基板処理装置および基板処理方法
【課題】塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、基板に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板の回転が開始される。時点ｔ３で基板の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。時点ｔ４で基板の回転速度が低下し始め、一定時間後に第１の速度となる。時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止される。時点ｔ６から時点ｔ７までの期間に、基板の回転が加速され、時点ｔ７で基板の回転速度が第２の速度に達する。時点ｔ７から時点ｔ８までの期間に、基板の回転が減速され、時点ｔ８で基板の回転速度が第３の速度に達する。ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板の回転の減速度は、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板の回転の加速度よりも小さい。
【解決手段】時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、基板に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板の回転が開始される。時点ｔ３で基板の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。時点ｔ４で基板の回転速度が低下し始め、一定時間後に第１の速度となる。時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止される。時点ｔ６から時点ｔ７までの期間に、基板の回転が加速され、時点ｔ７で基板の回転速度が第２の速度に達する。時点ｔ７から時点ｔ８までの期間に、基板の回転が減速され、時点ｔ８で基板の回転速度が第３の速度に達する。ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板の回転の減速度は、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板の回転の加速度よりも小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に塗布液の膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板にフォトレジスト液（以下、レジスト液と略記する。）等の塗布液の膜を形成するために回転式基板処理装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板が高速（第１の回転速度）で回転されつつ、被処理基板の略中央にレジスト液が供給される。供給されたレジスト液は、被処理基板の径方向外方に広がりながら塗布される。
【０００４】
レジスト液供給後、被処理基板の回転速度が低速（第２の回転速度）に低下される。これにより、レジスト液の膜厚が整えられる。
【０００５】
最後に、被処理基板の回転速度が中速（第３の回転速度）に上昇される。これにより、残余のレジスト液が振り切られる。
【０００６】
また、特許文献２に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板の回転速度を第１の回転速度より低く第２の回転速度より高い回転速度に低下させた後に、第２の回転速度に低下させる。
【０００７】
さらに、特許文献３に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度より低下させる際に、減速度（減速の加速度）を第２の回転速度に近づくにつれて減少させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２６０７１７号公報
【特許文献２】特開２００７−１１５９０７号公報
【特許文献３】特開２００７−１１５９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１〜３には、上記の方法および装置により、レジスト液の膜厚を均一にしつつ、レジスト液の消費量を削減することができると記載されている。
【００１０】
しかしながら、近年、レジスト液の消費量をさらに削減することが要求されている。特許文献１〜３の方法および装置では、レジスト液の消費量を削減するにつれて、レジスト液の膜厚の均一性が悪化する傾向にある。そのため、レジスト液の消費量を十分に削減することができない。
【００１１】
本発明の目的は、塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、回転保持装置により回転される基板上に塗布液供給系により塗布液が供給された後、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で基板の回転速度が前記第２の速度から第３の速度に低下するように回転保持装置を制御する制御部とを備え、第２の期間での基板の回転の減速度が第１の期間での基板の回転の加速度より小さいものである。
【００１３】
第１の発明に係る基板処理装置においては、回転保持装置が基板を水平姿勢で保持して回転させるとともに、塗布液供給系が基板上に塗布液を供給する。また、制御部は、基板の回転速度が第１の期間で第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で前記第２の速度から第３の速度に低下させするように、回転保持装置を制御する。ここで、第２の期間での基板の回転の減速度は第１の期間での基板の回転の加速度より小さい。
【００１４】
第１の期間において基板の回転が加速することにより、基板の中央部上の塗布液が乾燥されながら基板の周縁部上に拡散する。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００１５】
その後、第２の期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００１６】
（２）制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給開始時における基板の回転速度が第３の速度よりも高い第４の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００１７】
この場合、基板の回転速度が、第３の速度よりも高い第４の速度のときに、塗布液供給系により塗布液が供給される。これにより、予め基板上の全体に塗布液が分散される。その結果、少量の塗布液により基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００１８】
（３）第１の速度は第３の速度よりも低く、制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給終了までに基板の回転速度が第１の速度となるように前記回転保持装置を制御してもよい。
【００１９】
この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第３の速度よりも低い第１の速度に低下される。これにより、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇する前に、基板の中央部上に塗布液を蓄積させることができる。その結果、より少量の塗布液により基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２０】
（４）制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が第１の速度および第３の速度よりも低い第５の速度となり、その後、第１の期間までの期間において基板の回転速度が第５の速度よりも高くかつ第１の速度以下の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００２１】
この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第１の速度および第３の速度よりも低い第５の速度に低下される。その後、基板の回転速度は、第５の速度から第１の速度に上昇される。これにより、
基板の回転速度が第５の速度から第１の速度に上昇する期間に、基板上の塗布液を乾燥させることができる。これにより、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２２】
（５）第１の速度は第４の速度と等しく、制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給開始から第１の期間の開始時までの期間において基板の回転速度が第１の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００２３】
この場合、塗布液供給系による塗布液の供給開始から第１の期間の開始時までの期間において、基板の回転速度が第４の速度と等しい第１の速度となる。これにより、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２４】
（６）制御部は、第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われるように回転保持装置を制御し、各サイクルにおける基板の回転の減速度が基板の回転の加速度よりも小さくてもよい。
【００２５】
この場合、第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われる。また、各サイクルにおける基板の回転の減速度は基板の回転の加速度よりも小さい。これにより、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上により拡散しやすくなる。このため、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが十分に防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性がより向上する。
【００２６】
（７）第１の期間での基板の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、第２の期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さくてもよい。
【００２７】
この場合、効率的に基板の中央部上の塗布液を基板の周縁部上に拡散させることができる。これにより、基板上の塗布液の膜厚の均一性を効率的に確保することができる。
【００２８】
（８）第２の速度は２０００ｒｐｍ以上であってもよい。この場合、基板の中央部上の塗布液を効率的に乾燥させながら基板の周縁部上に拡散させることができる。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、より確実に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２９】
（９）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、回転保持装置により回転される基板上に塗布液供給系により塗布液が供給された後、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように回転保持装置を制御する制御部とを備え、予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいものである。
【００３０】
第２の発明に係る基板処理装置においては、回転保持装置が基板を水平姿勢で保持して回転させるとともに、塗布液供給系が基板上に塗布液を供給する。また、制御部は、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように回転保持装置を制御する。ここで、予め定められた期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓより小さい。
【００３１】
この場合、基板が回転することにより、基板の中央部上の塗布液が基板の周縁部上に拡散する。そのため、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合においては、供給される塗布液の量が少なくても、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００３２】
