図１５は、第１の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣａの全体構成を示す図である。図１６は、ブラシ部分を示す側面図である。端面洗浄処理ユニットＥＣａは、主として、スピンチャック５１０と、第１の洗浄用ノズル回動機構５２０と、第１の洗浄用ノズル５３０と、第２の洗浄用ノズル回動機構５４０と、第２の洗浄用ノズル５５０と、ブラシ移動機構５６０と、ブラシ５７０とを備える。スピンチャック５１０の構成は、上述したスピンチャック２１０（図７参照）と同様であるので、その説明を省略する。
【０１４３】
第１の洗浄用ノズル回動機構５２０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック５１０の側方に配置されている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０には、上方に延びる回動軸５２１が接続されている。さらに、回動軸５２１には、水平方向に延びるアーム５２２が連結されている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０を駆動制御することによって、アーム５２２を回動させることができる。
【０１４４】
第１の洗浄用ノズル５３０は、アーム５２２の先端に取り付けられている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０を駆動制御してアーム５２２を回動させることによって、第１の洗浄用ノズル５３０をスピンチャック５１０に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。第１の洗浄用ノズル５３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック５１０に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１５の仮想線位置）に置かれる。
【０１４５】
第２の洗浄用ノズル回動機構５４０は、第１の洗浄用ノズル５３０と同様、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック５１０の側方に配置されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０には、上方に延びる回動軸５４１が接続されている。さらに、回動軸５４１には、水平方向に延びるアーム５４２が連結されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０を駆動制御することによって、アーム５４２を回動させることができる。
【０１４６】
第２の洗浄用ノズル５５０は、アーム５４２の先端に取り付けられており、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗの下側面に向けて洗浄液を吐出する姿勢で支持されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０を駆動制御してアーム５４２を回動させることによって、第２の洗浄用ノズル５５０をスピンチャック５１０に保持された基板Ｗの下方に移動させることができる。第２の洗浄用ノズル５５０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック５１０に保持された被処理基板Ｗの下方位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１５の仮想線位置）に置かれる。
【０１４７】
第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０には、それぞれ、洗浄液供給管５８１が接続されている。洗浄液供給管５８１の他端は、開閉バルブ５８２を介して洗浄液供給源５８３に接続されている。開閉バルブ５８２を開くと、洗浄液供給管５８１を通じて、第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０に洗浄液が供給される。これによって、第１の洗浄用ノズル５３０から基板Ｗの上側面へ洗浄液を供給することができ、第２の洗浄用ノズル５５０から基板Ｗの下側面へ洗浄液を供給することができる。
【０１４８】
ブラシ移動機構５６０は、スピンチャック５１０の側方でかつ端面洗浄処理ユニットＥＣａの上部に配置されている。また、ブラシ移動機構５６０には、下方に延びる棒状のブラシ支持部材５６１が取り付けられている。ブラシ移動機構５６０を駆動制御することによって、ブラシ支持部材５６１を水平方向（矢印ＡＲ５６１ａ）および垂直方向（矢印ＡＲ５６１ｂ）に移動させることができる。またさらに、ブラシ移動機構５６０は、電動モータによって回転される回転軸（図示省略）を備え、ブラシ支持部材５６１はこの回転軸の下端に固定されている。つまり、ブラシ移動機構５６０を駆動制御することによって、ブラシ支持部材５６１を鉛直な回転軸の周りで回転させることができる（矢印ＡＲ５６１ｃ）。
【０１４９】
ブラシ５７０は、ブラシ支持部材５６１の下端に取り付けられ、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置している。ブラシ移動機構５６１を駆動制御してノズル支持部材５６１を水平方向に移動させることによって、ブラシ５７０を水平方向（矢印ＡＲ５７０ａ）に移動させることができる。ブラシ５７０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック１１に保持された被処理基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。またこの間、後述するように、ブラシ５７０は、回転駆動されるとともに上下に移動される。端面洗浄処理が終了すると、ブラシ５７０は、被処理基板Ｗの端面位置から離れた待避位置に置かれる（図１５の仮想線位置）。
【０１５０】
ブラシ１２２は、例えば、ポリビニルアルコール (polyvinyl alcohol, PVA)により形成されており、図１６に示すように、横断面が円形であり、縦断面が中央部から両端部に向かって傾斜する形状をしている。
【０１５１】
基板Ｗの端面洗浄処理を行うにあたっては、上述した第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０のそれぞれから基板Ｗの上側面および下側面へ向けて洗浄液が吐出される。さらにこの状態で、ブラシ５７０が、回転駆動開始される（矢印ＡＲ５７０ｃ）。そして、回転するブラシ５７０が、水平方向に移動されて（矢印ＡＲ５７０ａ）、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる。
【０１５２】
処理位置に置かれたブラシ５７０は、さらに垂直方向に移動される（矢印ＡＲ５７０ｂ）。すなわち、ブラシ５７０は、第１の高さ位置Ｈ１（図１６の実線位置）と第２の高さ位置（図１６の仮想線位置）との間を反復移動する。第１の高さＨ１では、ブラシ５７０の上側の傾斜面Ｋ１が、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの端面Ｒに上側から摺接する。すると、端面部Ｒの上側付近に付着したパーティクルは、回転するブラシ５７０から物理的な力を受けて基板Ｗの表面から遊離する。第１の高さ位置よりも高い位置である第２の高さ位置では、ブラシ５７０の下側の傾斜面Ｄ２が、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの端面Ｒに下側から摺接する。すると、端面部Ｒの下側付近に付着したパーティクルは、回転するブラシ５７０から物理的な力を受けて基板Ｗの表面から遊離する。すなわち、ブラシ５７０が高さＨ１と高さＨ２との間を移動することによって、端面部Ｒは上側と下側の両方から洗浄される。
【０１５３】
この変形例によると、基板の端面に洗浄ブラシを摺接させることによって、基板の端面に付着したパーティクルを確実に除去することができる。
【０１５４】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第２の変形例〉
第２の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣｂについて、図１７を参照しながら説明する。図１７は、第２の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣｂの全体構成を示す図である。端面洗浄処理ユニットＥＣｂは、主として、スピンチャック６１０と、ノズル回動機構６２０と、２流体ノズル６３０とを備える。スピンチャック６１０の構成は、上述したスピンチャック１１（図７参照）と同様であるので、その説明を省略する。
【０１５５】
ノズル回動機構６２０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック６１０の側方に配置されている。ノズル回動機構６２０には、上方に延びる回動軸６２１が接続されている。さらに、回動軸６２１には、水平方向に延びるアーム６２２が連結されている。ノズル回動機構６２０を駆動制御することによって、アーム６２２を回動させることができる。
【０１５６】
二流体ノズル６３０は、アーム６２２の先端に取り付けられ、スピンチャック６１０に保持された基板Ｗの端面Ｒに向けて洗浄液を吐出する姿勢で支持されている。ノズル回動機構６２０を駆動制御してアーム６２２を回動させることによって、二流体ノズル６３０をスピンチャック６１０に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。二流体ノズル６３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック６１０に保持された被処理基板Ｗの上側の側方位置（処理位置）に置かれる（図１７の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた待避位置に置かれる（図１７の仮想線位置）。
【０１５７】
二流体ノズル６３０には、洗浄液供給管６３１と窒素ガス供給管６３４とがそれぞれ接続されている。洗浄液供給管６３１の他端は、開閉バルブ６３２を介して洗浄液供給源６３３に接続されており、開閉バルブ６３２を開くと、洗浄液供給管６３１を通じて、二流体ノズル６３０に洗浄液が供給される。また、窒素ガス供給管６３４の他端は、開閉バルブ６３５を介して窒素ガス供給源６３６に接続されており、開閉バルブ６３５を開くと、窒素ガス供給管６３４を通じて、二流体ノズル６３０に窒素ガスが供給される。
【０１５８】
ここで、図１８を参照しながら、二流体ノズル６３０についてより具体的に説明する。図１８は、二流体ノズル６３０を示す側断面図である。二流体ノズル６３０は、洗浄液と気体（例えば、窒素ガス）とを混合して、洗浄液の液滴を生成して吐出するノズルである。より具体的には、洗浄液供給源６３３および窒素ガス供給源６３６からそれぞれ供給される洗浄液および窒素ガスをノズル内部にて混合することにより、ミスト状の洗浄液の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出する（いわゆる内部混合型の二流体ノズル）。
【０１５９】
二流体ノズル６３０は、洗浄液導入管６６５内に、ガス導入管６６６が挿入された二重管構造となっている。また、洗浄液導入管６６５内のガス導入管６６６端部より下流側には、窒素ガスと洗浄液とが混合される混合部６６７が形成されている。
【０１６０】
洗浄液導入管６６５に供給された洗浄液と、ガス液導入管６６６に供給された加圧された窒素ガスとは、混合部６６７において混合される。これにより洗浄液の液滴を含む混合流体が形成される。形成された混合流体は、混合部６６７の下流側の加速管６６８によって加速され、吐出口６６９から吐出される。
【０１６１】
なお、二流体ノズル６３０は、窒素ガスおよび洗浄液をノズル外部の開放空間にて衝突させて混合することにより洗浄液の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる外部混合型の二流体ノズルであってもよい。
【０１６２】
洗浄液の液滴が基板Ｗの端面に向けて吐出されることによって、端面部Ｒに付着したパーティクルは、基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。
【０１６３】
この変形例によると、基板の端面を洗浄液と気体とを混合することにより生成された洗浄液の液滴でもって洗浄することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【０１６４】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第３の変形例〉
上記の実施の形態においては、超音波ノズル２４０がコの字型ノズル２３０の背面Ｄ３に取り付けられる構成としていたが、コの字型ノズル２３０を設けることなく、超音波ノズル２４０から直接基板Ｗの端面に向けて超音波振動状態となった洗浄液を吐出する構成としてもよい。
【０１６５】
〈７−３．洗浄処理部９３のユニット構成の変形例〉
上記においては、洗浄処理部９３は、積層（もしくは隣接（図１３参照））配置された１以上の処理ユニット９３１を備える構成としている。特に、上記の実施の形態においては、洗浄処理部９３は４つの処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ、２つの反転ユニットＲＥＶおよび裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）を備える構成としているが、洗浄処理部９３のユニット構成はこれに限らない。
