【課題】熱処理装置の温度変更処理に関する各種の処理動作を、当該装置が使用される際の設備環境に応じて適切に実行できる技術を提供する。
【解決手段】熱処理プレート１１の設定温度を降温する場合、制御部４０は、冷却水バルブ６７を開放して冷却プレート２１に冷却水を供給して熱処理プレート１１を冷却する。制御部４０は、冷却プレート２１への冷却水の供給を停止するタイミングを、冷却水温度センサ７１から取得した冷却水の供給温度に基づいて決定する。冷却水の供給の停止タイミングを冷却水の温度を加味して特定することによって、最適な停止タイミングを正確に特定して、降温処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理装置に均一に気体を供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】給気ユニット４１は、塗布処理ユニット１２９の上方に設けられる。塗布処理ユニット１２９は、２つのカップ２７を有する。給気ユニット４１は、空気流通部９１およびフィルタ装置９４，９５を備える。空気流通部９１内には、開口９１２，９１３が形成される。開口９１２は、２つのカップ２７のうちの一方のカップ２７の上方に形成され、開口９１３は、他方のカップ２７の上方に形成される。フィルタ装置９４は、開口９１２を覆うように設けられ、フィルタ装置９５は、開口９１３を覆うように設けられる。開口９１２，９１３上には、複数の気流調整部材９７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】
ノズル先端に溶剤を吸引する動作と、吸引した溶剤や薬液を予備吐出する動作を、平面上同一の位置（待機位置において）行うことができる、薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法を提供する。
【解決手段】
基板に薬液を塗布する薬液塗布装置における薬液吐出用ノズルの待機ポット６０であって、待機状態のノズル５１を収納するノズル収納容器９１ａと、ノズル収納容器９１ａ内へ溶剤を供給する溶剤供給部と、ノズル収納容器９１ａから排出された溶剤又はノズル５１から吐出された薬液や溶剤を回収する回収ポット８１とを備え、ノズル収納容器９１ａは、供給された溶剤をノズル５１の先端部へ案内する内壁９４と、内壁９４の下端位置でノズルの薬液吐出口５３に対して平面視で重なる位置に開口し、回収ポット８１に連通する排液口９３とで構成される。 （もっと読む）

【課題】部品点数を削減するとともに、制限空間内での高いデザイン裕度を有する現像処理装置を提供する。
【解決手段】共通の筐体５０内に、相互に雰囲気を連通させた状態にて３つの現像処理ユニットＤＥＶが同じ高さ位置に一列に並設されている。現像液を供給するスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０は、３つの現像処理ユニットＤＥＶに共用に設けられている。また、隣接する現像処理ユニットＤＥＶの間には、待機状態のスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を受け入れる待機ポッド７０が設けられている。待機ポッド７０は隣接する現像処理ユニットＤＥＶ間の仕切壁としても機能する。このため、新たに別途仕切板を設ける必要がなくなり、現像処理装置の部品点数を削減することができるとともに、筐体５０の制限空間内での高いデザイン裕度を持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】搬送制御における処理負担を一部に集中させることなく、適切な搬送制御を実現することができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１を複数の被制御区画であるセルＣ１〜Ｃ６に分割し、各セルＣ１〜Ｃ６内部の搬送スケジュールを管理するセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６を設ける。さらに、その上位のスケジューラとして、複数個のセルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６を統括的に管理するセル間スケジューラＭＳを設ける。セル間スケジューラＭＳが、セルスケジューラＣＳ１〜ＣＳ６のそれぞれに対して、基板Ｗの払い出しのタイミングを指示することによって、セル間での基板Ｗの受け渡しを制御する。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを増加させることなくスループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、塗布処理部１２１および搬送部１２２を有する。塗布処理部１２１には、塗布処理室２１〜２４が階層的に設けられる。搬送部１２２には、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には塗布処理ユニット１２９が設けられる。上段搬送室１２５には、搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、各塗布処理室２１〜２４には給気ユニット４１が設けられる。また、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６には、それぞれ給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４１，４３からは温湿度調整された空気が供給される。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】スループット低下を抑制しつつ装置内への昇華物の飛散を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜用の塗布液が塗布された基板Ｗが開口部５２から加熱ユニットＰＨＰのクールプレート７０に搬入される。基板Ｗは搬送アーム８６によってクールプレート７０からホットプレート６０に搬送されて加熱され、反射防止膜が焼成される。ホットプレート６０による加熱処理が終了した後、搬送アーム８６が基板Ｗを受け取ってその基板Ｗの温度が昇華物の発生が停止する温度以下に降温するまでホットプレート６０にて待機した後に基板Ｗをクールプレート７０に搬送する。加熱処理後にホットプレート６０からクールプレート７０に搬送される時点では、基板Ｗから昇華物が発生していないため、昇華物が開口部５２から流出して基板処理装置の全体に飛散することが防止される。 （もっと読む）

【課題】無駄なエネルギーの消費を抑制することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、ヒートパイプ構造を採用したものであり、中空構造の熱処理プレート１１および制御用冷却プレート５１を備える。ヒータ１７を作動させて作動液貯留部１３の作動液１６を加熱することにより、作動液１６が蒸発してその蒸気が中空部１０内を移動し、プレート表面１１ａとの間で凝縮潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート１１を加熱する。作動液１６の蒸気の一部は作動液流通路１８に流入し、制御用冷却プレート５１にて流路５４に供給された冷却水によって冷却される。制御用冷却プレート５１の冷却能力は冷却水バルブ５７の開閉を制御することによって調整される。作動液１６の蒸気を冷却する必要のあるときのみ制御用冷却プレート５１に冷却動作を行わせることにより、無駄なエネルギー消費を抑制することができる。 （もっと読む）