また、予め定められた期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００３３】
（１０）第３の発明に係る基板処理方法は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、基板を水平姿勢で回転させる工程と、回転する基板上に塗布液を供給する工程と、塗布液の供給後、第１の期間で基板の回転速度を第１の速度から第２の速度に上昇させる工程と、第１の期間後の第２の期間で基板の回転速度を前記第２の速度から第３の速度に低下させる工程とを備え、第２の期間での基板の回転の減速度が第１の期間での基板の回転の加速度より小さいものである。
【００３４】
第３の発明に係る基板処理方法においては、基板が水平姿勢で回転するとともに、基板上に塗布液が供給される。また、基板の回転速度は第１の期間で第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で前記第２の速度から第３の速度に低下する。ここで、第２の期間での基板の回転の減速度は第１の期間での基板の回転の加速度より小さい。
【００３５】
第１の期間において基板の回転が加速することにより、基板の中央部上の塗布液が乾燥されながら基板の周縁部上に拡散する。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００３６】
その後、第２の期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００３７】
（１１）第４の発明に係る基板処理方法は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、基板を水平姿勢で回転させる工程と、回転する基板上に塗布液を供給する工程と、塗布液の供給後、予め定められた期間で基板の回転速度を低下させる工程とを備え、予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいものである。
【００３８】
第４の発明に係る基板処理方法においては、基板が水平姿勢で回転するとともに、基板上に塗布液が供給される。また、予め定められた期間で基板の回転速度が低下する。ここで、予め定められた期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓより小さい。
【００３９】
この場合、基板が回転することにより、基板の中央部上の塗布液が基板の周縁部上に拡散する。そのため、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合においては、供給される塗布液の量が少なくても、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００４０】
また、予め定められた期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略断面図である。
【図２】基板処理装置おける基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図３】膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図４】基板の被処理面上でレジスト液が拡散される過程を示した図である。
【図５】第２の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図６】第３の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図７】第４の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図８】第５の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図９】比較例における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
［１］第１の実施の形態
以下、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態においては、塗布液としてレジスト液が用いられる。
【００４４】
（１）基板処理装置
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００の概略断面図である。図１において、基板処理装置２００は回転式基板処理装置であり、基板１００を水平姿勢で保持して回転する回転保持部１を備える。回転保持部１はモータ３の回転軸２の先端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。
【００４５】
回転保持部１に保持された基板１００の周囲を取り囲むように飛散防止用のカップ５が設けられている。カップ５の上面側には開口部２０が設けられ、カップ５の下部には廃液口７および複数の排気口８が設けられている。排気口８は、工場内の排気設備に接続される。回転保持部１の下方には、整流板６が配置されている。この整流板６は、外周部に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面を有する。
【００４６】
基板１００上にレジスト液を吐出するレジストノズル９およびシンナー等の溶剤を吐出する溶剤ノズル９ｂが、上下動可能かつ基板１００の上方位置とカップ５外の待機位置との間で移動可能に設けられている。
【００４７】
レジストノズル９はレジスト液供給管Ｔ１を介してレジスト液供給源Ｐ１と接続されている。また、溶剤ノズル９ｂは溶剤供給管Ｔ２を介して溶剤供給源Ｐ２と接続されている。レジスト液供給管Ｔ１にはバルブＶ１が介挿され、溶剤供給管Ｔ２にはバルブＶ２が介挿されている。バルブＶ１が開かれることにより、レジスト液供給源Ｐ１からレジスト液供給管Ｔ１を通してレジストノズル９にレジスト液が供給される。また、バルブＶ２が開かれることにより、溶剤供給源Ｐ２から溶剤供給管Ｔ２を通して溶剤ノズル９ｂに溶剤が供給される。
【００４８】
基板１００の周縁部のレジスト膜を除去するための溶剤等のリンス液（以下、エッジリンス液と呼ぶ。）を吐出するエッジリンスノズル１０が上下動可能かつ基板１００の周縁部の上方位置と待機位置との間で移動可能に設けられている。さらに、基板１００の下方には、基板１００の裏面（被処理面と反対側の面）を洗浄するための溶剤等のリンス液（以下、バックリンス液と呼ぶ。）を吐出する複数のバックリンスノズル１１が配置されている。
【００４９】
エッジリンスノズル１０はエッジリンス液供給管Ｔ３を介してエッジリンス液供給源Ｐ３と接続されている。また、バックリンスノズル１１はバックリンス液供給管Ｔ４を介してバックリンス液供給源Ｐ４と接続されている。エッジリンス液供給管Ｔ３にはバルブＶ３が介挿され、バックリンス液供給管Ｔ４にはバルブＶ４が介挿されている。バルブＶ３が開かれることにより、エッジリンス液供給源Ｐ３からエッジリンス液供給管Ｔ３を通してエッジリンスノズル１０にエッジリンス液が供給される。また、バルブＶ４が開かれることにより、バックリンス液供給源Ｐ４からバックリンス液供給管Ｔ４を通してバックリンスノズル１１にバックリンス液が供給される。
【００５０】
基板処理装置２００は、制御部１２を備える。制御部１２は、モータ３に回転信号Ｓ０を与えることにより、モータ３の回転速度を制御する。それにより、回転保持部１により保持された基板１００の回転速度が制御される。また、制御部１２は、バルブＶ１〜Ｖ４に、レジスト液吐出信号Ｓ１、溶剤吐出信号Ｓ２、エッジリンス液吐出信号Ｓ３およびバックリンス液吐出信号Ｓ４を与えることにより、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉を制御する。それにより、レジスト液、溶剤、エッジリンス液およびバックリンス液の吐出タイミングが制御される。
【００５１】
（２）基板の処理
次に、図１の基板処理装置２００における基板１００の処理工程について説明する。図２は、基板処理装置２００における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１〜Ｓ４の変化を示す図である。
【００５２】
図２に示すように、基板１００の処理工程は、膜形成工程および洗浄工程を含む。膜形成工程において、基板１００の被処理面上にレジスト液が塗布された後、洗浄工程において基板１００の被処理面の周縁部および裏面の洗浄が行われる。
【００５３】
基板１００は、被処理面が上方に向けられた状態で回転保持部１により保持される（図１参照）。初期状態では、基板１００の回転が停止されるとともに、各Ｓ１〜Ｓ４がローレベルにある。
【００５４】
膜形成工程においては、まず、溶剤ノズル９ｂが基板１００の中央部上方に移動する。時点ｔ０で溶剤吐出信号Ｓ２がハイレベルになる。それにより、溶剤ノズル９ｂから基板１００の被処理面の中央部に溶剤が吐出される。
【００５５】
次に、時点ｔ１で溶剤吐出信号Ｓ２がローレベルになる。それにより、溶剤ノズル９ｂからの溶剤の吐出が停止される。次に、時点ｔ２で基板１００の回転が開始される。それにより、基板１００の被処理面の中央部に吐出された溶剤が、基板１００の回転に伴う遠心力により基板１００の被処理面の全体に拡散される。
【００５６】
次に、レジストノズル９が基板１００の中央部上方に移動する。時点ｔ３でレジスト液吐出信号Ｓ１がハイレベルになる。それにより、レジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。その後、時点ｔ５でレジスト液吐出信号Ｓ１がローレベルになる。それにより、レジストノズル９からのレジスト液の吐出が停止される。
【００５７】
基板１００の被処理面の中央部に吐出されたレジスト液は、基板１００の回転に伴う遠心力により基板１００の被処理面全体に拡散される。
【００５８】
本実施の形態では、膜形成工程において、基板１００の回転速度が段階的に変化するようにモータ３が制御される。それにより、レジスト液の消費量を削減しつつ基板１００の被処理面に均一にレジスト液を塗布することができる。膜形成工程における基板１００の回転速度制御の詳細については後述する。
【００５９】
洗浄工程においては、まず、時点ｔ１１で基板１００の回転速度が例えば５００ｒｐｍに低下される。次に、時点ｔ１２で、エッジリンス液吐出信号Ｓ３およびバックリンス液吐出信号Ｓ４がそれぞれハイレベルになる。これにより、エッジリンスノズル１０から基板１００の被処理面の周縁部にエッジリンス液が吐出されるとともに、バックリンスノズル１１から基板１００の裏面にバックリンス液が吐出される。
【００６０】
基板１００にエッジリンス液およびバックリンス液の吐出が開始された後、時点ｔ１３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍまで上昇する。このとき、基板１００の被処理面の周縁部がエッジリンス液により洗浄されるとともに、基板１００の裏面がバックリンス液により洗浄される。これにより、基板１００の被処理面の周縁部および裏面に付着するレジスト液および塵埃等が除去される。その後、時点ｔ１４でエッジリンス液吐出信号Ｓ３がローレベルになり、時点ｔ１５でバックリンス液吐出信号Ｓ４がローレベルになる。それにより、バックリンス液の吐出およびエッジリンス液の吐出が順に停止される。
【００６１】
エッジリンス液およびバックリンス液の吐出が停止された後、時点ｔ１６で基板１００の回転速度が、例えば２０００ｒｐｍに上昇する。これにより、基板１００に付着するエッジリンス液およびバックリンス液が振り切られ、基板１００から除去される。その後、基板１００の回転が停止される。これにより、基板処理装置２００における一連の処理が終了する。
【００６２】
（３）膜形成工程の詳細
次に、上記の膜形成工程の詳細について説明する。図３は、膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。また、図４は、基板１００の被処理面上でレジスト液が拡散される過程を示した図である。
【００６３】
上記のように、時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、溶剤ノズル９ｂから基板１００に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板１００の回転が開始される。この場合、基板１００の回転速度は、例えば３０００ｒｐｍ（第４の速度の例）まで上昇する。これにより、基板１００上に吐出された溶剤が基板１００の被処理面の径方向外方に拡散される。
【００６４】
このようにして、基板１００の被処理面全体に溶剤を塗布するプリウエット処理が行われる。それにより、続いてレジスト液を基板１００の被処理面に塗布する際に、レジスト液が基板１００の被処理面上で拡散しやすくなる。その結果、より少量のレジスト液で基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００６５】
