塗布処理方法
【課題】より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる塗布処理方法を提供する。
【解決手段】第1の回転数V1でウェハWを回転させ、回転するウェハWの略中心上に塗布液を供給する第1の工程S1と、第1の工程S1の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させる第2の工程S2と、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させる第3の工程S3と、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4でウェハWを回転させる第4の工程S4とを有する。
【解決手段】第1の回転数V1でウェハWを回転させ、回転するウェハWの略中心上に塗布液を供給する第1の工程S1と、第1の工程S1の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させる第2の工程S2と、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させる第3の工程S3と、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4でウェハWを回転させる第4の工程S4とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェハ等の基板上にレジスト等の塗布液を塗布処理する塗布処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、例えば半導体ウェハ(以下「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。このレジスト塗布処理では、回転中のウェハの表面上の略中心にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハ上でレジストを拡散させることによってウェハの表面にレジスト液を塗布する、いわゆるスピンコーティング法が用いられている。
【0003】
このスピンコーティング法では、例えばスピンチャックにより真空吸着によってウェハを固定保持した状態で、回転駆動手段によりスピンチャックとともにウェハを回転させ、ウェハの上方に配置されたレジストノズルからウェハ表面の回転中心にレジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心力によってウェハの径方向外周側に向かって広がり(拡散し)、その後レジスト液の滴下は停止するが、回転を継続してウェハの表面に広がったレジスト液の振り切り乾燥を行っている(例えば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2001−307984号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところが、上記のレジスト塗布処理を行う塗布処理方法を用いて、半導体ウェハ等の基板上に少量のレジスト液を供給してレジストの塗布を行う場合、次のような問題があった。
【0006】
半導体デバイスのパターンの微細化と薄膜化とが要求されることから、そのようなフォトリソグラフィに適応できるレジスト液が種々開発されているが、レジスト液に種々の物性を具備することが要求されることから、レジスト液のコストが従来に増して高騰しつつあり、現状ではレジスト液は極めて高価なものとなっている。このため、レジスト液の消費量をより一層削減しなければならない状況にある。
【0007】
しかしながら供給するレジスト液が少量である場合、レジスト液が基板上の中心側から外周側へ拡散する際、基板上の外周側において、レジスト液が一様に拡散せず、例えばひげ状に拡散してしまう。いったんレジスト液がひげ状に拡散してレジスト膜が形成されてしまうと、その後レジスト膜を全ての場所で一様の厚さに揃えることはできない。そのため、少量のレジスト液を供給してウェハ上にレジスト液を一様に塗布することができず、レジスト液の消費量を削減することができないという問題があった。
【0008】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる塗布処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【0010】
第1の発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理方法において、第1の回転数で基板を回転させ、回転する前記基板の略中心上に塗布液を供給する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数で前記基板を回転させる第2の工程と、前記第2の工程の後に、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で前記基板を回転させる第3の工程と、前記第3の工程の後に、前記第2の回転数よりも高く前記第3の回転数よりも低い第4の回転数で前記基板を回転させる第4の工程とを有する。
【0011】
第2の発明は、第1の発明に係る塗布処理方法において、前記第4の回転数は、前記第1の回転数よりも低いことを特徴とする。
【0012】
第3の発明は、第1又は第2の発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程の直前は、前記第1の回転数よりも低い第5の回転数で前記基板を回転させており、前記第1の工程を開始する前に前記第5の回転数であった前記基板の回転数を、前記第1の工程を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させ、前記第1の工程を終了する時までに、前記基板の回転加速度を次第に減少させて、前記基板の回転数を前記第1の回転数に収束させることを特徴とする。
【0013】
第4の発明は、第3の発明に係る塗布処理方法において、塗布液をノズルから吐出することによって供給し、前記第1の工程に引続いて前記第2の工程の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、前記ノズルの移動により塗布液を吐出する位置が前記基板の略中心上からずらされることを特徴とする。
【0014】
第5の発明は、第4の発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程を終了すると同時に前記ノズルの移動を開始することを特徴とする。
【0015】