【０１６６】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第１の変形例〉
例えば、１つの処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ）だけを備える構成としてもよい。すなわち、洗浄処理部９３には、必ずしも基板Ｗの反転させて裏面を洗浄するための機能部（反転ユニットＲＥＶおよび裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）を設ける必要はない。
【０１６７】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第２の変形例〉
また、例えば、図１９に示すように、基板Ｗの端面を洗浄する処理部（端面洗浄処理ユニットＥＣ）と裏面を洗浄する処理部（裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）とを合体させて１つの処理ユニット９３１としてもよい。すなわち、端面の洗浄処理と裏面の洗浄処理とを同一のユニットで行う構成としてもよい。
【０１６８】
このような処理ユニット（端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫ）は、裏面を洗浄するための機能部（スピンチャック４２７、洗浄用ノズル回動機構４６０、洗浄用ノズル４５０、乾燥用ノズル回動機構４７０および乾燥用ノズル４５１（図１１参照））に加えて、端面を洗浄するための機能部（例えば、ノズル回動機構６２０および２流体ノズル６３０（図１７参照））を備えることにより実現される。
【０１６９】
なお、端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫにおいては、基板Ｗは、その裏面が上面となり、パターン形成がなされる主面である表面が下面となった姿勢で搬入されてくる。したがって、端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫのスピンチャックは、基板Ｗの下面を真空吸着するタイプのものではなく、基板Ｗの端縁部を把持するタイプのものであることが望ましい。
【０１７０】
ただし、基板Ｗの端縁部を把持するタイプのスピンチャックの場合、支持ピンが当接している端面部分を洗浄することができず、その部分にパーティクル等が残存する可能性がある。このような不都合を解消すべく、端面洗浄の際に、途中で基板Ｗを把持する支持ピンを変更する動作（持ち替え動作）を行うことが望ましい。例えば、スピンチャックの上面周縁部に１２個の支持ピンを立設しておき、はじめの段階ではそのうちの６個の支持ピンで基板Ｗを把持し、端面の洗浄処理が途中まで進んだ時点で、残りの６個の支持ピンに持ち替えて基板Ｗを把持するようにする。
【０１７１】
なお、スピンチャックとして、非接触で基板Ｗを支持するタイプのもの（例えば、支持体に設けられたスリット状の開口から基板に向けてガスを噴出し、ベルヌーイ効果を利用して基板を支持するチャック（ベルヌーイチャック））を採用すれば、端面を洗浄する機構として、上述したコの字型ノズル２３０（図７参照）やブラシ５７０（図１５参照）を用いることができる。
【０１７２】
このように、端面の洗浄処理と裏面の洗浄処理とを同一のユニットで行う構成とすると、省スペースおよびコストダウンといった利点が得られる。
【０１７３】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第３の変形例〉
また、上記の実施の形態においては、処理ユニット９３１として２個の反転ユニットＲＥＶを設ける構成としているが、１個の反転ユニットＲＥＶを設ける構成としてもよい。すなわち、その裏面が上面となるように基板Ｗを反転させる第１の反転処理と、裏面の洗浄処理後にその裏面が下面となるように基板Ｗを反転させる第２の反転処理とを、それぞれ別のユニットにて行う構成としてもよいし、同じユニットにて行う構成としてもよい。
【０１７４】
上記の実施の形態のように、２つの反転処理を別個のユニットにて行う構成とすれば、裏面が洗浄された後の基板が反転ユニットＲＥＶの反転機構によって汚染されることがないという利点が得られる。一方、この変形例のように、２つの反転処理を同じ反転ユニットＲＥＶにて行う構成とすれば、反転ユニットＲＥＶを２つ設ける必要がないので、省スペースおよびコストダウンといった利点が得られる。
【０１７５】
〈７−４．インデクサロボットＩＲの変形例〉
上記の実施の形態においは、インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１と洗浄後用ハンドＩＲＨ２とをそれぞれ１つずつ設けて、計２つのハンドによって基板Ｗの搬出入を行う構成としているが、１つの洗浄前用ハンドＩＲＨ１と２つの洗浄後用ハンドＩＲＨ２の計３つのハンドによって基板Ｗの搬出入を行う構成としてもよい。
【０１７６】
洗浄後用ハンドＩＲＨ２を２つ設ける構成とすると、洗浄処理後の基板Ｗの受け渡し（洗浄処理部９３に対する基板Ｗの受け渡しや、反射防止膜用処理ブロック１０との間での基板Ｗの受け渡し）を、２つの洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７７】
【図１】基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置の全体構成を示す側面図である。
【図３】基板処理装置の全体構成を示す側面図である。
【図４】基板処理装置の動作の流れを示す図である。
【図５】インデクサブロックのレイアウト例を示す図である。
【図６】洗浄処理部のユニット構成を示す図である。
【図７】端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図８】コの字型ノズルを示す図である。
【図９】反転ユニットの要部構成を示す斜視図である。
【図１０】反転ユニットの概略正面図である。
【図１１】裏面洗浄ユニットの構成を示す図である。
【図１２】洗浄処理部の動作の流れを示す図である。
【図１３】変形例に係るインデクサブロックのレイアウトを示す図である。
【図１４】変形例に係るインデクサブロックのレイアウトを示す図である。
【図１５】変形例に係る端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図１６】ブラシの構成を示す側面図である。
【図１７】変形例に係る端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図１８】二流体ノズルを示す側断面図である。
【図１９】変形例に係る洗浄処理部のユニット構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１７８】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
９１ 制御部
９２ カセット載置台
９３ 洗浄処理部
２１０ スピンチャック
２３０ コの字型ノズル
２４０ 超音波ノズル
２５０ 高周波振動子
９３１ 処理ユニット
５００ 基板処理装置
ＩＲ インデクサロボット
ＥＣ 端面洗浄処理ユニット
ＳＯＡＫ 裏面洗浄ユニット
ＲＥＶ 反転ユニット
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して一連の処理（例えば、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の処理）を行うことによって製造される。
【０００３】
これらの処理を行う基板処理装置は、例えば、複数の処理ブロック（基板表面に反射防止膜を形成する反射防止膜用処理ブロック、反射防止膜の上にレジスト膜を塗布するレジスト膜用処理ブロック、露光後の基板を現像する現像処理ブロック等）を並設した構成を備え、露光処理を行う露光装置に隣接して配置される。
【０００４】
基板は、各処理ブロックに所定の順序で搬送されながら一連の処理を受ける。すなわち、カセットに収容された未処理基板は、搬送装置によって一枚ずつ運び出され、インデクサブロックを介して反射防止膜用処理ブロックに搬入される。そして、そこで表面に反射防止膜を形成される。反射防止膜が形成された基板は、続いてレジスト膜用処理ブロックに搬入され、そこでレジスト膜を塗布される。レジスト膜が形成された基板は、一旦基板処理装置から外部装置である露光装置へと運ばれ、そこで露光処理される。露光処理後の基板は再び基板処理装置内に搬入され、現像処理ブロックにて現像される。これらの処理を受けてその表面にレジストパターンが形成された基板は、インデクサブロックを介して再びカセットに収容される。
【０００５】
ところで、カセットに収容されている未処理基板は、必ずしも清浄な状態にあるとは限らない。汚れた基板に対して一連の処理が実行されてしまうと欠陥が発生してしまう。また、端面や裏面等にパーティクル等が付着した基板がトラック内に搬入されてしまうと、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーションの原因となってしまう。
【０００６】
特に、液浸法（投影光学系と基板との間に、屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態とすることによって、基板表面における露光光を短波長化し、微細な露光パターンを形成することを可能とする露光方法）による露光処理を行う露光装置の場合、基板の端面や裏面等に付着したパーティクル等によって露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００７】
このような問題を回避するために、基板の端面を洗浄する処理ブロック（端面洗浄処理ブロック）を備える基板処理装置が提案されている（特許文献１参照）。ここでは、端面洗浄処理ブロックにて基板の端面を洗浄することによって、露光装置内の汚染を防止している。
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−５６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載の構成によると、基板の端面に付着したパーティクル等によって露光装置内が汚染されるといった事態を防止することができる。しかしながら、端面を洗浄するための処理ブロックを設ける構成では、装置のフットプリントが拡大してしまうという問題があった。
【００１０】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットを配置した処理部と、未処理の基板を外部から受け入れて前記処理部に渡すとともに、処理済みの基板を前記処理部から受け取って外部に搬出するインデクサ部と、を備え、前記インデクサ部が、前記処理部に渡す前の基板の端面を洗浄する端面洗浄部、を備える。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、所定の洗浄液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、前記超音波振動が付与された前記洗浄液を被洗浄基板の端面に供給する吐出ノズルと、を備える。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、水平方向に沿った両端部が開放され、断面コの字型の形状を有する液だまり形成部材、をさらに備え、前記液だまり形成部材の内側空間に前記吐出ノズルから前記洗浄液を吐出することによって形成された液だまりに前記被洗浄基板の端部を浸して前記被洗浄基板の端面を洗浄する。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、洗浄液と加圧された気体とを混合して洗浄液の液滴を生成して被洗浄基板の端面に供給する二流体ノズル、を備える。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記端面洗浄部が、被洗浄基板に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記被洗浄基板の端面に摺接する洗浄ブラシと、を備える。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記インデクサ部が、前記処理部に渡す前の基板の上下面を反転させる反転部と、前記処理部に渡す前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、をさらに備える。
【００１７】
請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記インデクサ部が、複数の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、所定の保持手段で基板を保持して、前記カセット、前記処理部および前記端面洗浄部の間で基板を搬送する基板搬送装置と、をさらに備え、前記基板搬送装置が、その端面部を洗浄される前の基板を保持する第１の保持手段と、その端面部を洗浄された後の基板を保持する第２の保持手段と、を備える。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１から７に記載の発明によると、基板の端面を洗浄する端面洗浄部をインデクサ部に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。また、処理部に渡す前に基板の端面を洗浄することができるので、処理部に搬入される基板の端面を清浄な状態にすることができる。これにより、欠陥の発生および処理部へのクロスコンタミネーションを回避することができる。