基板１００の被処理面全体に溶剤が塗布された後、時点ｔ３でレジスト液吐出信号Ｓ１がハイレベルになる。これにより、レジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される（図４（ａ）参照）。このとき、基板１００は高速（例えば３０００ｒｐｍ）で回転しているため、基板１００上に吐出されたレジスト液が、基板１００の被処理面の径方向外方に拡散する（図４（ｂ）参照）。
【００６６】
時点ｔ４で基板１００の回転速度が低下し始め、一定時間後に例えば１００ｒｐｍ（第１の速度の例）となる。続いて、時点ｔ５でレジスト液吐出信号Ｓ１がローレベルになり、レジスト液の吐出が停止される。この場合、基板１００の中央部上のレジスト液に働く遠心力は、周縁部上のレジスト液に働く遠心力よりも顕著に小さくなる。そのため、基板１００の被処理面の中央部には、周縁部に比べてレジスト液が蓄積される（図４（ｃ）参照）。
【００６７】
次に、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ７で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００６８】
ここで、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板１００の回転の加速度（単位時間当たりの回転速度の増加割合）は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。そのため、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる（図４（ｄ）参照）。
【００６９】
続いて、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ８で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００７０】
ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板１００の回転の減速度（単位時間当たりの回転速度の減少割合）は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる（図４（ｅ）参照）。
【００７１】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間においては、基板１００の回転速度が直線的に低下する。それにより、基板１００の回転による気流が基板１００の周囲に生成されにくい。このため、基板１００上のレジスト液の乾燥時に、気流がレジスト液の膜に影響を与えることが防止される。その結果、基板１００上に形成されるレジスト液の膜に気流の跡が残ることが防止される。
【００７２】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は前述の洗浄工程に移る。
【００７３】
（４）効果
本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法においては、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間において基板１００の回転が加速することにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。これにより、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００７４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間において基板１００の回転が減速することにより、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の中央部上にのみレジスト液が蓄積されることが防止される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００７５】
時点ｔ６から時点ｔ７までの期間での基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間での基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さい。
【００７６】
これにより、効率的に基板１００の中央部上のレジスト液を基板１００の周縁部上に拡散させることができる。これにより、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を効率的に確保することができる。
【００７７】
また、時点ｔ７における速度は２０００ｒｐｍ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液を効率的に乾燥させながら基板１００の周縁部上に拡散させることができる。したがって、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、より確実に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００７８】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。なお、第２の実施の形態から第５の実施の形態においては、基板１００の膜形成工程が第１の実施の形態と異なるため、膜形成工程の詳細についてのみ説明する。
【００７９】
図５は、第２の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００８０】
図５に示すように、本実施の形態では、時点ｔ４で基板１００の回転速度が低下し始め、一定時間後に例えば１００ｒｐｍ（第５の速度の例）となる。続いて、時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止された後、時点ｔ２１で基板１００の回転速度が、例えば１００ｒｐｍから１０００ｒｐｍ（第１の速度の例）に上昇される。
【００８１】
時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間に、基板１００上のレジスト液を十分に乾燥させることができる。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００８２】
次に、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ２３で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００８３】
ここで、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。そのため、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００８４】
続いて、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ２４で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００８５】
ここで、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００８６】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【００８７】
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。
【００８８】
図６は、第３の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００８９】
図６に示すように、本実施の形態では、時点ｔ２で基板１００の回転速度が上昇し始め、一定時間後に例えば３０００ｒｐｍ（第４の速度の例）となる。時点ｔ３でレジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出された後、時点ｔ３１まで基板１００の回転速度は、例えば３０００ｒｐｍ（第１の速度の例）に維持される。
【００９０】
続いて、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ３２で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００９１】
ここで、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。また、時点ｔ３２でレジストノズル９からのレジストの吐出が停止される。
【００９２】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ３の後に基板１００の回転速度を低下させつつレジスト液を十分に乾燥させる期間が設けられない。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の速い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００９３】
また、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ３３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００９４】
ここで、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００９５】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【００９６】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法と異なる点を説明する。
【００９７】
図７は、第４の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００９８】
図７に示すように、本実施の形態における時点ｔ０から時点ｔ８までの基板１００回転速度の変化は第１の実施の形態における時点ｔ０から時点ｔ８までの基板１００の回転速度の変化と同様である。
【００９９】
本実施の形態では、時点ｔ８で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）まで低下された後、時点ｔ４１まで例えば１０００ｒｐｍ（２サイクル目の第１の速度の例）に維持される。
【０１００】
続いて、時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間（２サイクル目の第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ４２で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（２サイクル目の第２の速度の例）に達する。ここで、時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。
【０１０１】
さらに、時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間（２サイクル目の第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ４３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（２サイクル目の第１の速度の例）に達する。ここで、時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。
【０１０２】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ８の後に、基板１００の回転速度が上昇した後に低下するサイクルがさらに１回行われる。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液は、基板１００の周縁部上により拡散しやすくなる。このため、基板１００の中央部上にのみレジスト液が蓄積されることが十分に防止される。その結果、第１の実施の形態と比較して、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性がより向上する。
【０１０３】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【０１０４】
