【課題】簡易な構成で、基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止可能な技術を提供する。
【解決手段】密着強化処理ユニット１においては、カバー２０の内部に仕切壁８１が設けられることによりカバー２０の内側にバッファ空間Ｂが形成される。また、バッファ空間Ｂ内には処理ガス案内部材８２が処理ガスの蛇行流路を形成している。処理ガス供給部５０からバッファ空間Ｂ内に導入された処理ガスは、バッファ空間Ｂ内を蛇行した上で基板Ｗ表面に向けて吐出される。バッファ空間Ｂは、加熱部４０により昇温されたプレート１０の輻射熱によって昇温しているので、バッファ空間Ｂ内を流れる間に処理ガスはプレート１０からの輻射熱を受けて加熱され、加熱により昇温した処理ガスが吐出口８１１から基板Ｗに向けて吐出されることになる。 （もっと読む）

【課題】液浸法による露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止された基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理レシピ３０４ｂにおいて、各ステップは基板の搬送順序に対応する。このステップ毎に、基板の搬送先が設定されるとともに、各搬送先における処理内容が設定されている。処理レシピ３０４ｂにおいて、塗布ユニットＣＯＶが搬送先として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合、またはレジストカバー膜の塗布処理が処理内容として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合には、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことがオペレータに通知される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】処理に用いられた処理ガスがユニット外部へ流出することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】密着強化処理を行う密着強化処理ユニット１において、密閉された処理空間Ｖを形成するチャンバ１０と、処理空間Ｖに所定の処理ガス（気化した密着強化剤）を供給する処理ガス供給部５０と、処理空間Ｖ内に配置され、基板Ｗを載置するプレート２０とを備える。プレート２０には挿通孔２２が形成され、挿通孔２２には昇降移動して基板Ｗの裏面を突き上げ支持する支持ピン３０が挿通されている。この挿通孔２２と支持ピン３０との間隙を封止部８０により封止する。 （もっと読む）

【課題】大型化が抑制されるとともに基板の処理効率を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１を含む。基板搬送ブロック１１に隣接するように露光装置１６が配置される。インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。洗浄加熱ブロック１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２および載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢを含む。 （もっと読む）

【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】スループットが向上されるとともに、露光後に迅速に基板の加熱処理を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが第６のセンターロボットＣＲ６により搬送され、露光処理後の基板Ｗが第７のセンターロボットＣＲ７により搬送される。また、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板ＷがハンドＨ１により搬送され、露光処理後の基板ＷがハンドＨ２により搬送される。すなわち、インターフェースブロック１５において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】液層形成工程の時点ｔ１〜ｔ４の期間において、基板上に現像液の液層が形成される。その後、基板の回転速度を一時的に低速の５０ｒｐｍに保持し、その後、基板の回転を停止する。このように、基板の回転の停止前に基板Ｗの回転速度を極めて低い状態で一時的に保持することにより、基板上に現像液の液層が薄く引き延ばされた状態を安定に維持しつつ基板の回転を停止することができる。 （もっと読む）

【課題】インターフェイス部における基板搬送の信頼性を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は処理部３とＩＦ部５とを備え、ＩＦ部５は本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰに隣接している。ＩＦ部５は、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭと、第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭに替わって露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する第２予備搬送機構Ｔ_ＩＦＳとを有する。したがって、第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭの機能が低下した場合であっても第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭに替わって第２予備搬送機構Ｔ_ＩＦＳが基板搬送を行うことができる。よって、ＩＦ部５における基板搬送の信頼性が高く、装置１０および露光機ＥＸＰを安定して稼働することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。 （もっと読む）