【００１９】
特に、請求項２に記載の発明によると、基板の端面に超音波振動が付与された洗浄液を供給することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【００２０】
特に、請求項３に記載の発明によると、洗浄液の液だまりに被洗浄基板の端部を浸した状態とするので、基板の端面の全体を確実に洗浄液に接触させることができる。これにより、高い洗浄効果を得ることができる。
【００２１】
特に、請求項４に記載の発明によると、基板の端面に洗浄液と加圧された気体とを混合することにより生成された洗浄液の液滴を供給することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【００２２】
特に、請求項５に記載の発明によると、基板の端面に洗浄ブラシを摺接させることによって、基板の端面に付着したパーティクルを確実に除去することができる。
【００２３】
特に、請求項６に記載の発明によると、処理部に渡す前に基板の裏面を洗浄することができるので、処理部に搬入される基板の裏面を清浄な状態にすることができる。これにより、基板の裏面に付着したパーティクル等により処理部が汚染されることを防止することができる。また、裏面洗浄部をインデクサ部に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。
【００２４】
特に、請求項７に記載の発明によると、端面が洗浄される前の基板を保持する保持手段と、端面が洗浄された後の基板を保持する保持手段とを使い分けるので、端面が洗浄された後の基板が汚れた保持手段に保持されることによって再び汚染されてしまうといった事態を回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
この発明の実施の形態に係る基板処理装置５００について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００２６】
〈１．基板処理装置５００の構成〉
はじめに、基板処理装置５００の全体構成を図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置５００の全体構成を示す平面図である。基板処理装置５００は、液浸露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行う装置である。
【００２７】
基板処理装置５００は、主として、インデクサブロック９と、インデクサブロック９から搬入される基板Ｗに対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットをそれぞれ配置した複数の処理部（反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６）をこの順に並設した構成となっている。
【００２８】
また、インターフェースブロック１６の＋Ｙ側には、この基板処理装置５００とは別体の露光装置１７が接続される。露光装置１７は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。
【００２９】
インデクサブロック９は、未処理の基板を外部から受け入れて処理部に渡すとともに、処理済みの基板を処理部から受け取って外部に搬出する機能部である。より具体的には、複数の基板Ｗを収容するカセット（キャリア）Ｃから未処理基板を取り出して処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡すとともに、反射防止膜用処理ブロック１０から処理済み基板を受け取ってカセットＣに収容する。
【００３０】
インデクサブロック９には、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１と、１以上のカセット載置台９２と、洗浄処理部９３と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。このうち、一方のハンドＩＲＨ１（洗浄前用ハンドＩＲＨ１）は、洗浄処理部９３にて洗浄処理が行われる前の基板Ｗの搬送に用いられる。また、他方のハンドＩＲＨ２（洗浄後用ハンドＩＲＨ２）は、洗浄処理部９３にて洗浄処理が行われた後の基板Ｗの搬送に用いられる。インデクサブロック９のレイアウトについては後に説明する。
【００３１】
反射防止膜用処理ブロック１０には、反射防止膜用熱処理部１００，１０１と、反射防止膜用塗布処理部３０と、第２のセンターロボットＣＲ２とが設けられている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１と反射防止膜用塗布処理部３０とは、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を上下に有している。
【００３２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられている。また、隔壁２０の一部分には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に使用される。
【００３３】
レジスト膜用処理ブロック１１には、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１と、レジスト膜用塗布処理部４０と、第３のセンターロボットＣＲ３とが設けられている。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１とレジスト膜用塗布処理部４０とは、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を上下に有している。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられている。また、隔壁２１の一部分には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用される。
【００３５】
現像処理ブロック１２には、現像用熱処理部１２０，１２１と、現像処理部５０と、第４のセンターロボットＣＲ４とが設けられている。現像用熱処理部１２０，１２１と現像処理部５０とは、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を上下に有している。
【００３６】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられている。また、隔壁２２の一部分には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用される。
【００３７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３には、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１と、レジストカバー膜用塗布処理部６０と、第５のセンターロボットＣＲ５とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１とレジストカバー膜用塗布処理部６０とは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。第５のセンターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を上下に有している。
【００３８】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられている。また、隔壁２３の一部分には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用される。
【００３９】
レジストカバー膜除去ブロック１４には、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂと、第６のセンターロボットＣＲ６とが設けられている。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向配置されている。第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を上下に有している。
【００４０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられている。また、隔壁２４の一部分には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用される。
【００４１】
洗浄／乾燥処理ブロック１５には、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と、洗浄／乾燥処理部８０と、第７のセンターロボットＣＲ７とが設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１は、インターフェースブロック１６に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を有している。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と洗浄／乾燥処理部８０とは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向配置されている。また、第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を上下に有している。
【００４２】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。また、隔壁２５の一部分には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用される。
【００４３】
インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。
【００４４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ側から見た側面図である。インデクサブロック９の洗浄処理部９３（図１参照）は、１以上の処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ、２個の反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２および裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）が上下に積層配置されている。各処理ユニット９３１の具体的な構成については、後に説明する。
【００４５】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１と、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１と、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４７】
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１と、スピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２とを備える。
【００４８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル６３（図示省略）とを備える。
【００４９】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解させる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２とを備える。
【００５０】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置されている。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１と、スピンチャック８１上に保持された基板Ｗに洗浄液（例えば純水）を供給する供給ノズル８２とを備える。
【００５１】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８と、スピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９とを備える。
【００５２】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ側から見た側面図である。
【００５３】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、それぞれ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰと２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰとが上下に積層配置されている。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５５】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５７】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。