第6の発明は、第1乃至第5のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程において、供給された前記塗布液を前記基板の中心側から外周側へ拡散させ、前記第2の工程において、拡散した前記塗布液の形状を整え、前記第3の工程において、形状が整えられた前記塗布液を前記基板の更に外周側へ拡散させることを特徴とする。
【0016】
第7の発明は、第1乃至第6のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第4の工程の途中で、前記塗布液が流動性を失うことを特徴とする。
【0017】
第8の発明は、第1乃至第7のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第4の工程において、前記基板上の塗布液を振り切り、乾燥させることを特徴とする。
【0018】
第9の発明は、第1乃至第8のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記塗布液はレジスト液であることを特徴とする。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、塗布処理におけるレジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す正面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す背面図である。
【図4】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTを示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTを示す平面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTの制御系の構成を示す図である。
【図7】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を、従来のレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態と合わせて示すグラフである。
【図8】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。
【図9】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【図11】本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。
【図12】ノズルを移動させてレジスト液の吐出位置をウェハの略中心上からずらした状態を示す説明図である。
【図13】レジスト液の吐出位置をずらす場合のレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0021】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
(実施の形態)
図1乃至図3は、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す図であって、図1は平面図であり、図2はその正面図、図3はその背面図である。
【0022】
なお、本実施の形態に係るレジスト塗布方法は、本発明における塗布処理方法に相当する。
【0023】
塗布現像処理システム1は、図1に示すように、基板としてウェハWをウェハカセットCRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウェハカセットCRに対してウェハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウェハWを受け渡しするためのインターフェース部12とを一体に接続した構成を有している。
【0024】
カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、複数個たとえば4個までのウェハカセットCRが、それぞれのウェハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向に一列に載置されている。そして、このカセット配列方向(X方向)およびウェハカセットCR内に収容されたウェハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移動可能なウェハ搬送体21が各ウェハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0025】
さらにこのウェハ搬送体21は、θ方向に回転自在に構成されている。ウェハ搬送体21は、後述するように処理ステーション11側の第3の処理ユニット群G3の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)及びエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0026】
処理ステーション11には、図1に示すように、ウェハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウェハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の組にわたって多段に配置されている。
【0027】
主ウェハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウェハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、回転軸を中心としてウェハ搬送装置46と一体に回転し、それによりウェハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体49はモータによって回転される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成してもよい。
【0028】
ウェハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウェハWの受け渡しを実現している。
【0029】
また、図1に示すように、この例では、5つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構成である。第1および第2の処理ユニット群G1、G2の多段ユニットは、システム正面(図1において手前)側に配置されることが可能である。第3の処理ユニット部G3の多段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置されることが可能である。第4の処理ユニット群G4の多段ユニットはインターフェース部12に隣接して配置されることが可能である。第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【0030】