［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法と異なる点を説明する。
【０１０５】
図８は、第５の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【０１０６】
図８に示すように、本実施の形態では、時点ｔ２で基板１００の回転速度が上昇し始め、一定時間後に例えば３０００ｒｐｍに達した後に一定に維持される。また、時点ｔ３から時点ｔ６１の期間、レジストノズル９からレジスト液が基板１００に吐出される。
【０１０７】
続いて、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間（予め定められた期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ６３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに達する。
【０１０８】
ここで、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【０１０９】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ３の後に基板１００の回転速度を低下させつつレジスト液を十分に乾燥させる期間が設けられない。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の速い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【０１１０】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【０１１１】
［６］他の実施の形態
上記実施の形態では、塗布液としてレジスト液が使用されたが、これに限定されない。例えば、反射防止膜を形成するための液またはレジスト膜を保護する保護膜を形成するための液等の種々の塗布液を使用することができる。
【０１１２】
また、上記第１〜第５の実施の形態で示された基板１００の回転速度は一例であり、本発明は上記の回転速度に限定されるものではない。使用する溶剤、基板１００の大きさ、塗布液の粘度および塗布液の乾燥のしやすさなど、種々の要素により基板１００の回転速度を適切に設定することが可能である。
【０１１３】
第１の実施の形態では、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１１４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１１５】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間および時点ｔ５から時点ｔ６までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１１６】
第２の実施の形態では、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１１７】
また、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１１８】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間、時点ｔ４から時点ｔ２１までの期間、および時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１１９】
また、時点ｔ２１から時点ｔ２４までのサイクルが２回以上行われてもよい。
【０１２０】
第３の実施の形態では、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１２１】
また、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２２】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ３１の期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２３】
第４の実施の形態では、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）および時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間（２サイクル目の第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１２４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）および時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間（２サイクル目の第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２５】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間、時点ｔ５から時点ｔ６までの期間および時点ｔ８から時点ｔ４１までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２６】
また、時点ｔ８以降において、時点ｔ４１から時点ｔ４３までのサイクルが２回以上行われてもよい。
【０１２７】
第５の実施の形態では、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間（予め定められた期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２８】
また、時点ｔ２から時点ｔ６２の期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２９】
［７］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３０】
上記実施の形態においては、基板１００が基板の例であり、レジスト液が塗布液の例であり、基板処理装置２００が基板処理装置の例であり、レジストノズル９が塗布液供給系の例であり、モータ３が回転保持装置の例であり、制御部１２が制御部の例である。
【０１３１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【０１３２】
［８］実施例
以下の実施例および比較例において、レジスト液の消費量と基板１００上に形成されるレジスト液の膜（以下、レジスト膜と呼ぶ。）の状態との関係を調べた。
【０１３３】
実施例では、基板１００の膜形成工程において、基板１００の回転速度、レジスト液の吐出タイミングおよび溶剤の吐出タイミングを図３のように変化させた。
【０１３４】
図９は、比較例における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。比較例では、基板１００の膜形成工程において、基板１００の回転速度、レジスト液の吐出タイミングおよび溶剤の吐出タイミングを図９のように変化させた。図９の例が図３の例と異なるのは、時点ｔ６において、基板１００の回転を加速させた後に減速させる期間を設けないで時点ｔ７ａから基板１００の回転速度を一定に保った点である。時点ｔ７ａ以降の基板１００の回転速度は図３における時点ｔ８以降の基板１００の回転速度と同じである。
【０１３５】
なお、基板１００の洗浄工程については、実施例および比較例において図２に示す同一の工程が行われた。
【０１３６】
上記の実施例および比較例において、レジスト液の吐出量を０．２５ｍｌから０．６０ｍｌからに設定し、基板１００上にレジスト液が均一に形成されるか否かを調べた。
【０１３７】
実施例および比較例におけるレジスト消費量の測定結果を表１に示す。
【０１３８】
【表１】
【０１３９】
表１に示すように、実施例においては、レジスト液の吐出量が０．３０ｍｌ以上である場合、基板１００上に均一なレジスト膜が形成された。一方、比較例においては、レジスト液の使用量が０．６０ｍｌ以上である場合、基板１００上に均一なレジスト膜が形成された。
【０１４０】
上記実施例および比較例の結果から、基板１００の回転を低下させた状態から、基板１００の回転を加速させた後に減速させる時点ｔ６から時点ｔ８までの期間を設けることにより、レジスト液の消費量を削減しつつ基板１００の被処理面上に均一なレジスト膜を形成することができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、種々の基板の塗布処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４２】
１ 回転保持部
２ 回転軸
３ モータ
５ カップ
６ 整流板
７ 廃液口
８ 排気口
９ レジストノズル
９ｂ 溶剤ノズル
１０ エッジリンスノズル
１１ バックリンスノズル
１２ 制御部
２０ 開口部
１００ 基板
２００ 基板処理装置
Ｐ１ レジスト液供給源
Ｐ２ 溶剤供給源
Ｐ３ エッジリンス供給源
Ｐ４ バックリンス供給源
Ｓ０〜Ｓ４ 信号
Ｔ１ レジスト液供給管
Ｔ２ 溶剤供給管
Ｔ３ エッジリンス供給管
Ｔ４ バックリンス供給管
Ｖ１〜Ｖ４ バルブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に塗布液の膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板にフォトレジスト液（以下、レジスト液と略記する。）等の塗布液の膜を形成するために回転式基板処理装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板が高速（第１の回転速度）で回転されつつ、被処理基板の略中央にレジスト液が供給される。供給されたレジスト液は、被処理基板の径方向外方に広がりながら塗布される。
【０００４】
レジスト液供給後、被処理基板の回転速度が低速（第２の回転速度）に低下される。これにより、レジスト液の膜厚が整えられる。
【０００５】
最後に、被処理基板の回転速度が中速（第３の回転速度）に上昇される。これにより、残余のレジスト液が振り切られる。
【０００６】
また、特許文献２に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板の回転速度を第１の回転速度より低く第２の回転速度より高い回転速度に低下させた後に、第２の回転速度に低下させる。
【０００７】
さらに、特許文献３に記載されたレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置では、被処理基板の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度より低下させる際に、減速度（減速の加速度）を第２の回転速度に近づくにつれて減少させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２６０７１７号公報
【特許文献２】特開２００７−１１５９０７号公報
【特許文献３】特開２００７−１１５９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１〜３には、上記の方法および装置により、レジスト液の膜厚を均一にしつつ、レジスト液の消費量を削減することができると記載されている。
【００１０】
しかしながら、近年、レジスト液の消費量をさらに削減することが要求されている。特許文献１〜３の方法および装置では、レジスト液の消費量を削減するにつれて、レジスト液の膜厚の均一性が悪化する傾向にある。そのため、レジスト液の消費量を十分に削減することができない。
【００１１】
本発明の目的は、塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、回転保持装置により回転される基板上に塗布液供給系により塗布液が供給された後、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で基板の回転速度が前記第２の速度から第３の速度に低下するように回転保持装置を制御する制御部とを備え、第２の期間での基板の回転の減速度が第１の期間での基板の回転の加速度より小さいものである。
【００１３】
第１の発明に係る基板処理装置においては、回転保持装置が基板を水平姿勢で保持して回転させるとともに、塗布液供給系が基板上に塗布液を供給する。また、制御部は、基板の回転速度が第１の期間で第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で前記第２の速度から第３の速度に低下させするように、回転保持装置を制御する。ここで、第２の期間での基板の回転の減速度は第１の期間での基板の回転の加速度より小さい。