【００５８】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５１には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４も配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５９】
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。
【００６０】
〈２．基板処理装置５００の動作〉
続いて、基板処理装置５００の処理動作について、図１〜図３および図４を参照しながら説明する。図４は、基板処理装置の動作の流れを示す図である。なお、以下に説明する各構成部の動作は、制御部９１によって制御される。
【００６１】
この基板処理装置５００において基板Ｗの処理を行うときには、まず、インデクサブロック９のカセット載置台９２上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたカセット（キャリア）Ｃが搬入される（ステップＳ１）。
【００６２】
カセット載置台９２上にカセットＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１を用いてカセットＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動して、未処理の基板Ｗを洗浄処理部９３へ搬送する。洗浄処理部９３では、基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２）。この処理については後に説明する。ただし、本明細書において「端面」とは、基板Ｗの側面および、基板Ｗの上下面であってその周縁から３〜４ｍｍの環状領域を指す。
【００６３】
端面および裏面の洗浄処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて洗浄処理部９３から基板Ｗを取り出し、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転して当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６４】
反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ３）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６５】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ４）。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１における熱処理が終了すると、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６６】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部に、レジスト膜が塗布形成される（ステップＳ５）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６７】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ６）。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６８】
現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００６９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面のレジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される。（ステップＳ７）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００７０】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ８）。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００７１】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。さらに、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【００７２】
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ９）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、基板Ｗに対して液浸露光処理が行われ、基板Ｗの上面に所定の電子パターンが露光される。
【００７３】
その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ１０）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ１１）。
【００７４】
洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【００７５】
インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１２）。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００７６】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ１３）。
【００７７】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７８】
さらに、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（ステップＳ１４）。
【００７９】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１５）。また、現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８０】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。さらに、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをカセット載置台９２上のカセットＣに収納する。その後、カセット載置台９２上からカセットＣが搬出され（ステップＳ１６）、基板処理装置５００における一連の基板処理が終了する。
【００８１】
〈３．インデクサブロック９のレイアウト〉
次に、インデクサブロック９の構成についてより詳細に説明する。上述の通り、インデクサブロック９には、制御部９１と、１以上のカセット載置台９２と、１以上の処理ユニット９３１を備える洗浄処理部９３と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。ここで、これら各部のレイアウトについて、図５を参照しながら説明する。図５（ａ）（ｂ）は、インデクサブロック９のレイアウト例を示す平面図および側面図である。
【００８２】
洗浄処理部９３は、カセット載置台９２に隣接して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｘ方向に移動することによって（矢印ＡＲ９０１）、任意のカセット載置台９２および洗浄処理部９３にアクセスすることができる。
【００８３】
また、洗浄処理部９３の備える１以上（図５では４個）の処理ユニット９３１は、積層して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【００８４】
なお、この実施の形態においては、洗浄処理部９３は、４つの処理ユニット９３１から構成されているが、洗浄処理部９３は必ずしも４つの処理ユニット９３１から構成されなくともよい。これについては、後に変形例として説明する。
【００８５】
〈４．洗浄処理部９３の構成〉
次に、洗浄処理部９３の構成についてより詳細に説明する。上述の通り、洗浄処理部９３は処理ユニット９３１として、端面洗浄処理ユニットＥＣと、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫと、２個の反転ユニットＲＥＶ２とを備える。これら各ユニットは、例えば、図６に示すように、上から、第１の反転ユニットＲＥＶ１、端面洗浄処理ユニットＥＣ、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ、第２の反転ユニットＲＥＶ２、の順に積層配置される。ただし、処理ユニット９３１の積層順序はこれに限らない。例えば、上から、端面洗浄処理ユニットＥＣ、第１の反転ユニットＲＥＶ１、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ、第２の反転ユニットＲＥＶ２の順に積層配置する構成としてもよい。
【００８６】
次に、各ユニットについてより具体的に説明する。なお、以下において、第１および第２の反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２を特に区別しない場合には、単に「反転ユニットＲＥＶ」と示す。
【００８７】
〈４−１．端面洗浄処理ユニットＥＣ〉
端面洗浄処理ユニットＥＣについて、図７、図８を参照しながら説明する。図７は、端面洗浄処理ユニットＥＣの全体構成を示す図である。図８（ａ）（ｂ）は、ノズル部分を示す側面図および平面図である。端面洗浄処理ユニットＥＣは、主として、スピンチャック２１０と、ノズル移動機構２２０と、コの字型ノズル２３０と、超音波ノズル２４０とを備える。
【００８８】
スピンチャック２１０は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。スピンチャック２１０は、図示を省略する電動モータによって回転される回転軸２１１の上端に固定されている。また、スピンチャック２１０には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２１０上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２１０に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００８９】
ノズル移動機構２２０は、スピンチャック２１０の側方でかつ端面洗浄処理ユニットＥＣの上部に配置されている。また、ノズル移動機構２２０には、下方に延びる棒状のノズル支持部材２２１が取り付けられている。ノズル移動機構２２０を駆動制御することによって、ノズル支持部材２２１を水平方向（矢印ＡＲ２２１）に移動させることができる。
【００９０】
コの字型ノズル２３０は、ノズル支持部材２２１の下端に取り付けられ、スピンチャック２１０に保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置している。ノズル移動機構２２０を駆動制御してノズル支持部材２２１を水平方向に移動させることによって、コの字型ノズル２３０を水平方向（矢印ＡＲ２３０）に移動させることができる。コの字型ノズル２３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック２１０に保持された被処理基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる（図７の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗの端面位置から離れた退避位置に置かれる（図７の仮想線位置）。
【００９１】
コの字型ノズル２３０は、図８に示すように、水平方向に沿った両端部Ｔが開放された断面コの字型の形状をしている。コの字形状の開放面Ｄ０は、スピンチャック２１０に保持された基板Ｗの端面Ｒに対向している。つまり、コの字型ノズル２３０が処理位置におかれると、被処理基板Ｗの端部Ｒがコの字型ノズル２３０の上面Ｄ１と下面Ｄ２との間に挿入され、端面Ｒがコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖ内に位置する状態となる。ただし、ここで「端部」とは基板Ｗの周縁から３〜４ｍｍの部分を指す。
【００９２】
超音波ノズル２４０は、コの字型ノズル２３０の背面Ｄ３に貫通して取り付けられている。超音波ノズル２４０には、洗浄液供給管２４１が接続されている。洗浄液供給管２４１の他端は、開閉バルブ２４２を介して洗浄液供給源２４３に接続されている。なお、洗浄液としては、例えば純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素薬液等が用いられる。開閉バルブ２４２を開くと、洗浄液供給管２４３を通じて超音波ノズル２４０に洗浄液が供給され、超音波ノズル２４０は、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに洗浄液を吐出する。
【００９３】
また、超音波ノズル２４０には、高周波振動子２５０が取り付けられている。高周波振動子２５０は高周波発生装置（図示省略）と接続されている。高周波発生装置から高周波振動子２５０に高周波電流を供給すると、高周波振動子２５０が超音波振動する。これによって、超音波ノズル２４０内を通る洗浄液に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。すなわち、超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０から吐出されることになる。なお、洗浄液に印加する高周波出力は、基板の種類や洗浄条件等に応じて適宜決定する。
