【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート５２０が設けられる。スピンプレート５２０には、基板保持機構７００の支持部７２０が取り付けられる。支持部７２０により軸部７３０が軸部７３０の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン７１０が、軸部７３０により周方向に回転可能に保持される。軸部７３０が回転することにより、保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部７３０においては、ねじＮ１が締め込まれることにより保持ピン７１０の周方向の回転が阻止され、ねじＮ１が緩められることにより保持ピン７１０の周方向の回転が許容される。 （もっと読む）

【課題】焼成時に発生する昇華物を低減することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】回転塗布によって表面に反射防止膜が形成された基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、反射防止膜の焼成処理を行う。フラッシュ光照射によって反射防止膜の焼成処理を極めて短時間にて行うことが可能となる。このため、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された膜の種類にかかわらず、当該膜を一定の処理温度に加熱することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストの塗布液が塗布されることによって表面にレジスト膜ＲＦが形成された基板Ｗの裏面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射される。フラッシュ光照射によって急激に昇温した基板Ｗの裏面から表面に向けて熱伝導が生じ、表面に形成されているレジスト膜ＲＦが加熱されて塗布後ベーク処理が行われる。塗布後ベーク処理終了後、基板Ｗは近接配置されている冷却プレート８５によって冷却され、常温に維持される。基板Ｗの裏面にフラッシュ光を照射しているため、表面に形成されたレジスト膜ＲＦの種類にかかわらず、基板Ｗのフラッシュ光吸収率は一定となり、レジスト膜ＲＦを一定の処理温度に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。
【解決手段】クラスタツール１０内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツール１０の一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、インデクサ部と処理部とインターフェイス部を備えた基板処理装置において基板に処理を行う方法である。この基板処理方法は、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理（Ｓ２ａ−Ｓ１１ａ、Ｓ２ｂ−Ｓ１１ｂ）を並行して行う工程と、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理（Ｓ１７ａ−Ｓ２０ａ、Ｓ１７ｂ−Ｓ２０ｂ）を並行して行う工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は処理ブロックを備え、処理ブロックは積層される複数のセル１１、１３（１２、１４）を有する。セルはそれぞれ、処理ユニットＢＡＲＣ、ＲＥＳＩＳＴ（ＤＥＶ）と、主搬送機構を備える。処理ユニットは、液処理ユニットＢＡＲＣ、ＲＥＳＩＳＴ（ＤＥＶ）と熱処理ユニットを含む。液処理ユニットＢＡＲＣ、ＲＥＳＩＳＴ（ＤＥＶ）の側面視におけるレイアウトは、各セル１１、１３（１２、１４）の間で略同じである。また、主搬送機構および処理ユニットの平面視におけるレイアウト、および、熱処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、それぞれ各セルの間で略同じである。各セルのそれぞれにおいて、基板に行う処理は同じである。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理ブロックを備え、処理ブロックは、積層される複数のセルを有する。各セルはそれぞれ、処理ユニットＰＨＰ_１、ＣＰ_１等（ＰＨＰ_３、ＣＰ_３等）と、主搬送機構Ｔ_１（Ｔ_３）と、吹出しユニット６１と、排出ユニット６２と、を備える。排出ユニット６１と吹出ユニット６２は、搬送スペースに重ねて設けられ、搬送スペースをセルごとに分離する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面の全面にはほぼ均一な厚さにてレジスト膜ＲＦが形成されている。フラッシュ照射部６０は、投光光学系６１を備えており、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光してレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに一括照射する。フラッシュ光照射により周縁部ＲＦＥはガラス転移点Ｔｇ以上に加熱され、脱保護反応によって現像液に溶解可能となる。フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であり、しかも周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光が照射されるため、その周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送経路を複数有する処理部であっても、当該処理部から本装置とは別体の露光機へ基板を搬送する順番を好適に管理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部３は、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けて構成される。ＩＦ部５は、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄから払い出された基板Ｗを、本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰに搬送する。ここで、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順序（順番ＯＥ）は、処理部３に搬入された基板の順番ＯＡどおりである。このように基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けているので、フットプリントを増大させることなく、本装置１０のスループットを大きく向上できる。また、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順番ＯＥは、処理部３に搬入された基板Ｗの順番ＯＡと一致するので、各基板Ｗを容易に管理することができる。 （もっと読む）

【課題】露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】パターン露光処理が行われた基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、パターン露光時の光化学反応によってレジスト膜中に生じた活性種を酸触媒としてレジスト樹脂の架橋・重合等を進行させ、レジスト膜の現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させる露光後ベーク処理を行う。フラッシュ光照射によるフラッシュ加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であるため、露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる。 （もっと読む）