【００１４】
第１の期間において基板の回転が加速することにより、基板の中央部上の塗布液が乾燥されながら基板の周縁部上に拡散する。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００１５】
その後、第２の期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００１６】
（２）制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給開始時における基板の回転速度が第３の速度よりも高い第４の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００１７】
この場合、基板の回転速度が、第３の速度よりも高い第４の速度のときに、塗布液供給系により塗布液が供給される。これにより、予め基板上の全体に塗布液が分散される。その結果、少量の塗布液により基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００１８】
（３）第１の速度は第３の速度よりも低く、制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給終了までに基板の回転速度が第１の速度となるように前記回転保持装置を制御してもよい。
【００１９】
この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第３の速度よりも低い第１の速度に低下される。これにより、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇する前に、基板の中央部上に塗布液を蓄積させることができる。その結果、より少量の塗布液により基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２０】
（４）制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が第１の速度および第３の速度よりも低い第５の速度となり、その後、第１の期間までの期間において基板の回転速度が第５の速度よりも高くかつ第１の速度以下の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００２１】
この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第１の速度および第３の速度よりも低い第５の速度に低下される。その後、基板の回転速度は、第５の速度から第１の速度に上昇される。これにより、
基板の回転速度が第５の速度から第１の速度に上昇する期間に、基板上の塗布液を乾燥させることができる。これにより、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２２】
（５）第１の速度は第４の速度と等しく、制御部は、塗布液供給系による塗布液の供給開始から第１の期間の開始時までの期間において基板の回転速度が第１の速度となるように回転保持装置を制御してもよい。
【００２３】
この場合、塗布液供給系による塗布液の供給開始から第１の期間の開始時までの期間において、基板の回転速度が第４の速度と等しい第１の速度となる。これにより、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２４】
（６）制御部は、第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われるように回転保持装置を制御し、各サイクルにおける基板の回転の減速度が基板の回転の加速度よりも小さくてもよい。
【００２５】
この場合、第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われる。また、各サイクルにおける基板の回転の減速度は基板の回転の加速度よりも小さい。これにより、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上により拡散しやすくなる。このため、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが十分に防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性がより向上する。
【００２６】
（７）第１の期間での基板の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、第２の期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さくてもよい。
【００２７】
この場合、効率的に基板の中央部上の塗布液を基板の周縁部上に拡散させることができる。これにより、基板上の塗布液の膜厚の均一性を効率的に確保することができる。
【００２８】
（８）第２の速度は２０００ｒｐｍ以上であってもよい。この場合、基板の中央部上の塗布液を効率的に乾燥させながら基板の周縁部上に拡散させることができる。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、より確実に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００２９】
（９）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、回転保持装置により回転される基板上に塗布液供給系により塗布液が供給された後、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように回転保持装置を制御する制御部とを備え、予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいものである。
【００３０】
第２の発明に係る基板処理装置においては、回転保持装置が基板を水平姿勢で保持して回転させるとともに、塗布液供給系が基板上に塗布液を供給する。また、制御部は、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように回転保持装置を制御する。ここで、予め定められた期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓより小さい。
【００３１】
この場合、基板が回転することにより、基板の中央部上の塗布液が基板の周縁部上に拡散する。そのため、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合においては、供給される塗布液の量が少なくても、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００３２】
また、予め定められた期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００３３】
（１０）第３の発明に係る基板処理方法は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、基板を水平姿勢で回転させる工程と、回転する基板上に塗布液を供給する工程と、塗布液の供給後、第１の期間で基板の回転速度を第１の速度から第２の速度に上昇させる工程と、第１の期間後の第２の期間で基板の回転速度を前記第２の速度から第３の速度に低下させる工程とを備え、第２の期間での基板の回転の減速度が第１の期間での基板の回転の加速度より小さいものである。
【００３４】
第３の発明に係る基板処理方法においては、基板が水平姿勢で回転するとともに、基板上に塗布液が供給される。また、基板の回転速度は第１の期間で第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で前記第２の速度から第３の速度に低下する。ここで、第２の期間での基板の回転の減速度は第１の期間での基板の回転の加速度より小さい。
【００３５】
第１の期間において基板の回転が加速することにより、基板の中央部上の塗布液が乾燥されながら基板の周縁部上に拡散する。これにより、供給される塗布液の量が少ない場合でも、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００３６】
その後、第２の期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００３７】
（１１）第４の発明に係る基板処理方法は、基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、基板を水平姿勢で回転させる工程と、回転する基板上に塗布液を供給する工程と、塗布液の供給後、予め定められた期間で基板の回転速度を低下させる工程とを備え、予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいものである。
【００３８】
第４の発明に係る基板処理方法においては、基板が水平姿勢で回転するとともに、基板上に塗布液が供給される。また、予め定められた期間で基板の回転速度が低下する。ここで、予め定められた期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓより小さい。
【００３９】
この場合、基板が回転することにより、基板の中央部上の塗布液が基板の周縁部上に拡散する。そのため、乾燥の速い性質の塗布液を使用する場合においては、供給される塗布液の量が少なくても、基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【００４０】
また、予め定められた期間において基板の回転が減速することにより、基板の周縁部上の塗布液が受ける遠心力は大きく低下し、基板の中央部上の塗布液が受ける遠心力はほとんど低下しない。そのため、基板の中央部上の塗布液は、基板の周縁部上に拡散しやすくなる。これにより、基板の中央部上にのみ塗布液が蓄積されることが防止される。その結果、基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略断面図である。
【図２】基板処理装置おける基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図３】膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図４】基板の被処理面上でレジスト液が拡散される過程を示した図である。
【図５】第２の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図６】第３の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図７】第４の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図８】第５の実施の形態の膜形成工程における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【図９】比較例における基板の回転速度の変化および各信号の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
［１］第１の実施の形態
以下、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態においては、塗布液としてレジスト液が用いられる。
【００４４】
（１）基板処理装置
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００の概略断面図である。図１において、基板処理装置２００は回転式基板処理装置であり、基板１００を水平姿勢で保持して回転する回転保持部１を備える。回転保持部１はモータ３の回転軸２の先端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。
【００４５】
回転保持部１に保持された基板１００の周囲を取り囲むように飛散防止用のカップ５が設けられている。カップ５の上面側には開口部２０が設けられ、カップ５の下部には廃液口７および複数の排気口８が設けられている。排気口８は、工場内の排気設備に接続される。回転保持部１の下方には、整流板６が配置されている。この整流板６は、外周部に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面を有する。
【００４６】
基板１００上にレジスト液を吐出するレジストノズル９およびシンナー等の溶剤を吐出する溶剤ノズル９ｂが、上下動可能かつ基板１００の上方位置とカップ５外の待機位置との間で移動可能に設けられている。
【００４７】