【００９４】
超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０からコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに吐出されると、吐出された洗浄液とコの字型ノズル２３０の内周壁部との界面張力によって、図８に示すように、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに洗浄液の液だまりＬが形成され、内側空間Ｖ内に位置している被処理基板Ｗの端面部Ｒがこの液だまりＬに浸される。すると、端面部Ｒに付着したパーティクルは、高周波振動の衝撃を受けて基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。
【００９５】
〈４−２．反転ユニットＲＥＶ〉
続いて、反転ユニットＲＥＶ端面洗浄処理ユニットＥＣについて、図９、図１０を参照しながら説明する。図９は、反転ユニットＲＥＶの要部構成を示す斜視図である。図１０は、図９の矢印ＡＲ３０の方向から見た反転ユニットＲＥＶの概略正面図である。反転ユニットＲＥＶは、基板Ｗの上下面を反転させるユニットである。反転ユニットＲＥＶは、主として、昇降テーブル３１０と反転チャック３３０とを備える。
【００９６】
昇降テーブル３１０は、例えばエアシリンダを用いて構成された図示を省略する昇降駆動機構によって鉛直方向に沿って昇降可能とされている。昇降テーブル３１０の上面には同一円周上に沿って複数個（本実施形態では６個）の支持ピン３１８が立設されている。各支持ピン３１８は、基板Ｗの下面周縁部を下から支持する支持部３１８ａと、その支持部の上面に突設されたピン部３１８ｂとによって構成されている。なお、反転ユニットＲＥＶの昇降テーブル３１０は、裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫ２のスピンチャック４２７のように基板Ｗを回転させるものではなく、基板Ｗを強固に保持する必要性に乏しいため、６個の支持ピン３１８は全て昇降テーブル３１０に固定設置されている。すなわち、昇降テーブル３１０のピン部３１８ｂは単に基板Ｗの水平方向位置を規制するための部材である。
【００９７】
左右一対の反転チャック３３０は円盤形状の回転台３３５の径方向に沿って設けられている。反転チャック３３０は、回転台３３５に内蔵されたスライド駆動機構によって、図１０の矢印ＡＲ３１に示すようなスライド移動を行う。一対の反転チャック３３０，３３０は連動してスライド移動を行うことにより、両チャック間の距離を伸縮する。反転チャック３３０には、基板Ｗの端縁部を把持するための開口である把持部３３１が設けられている。昇降テーブル３１０が基板Ｗを反転チャック３３０と同じ高さ位置に保持した状態にて２個の反転チャック３３０，３３０がその間隔を縮めるようにスライド移動することにより、把持部３３１によって基板Ｗの端縁部を把持することができる。なお、把持部３３１には昇降テーブル３１０の支持ピン３１８との干渉を避けるための切り欠きが形成されている。
【００９８】
また、回転台３３５はユニット基台３３９に設けられた回転駆動機構によって鉛直面内にて図１０の矢印ＡＲ３２に示す方向に回転可能とされている。回転台３３５が回転することによって一対の反転チャック３３０，３３０も矢印ＡＲ３２に示す方向に回転する。
【００９９】
反転ユニットＲＥＶが基板Ｗの上下面を反転させるときには、まず、昇降テーブル３１０が反転チャック３３０よりもさらに上方の搬出入位置にまで上昇する。搬出入位置にて支持ピン３１８に基板Ｗを受け取った昇降テーブル３１０は反転チャック３３０に基板Ｗを受け渡す受渡位置にまで下降する。この受渡位置とは、水平方向に沿って相対向して静止している反転チャック３３０と昇降テーブル３１０に保持された基板Ｗとが同じ高さとなる位置である。なお、昇降テーブル３１０が受渡位置に下降するときには一対の反転チャック３３０間を基板Ｗが通過可能な間隔となるように反転チャック３３０が移動している。
【０１００】
昇降テーブル３１０が受渡位置に下降した状態にて、一対の反転チャック３３０がその間隔を狭めるようにスライド移動を開始し、やがて両反転チャック３３０の把持部３３１によって基板Ｗの端縁部が把持される。これによって基板Ｗは反転チャック３３０に保持されることとなり、昇降テーブル３１０はさらに下方の待避位置にまで下降する。待避位置とは、続く反転工程において反転チャック３３０と昇降テーブル３１０とが衝突しない位置である。
【０１０１】
次に、回転台３３５が１８０°の回転動作（半回転）を行って基板Ｗの上下面を反転させる。その後、再び昇降テーブル３１０が待避位置から受渡位置にまで上昇して基板Ｗを支持ピン３１８に受け取るとともに、一対の反転チャック３３０がその間隔を拡げるようにスライド移動を行う。そして、反転後の基板Ｗを受け取った昇降テーブル３１０がさらに上記搬出入位置にまで上昇し、支持ピン３１８から反転後の基板Ｗが搬出される。なお、支持ピン３１８は基板Ｗの端縁部を支持するものであるため、反転によってパターン形成のなされた基板Ｗの表面が下面になったとしても、そのパターンを損なうおそれはない。
【０１０２】
〈４−３．裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ〉
続いて、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫについて、図１１を参照しながら説明する。図１１は、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫの構成を示す図である。裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫは、主として、スピンチャック４２７と、洗浄用ノズル回動機構４６０と、洗浄用ノズル４５０と、乾燥用ノズル回動機構４７０と、乾燥用ノズル４５１と、を備える。
【０１０３】
スピンチャック４２７は、上述した端面洗浄処理ユニットＥＣのスピンチャック２０１と同様、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。ただし、端面洗浄処理ユニットＥＣのスピンチャック２０１は基板Ｗの下面を真空吸着するタイプのものであったが、裏面洗浄処理ユニットＳＯＡＫのスピンチャック４２７は基板Ｗの端縁部を把持するタイプのものである。すなわち、スピンチャック４２７の上面周縁部には同一円周上に沿って複数個（本実施形態では６個）の支持ピン４２８が立設されている。各支持ピン４２８は、基板Ｗの下面周縁部を下から支持する円筒状の支持部と、その支持部の上面に突設されて基板Ｗの端縁部に当接して押圧するピン部とによって構成されている。６個の支持ピン４２８のうち３個についてはスピンチャック４２７に固定設置された固定支持ピンとされている。固定支持ピンは、円筒状支持部の軸心上にピン部を突設している。一方、６個の支持ピン４２８のうち残りの３個についてはスピンチャック４２７に対して回転（自転）自在に設置された可動支持ピンとされている。可動支持ピンでは、円筒状支持部の軸心から若干偏心してピン部が突設されている。３個の可動支持ピンは図示省略のリンク機構および駆動機構によって連動して回動駆動される。可動支持ピンが回動することにより、６個のピン部で基板Ｗの端縁部を把持することと、基板Ｗの把持を解除することとが可能である。６個の支持ピン４２８によって基板Ｗの端縁部を把持することにより、スピンチャック４２７は基板Ｗの下面中央部に接触することなく基板Ｗを保持することができる。
【０１０４】
洗浄用ノズル回動機構４６０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック４２７の側方に配置されている。洗浄用ノズル回動機構４６０には、上方に延びる回動軸４６１が接続されている。さらに、回動軸４６１には、水平方向に延びるアーム４６２が連結されている。洗浄用ノズル回動機構４６０を駆動制御することによって、アーム４６２を回動させることができる。
【０１０５】
洗浄用ノズル４５０は、アーム４６２の先端に取り付けられている。洗浄用ノズル回動機構４６０を駆動制御してアーム４６２を回動させることによって、洗浄用ノズル４５０をスピンチャック４２７に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。洗浄用ノズル４５０は、基板Ｗの裏面洗浄処理を行う間は、スピンチャック４２７に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる。また、裏面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１１に示す位置）に置かれる。
【０１０６】
洗浄用ノズル４５０には、洗浄液供給管４６３が接続されている。洗浄液供給管４６３の他端は、開閉バルブ４６４を介して洗浄液供給源４６５に接続されている。開閉バルブ４６４を開くと、洗浄液供給管４６５を通じて、洗浄用ノズル４５０に洗浄液が供給される。これによって、洗浄用ノズル４５０から基板Ｗの裏面へ洗浄液を供給することができる。なお、洗浄用ノズル４５０として、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルを採用することができる。
【０１０７】
乾燥用ノズル回動機構４７０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック４２７の側方であって、洗浄用ノズル回動機構４６０とは逆側に配置されている。乾燥用ノズル回動機構４７０には、上方に延びる回動軸４７１が接続されている。さらに、回動軸４７１には、水平方向に延びるアーム４７２が連結されている。乾燥用ノズル回動機構４７０を駆動制御することによって、アーム４７２を回動させることができる。
【０１０８】
乾燥用ノズル４５１は、アーム４７２の先端に取り付けられている。乾燥用ノズル回動機構４７０を駆動制御してアーム４７２を回動させることによって、乾燥用ノズル４５１をスピンチャック４２７に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。乾燥用ノズル４５１は、基板Ｗの乾燥処理を行う間は、スピンチャック４２７に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる。また、乾燥処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置に置かれる。
【０１０９】
乾燥用ノズル４５１には、乾燥用供給管４７３が接続されている。乾燥用供給管４７３の他端は、開閉バルブ４７４を介して不活性ガス供給源４７５に接続されている。開閉バルブ４７４を開くと、乾燥用供給管４７３を通じて、乾燥用ノズル４５１に不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ））が供給される。これによって、乾燥用ノズル４５１から基板Ｗの裏面へ不活性ガスを供給することができる。
【０１１０】
なお、スピンチャック４２７の周囲には、スピンチャック４２７に保持された基板Ｗを囲繞する処理カップ４２３が設けられている。処理カップ４２３の内側には、円筒状の仕切壁４３３が設けられている。また、スピンチャック４２７の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた洗浄液を排液するための排液空間４３１が仕切壁４３３の内側に形成されている。さらに、排液空間４３１を取り囲むように、処理カップ４２３の外壁と仕切壁４３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間４３２が形成されている。
【０１１１】
排液空間４３１には、排液処理装置（図示省略）へ処理液を導くための排液管４３４が接続され、回収液空間４３２には、回収処理装置（図示省略）へ処理液を導くための回収管４３５が接続されている。
【０１１２】
また、処理カップ４２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード４２４が設けられている。このスプラッシュガード４２４は、回転軸４２５に対して回転対称な形状とされている。スプラッシュガード４２４の上端部の内面には、断面くの字形状の排液案内溝４４１が環状に形成されている。また、スプラッシュガード４２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４４２が形成されている。回収液案内部４４２の上端付近には、処理カップ４２３の仕切壁４３３を受け入れるための仕切壁収納溝４４３が形成されている。
【０１１３】
このスプラッシュガード４２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示省略）によって鉛直方向に沿って昇降駆動される。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード４２４を、回収液案内部４４２がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む回収位置と、排液案内溝４４１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む排液位置との問で昇降させる。スプラッシュガード４２４が回収位置（図１１に示す位置）にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した洗浄液が回収液案内部４４２により回収液空間４３２に導かれ、回収管４３５を介して回収される。一方、スプラッシュガード４２４が排液位置にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散したａ洗浄液が排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４を介して排液される。このようにして、洗浄液の排液および回収を切り換えて実行可能とされている。
