【課題】塗布膜を基板の面内に均一に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の表面にノズルから基板の中心部に塗布膜を形成するための塗布液を供給すると共に、第１の回転速度で基板を回転させて、塗布液を基板の周縁部に遠心力によって広げ、次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第１の回転速度よりも小さい第２の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させ、次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第２の回転速度よりも小さい第３の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な厚膜の塗布膜を形成する方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高粘度のレジスト３塗布によって形成された半導体ウェハ外周部分の盛り上がり部を有する第一の塗布膜上にダイナミックディスペンスにて低粘度のレジストを高回転で塗布し、盛り上がり部の膜厚を第一の塗布膜の膜厚と第二の塗布膜の膜厚の和と同程度にする。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布する。
【解決手段】回転中のウェハ上に溶剤を供給し、ウェハを第６の回転数で回転させて溶剤を拡散させる（工程Ｓ１）。ウェハの回転を第１の回転数まで加速させ、第１の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ２）。ウェハの回転を第２の回転数まで減速させ、ウェハＷを第２の回転数で回転させる（工程Ｓ３）。ウェハの回転を第３の回転数までさらに加速し、第３の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ４）。ウェハの回転を第４の回転数である０ｒｐｍ超５００ｒｐｍ以下まで減速させ、第４の回転数で１〜１０秒間ウェハを回転させる（工程Ｓ５）。ウェハの回転を第５の回転数まで加速し、第５の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ６）。工程Ｓ２から工程Ｓ３の途中まで、あるいは工程Ｓ２の間ウェハの中心にレジスト液を連続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】スピン塗布法を用いて塗布液を基板に塗布する場合において、塗布液の塗布量を少量にしつつ、塗布液を基板面内に均一に塗布する。
【解決手段】塗布処理方法は、ウェハを加速回転させた状態で、そのウェハの中心部にノズルからレジスト液を吐出して、ウェハ上にレジスト液を塗布する塗布工程Ｓ３と、その後、ウェハの回転を減速し、ウェハ上のレジスト液を平坦化する平坦化工程Ｓ４と、その後、ウェハの回転を加速して、ウェハ上のレジスト液を乾燥させる乾燥工程Ｓ５と、を有する。塗布工程Ｓ３では、ウェハの回転の加速度を第１の加速度、前記第１の加速度よりも大きい第２の加速度、前記第２の加速度よりも小さい第３の加速度の順に変化させ、当該ウェハを常に加速回転させる。 （もっと読む）

【課題】基板の全面に各種の塗布液を塗布する際に、基板の全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法を提供する。
【解決手段】回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を基板の外周側に拡散させることによって、基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する基板の表面に塗布液を供給する供給位置を、外周側に拡散する塗布液の移動に伴って外周側に移動させながら、塗布液を基板の表面に供給する供給工程Ｓ１７を有する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の消費量を十分に削減しつつ基板上の塗布液の膜厚の均一性を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】時点ｔ０から時点ｔ１までの期間に、基板に溶剤が吐出された後、時点ｔ２で基板の回転が開始される。時点ｔ３で基板の被処理面の中央部にレジスト液が吐出される。時点ｔ４で基板の回転速度が低下し始め、一定時間後に第１の速度となる。時点ｔ５でレジスト液の吐出が停止される。時点ｔ６から時点ｔ７までの期間に、基板の回転が加速され、時点ｔ７で基板の回転速度が第２の速度に達する。時点ｔ７から時点ｔ８までの期間に、基板の回転が減速され、時点ｔ８で基板の回転速度が第３の速度に達する。ここで、時点ｔ７から時点ｔ８までの期間における基板の回転の減速度は、時点ｔ６から時点ｔ７までの期間における基板の回転の加速度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布する。
【解決手段】回転中のウェハ上に溶剤を供給し、ウェハの表面をプリウェットする（工程Ｓ１）。ウェハを第５の回転数で回転させる（工程Ｓ２）。ウェハの回転を第１の回転数まで加速させ、第１の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ３）。ウェハの回転を第２の回転数である１５００ｒｐｍまで減速させ、ウェハＷを第２の回転数で０．５秒回転させる（工程Ｓ４）。ウェハの回転を第３の回転数までさらに減速させ、第３の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ５）。ウェハの回転を第４の回転数まで加速させ、第４の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ６）。工程Ｓ２の途中から工程Ｓ５の途中まで、ウェハの中心にレジスト液を連続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】四角形状の基板２上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液１３を滴下し、前記基板２を回転させ、滴下されたレジスト液１３を前記基板２上に広げるとともに、前記基板２上のレジスト液１３を乾燥させて、前記基板２上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。