レジストノズル９はレジスト液供給管Ｔ１を介してレジスト液供給源Ｐ１と接続されている。また、溶剤ノズル９ｂは溶剤供給管Ｔ２を介して溶剤供給源Ｐ２と接続されている。レジスト液供給管Ｔ１にはバルブＶ１が介挿され、溶剤供給管Ｔ２にはバルブＶ２が介挿されている。バルブＶ１が開かれることにより、レジスト液供給源Ｐ１からレジスト液供給管Ｔ１を通してレジストノズル９にレジスト液が供給される。また、バルブＶ２が開かれることにより、溶剤供給源Ｐ２から溶剤供給管Ｔ２を通して溶剤ノズル９ｂに溶剤が供給される。
【００４８】
基板１００の周縁部のレジスト膜を除去するための溶剤等のリンス液（以下、エッジリンス液と呼ぶ。）を吐出するエッジリンスノズル１０が上下動可能かつ基板１００の周縁部の上方位置と待機位置との間で移動可能に設けられている。さらに、基板１００の下方には、基板１００の裏面（被処理面と反対側の面）を洗浄するための溶剤等のリンス液（以下、バックリンス液と呼ぶ。）を吐出する複数のバックリンスノズル１１が配置されている。
【００４９】
エッジリンスノズル１０はエッジリンス液供給管Ｔ３を介してエッジリンス液供給源Ｐ３と接続されている。また、バックリンスノズル１１はバックリンス液供給管Ｔ４を介してバックリンス液供給源Ｐ４と接続されている。エッジリンス液供給管Ｔ３にはバルブＶ３が介挿され、バックリンス液供給管Ｔ４にはバルブＶ４が介挿されている。バルブＶ３が開かれることにより、エッジリンス液供給源Ｐ３からエッジリンス液供給管Ｔ３を通してエッジリンスノズル１０にエッジリンス液が供給される。また、バルブＶ４が開かれることにより、バックリンス液供給源Ｐ４からバックリンス液供給管Ｔ４を通してバックリンスノズル１１にバックリンス液が供給される。
【００５０】
基板処理装置２００は、制御部１２を備える。制御部１２は、モータ３に回転信号Ｓ０を与えることにより、モータ３の回転速度を制御する。それにより、回転保持部１により保持された基板１００の回転速度が制御される。また、制御部１２は、バルブＶ１〜Ｖ４に、レジスト液吐出信号Ｓ１、溶剤吐出信号Ｓ２、エッジリンス液吐出信号Ｓ３およびバックリンス液吐出信号Ｓ４を与えることにより、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉を制御する。それにより、レジスト液、溶剤、エッジリンス液およびバックリンス液の吐出タイミングが制御される。
【００５１】
（２）基板の処理
次に、図１の基板処理装置２００における基板１００の処理工程について説明する。図２は、基板処理装置２００における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１〜Ｓ４の変化を示す図である。
【００５２】
図２に示すように、基板１００の処理工程は、膜形成工程および洗浄工程を含む。膜形成工程において、基板１００の被処理面上にレジスト液が塗布された後、洗浄工程において基板１００の被処理面の周縁部および裏面の洗浄が行われる。
【００５３】
基板１００は、被処理面が上方に向けられた状態で回転保持部１により保持される（図１参照）。初期状態では、基板１００の回転が停止されるとともに、各Ｓ１〜Ｓ４がローレベルにある。
【００５４】
膜形成工程においては、まず、溶剤ノズル９ｂが基板１００の中央部上方に移動する。時点ｔ０で溶剤吐出信号Ｓ２がハイレベルになる。それにより、溶剤ノズル９ｂから基板１００の被処理面の中央部に溶剤が吐出される。
【００５５】
次に、時点ｔ１で溶剤吐出信号Ｓ２がローレベルになる。それにより、溶剤ノズル９ｂからの溶剤の吐出が停止される。次に、時点ｔ２で基板１００の回転が開始される。それにより、基板１００の被処理面の中央部に吐出された溶剤が、基板１００の回転に伴う遠心力により基板１００の被処理面の全体に拡散される。
【００５６】
次に、レジストノズル９が基板１００の中央部上方に移動する。時点ｔ３でレジスト液吐出信号Ｓ１がハイレベルになる。それにより、レジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。その後、時点ｔ５でレジスト液吐出信号Ｓ１がローレベルになる。それにより、レジストノズル９からのレジスト液の吐出が停止される。
【００５７】
基板１００の被処理面の中央部に吐出されたレジスト液は、基板１００の回転に伴う遠心力により基板１００の被処理面全体に拡散される。
【００５８】
本実施の形態では、膜形成工程において、基板１００の回転速度が段階的に変化するようにモータ３が制御される。それにより、レジスト液の消費量を削減しつつ基板１００の被処理面に均一にレジスト液を塗布することができる。膜形成工程における基板１００の回転速度制御の詳細については後述する。
【００５９】
洗浄工程においては、まず、時点ｔ１１で基板１００の回転速度が例えば５００ｒｐｍに低下される。次に、時点ｔ１２で、エッジリンス液吐出信号Ｓ３およびバックリンス液吐出信号Ｓ４がそれぞれハイレベルになる。これにより、エッジリンスノズル１０から基板１００の被処理面の周縁部にエッジリンス液が吐出されるとともに、バックリンスノズル１１から基板１００の裏面にバックリンス液が吐出される。
【００６０】
基板１００にエッジリンス液およびバックリンス液の吐出が開始された後、時点ｔ１３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍまで上昇する。このとき、基板１００の被処理面の周縁部がエッジリンス液により洗浄されるとともに、基板１００の裏面がバックリンス液により洗浄される。これにより、基板１００の被処理面の周縁部および裏面に付着するレジスト液および塵埃等が除去される。その後、時点ｔ１４でエッジリンス液吐出信号Ｓ３がローレベルになり、時点ｔ１５でバックリンス液吐出信号Ｓ４がローレベルになる。それにより、バックリンス液の吐出およびエッジリンス液の吐出が順に停止される。
【００６１】
エッジリンス液およびバックリンス液の吐出が停止された後、時点ｔ１６で基板１００の回転速度が、例えば２０００ｒｐｍに上昇する。これにより、基板１００に付着するエッジリンス液およびバックリンス液が振り切られ、基板１００から除去される。その後、基板１００の回転が停止される。これにより、基板処理装置２００における一連の処理が終了する。
【００６２】
（３）膜形成工程の詳細
次に、上記の膜形成工程の詳細について説明する。図３は、膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。また、図４は、基板１００の被処理面上でレジスト液が拡散される過程を示した図である。
【００６３】
上記のように、時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、溶剤ノズル９ｂから基板１００に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板１００の回転が開始される。この場合、基板１００の回転速度は、例えば３０００ｒｐｍ（第４の速度の例）まで上昇する。これにより、基板１００上に吐出された溶剤が基板１００の被処理面の径方向外方に拡散される。
【００６４】
このようにして、基板１００の被処理面全体に溶剤を塗布するプリウエット処理が行われる。それにより、続いてレジスト液を基板１００の被処理面に塗布する際に、レジスト液が基板１００の被処理面上で拡散しやすくなる。その結果、より少量のレジスト液で基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００６５】
基板１００の被処理面全体に溶剤が塗布された後、時点ｔ３でレジスト液吐出信号Ｓ１がハイレベルになる。これにより、レジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される（図４（ａ）参照）。このとき、基板１００は高速（例えば３０００ｒｐｍ）で回転しているため、基板１００上に吐出されたレジスト液が、基板１００の被処理面の径方向外方に拡散する（図４（ｂ）参照）。
【００６６】
時点ｔ４で基板１００の回転速度が低下し始め、一定時間後に例えば１００ｒｐｍ（第１の速度の例）となる。続いて、時点ｔ５でレジスト液吐出信号Ｓ１がローレベルになり、レジスト液の吐出が停止される。この場合、基板１００の中央部上のレジスト液に働く遠心力は、周縁部上のレジスト液に働く遠心力よりも顕著に小さくなる。そのため、基板１００の被処理面の中央部には、周縁部に比べてレジスト液が蓄積される（図４（ｃ）参照）。
【００６７】
次に、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ７で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００６８】
ここで、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板１００の回転の加速度（単位時間当たりの回転速度の増加割合）は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。そのため、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる（図４（ｄ）参照）。
【００６９】
続いて、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ８で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００７０】
ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板１００の回転の減速度（単位時間当たりの回転速度の減少割合）は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる（図４（ｅ）参照）。
【００７１】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間においては、基板１００の回転速度が直線的に低下する。それにより、基板１００の回転による気流が基板１００の周囲に生成されにくい。このため、基板１００上のレジスト液の乾燥時に、気流がレジスト液の膜に影響を与えることが防止される。その結果、基板１００上に形成されるレジスト液の膜に気流の跡が残ることが防止される。
【００７２】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は前述の洗浄工程に移る。
【００７３】
（４）効果
本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法においては、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間において基板１００の回転が加速することにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。これにより、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００７４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間において基板１００の回転が減速することにより、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の中央部上にのみレジスト液が蓄積されることが防止される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００７５】
時点ｔ６から時点ｔ７までの期間での基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間での基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さい。
【００７６】
これにより、効率的に基板１００の中央部上のレジスト液を基板１００の周縁部上に拡散させることができる。これにより、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を効率的に確保することができる。
【００７７】
また、時点ｔ７における速度は２０００ｒｐｍ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液を効率的に乾燥させながら基板１００の周縁部上に拡散させることができる。したがって、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、より確実に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００７８】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。なお、第２の実施の形態から第５の実施の形態においては、基板１００の膜形成工程が第１の実施の形態と異なるため、膜形成工程の詳細についてのみ説明する。
