【課題】液浸法による露光処理時に露光装置に不具合が生じることが防止された基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置を提供する。
【解決手段】エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０、外周端部検出ユニット５５０および表面検査処理ユニット５８０を備える。投光部保持ユニット５２０の各部の動作により投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。外周端部検出ユニット５５０のＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、エッジサンプリング処理が行われる。表面検査処理ユニット５８０のＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、後述の表面検査処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。
【解決手段】基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する。ただし、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理、もしくは、第１レジスト膜に対する露光処理後に行われる露光後熱処理において、第１レジスト膜が形成された基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の溶解生成物を好適に除去することができる基板処理装置および現像処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転可能に保持する保持部１１と、現像液に気泡が混合された気泡含有現像液を基板に供給する第１現像液ノズル１３と、前記第１現像液ノズル１３によって基板Wに気泡含有現像液を供給させて基板Wを現像させる制御部１９と、を備える。気泡含有現像液に混在している気泡は、その界面エネルギーによってレジスト膜の溶解生成物を移動させることができる。このため、気泡含有現像液を基板に供給することで、レジスト膜を溶解しつつ、溶解した溶解生成物を基板から好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供する。
【解決手段】２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２により減圧されたチャンバＣＨ内で基板Ｗに処理が行われる。１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵには異なるタイミングで基板が搬入される。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】少ない個数の処理ユニットを効率的に使用して、処理条件を変更する際に生じる生産ロスを抑える技術を提供する。
【解決手段】処理レシピに含まれる任意の処理工程について、当該処理工程を実行可能な処理ユニット（使用可能ユニットＵｐ）の数が例えば８個の場合、当該処理工程を実際に実行させる処理ユニットの個数を、これより少ない数（例えば５個）に設定する。すると、使用可能ユニットＵｐのうち、１以上の処理ユニットが当該レシピに係る処理に用いられない処理ユニット（予備ユニットＵｏ）となる。このレシピの次に実行されるレシピにおいては、当該処理工程を実際に実行させる処理ユニット（使用ユニットＵｒ）として、この予備ユニットＵｏを優先的に選択する。 （もっと読む）

【課題】基板製造の効率の低下を抑制しつつ、適切に次の基板の搬入時機を決定するための技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、加熱処理部３５にて先に処理する基板Ｗの加熱処理条件を取得し、当該処理条件に基づいて加熱処理して、加熱処理部３５から搬出する。そして、加熱処理部３５にて次に処理すべき基板Ｗがある場合には、次の基板Ｗの加熱処理条件を取得し、先の基板Ｗの処理条件と次の基板Ｗの処理条件とが特定の処理条件の組み合わせかどうかを判定する。特定の組み合わせである場合には、基板処理装置１は、次の基板Ｗを、所定時間の間、所定位置（基板待機位置３４）にて待機させる待ち処理を実行する。そして、所定の時間が経過すると、ローカル搬送機構３６が次の基板Ｗを加熱処理部３５へ搬入する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理レシピに係る基板が併存状態になる場合であっても、基板に不当に長い待ち時間が発生することを回避する。
【解決手段】セル内に複数の処理レシピのそれぞれに係る基板が併存する併存状態が発生した場合、サイクルタイム切り換え部９２が搬送ロボットのサイクルタイムをベースサイクルタイム算出部９１が算出したベースサイクルタイムに切り換える。また、搬送頻度調整部９３が、搬送機構がｎ回（ただし、ｎは処理レシピについて固有に規定された自然数値）のサイクル動作を行ううちの１回の動作においてのみ当該処理レシピに係る基板を搬送させるように、基板を搬送する頻度を調整する。この構成によると、併存状態にある複数の処理レシピのそれぞれに係る基板を互いに異なるサイクルタイムで処理することが可能となるので、併存状態が発生した場合であっても基板に不当に長い待ち時間が発生しない。 （もっと読む）