図2に示すように、第1の処理ユニット群G1では、カップCP内でウェハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置ユニットCOTおよび現像ユニットDEVが下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2でも、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置ユニットCOTおよび現像ユニットDEVが下から順に2段に重ねられている。これらのレジスト塗布装置ユニットCOTは、レジスト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0031】
図1及び図3に示すように、第3の処理ユニット群G3では、ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオープン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニットCOL、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニットAD、位置合わせを行うアライメントユニットALIM、エクステンションユニットEXT、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニットPREBAKEおよび露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニットPOBAKEが、下から順に例えば8段に重ねられている。
【0032】
第4の処理ユニット群G4でも、オープン型の処理ユニット、例えばクーリングユニットCOL、エクステンション・クーリングユニットEXTCOL、エクステンションユニットEXT、クーリングユニットCOL、プリベーキングユニットPREBAKEおよびポストベーキングユニットPOBAKEが下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0033】
このように処理温度の低いクーリングユニットCOL、エクステンション・クーリングユニットEXTCOLを下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニットPREBAKE及びポストベーキングユニットPOBAKEを上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0034】
インターフェース部12は、図1に示すように、奥行方向(X方向)については、処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配置され、さらに、中央部には、ウェハ搬送体24が設けられている。このウェハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするようになっている。ウェハ搬送体24は、θ方向にも回転自在となるように構成されている。ウェハ搬送体24は、処理ステーション11側の第4の処理ユニット群G4の多段ユニットに属するエクステンションユニットEXTや、さらには隣接する露光装置側のウェハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0035】
また塗布現像処理システム1では、図1に示すように、主ウェハ搬送機構22の背面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5の多段ユニットが配置できるようになっている。この第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウェハ搬送機構22からみて、側方へシフトできるように構成されている。したがって、この第5の処理ユニット群G5の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、案内レール25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウェハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは、そのように案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限られない。図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウェハ搬送機構22に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【0036】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTについて説明する。図4及び図5は、レジスト塗布装置ユニットCOTを示す断面図および平面図である。
【0037】
レジスト塗布装置ユニットCOTの中央部には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側にはスピンチャック52が配置されている。スピンチャック52は真空吸着によってウェハWを固定保持した状態で駆動モータ54によって回転駆動される。駆動モータ54は、ユニット底板50に設けられた開口50aに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材58を介してたとえばエアシリンダよりなる昇降駆動手段60及び昇降ガイド手段62と結合されている。駆動モータ54の側面には例えばSUSよりなる筒状の冷却ジャケット64が取り付けられ、フランジ部材58は、この冷却ジャケット64の上半部を覆うように取り付けられている。
【0038】
レジスト塗布時、フランジ部材58の下端58aは、開口50aの外周付近でユニット底板50に密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピンチャック52と主ウェハ搬送機構22の保持部材48との間でウェハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段60が駆動モータ54ないしスピンチャック52を上方へ持ち上げることでフランジ部材58の下端がユニット底板50から浮くようになっている。