ここで、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板２が回転している間、前記基板２の上面に沿って基板２の中央側から外周方向に気流１９を発生させるように排気手段１８による排気を行い、基板２の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液１３の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法によって基板に塗布されたレジスト膜の均一性を向上することで、半導体デバイスや半導体製造用フォトマスク等の最終製品の基板面内の寸法均一性を向上させることのできるレジスト膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスや半導体製造用フォトマスク等の微細加工分野におけるレジスト膜の形成方法において、基板表面に、最終目標の膜厚の１／５以下、もしくは膜厚３０ｎｍ以下のレジストを、スピンコート法でプレコートした後、引き続いて、最終目標の膜厚のレジストをスピンコート法で本コートする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】新規な塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まりを形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。あるいは、基板上に希釈液を滴下して、前記基板の全面を前記希釈剤で覆う工程と、前記希釈剤上に塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜表面の接触角を変動させることなくレジスト膜の膜厚変更に対応できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜表面と、これと投影光学系との間を満たす液体との接触角が所望の値となるように、半導体ウェーハの回転数又はレジスト膜の設定膜厚に応じて、レジスト膜の回転乾燥時間、レジスト供給時のレジスト温度、半導体ウェーハ表面上雰囲気の圧力、半導体ウェーハ表面上雰囲気の湿度の中から選択される少なくとも１つを含む接触角の調整条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる塗布処理方法を提供する。
【解決手段】第１の回転数Ｖ１でウェハＷを回転させ、回転するウェハＷの略中心上に塗布液を供給する第１の工程Ｓ１と、第１の工程Ｓ１の後に、第１の回転数Ｖ１よりも低い第２の回転数Ｖ２でウェハＷを回転させる第２の工程Ｓ２と、第２の工程Ｓ２の後に、第２の回転数Ｖ２よりも高い第３の回転数Ｖ３でウェハＷを回転させる第３の工程Ｓ３と、第３の工程Ｓ３の後に、第２の回転数Ｖ２よりも高く第３の回転数Ｖ３よりも低い第４の回転数Ｖ４でウェハＷを回転させる第４の工程Ｓ４とを有する。 （もっと読む）

【課題】より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト液の消費量を削減することができるレジスト塗布方法を提供する。
【解決手段】略静止したウェハの略中心上に、溶剤を供給する溶剤供給工程Ｓ０と、溶剤供給工程Ｓ０の後に、ウェハの略中心上であって溶剤の上にレジスト液を供給しつつ、第１の回転数Ｖ１でウェハを回転させる第１の工程Ｓ１と、第１の工程Ｓ１の後に、第１の回転数Ｖ１よりも低い第２の回転数Ｖ２でウェハを回転させる第２の工程Ｓ２と、第２の工程Ｓ２の後に、第１の回転数Ｖ１よりも低く第２の回転数Ｖ２よりも高い第３の回転数Ｖ３でウェハを回転させる第３の工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】下降気流が形成されている処理カップ３３にて回転しているウエハＷに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置において、処理カップ３３のスピンチャック３１に保持されたウエハＷの外周近傍に隙間を介して当該ウエハＷを取り囲むように環状に設けられ、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部７０と、前記ウエハＷの周縁部下方より外側下方へ傾斜した傾斜壁４１及びこの傾斜壁４１に連続し、下方へ垂直に伸びる垂直壁４２から構成された下側ガイド部４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ基板全面に亘る感光液の均一塗布方法を提供する。
【解決手段】感光液Ｌを塗布有効領域Ｔにおいて噴霧しつつ、回転する基板１の回転中心Ｏ上を通る直線移動軌跡Ｘ１に沿って移動するノズル７を用いて、基板上の隣接する塗布有効領域Ｔの外縁Ｅが互いに接するように感光液Ｌを噴霧塗布する方法であって、基板１を二分割し、一方の半円を塗布するとき、直線移動軌跡上における基板１の回転中心Ｏから半径ｗ／２だけ離間した点Ｑを中心とした領域Ｔの中心点Ｐの塗布軌跡Ｋである円弧上を直線移動軌跡に投影した速度でノズル７を半円Ｒ１部分の塗布時間の間だけ直線移動軌跡上を加減速移動させ、且つ、このノズル７の加減速に合わせてノズル７に対する基板１の回転速度が一定となるようにし、他の半円を塗布するとき、基板１の回転速度を等速とすると共にノズル７の中心点Ｐが半円部分から他の部分に切り替わる時点まで停止させる。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内に均一にレジスト液を塗布する。
【解決手段】先ず、塗布工程Ｓ３−１において、低速でウェハを回転し、その状態でウェハの中心部に第１のノズルからレジスト液を吐出して、その後工程Ｓ３−２において、高速でウェハを回転し、ウェハ上にレジスト液を塗布する。次に、平坦化工程Ｓ４において、ウェハの回転を減速し、低速でウェハを回転させ、ウェハ上のレジスト液を平坦化する。このとき、塗布工程Ｓ３−２における第１のノズルによるレジスト液の吐出は、平坦化工程Ｓ４の途中まで継続して行い、その平坦化工程Ｓ４においてレジスト液の吐出を終了させる際には、第１のノズルを移動させてレジスト液の吐出位置をウェハの中心部からずらす。その後、乾燥工程Ｓ５において、ウェハの回転を加速して、ウェハ上のレジスト液を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】塗布液の塗布時に発生する気泡を抑制して塗布液膜の均一化及び歩留まりの向上を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。 （もっと読む）