【０１１４】
〈５．洗浄処理部９３における洗浄処理の流れ〉
続いて、洗浄処理部９３にて行われる基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理（図４のステップＳ２）の流れについて、図１２を参照しながら説明する。図１２は、洗浄処理部９３の動作の流れを示す図である。なお、以下に説明する各構成部の動作は、制御部９１（図１参照）によって制御される。
【０１１５】
インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１を用いてカセットＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出して、洗浄処理部９３の端面洗浄処理ユニットＥＣへ搬送する。端面洗浄処理ユニットＥＣでは、基板Ｗの端面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２１）。
【０１１６】
端面の洗浄処理の流れについてより具体的に説明する。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗをスピンチャック２１０上に載置する。すると、スピンチャック２１０は、載置された基板Ｗを吸着保持する。これによって、基板Ｗは、水平姿勢にて保持されることになる。
【０１１７】
続いて、ノズル移動機構２２０が、待避位置にあるコの字型ノズル２３０を処理位置まで移動させる。これによって、基板Ｗの端部がコの字型ノズル２３０の上面Ｄ１と下面Ｄ２との間に挿入され、端面Ｒがコの字型ノズル２３０の内側空間Ｖ内に位置する状態となる。
【０１１８】
続いて、回転軸２１１が回転を開始する。これによって、スピンチャック２１０に保持されている基板Ｗが回転することになる。その後、開閉バルブ２４２を開放するとともに高周波発生装置から高周波振動子２５０に高周波電流を供給して、高周波振動子２５０を超音波振動させる。すると、超音波振動状態となった洗浄液が超音波ノズル２４０からコの字型ノズル２３０の内部に吐出され、コの字型ノズル２３０の内側空間Ｖに超音波振動状態となった洗浄液の液だまりＬが形成され、内側空間Ｖ内に位置している基板Ｗの端面部Ｒがこの液だまりＬに浸される。これによって、端面部Ｒに付着したパーティクル等が高周波振動の衝撃を受けて基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。コの字型ノズル２３０からあふれ出た液体は図示しない排液機構によって排液される。
【０１１９】
所定時間が経過すると、洗浄液の供給が停止されるとともに回転軸２１１の回転が停止される。そして、ノズル移動機構２２０が、処理位置にあるコの字型ノズル２３０を待避位置まで移動させる。さらにスピンチャック２１０が基板Ｗの吸着保持を解除し、インデクサロボットＩＲが、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて端面洗浄処理ユニットＥＣにある端面洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。以上で、基板Ｗの端面の洗浄処理が終了する。
【０１２０】
再び図１２を参照する。ステップＳ２１の処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、端面洗浄処理ユニットＥＣから取り出した端面洗浄処理後の基板Ｗを第１の反転ユニットＲＥＶ１へ搬送する。第１の反転ユニットＲＥＶ１では、基板Ｗは、その裏面が上面となるように反転される（ステップＳ２２）。反転ユニットＲＥＶ１における反転動作は上述した通りである。ただし、ここで、基板Ｗの「表面」とは、パターン形成がなされる主面であり、基板Ｗの「裏面」とは表面の反対側の面である。
【０１２１】
ステップＳ２２の処理が終了すると、続いて、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて第１の反転ユニットＲＥＶ１にある反転された基板Ｗを取り出して、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫへ搬送する。裏面洗浄ユニットＳＯＡＫでは、基板Ｗの裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２３）。
【０１２２】
裏面の洗浄処理の流れについてより具体的に説明する。基板Ｗの搬入時にはスプラッシュガード４２４は下降した状態にあり、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗをスピンチャック４２７上に載置する。すると、スピンチャック４２７の６個の支持ピン４２８が載置された基板Ｗの端縁部を把持する。これによって、基板Ｗは、その裏面を上側に向けて水平姿勢にて保持されることになる。
【０１２３】
続いて、スプラッシュガード４２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル４５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、回転軸４２５が回転を開始する。これによって、スピンチャック４２７に保持されている基板Ｗが回転することになる。その後、開閉バルブ４６４を開放して洗浄処理用ノズル４５０から洗浄液を基板Ｗの上面（ここでは裏面）に吐出する。これによって、基板Ｗの裏面洗浄処理が進行し、基板Ｗの裏面に付着していたパーティクル等が洗い流される。回転する基板Ｗから遠心力によって飛散した液体は排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４から排液される。
【０１２４】
所定時間が経過すると、回転軸４２５の回転速度が低下する。これによって、基板Ｗの回転により振り切られる洗浄液の量が減少し、基板Ｗの裏面全体に水膜が形成され、いわゆる液盛りされた状態となる。なお、回転軸４２５の回転を停止させて基板Ｗの裏面全体に水膜を形成してもよい。
【０１２５】
続いて、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、開閉バルブ４７４を開放して乾燥処理用ノズル４５１から基板Ｗの上面中心部近傍に不活性ガスを吐出する。これによって、基板Ｗの裏面中心部の水分が基板Ｗの周縁部に押し流され、基板Ｗの裏面周縁部のみに水膜が残留する状態となる。
【０１２６】
続いて、回転軸４２５の回転数が再度上昇するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が基板Ｗの裏面中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。すると、基板Ｗの裏面上に残留する水膜に大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの裏面全体に不活性ガスが吹き付けられることになる。これによって、基板Ｗ上の水膜を確実に取り除くことができる。すなわち、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０１２７】
続いて、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル４５１が所定の位置に退避するとともに、回転軸４２５の回転が停止する。さらに、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、支持ピン４２８が基板Ｗの端縁部把持を解除し、インデクサロボットＩＲが、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて裏面洗浄ユニットＳＯＡＫにある裏面洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。以上で、基板Ｗの裏面の洗浄処理が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるスプラッシュガード４２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１２８】
再び図１２を参照する。ステップＳ２３の処理が終了すると、インデクサロボットＩＲは、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫから取り出した裏面洗浄処理後の基板Ｗを第２の反転ユニットＲＥＶ２へ搬送する。第２の反転ユニットＲＥＶ２では、基板Ｗは、その表面が上面となるように反転される（ステップＳ２４）。反転ユニットＲＥＶ２における反転動作は上述した通りである。
【０１２９】
ステップＳ２４の処理が終了すると、続いて、インデクサロボットＩＲは、洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて第２の反転ユニットＲＥＶ２にある反転された基板Ｗ（すなわち、反転されることによって、その表面が上面となっている基板Ｗ）を取り出して、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転して当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する（ステップＳ２５）。以上で、基板Ｗの端面および裏面の洗浄処理が終了する。
【０１３０】
〈６．効果〉
上記の実施の形態によると、洗浄処理部９３をインデクサブロック９に設けるので、装置の省スペースを実現することができる。また、端面洗浄処理ユニットＥＣにおいて、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡す前に基板の端面を洗浄することができるので、処理ブロック１０に搬入される基板の端面を清浄な状態にすることができる。また、裏面洗浄ユニットＳＯＡＫにおいて、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に渡す前に基板の裏面を洗浄することができるので、端面だけでなく裏面をも清浄な状態にすることができる。これにより、汚れた基板に対して一連の処理が実行されて欠陥が発生してしまうといった事態を回避できる。また、端面や裏面等にパーティクル等が付着した基板がトラック内に搬入されてしまうことにより、トラックや露光装置が汚染されるといった事態を回避できる。
【０１３１】
また、上記の実施の形態においては、端面洗浄処理ユニットＥＣが超音波振動が付与された洗浄液を基板Ｗの端面に供給する超音波ノズル２４０を備えるので、基板の端面を超音波振動が付与された洗浄液でもって洗浄することができる。これによって、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【０１３２】
また、上記の実施の形態においては、端面洗浄処理ユニットＥＣが液だまりを形成するコの字型ノズル２３０を備え、基板の端部を洗浄液の液だまりに浸した状態とするので、基板の端面の全体を確実に洗浄液に接触させることができる。これにより、高い洗浄効果を得ることができる。特に、基板Ｗの端面付近が疎水性の状態にある場合であっても洗浄液が十分に行き渡るので、端面付近に付着したパーティクル等を確実に取り除くことができる。
【０１３３】
また、上記の実施の形態においては、端面が洗浄される前の基板を保持するハンド（洗浄前用ハンドＩＲＨ１）と、端面が洗浄された後の基板を保持するハンド（洗浄後用ハンドＩＲＨ２）とを使い分けるので、端面が洗浄された後の基板が汚れたハンドに保持されることによって再び汚染されてしまうといった事態を回避できる。したがって、端面が洗浄された後の基板を清浄な状態に保って反射防止膜用処理ブロック１０に搬入することができる。
【０１３４】
〈７．変形例〉
〈７−１．インデクサブロック９のレイアウトの変形例〉
上記の実施の形態においは、洗浄処理部９３がカセット載置台９２に隣接して配置されるインデクサブロック９のレイアウトを示しているが、インデクサブロック９のレイアウトはこれに限らない。
【０１３５】
〈インデクサブロック９のレイアウトの第１の変形例〉
第１の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトについて、図１３を参照しながら説明する。図１３（ａ）（ｂ）は、第１の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトを示す平面図および側面図である。
【０１３６】
ここでは、洗浄処理部９３は、カセット載置台９２と上下に積層して配置される。特に好ましくは、図１３（ｂ）に示すように、洗浄処理部９３がカセット載置台９２の下側に配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、カセット載置台９２もしくは洗浄処理部９３にアクセスすることができる。
【０１３７】
また、ここでは、洗浄処理部９３の備える１以上（図１３では、３個）の処理ユニット９３１は、互いに隣接して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｘ方向に移動することによって（矢印ＡＲ９０１）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【０１３８】