【0039】
ウェハWの表面にレジスト液を供給するためのレジストノズル86は、レジスト供給管88を介して後述するレジスト供給部に接続されている。このレジストノズル86はレジストノズルスキャンアーム92の先端部にノズル保持体100を介して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャンアーム92は、ユニット底板50の上に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレール94上で水平移動可能な垂直支持部材96の上端部に取り付けられており、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材96と一体にY方向に移動するようになっている。なお、本実施の形態に係るレジストノズルは、本発明におけるノズルに相当する(以下の変形例においても同様)。
【0040】
またレジストノズルスキャンアーム92は、レジストノズル待機部90でレジストノズル86を選択的に取り付けるためにY方向と直角なX方向にも移動可能であり、図示しないX方向駆動機構によってX方向にも移動するようになっている。
【0041】
さらに、レジストノズル待機部90でレジストノズル86の吐出口が溶媒雰囲気室の口90aに挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しないようになっている。また、複数本のレジストノズル86が設けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分けられるようになっている。
【0042】
また、レジストノズルスキャンアーム92の先端部(ノズル保持体100)には、ウェハ表面へのレジスト液の供給に先立ってウェハ表面にウェハ表面を濡らすための溶剤例えばシンナーを供給する溶剤ノズル101が取り付けられている。この溶剤ノズル101は図示しない溶剤供給管を介して後述する溶剤供給部に接続されている。溶剤ノズル101とレジストノズル86はレジストノズルスキャンアーム92のY移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けられている。
【0043】
さらに、ガイドレール94上には、レジストノズルスキャンアーム92を支持する垂直支持部材96だけでなく、リンスノズルスキャンアーム120を支持しY方向に移動可能な垂直支持部材122も設けられている。Y方向駆動機構(図示せず)によってリンスノズルスキャンアーム120およびリンスノズル124はカップCPの側方に設定されたリンスノズル待機位置(実線の位置)とスピンチャック52に設置されているウェハWの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置(点線の位置)との間で並進または直線運動するようになっている。
【0044】
図6はレジスト塗布装置ユニットCOTの制御系の構成を示す図である。
【0045】
制御部130は、レジスト塗布装置ユニットCOT内の各部を制御するもので、例えば駆動モータ54の駆動を制御する他、レジスト供給部131や溶剤供給部132等を制御する。具体的には、制御部130は、駆動モータ54の回転速度を数段階、例えば後述するようにレジスト塗布時に4段階(シンナー供給も合わせると5段階)に制御する。また、制御部130は、レジスト供給部131からレジストノズル86へのレジスト液の供給や、溶剤供給部132から溶剤ノズル101への溶剤、例えばシンナーの供給を制御している。
【0046】
次に、図4、図5、図7及び図8を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、レジスト塗布装置ユニットCOTにおけるレジスト塗布の動作を説明する。図7は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を、従来のレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態と合わせて示すグラフである。図7(a)は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における回転制御の状態を示すグラフであり、図7(b)は、従来のレジスト塗布方法における回転制御の状態を示すグラフである。図8は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。なお、図7における各工程の時間の長さは、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の時間の長さに対応していない。同様に、図7における回転数も、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の回転数に対応していない。
【0047】
図4に示すように、主ウェハ搬送機構22の保持部材48によってレジスト塗布装置ユニットCOTのカップCPの真上までウェハWが搬送される。すると、そのウェハWは、例えばエアシリンダよりなる昇降駆動手段60及び昇降ガイド手段62によって上昇してきたスピンチャック52によって真空吸着される。主ウェハ搬送機構22はウェハWをスピンチャック52に真空吸着させた後、保持部材48をレジスト塗布装置ユニットCOT内から引き戻し、レジスト塗布装置ユニットCOTへのウェハWの受け渡しを終了する。
【0048】
次に、スピンチャック52は、ウェハWがカップCP内の定位置になるように、下降し、駆動モータ54によってスピンチャック52の回転駆動が開始される。
【0049】
次に、レジストノズル待機部90からのノズル保持体100の移動が開始される。ノズル保持体100の移動はY方向に沿って行われる。
【0050】
溶剤ノズル101の吐出口がスピンチャック52の中心(ウェハWの中心)上に到達したところで、溶剤、例えばシンナーを回転するウェハWの表面に供給する。ウェハ表面に供給された溶剤は、遠心力によってウェハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。
【0051】
次に、ノズル保持体100は、レジストノズル86の吐出口がスピンチャック52の中心(ウェハWの中心)上に到達するまでY方向に移動される。そして、レジストノズル86の吐出口からレジスト液PRが、回転するウェハWの表面の中心に滴下され、ウェハW表面へのレジスト塗布が行われる。
【0052】