【００７９】
図５は、第２の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００８０】
図５に示すように、本実施の形態では、時点ｔ４で基板１００の回転速度が低下し始め、一定時間後に例えば１００ｒｐｍ（第５の速度の例）となる。続いて、時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止された後、時点ｔ２１で基板１００の回転速度が、例えば１００ｒｐｍから１０００ｒｐｍ（第１の速度の例）に上昇される。
【００８１】
時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間に、基板１００上のレジスト液を十分に乾燥させることができる。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００８２】
次に、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ２３で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００８３】
ここで、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液が乾燥されながら基板１００の周縁部上に拡散する。そのため、供給されるレジスト液の量が少ない場合でも、基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００８４】
続いて、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ２４で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００８５】
ここで、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００８６】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【００８７】
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。
【００８８】
図６は、第３の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００８９】
図６に示すように、本実施の形態では、時点ｔ２で基板１００の回転速度が上昇し始め、一定時間後に例えば３０００ｒｐｍ（第４の速度の例）となる。時点ｔ３でレジストノズル９から基板１００の被処理面の中央部にレジスト液が吐出された後、時点ｔ３１まで基板１００の回転速度は、例えば３０００ｒｐｍ（第１の速度の例）に維持される。
【００９０】
続いて、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間（第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ３２で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（第２の速度の例）に達する。
【００９１】
ここで、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。また、時点ｔ３２でレジストノズル９からのレジストの吐出が停止される。
【００９２】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ３の後に基板１００の回転速度を低下させつつレジスト液を十分に乾燥させる期間が設けられない。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の速い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【００９３】
また、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間（第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ３３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）に達する。
【００９４】
ここで、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【００９５】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【００９６】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法と異なる点を説明する。
【００９７】
図７は、第４の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【００９８】
図７に示すように、本実施の形態における時点ｔ０から時点ｔ８までの基板１００回転速度の変化は第１の実施の形態における時点ｔ０から時点ｔ８までの基板１００の回転速度の変化と同様である。
【００９９】
本実施の形態では、時点ｔ８で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（第３の速度の例）まで低下された後、時点ｔ４１まで例えば１０００ｒｐｍ（２サイクル目の第１の速度の例）に維持される。
【０１００】
続いて、時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間（２サイクル目の第１の期間の例）に、基板１００の回転が加速される。時点ｔ４２で基板１００の回転速度は２０００ｒｐｍ以上に達し、例えば３５００ｒｐｍ（２サイクル目の第２の速度の例）に達する。ここで、時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。
【０１０１】
さらに、時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間（２サイクル目の第２の期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ４３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍ（２サイクル目の第１の速度の例）に達する。ここで、時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。
【０１０２】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ８の後に、基板１００の回転速度が上昇した後に低下するサイクルがさらに１回行われる。これにより、基板１００の中央部上のレジスト液は、基板１００の周縁部上により拡散しやすくなる。このため、基板１００の中央部上にのみレジスト液が蓄積されることが十分に防止される。その結果、第１の実施の形態と比較して、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性がより向上する。
【０１０３】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【０１０４】
［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法と異なる点を説明する。
【０１０５】
図８は、第５の実施の形態の膜形成工程における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。
【０１０６】
図８に示すように、本実施の形態では、時点ｔ２で基板１００の回転速度が上昇し始め、一定時間後に例えば３０００ｒｐｍに達した後に一定に維持される。また、時点ｔ３から時点ｔ６１の期間、レジストノズル９からレジスト液が基板１００に吐出される。
【０１０７】
続いて、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間（予め定められた期間の例）に、基板１００の回転が減速される。時点ｔ６３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに達する。
【０１０８】
ここで、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上の塗布液の膜厚の均一性を確保することができる。
【０１０９】
このように、本実施の形態においては、時点ｔ３の後に基板１００の回転速度を低下させつつレジスト液を十分に乾燥させる期間が設けられない。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の速い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【０１１０】
その後、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、基板１００のレジスト液の膜厚が略均一に保たれつつ、膜厚が調整される。レジスト液が乾燥し、基板１００の被処理面に膜が形成された後、処理工程は先述の洗浄工程に移る。
【０１１１】
［６］他の実施の形態
上記実施の形態では、塗布液としてレジスト液が使用されたが、これに限定されない。例えば、反射防止膜を形成するための液またはレジスト膜を保護する保護膜を形成するための液等の種々の塗布液を使用することができる。
【０１１２】
また、上記第１〜第５の実施の形態で示された基板１００の回転速度は一例であり、本発明は上記の回転速度に限定されるものではない。使用する溶剤、基板１００の大きさ、塗布液の粘度および塗布液の乾燥のしやすさなど、種々の要素により基板１００の回転速度を適切に設定することが可能である。
【０１１３】
第１の実施の形態では、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１１４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１１５】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間および時点ｔ５から時点ｔ６までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１１６】
第２の実施の形態では、時点ｔ２２から時点ｔ２３までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１１７】
また、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１１８】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間、時点ｔ４から時点ｔ２１までの期間、および時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１１９】
また、時点ｔ２１から時点ｔ２４までのサイクルが２回以上行われてもよい。
【０１２０】
第３の実施の形態では、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間（第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１２１】
また、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間（第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２２】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ３１の期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２３】
第４の実施の形態では、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間（第１の期間の例）および時点ｔ４１から時点ｔ４２までの期間（２サイクル目の第１の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に上昇しているが、基板１００の回転速度は曲線的に上昇してもよい。
【０１２４】
また、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間（第２の期間の例）および時点ｔ４２から時点ｔ４３までの期間（２サイクル目の第２の期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２５】