〈インデクサブロック９のレイアウトの第２の変形例〉
第２の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトについて、図１４を参照しながら説明する。図１４（ａ）（ｂ）は、第２の変形例に係るインデクサブロック９のレイアウトを示す平面図および側面図である。
【０１３９】
ここでは、洗浄処理部９３は、インデクサロボットＩＲの上方に配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、洗浄処理部９３にアクセスすることができる。ただし、洗浄処理部９３は、インデクサロボットＩＲのＸ方向についての移動（矢印ＡＲ９０１）を妨げない高さに配置する。
【０１４０】
また、ここでは、洗浄処理部９３の備える１以上（図１４では、２個）の処理ユニット９３１は、互いに積層して配置される。インデクサロボットＩＲは、Ｚ方向に伸縮することによって（矢印ＡＲ９０２）、任意の処理ユニット９３１にアクセスすることができる。
【０１４１】
〈７−２．端面洗浄処理ユニットＥＣの変形例〉
上記の実施の形態に係る端面洗浄処理ユニットＥＣにおいては、コの字型ノズル２３０および超音波ノズル２４０等を用いて基板Ｗの端面を洗浄する構成を示しているが、端面洗浄処理ユニットＥＣの構成はこれに限らない。
【０１４２】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第１の変形例〉
第１の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣａについて、図１５、図１６を参照しながら説明する。図１５は、第１の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣａの全体構成を示す図である。図１６は、ブラシ部分を示す側面図である。端面洗浄処理ユニットＥＣａは、主として、スピンチャック５１０と、第１の洗浄用ノズル回動機構５２０と、第１の洗浄用ノズル５３０と、第２の洗浄用ノズル回動機構５４０と、第２の洗浄用ノズル５５０と、ブラシ移動機構５６０と、ブラシ５７０とを備える。スピンチャック５１０の構成は、上述したスピンチャック２１０（図７参照）と同様であるので、その説明を省略する。
【０１４３】
第１の洗浄用ノズル回動機構５２０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック５１０の側方に配置されている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０には、上方に延びる回動軸５２１が接続されている。さらに、回動軸５２１には、水平方向に延びるアーム５２２が連結されている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０を駆動制御することによって、アーム５２２を回動させることができる。
【０１４４】
第１の洗浄用ノズル５３０は、アーム５２２の先端に取り付けられている。第１の洗浄用ノズル回動機構５２０を駆動制御してアーム５２２を回動させることによって、第１の洗浄用ノズル５３０をスピンチャック５１０に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。第１の洗浄用ノズル５３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック５１０に保持された被処理基板Ｗの上方位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１５の仮想線位置）に置かれる。
【０１４５】
第２の洗浄用ノズル回動機構５４０は、第１の洗浄用ノズル５３０と同様、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック５１０の側方に配置されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０には、上方に延びる回動軸５４１が接続されている。さらに、回動軸５４１には、水平方向に延びるアーム５４２が連結されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０を駆動制御することによって、アーム５４２を回動させることができる。
【０１４６】
第２の洗浄用ノズル５５０は、アーム５４２の先端に取り付けられており、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗの下側面に向けて洗浄液を吐出する姿勢で支持されている。第２の洗浄用ノズル回動機構５４０を駆動制御してアーム５４２を回動させることによって、第２の洗浄用ノズル５５０をスピンチャック５１０に保持された基板Ｗの下方に移動させることができる。第２の洗浄用ノズル５５０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック５１０に保持された被処理基板Ｗの下方位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた退避位置（図１５の仮想線位置）に置かれる。
【０１４７】
第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０には、それぞれ、洗浄液供給管５８１が接続されている。洗浄液供給管５８１の他端は、開閉バルブ５８２を介して洗浄液供給源５８３に接続されている。開閉バルブ５８２を開くと、洗浄液供給管５８１を通じて、第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０に洗浄液が供給される。これによって、第１の洗浄用ノズル５３０から基板Ｗの上側面へ洗浄液を供給することができ、第２の洗浄用ノズル５５０から基板Ｗの下側面へ洗浄液を供給することができる。
【０１４８】
ブラシ移動機構５６０は、スピンチャック５１０の側方でかつ端面洗浄処理ユニットＥＣａの上部に配置されている。また、ブラシ移動機構５６０には、下方に延びる棒状のブラシ支持部材５６１が取り付けられている。ブラシ移動機構５６０を駆動制御することによって、ブラシ支持部材５６１を水平方向（矢印ＡＲ５６１ａ）および垂直方向（矢印ＡＲ５６１ｂ）に移動させることができる。またさらに、ブラシ移動機構５６０は、電動モータによって回転される回転軸（図示省略）を備え、ブラシ支持部材５６１はこの回転軸の下端に固定されている。つまり、ブラシ移動機構５６０を駆動制御することによって、ブラシ支持部材５６１を鉛直な回転軸の周りで回転させることができる（矢印ＡＲ５６１ｃ）。
【０１４９】
ブラシ５７０は、ブラシ支持部材５６１の下端に取り付けられ、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置している。ブラシ移動機構５６１を駆動制御してノズル支持部材５６１を水平方向に移動させることによって、ブラシ５７０を水平方向（矢印ＡＲ５７０ａ）に移動させることができる。ブラシ５７０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック１１に保持された被処理基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる（図１５の実線位置）。またこの間、後述するように、ブラシ５７０は、回転駆動されるとともに上下に移動される。端面洗浄処理が終了すると、ブラシ５７０は、被処理基板Ｗの端面位置から離れた待避位置に置かれる（図１５の仮想線位置）。
【０１５０】
ブラシ１２２は、例えば、ポリビニルアルコール (polyvinyl alcohol, PVA)により形成されており、図１６に示すように、横断面が円形であり、縦断面が中央部から両端部に向かって傾斜する形状をしている。
【０１５１】
基板Ｗの端面洗浄処理を行うにあたっては、上述した第１の洗浄用ノズル５３０および第２の洗浄用ノズル５５０のそれぞれから基板Ｗの上側面および下側面へ向けて洗浄液が吐出される。さらにこの状態で、ブラシ５７０が、回転駆動開始される（矢印ＡＲ５７０ｃ）。そして、回転するブラシ５７０が、水平方向に移動されて（矢印ＡＲ５７０ａ）、スピンチャック５１０に保持された基板Ｗの端面位置（処理位置）に置かれる。
【０１５２】
処理位置に置かれたブラシ５７０は、さらに垂直方向に移動される（矢印ＡＲ５７０ｂ）。すなわち、ブラシ５７０は、第１の高さ位置Ｈ１（図１６の実線位置）と第２の高さ位置（図１６の仮想線位置）との間を反復移動する。第１の高さＨ１では、ブラシ５７０の上側の傾斜面Ｋ１が、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの端面Ｒに上側から摺接する。すると、端面部Ｒの上側付近に付着したパーティクルは、回転するブラシ５７０から物理的な力を受けて基板Ｗの表面から遊離する。第１の高さ位置よりも高い位置である第２の高さ位置では、ブラシ５７０の下側の傾斜面Ｄ２が、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの端面Ｒに下側から摺接する。すると、端面部Ｒの下側付近に付着したパーティクルは、回転するブラシ５７０から物理的な力を受けて基板Ｗの表面から遊離する。すなわち、ブラシ５７０が高さＨ１と高さＨ２との間を移動することによって、端面部Ｒは上側と下側の両方から洗浄される。
【０１５３】
この変形例によると、基板の端面に洗浄ブラシを摺接させることによって、基板の端面に付着したパーティクルを確実に除去することができる。
【０１５４】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第２の変形例〉
第２の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣｂについて、図１７を参照しながら説明する。図１７は、第２の変形例に係る端面洗浄処理ユニットＥＣｂの全体構成を示す図である。端面洗浄処理ユニットＥＣｂは、主として、スピンチャック６１０と、ノズル回動機構６２０と、２流体ノズル６３０とを備える。スピンチャック６１０の構成は、上述したスピンチャック１１（図７参照）と同様であるので、その説明を省略する。
【０１５５】
ノズル回動機構６２０は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック６１０の側方に配置されている。ノズル回動機構６２０には、上方に延びる回動軸６２１が接続されている。さらに、回動軸６２１には、水平方向に延びるアーム６２２が連結されている。ノズル回動機構６２０を駆動制御することによって、アーム６２２を回動させることができる。
【０１５６】
二流体ノズル６３０は、アーム６２２の先端に取り付けられ、スピンチャック６１０に保持された基板Ｗの端面Ｒに向けて洗浄液を吐出する姿勢で支持されている。ノズル回動機構６２０を駆動制御してアーム６２２を回動させることによって、二流体ノズル６３０をスピンチャック６１０に保持された基板Ｗの上方に移動させることができる。二流体ノズル６３０は、基板Ｗの端面洗浄処理を行う間は、スピンチャック６１０に保持された被処理基板Ｗの上側の側方位置（処理位置）に置かれる（図１７の実線位置）。また、端面洗浄処理が終了すると、被処理基板Ｗから離れた待避位置に置かれる（図１７の仮想線位置）。
【０１５７】
二流体ノズル６３０には、洗浄液供給管６３１と窒素ガス供給管６３４とがそれぞれ接続されている。洗浄液供給管６３１の他端は、開閉バルブ６３２を介して洗浄液供給源６３３に接続されており、開閉バルブ６３２を開くと、洗浄液供給管６３１を通じて、二流体ノズル６３０に洗浄液が供給される。また、窒素ガス供給管６３４の他端は、開閉バルブ６３５を介して窒素ガス供給源６３６に接続されており、開閉バルブ６３５を開くと、窒素ガス供給管６３４を通じて、二流体ノズル６３０に窒素ガスが供給される。
【０１５８】
ここで、図１８を参照しながら、二流体ノズル６３０についてより具体的に説明する。図１８は、二流体ノズル６３０を示す側断面図である。二流体ノズル６３０は、洗浄液と気体（例えば、窒素ガス）とを混合して、洗浄液の液滴を生成して吐出するノズルである。より具体的には、洗浄液供給源６３３および窒素ガス供給源６３６からそれぞれ供給される洗浄液および窒素ガスをノズル内部にて混合することにより、ミスト状の洗浄液の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出する（いわゆる内部混合型の二流体ノズル）。
【０１５９】
二流体ノズル６３０は、洗浄液導入管６６５内に、ガス導入管６６６が挿入された二重管構造となっている。また、洗浄液導入管６６５内のガス導入管６６６端部より下流側には、窒素ガスと洗浄液とが混合される混合部６６７が形成されている。
【０１６０】
洗浄液導入管６６５に供給された洗浄液と、ガス液導入管６６６に供給された加圧された窒素ガスとは、混合部６６７において混合される。これにより洗浄液の液滴を含む混合流体が形成される。形成された混合流体は、混合部６６７の下流側の加速管６６８によって加速され、吐出口６６９から吐出される。
【０１６１】
なお、二流体ノズル６３０は、窒素ガスおよび洗浄液をノズル外部の開放空間にて衝突させて混合することにより洗浄液の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる外部混合型の二流体ノズルであってもよい。
【０１６２】
洗浄液の液滴が基板Ｗの端面に向けて吐出されることによって、端面部Ｒに付着したパーティクルは、基板表面から遊離する。すなわち、端面部Ｒが洗浄される。
【０１６３】