本実施の形態では、制御部130によりウェハWの回転数(即ち、駆動モータ54の回転数)及びノズルからの溶剤又はレジスト液の吐出を制御し、図7(a)に示す、S0乃至S4の工程を実施する。なお、図7(a)に示すS1乃至S4の工程は、本発明における第1の工程乃至第4の工程のそれぞれに相当する。また、図8(a)乃至図8(d)のそれぞれは、図7(a)に示すS1乃至S4の工程が終わった後のウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。
【0053】
始めに、図7(a)のS0に示すプリウェット処理工程を行う。プリウェット処理工程は、レジスト液PRの塗布に先立ってシンナー等の溶剤でウェハW表面の表面全体を溶剤で濡らす、いわゆるプリウェット処理を行う工程である。具体的には、図7の(a)に示すように、ウェハWを0〜2000rpm、より好ましくは1000rpmの回転数(プリウェット回転数V0)まで加速し、回転させる。この状態で、ウェハWを回転させながら、例えば0.1秒間、溶剤ノズル101からウェハWの略中央にシンナーを供給してウェハWの径方向外周側に拡散させ、ウェハWの表面が溶剤で濡れた状態にする。プリウェット処理を行うことにより、レジスト液PRがより拡散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト液PRの液量で均一なレジスト膜を形成することができ、より一層レジスト液PRの消費量を削減することができる。
【0054】
次に、図7(a)のS1に示す第1の工程を行う。第1の工程S1は、第1の回転数V1で基板(ウェハW)を回転させ、回転する基板(ウェハW)の略中心上にレジスト液PRを供給し、供給されたレジスト液PRを基板(ウェハW)の中心側から外周側へ拡散させる工程である。具体的には、図7(a)のS1に示すように、ウェハWを2000〜4000rpm、より好ましくは2500rpmの回転数(第1の回転数V1)まで加速し、回転させながら、例えば1.5秒間、レジストノズル86からウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給してウェハWの径方向外周側に拡散させながら塗布する。また、図8(a)は、第1の工程が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0055】
ここで、第1の工程S1で供給するレジスト液PRの供給量は、ウェハWの径方向外周側に拡散させられるレジスト液PRの外周が、上記の回転数においてウェハWの外周にまで到達する場合の供給量の半分程度の量である。具体的には、第1の工程S1で、ウェハWの表面の中心側に供給されるレジスト液は、例えば0.5mlであり、従来供給していた1.0mlの半分である。そのため、図8(a)に示すように、第1の工程S1において、ウェハWの径方向中心側から外周側に拡散するレジスト液PRの外周は、ウェハWの外周まで到達せず、例えばウェハWの中心から外周までの距離の半分程度までしか到達しない。
【0056】
次に、図7(a)のS2に示す第2の工程を行う。第2の工程S2は、第1の工程S1の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2で基板(ウェハW)を回転させ、拡散したレジスト液PRの形状を整える工程である。具体的には、図7(a)のS2に示すように、ウェハWを50〜2000rpm、より好ましくは100rpmの回転数(第2の回転数V2)に減速し、回転させる。第2の工程S2を行う時間としては、例えば1.0秒程度が好ましい。また、図8(b)は、第2の工程S2が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0057】
図8(b)に示すように、第1の工程S1において、ウェハWの外周まで到達せず、例えばウェハWの中心から外周までの距離の半分程度までしか到達していないレジスト液PRの外周は、第2の工程S2においても、第1の工程S1における場合と略同じ位置にある。また、後述するように、拡散したレジスト液PRの外周では、レジスト液PRが外周に溜まり厚さが増大することによって、レジスト液PRの形状が整えられる。
【0058】
次に、図7(a)のS3に示す第3の工程を行う。第3の工程S3は、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハW)を回転させ、形状が整えられたレジスト液PRを基板(ウェハW)の径方向の更に外周側へ拡散させる工程である。具体的には、図7(a)のS3に示すように、ウェハWを1000〜4000rpm、より好ましくは1500rpmの回転数(第3の回転数V3)に加速し、回転させながら、第1の工程S1でウェハWの径方向中心から外周までの距離の半分程度まで拡散させたレジスト液PRを、基板の更に外周側へ拡散させる。第3の工程S3を行う時間としては、例えば2.5秒程度が好ましい。また、図8(c)は、第3の工程S3が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0059】
図8(c)に示すように、第3の工程S3において、ウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液PRの外周は、略ウェハWの外周まで到達する。また、第3の工程S3を行う時間は、第3の工程S3において、レジスト液PRが流動性を失わないように、3秒以下の短時間にすることが好ましい。換言すれば、第3の工程S3の後に行う第4の工程S4の途中で、レジスト液PRは流動性を失う。
【0060】
次に、第4の工程S4を行う。第4の工程S4は、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4で基板(ウェハW)を回転させ、基板上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させる工程である。また、第4の回転数V4は、第1の回転数V1よりも低くてもよい。具体的には、図7(a)に示すように、ウェハWを1000〜2000rpmの範囲で所望の膜厚にするための回転数(第4の回転数V4)に減速し、回転させながら、例えば30秒間、レジスト液PRの振り切り乾燥を行う。また、図8(d)は、第4の工程S4が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0061】
上記したように、第1の工程S1、すなわちレジスト液PRの供給時にウェハWを比較的高回転数である例えば2500rpm程度の第1の回転数V1で回転させる。これにより、プリウェット処理と相俟って、ウェハWの表面にマクロ的に均一にレジスト液PRを進展又は拡散させることができる。
【0062】