さらに、時点ｔ２から時点ｔ４の期間、時点ｔ５から時点ｔ６までの期間および時点ｔ８から時点ｔ４１までの期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２６】
また、時点ｔ８以降において、時点ｔ４１から時点ｔ４３までのサイクルが２回以上行われてもよい。
【０１２７】
第５の実施の形態では、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間（予め定められた期間の例）において、基板１００の回転速度が直線的に低下しているが、基板１００の回転速度は曲線的に低下してもよい。
【０１２８】
また、時点ｔ２から時点ｔ６２の期間において、基板１００の回転速度が一定に維持されているが、基板１００の回転速度は連続的または段階的に変化してもよい。
【０１２９】
［７］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３０】
上記実施の形態においては、基板１００が基板の例であり、レジスト液が塗布液の例であり、基板処理装置２００が基板処理装置の例であり、レジストノズル９が塗布液供給系の例であり、モータ３が回転保持装置の例であり、制御部１２が制御部の例である。
【０１３１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【０１３２】
［８］実施例
以下の実施例および比較例において、レジスト液の消費量と基板１００上に形成されるレジスト液の膜（以下、レジスト膜と呼ぶ。）の状態との関係を調べた。
【０１３３】
実施例では、基板１００の膜形成工程において、基板１００の回転速度、レジスト液の吐出タイミングおよび溶剤の吐出タイミングを図３のように変化させた。
【０１３４】
図９は、比較例における基板１００の回転速度の変化および各信号Ｓ１，Ｓ２の変化を示す図である。比較例では、基板１００の膜形成工程において、基板１００の回転速度、レジスト液の吐出タイミングおよび溶剤の吐出タイミングを図９のように変化させた。図９の例が図３の例と異なるのは、時点ｔ６において、基板１００の回転を加速させた後に減速させる期間を設けないで時点ｔ７ａから基板１００の回転速度を一定に保った点である。時点ｔ７ａ以降の基板１００の回転速度は図３における時点ｔ８以降の基板１００の回転速度と同じである。
【０１３５】
なお、基板１００の洗浄工程については、実施例および比較例において図２に示す同一の工程が行われた。
【０１３６】
上記の実施例および比較例において、レジスト液の吐出量を０．２５ｍｌから０．６０ｍｌからに設定し、基板１００上にレジスト液が均一に形成されるか否かを調べた。
【０１３７】
実施例および比較例におけるレジスト消費量の測定結果を表１に示す。
【０１３８】
【表１】
【０１３９】
表１に示すように、実施例においては、レジスト液の吐出量が０．３０ｍｌ以上である場合、基板１００上に均一なレジスト膜が形成された。一方、比較例においては、レジスト液の使用量が０．６０ｍｌ以上である場合、基板１００上に均一なレジスト膜が形成された。
【０１４０】
上記実施例および比較例の結果から、基板１００の回転を低下させた状態から、基板１００の回転を加速させた後に減速させる時点ｔ６から時点ｔ８までの期間を設けることにより、レジスト液の消費量を削減しつつ基板１００の被処理面上に均一なレジスト膜を形成することができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、種々の基板の塗布処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４２】
１ 回転保持部
２ 回転軸
３ モータ
５ カップ
６ 整流板
７ 廃液口
８ 排気口
９ レジストノズル
９ｂ 溶剤ノズル
１０ エッジリンスノズル
１１ バックリンスノズル
１２ 制御部
２０ 開口部
１００ 基板
２００ 基板処理装置
Ｐ１ レジスト液供給源
Ｐ２ 溶剤供給源
Ｐ３ エッジリンス供給源
Ｐ４ バックリンス供給源
Ｓ０〜Ｓ４ 信号
Ｔ１ レジスト液供給管
Ｔ２ 溶剤供給管
Ｔ３ エッジリンス供給管
Ｔ４ バックリンス供給管
Ｖ１〜Ｖ４ バルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、
前記回転保持装置により回転される基板上に前記塗布液供給系により塗布液が供給された後、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で基板の回転速度が前記第２の速度から第３の速度に低下するように前記回転保持装置を制御する制御部とを備え、
前記第２の期間での基板の回転の減速度が前記第１の期間での基板の回転の加速度より小さいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給開始時における基板の回転速度が前記第３の速度よりも高い第４の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の速度は前記第３の速度よりも低く、
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が前記第１の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が前記第１の速度および前記第３の速度よりも低い第５の速度となり、その後、前記第１の期間までの期間において基板の回転速度が前記第５の速度よりも高くかつ前記第１の速度以下の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の速度は前記第４の速度と等しく、
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給開始から前記第１の期間の開始時までの期間において基板の回転速度が前記第１の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われるように前記回転保持装置を制御し、
各サイクルにおける基板の回転の減速度が基板の回転の加速度よりも小さいことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の期間での基板の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、前記第２の期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さいことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２の速度は２０００ｒｐｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、
前記回転保持装置により回転される基板上に前記塗布液供給系により塗布液が供給された後、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように前記回転保持装置を制御する制御部とを備え、
前記予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板を水平姿勢で回転させる工程と、
前記回転する基板上に塗布液を供給する工程と、
前記塗布液の供給後、第１の期間で基板の回転速度を第１の速度から第２の速度に上昇させる工程と、
前記第１の期間後の第２の期間で基板の回転速度を前記第２の速度から第３の速度に低下させる工程とを備え、
前記第２の期間での基板の回転の減速度が前記第１の期間での基板の回転の加速度より小さいことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板を水平姿勢で回転させる工程と、
前記回転する基板上に塗布液を供給する工程と、
前記塗布液の供給後、予め定められた期間で基板の回転速度を低下させる工程とを備え、
前記予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、
前記回転保持装置により回転される基板上に前記塗布液供給系により塗布液が供給された後、第１の期間で基板の回転速度が第１の速度から第２の速度に上昇した後、第２の期間で基板の回転速度が前記第２の速度から第３の速度に低下するように前記回転保持装置を制御する制御部とを備え、
前記第２の期間での基板の回転の減速度が前記第１の期間での基板の回転の加速度より小さいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給開始時における基板の回転速度が前記第３の速度よりも高い第４の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の速度は前記第３の速度よりも低く、
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が前記第１の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに基板の回転速度が前記第１の速度および前記第３の速度よりも低い第５の速度となり、その後、前記第１の期間までの期間において基板の回転速度が前記第５の速度よりも高くかつ前記第１の速度以下の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の速度は前記第４の速度と等しく、
前記制御部は、前記塗布液供給系による塗布液の供給開始から前記第１の期間の開始時までの期間において基板の回転速度が前記第１の速度となるように前記回転保持装置を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第２の期間後に基板の回転速度が上昇した後に低下するサイクルが１または複数回行われるように前記回転保持装置を制御し、
各サイクルにおける基板の回転の減速度が基板の回転の加速度よりも小さいことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の期間での基板の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上であり、前記第２の期間での基板の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓよりも小さいことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２の速度は２０００ｒｐｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持される基板上に塗布液を供給する塗布液供給系と、
前記回転保持装置により回転される基板上に前記塗布液供給系により塗布液が供給された後、予め定められた期間で基板の回転速度が低下するように前記回転保持装置を制御する制御部とを備え、
前記予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板を水平姿勢で回転させる工程と、
前記回転する基板上に塗布液を供給する工程と、
前記塗布液の供給後、第１の期間で基板の回転速度を第１の速度から第２の速度に上昇させる工程と、
前記第１の期間後の第２の期間で基板の回転速度を前記第２の速度から第３の速度に低下させる工程とを備え、
前記第２の期間での基板の回転の減速度が前記第１の期間での基板の回転の加速度より小さいことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板を水平姿勢で回転させる工程と、
前記回転する基板上に塗布液を供給する工程と、
前記塗布液の供給後、予め定められた期間で基板の回転速度を低下させる工程とを備え、
前記予め定められた期間での基板の回転の減速度が１００００ｒｐｍ／ｓより小さいことを特徴とする基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１１９５９７（Ｐ２０１１−１１９５９７Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７７７５４（Ｐ２００９−２７７７５４）
【出願日】平成２１年１２月７日（２００９．１２．７）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月７日（２００９．１２．７）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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