【課題】膜形成処理を行うための前処理に要する時間を短くしてスループットを向上させることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜の形成処理を行う前の基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、基板Ｗの表面に付着している水分を乾燥させる。続いて、チャンバー７０内を減圧してからヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気を噴霧し、ヘキサメチルジシラザンの蒸気雰囲気中にて再度フラッシュ光照射を行って基板Ｗの表面の密着強化処理を行う。これらのフラッシュ光照射によるフラッシュ加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であるため、膜形成のための前処理に要する時間を短くしてスループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】システムスループットを増加させ、処理シーケンスＣｏＯを低減する機器を提供する。
【解決手段】実施形態は、一般的に、スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。クラスタツール内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツールの一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向に並べられる２つの主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２を含む基板処理列と、横方向に並べられる２つの主搬送機構Ｔ_３、Ｔ_４を含む基板処理列とを上下に設けている。各主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４には基板Ｗを処理する複数の処理ユニットが設けられている。そして、各階層の基板処理列において、主搬送機構Ｔが対応する処理ユニットに基板Ｗを搬送しつつ横方向に隣接する他の主搬送機構Ｔに基板Ｗを受け渡す。これにより、各基板処理列で並行して基板Ｗに一連の処理を行う。よって、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。また、基板処理列を上下に設けているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが回転するとともに、気液供給ノズル４５３の液体ノズル４５３ａが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル４５３ａから回転する基板Ｗにリンス液が吐出される。気液供給ノズル４５３が基板Ｗの外方位置に向かって移動する。ガスノズル４５３ｂが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル４５３が一時的に停止する。気液供給ノズル４５３が停止した状態で、回転する基板Ｗ上の中心部ＷＣに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル４５３が再び基板Ｗの外方位置に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を備える。基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０における端部洗浄ユニットにおいては、露光処理前の基板Ｗの端部が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】減圧下においても基板の載置状態を正確に判定することが可能な基板処理ユニット、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【解決手段】加熱ユニットＢＡＫＥにおいては、高真空状態のチャンバＣＨｂ内で基板Ｗの加熱処理が行われる。加熱ユニットＢＡＫＥにおける加熱処理時には、圧力センサＳ１により検出されるチャンバＣＨｂ内の圧力がメインコントローラに継続的に送信される。メインコントローラは、受信された圧力をロギングすることにより、基板Ｗの加熱処理時におけるチャンバＣＨｂ内の圧力変動を表す圧力データを作成し、作成された圧力データに基づいて基板Ｗの載置状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】大型化を抑制しつつ基板処理のスループットを十分に向上させることができる基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置においては、ストッカー装置、インデクサブロック、処理ブロックおよびインターフェースブロックがこの順で並ぶように配置される。ストッカー装置は、複数の基板を収納するキャリアＦを載置可能な複数のオープナーを有する。ストッカー装置にキャリアＦが搬入される。ストッカー装置においては、搬送装置２００により複数のオープナーの間でキャリアＦが搬送される。搬送装置２００は、キャリアＦを保持可能に構成され、水平方向および上下方向に移動可能な第１および第２のハンド２３０，２４０を有する。第２のハンド２４０は第１のハンド２３０の下方に設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理動作中に流体を分配する装置。
【解決手段】当該装置は、複数の流体源に結合された複数の分配ノズルを備える中央流体分配バンクと、中央流体分配バンクの第１の側に位置された第１の処理チャンバとを含む。また、当該装置は、中央流体分配バンクの第２の側に位置された第２の処理チャンバと、中央流体分配バンクと第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間で並進するようになっている分配アームとを含む。さらに、当該装置は、第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間に位置された分配アームアクセスシャッタを含む。 （もっと読む）

【課題】塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、基板に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板の回転が開始される。時点ｔ３で基板の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。時点ｔ４で基板の回転速度が低下し始め、一定時間後に第１の速度となる。時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止される。時点ｔ６から時点ｔ７までの期間に、基板の回転が加速され、時点ｔ７で基板の回転速度が第２の速度に達する。時点ｔ７から時点ｔ８までの期間に、基板の回転が減速され、時点ｔ８で基板の回転速度が第３の速度に達する。ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板の回転の減速度は、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板の回転の加速度よりも小さい。 （もっと読む）