また、第2の工程S2及び第3の工程S3において、ウェハWを第1の回転数V1よりも低い回転数である第2の回転数V2で回転させ、その後、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で回転させる。これにより、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面全面にミクロ的にも均一にレジスト液を伸展又は拡散させることができる。また、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト塗布処理におけるレジスト液の消費量を削減することができる。
【0063】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを伸展又は拡散させることができる作用効果について説明する。また、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト塗布処理におけるレジスト液の消費量を削減することができる効果について、説明する。
【0064】
始めに、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、第4の工程S4であるレジスト液の振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを拡散させることができる作用効果について、説明する。
【0065】
例えば、回路パターン等の下地膜が形成されたウェハWのように、ウェハWの表面上に凹凸の溝が生じている場合を考える。この場合、従来のように振り切り乾燥時にウェハWをレジスト塗布時の回転数(第1の回転数V1)と同じ或いは第1の回転数V1よりも高い回転数で回転させると、例えばウェハWの表面上を遠心力によりウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液が凹凸の溝に十分に入り込まなくなり、凹凸の溝に形成されるレジストの膜厚が、他の位置に形成されたレジストの膜厚と比べて薄くなる。
【0066】
これに対して本実施の形態に係るレジスト塗布方法では、振り切り乾燥時にウェハWをレジスト塗布時の回転数(第1の回転数V1)よりも低い回転数(第2の回転数V2)で回転させている。そのため、ウェハWの表面をウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液PRが凹凸の溝にも均一に入り込み、ウェハWの表面に均一にレジスト液を拡散させることができる。
【0067】
よって、本実施の形態に係るレジスト塗布方法によれば、凹凸を有するウェハWの表面にマクロ的にもミクロ的にもレジスト膜を均一に形成することができる。
【0068】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、より少ない供給量で、レジスト液PRをウェハW全面に効率よく塗布することができ、レジスト液PRの消費量を削減することができる効果について説明する。以下、図8及び図9を参照し、更に、図7(a)に示す本実施の形態に係るレジスト塗布方法を図7(b)に示す従来のレジスト塗布方法と比較しながら説明する。図9は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図である。図9(a)乃至図9(d)は、第1の工程乃至第4の工程におけるウェハ上のレジスト液の状態を示す。
【0069】
始めに、第1の工程S1におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(a)は、第1の工程S1におけるウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。第1の工程S1において、ウェハWの表面の中心上にレジスト液PRを供給するとともに、供給するレジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させる。第1の工程S1において、ウェハWの表面は、レジスト液PRが拡散しやすくなるように、溶剤でプリウェット処理されており、レジスト液PRも表面張力がある程度小さくなるように調整されている。これにより、レジスト液PRは、ウェハWに接する下側が先にウェハWの径方向外周側に拡散し、表面側すなわち上側は、遅れてウェハWの径方向外周側に拡散する。従って、図9(a)に示すように、レジスト液PRは、外周側に向かって厚さが小さくなる断面形状を有する。
【0070】
次に、第2の工程S2におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(b)は、第2の工程S2におけるウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。第2の工程S2において、第1の回転数V1よりも低い回転数である第2の回転数V2に減速し、第2の回転数V2でウェハWを回転させるため、第2の工程S2においてレジスト液PRに作用する遠心力は、第1の工程S1における遠心力よりも小さくなる。そのため、レジスト液PRは、ウェハWに接する下側では、ウェハWの径方向外周側への拡散が止まる。しかしながら、レジスト液PRの表面側すなわち上側は、粘性が小さく流動性を有しているため、遠心力が小さくなった後も、慣性でウェハWの径方向外周側に拡散しようとする。従って、図9(b)に示すように、レジスト液PRは、外周側の表面側すなわち上側にレジスト液が溜まり、外周付近で厚さが極大となる断面形状を有する。
【0071】
次に、第3の工程S3におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(c)は、第3の工程S3におけるウェハW上のレジスト液の状態を示す。第3の工程S3において、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハW)を回転させ、形状が整えられたレジスト液PRを基板(ウェハW)の更に外周側へ拡散させる。前述したように、第2の工程S2においてレジスト液PRの外周付近で厚さが極大となっており、第1の工程S1よりレジスト液PRの外周付近で厚さが増大している。すなわち、レジスト液PRの外周付近の質量が増大している。また、遠心力は、遠心力を受ける物体の質量に比例し、物体の回転半径に比例し、回転数の2乗に比例する。従って、レジスト液の外周側のレジスト液の質量が増大したことによって、第3の回転数V3が第1の回転数V1と略等しい場合にも、第3の回転数V3において、第1の回転数V1におけるよりも大きな遠心力を受ける。その結果、全体としてレジスト液PRの量は変わらないのに、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に外周側へ拡散させることができ、ウェハWの径方向に沿ってウェハWの外周付近まで到達させることができる。また、第3の回転数V3が第1の回転数V1よりも高い場合には、第3の工程S3において、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に容易に外周側へ拡散させることができる。更に、第3の回転数V3が第1の回転数V1より低い場合でも、上述したレジスト液PRの形状が整えられることによって、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に外周側へ拡散させることができる。この結果、図9(c)に示すように、レジスト液PRは、ウェハWの略全面に拡散し、ウェハWの外周側に向かって厚さが小さくなる断面形状を有する。