この変形例によると、基板の端面を洗浄液と気体とを混合することにより生成された洗浄液の液滴でもって洗浄することができるので、基板の端面に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
【０１６４】
〈端面洗浄処理ユニットＥＣの第３の変形例〉
上記の実施の形態においては、超音波ノズル２４０がコの字型ノズル２３０の背面Ｄ３に取り付けられる構成としていたが、コの字型ノズル２３０を設けることなく、超音波ノズル２４０から直接基板Ｗの端面に向けて超音波振動状態となった洗浄液を吐出する構成としてもよい。
【０１６５】
〈７−３．洗浄処理部９３のユニット構成の変形例〉
上記においては、洗浄処理部９３は、積層（もしくは隣接（図１３参照））配置された１以上の処理ユニット９３１を備える構成としている。特に、上記の実施の形態においては、洗浄処理部９３は４つの処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ、２つの反転ユニットＲＥＶおよび裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）を備える構成としているが、洗浄処理部９３のユニット構成はこれに限らない。
【０１６６】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第１の変形例〉
例えば、１つの処理ユニット９３１（端面洗浄処理ユニットＥＣ）だけを備える構成としてもよい。すなわち、洗浄処理部９３には、必ずしも基板Ｗの反転させて裏面を洗浄するための機能部（反転ユニットＲＥＶおよび裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）を設ける必要はない。
【０１６７】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第２の変形例〉
また、例えば、図１９に示すように、基板Ｗの端面を洗浄する処理部（端面洗浄処理ユニットＥＣ）と裏面を洗浄する処理部（裏面洗浄ユニットＳＯＡＫ）とを合体させて１つの処理ユニット９３１としてもよい。すなわち、端面の洗浄処理と裏面の洗浄処理とを同一のユニットで行う構成としてもよい。
【０１６８】
このような処理ユニット（端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫ）は、裏面を洗浄するための機能部（スピンチャック４２７、洗浄用ノズル回動機構４６０、洗浄用ノズル４５０、乾燥用ノズル回動機構４７０および乾燥用ノズル４５１（図１１参照））に加えて、端面を洗浄するための機能部（例えば、ノズル回動機構６２０および２流体ノズル６３０（図１７参照））を備えることにより実現される。
【０１６９】
なお、端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫにおいては、基板Ｗは、その裏面が上面となり、パターン形成がなされる主面である表面が下面となった姿勢で搬入されてくる。したがって、端面・裏面洗浄ユニットＥＣ・ＳＯＡＫのスピンチャックは、基板Ｗの下面を真空吸着するタイプのものではなく、基板Ｗの端縁部を把持するタイプのものであることが望ましい。
【０１７０】
ただし、基板Ｗの端縁部を把持するタイプのスピンチャックの場合、支持ピンが当接している端面部分を洗浄することができず、その部分にパーティクル等が残存する可能性がある。このような不都合を解消すべく、端面洗浄の際に、途中で基板Ｗを把持する支持ピンを変更する動作（持ち替え動作）を行うことが望ましい。例えば、スピンチャックの上面周縁部に１２個の支持ピンを立設しておき、はじめの段階ではそのうちの６個の支持ピンで基板Ｗを把持し、端面の洗浄処理が途中まで進んだ時点で、残りの６個の支持ピンに持ち替えて基板Ｗを把持するようにする。
【０１７１】
なお、スピンチャックとして、非接触で基板Ｗを支持するタイプのもの（例えば、支持体に設けられたスリット状の開口から基板に向けてガスを噴出し、ベルヌーイ効果を利用して基板を支持するチャック（ベルヌーイチャック））を採用すれば、端面を洗浄する機構として、上述したコの字型ノズル２３０（図７参照）やブラシ５７０（図１５参照）を用いることができる。
【０１７２】
このように、端面の洗浄処理と裏面の洗浄処理とを同一のユニットで行う構成とすると、省スペースおよびコストダウンといった利点が得られる。
【０１７３】
〈洗浄処理部９３のユニット構成の第３の変形例〉
また、上記の実施の形態においては、処理ユニット９３１として２個の反転ユニットＲＥＶを設ける構成としているが、１個の反転ユニットＲＥＶを設ける構成としてもよい。すなわち、その裏面が上面となるように基板Ｗを反転させる第１の反転処理と、裏面の洗浄処理後にその裏面が下面となるように基板Ｗを反転させる第２の反転処理とを、それぞれ別のユニットにて行う構成としてもよいし、同じユニットにて行う構成としてもよい。
【０１７４】
上記の実施の形態のように、２つの反転処理を別個のユニットにて行う構成とすれば、裏面が洗浄された後の基板が反転ユニットＲＥＶの反転機構によって汚染されることがないという利点が得られる。一方、この変形例のように、２つの反転処理を同じ反転ユニットＲＥＶにて行う構成とすれば、反転ユニットＲＥＶを２つ設ける必要がないので、省スペースおよびコストダウンといった利点が得られる。
【０１７５】
〈７−４．インデクサロボットＩＲの変形例〉
上記の実施の形態においは、インデクサロボットＩＲは、洗浄前用ハンドＩＲＨ１と洗浄後用ハンドＩＲＨ２とをそれぞれ１つずつ設けて、計２つのハンドによって基板Ｗの搬出入を行う構成としているが、１つの洗浄前用ハンドＩＲＨ１と２つの洗浄後用ハンドＩＲＨ２の計３つのハンドによって基板Ｗの搬出入を行う構成としてもよい。
【０１７６】
洗浄後用ハンドＩＲＨ２を２つ設ける構成とすると、洗浄処理後の基板Ｗの受け渡し（洗浄処理部９３に対する基板Ｗの受け渡しや、反射防止膜用処理ブロック１０との間での基板Ｗの受け渡し）を、２つの洗浄後用ハンドＩＲＨ２を用いて同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７７】
【図１】基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置の全体構成を示す側面図である。
【図３】基板処理装置の全体構成を示す側面図である。
【図４】基板処理装置の動作の流れを示す図である。
【図５】インデクサブロックのレイアウト例を示す図である。
【図６】洗浄処理部のユニット構成を示す図である。
【図７】端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図８】コの字型ノズルを示す図である。
【図９】反転ユニットの要部構成を示す斜視図である。
【図１０】反転ユニットの概略正面図である。
【図１１】裏面洗浄ユニットの構成を示す図である。
【図１２】洗浄処理部の動作の流れを示す図である。
【図１３】変形例に係るインデクサブロックのレイアウトを示す図である。
【図１４】変形例に係るインデクサブロックのレイアウトを示す図である。
【図１５】変形例に係る端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図１６】ブラシの構成を示す側面図である。
【図１７】変形例に係る端面洗浄処理ユニットの全体構成を示す図である。
【図１８】二流体ノズルを示す側断面図である。
【図１９】変形例に係る洗浄処理部のユニット構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１７８】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
９１ 制御部
９２ カセット載置台
９３ 洗浄処理部
２１０ スピンチャック
２３０ コの字型ノズル
２４０ 超音波ノズル
２５０ 高周波振動子
９３１ 処理ユニット
５００ 基板処理装置
ＩＲ インデクサロボット
ＥＣ 端面洗浄処理ユニット
ＳＯＡＫ 裏面洗浄ユニット
ＲＥＶ 反転ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットを配置した処理部と、
未処理の基板を外部から受け入れて前記処理部に渡すとともに、処理済みの基板を前記処理部から受け取って外部に搬出するインデクサ部と、
を備え、
前記インデクサ部が、
前記処理部に渡す前の基板の端面を洗浄する端面洗浄部、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
所定の洗浄液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、
前記超音波振動が付与された前記洗浄液を被洗浄基板の端面に供給する吐出ノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
水平方向に沿った両端部が開放され、断面コの字型の形状を有する液だまり形成部材、
をさらに備え、
前記液だまり形成部材の内側空間に前記吐出ノズルから前記洗浄液を吐出することによって形成された液だまりに前記被洗浄基板の端部を浸して前記被洗浄基板の端面を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
洗浄液と加圧された気体とを混合して洗浄液の液滴を生成して被洗浄基板の端面に供給する二流体ノズル、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
被洗浄基板に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記被洗浄基板の端面に摺接する洗浄ブラシと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記インデクサ部が、
前記処理部に渡す前の基板の上下面を反転させる反転部と、
前記処理部に渡す前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記インデクサ部が、
複数の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、
所定の保持手段で基板を保持して、前記カセット、前記処理部および前記端面洗浄部の間で基板を搬送する基板搬送装置と、
をさらに備え、
前記基板搬送装置が、
その端面部を洗浄される前の基板を保持する第１の保持手段と、
その端面部を洗浄された後の基板を保持する第２の保持手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットを配置した処理部と、
未処理の基板を外部から受け入れて前記処理部に渡すとともに、処理済みの基板を前記処理部から受け取って外部に搬出するインデクサ部と、
を備え、
前記インデクサ部が、
前記処理部に渡す前の基板の端面を洗浄する端面洗浄部、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
所定の洗浄液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、
前記超音波振動が付与された前記洗浄液を被洗浄基板の端面に供給する吐出ノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
水平方向に沿った両端部が開放され、断面コの字型の形状を有する液だまり形成部材、
をさらに備え、
前記液だまり形成部材の内側空間に前記吐出ノズルから前記洗浄液を吐出することによって形成された液だまりに前記被洗浄基板の端部を浸して前記被洗浄基板の端面を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
洗浄液と加圧された気体とを混合して洗浄液の液滴を生成して被洗浄基板の端面に供給する二流体ノズル、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記端面洗浄部が、
被洗浄基板に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記被洗浄基板の端面に摺接する洗浄ブラシと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記インデクサ部が、
前記処理部に渡す前の基板の上下面を反転させる反転部と、
前記処理部に渡す前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記インデクサ部が、
複数の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、
所定の保持手段で基板を保持して、前記カセット、前記処理部および前記端面洗浄部の間で基板を搬送する基板搬送装置と、
をさらに備え、
前記基板搬送装置が、
その端面部を洗浄される前の基板を保持する第１の保持手段と、
その端面部を洗浄された後の基板を保持する第２の保持手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−７１２３５（Ｐ２００９−７１２３５Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４０９１９（Ｐ２００７−２４０９１９）
【出願日】平成１９年９月１８日（２００７．９．１８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１８日（２００７．９．１８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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