【0072】
なお、各工程におけるレジスト液PRの状態は、レジスト液PR自体の表面張力、基板表面におけるレジスト液の濡れ性、レジスト液の粘度、レジスト液の密度によっては、図9(a)〜図9(d)に示す断面形状でない断面形状を有することもある。例えば、レジスト液の表面張力が大きく、基板表面での濡れ性が悪く、レジスト液の粘度が低く、レジスト液の密度が低い場合を仮定する。この場合、レジスト液PRは、第1の工程S1では、レジスト液PRの外周付近で厚さが極大となる断面形状を有し、第2の工程S2では、レジスト液PRの外周に向け厚さが小さくなる断面形状を有し、第3の工程S3では、再びレジスト液PRの外周付近で厚さが極大となる断面形状を有することもある。第1の工程S1で、ウェハWの表面のミクロな凹凸によりレジスト液PRの拡散が邪魔されていても、第2の工程S2で、いったんそのミクロな凹凸の位置から引き戻されたレジスト液PRが、再び加勢されてミクロな凹凸を越え、更にウェハWの径方向外周側へ拡散していくことがある。この場合、第1の工程S1乃至第3の工程S3におけるレジスト液PRの外周側と中心側との厚さの大小関係は、図9(a)乃至図9(c)に示すようなレジスト液PRの外周側と中心側との厚さの大小関係と略逆の大小関係を有する。その場合でも、図8(a)乃至図8(c)に示すように、第3の工程S3において、レジスト液PRが更にウェハWの径方向外周側へ拡散していく作用効果が得られる。
【0073】
また、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、レジスト液PRを供給しながらウェハWを第1の回転数V1で回転させ、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側へ拡散させる第1の工程を行い、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させ、レジスト液PRの形状を調える第2の工程を行った後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させる第3の工程を行うことによって、上述した作用効果が得られる。従って、第1の工程の後、第2の工程を行わず、直接第3の工程を行っても、本実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるような、レジスト消費量を削減する作用効果を得ることはできない。
【0074】
最後に、第4の工程S4におけるレジスト液の状態を説明する。図9(d)は、第4の工程S4におけるウェハW上のレジスト液の状態を示す。第4の工程S4において、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4で基板を回転させ、余計なレジスト液PRを振り切る。これによって、基板(ウェハW)の回転によって受ける遠心力とレジスト液PRの粘度による流動性とのバランスによってレジスト液PRを所定の膜厚にした状態で、レジスト液PRを乾燥させることによって流動性を失わせ、所定の膜厚のレジスト膜PRFを形成する。従って、図9(d)に示すように、レジスト膜PRFは、ウェハWの中心側から外周側に向け厚さが一定である断面形状を有する。
【0075】
一方、従来のレジスト塗布方法は、図7(b)に示すように、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における第3の工程S3を有しておらず、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における第2の工程S2の後、直接第4の工程S4を行う。また、従来のレジスト塗布方法においても、本実施の形態に係るレジスト塗布方法と同様に、第1の工程S1においては、ウェハWの表面に供給するレジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させるが、第2の工程S2においては、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させない。
【0076】
しかし、従来のレジスト塗布方法においては、第3の工程S3を有していないため、第1の工程S1で拡散させたレジスト液PRの外周を更にウェハWの径方向外周側に拡散させることができない。すなわち、第1の工程S1において、レジスト液PRの外周をウェハWの外周まで到達させなくてはならない。従って、既にウェハWの外周に到達するのに必要な量のレジスト液を供給しなくてはならず、第1の工程S1におけるレジスト液PRの供給量が多くなってしまう。
【0077】
従って、本実施の形態に係るレジスト塗布方法によれば、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハ)を回転させる第3の工程S3を行うことによって、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができる。その結果、基板(ウェハ)にレジストを塗布する際のレジスト液の消費量を削減することができる。
(実施の形態の変形例)
次に、図10乃至図13を参照し、本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法について説明する。
【0078】
本変形例に係るレジスト塗布方法は、第1の工程において、基板の回転数を次第に増大させ第1の回転数に収束させる点で、実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【0079】
なお、本変形例に係るレジスト塗布方法も、本発明における塗布処理方法に相当する。
【0080】
図10は、本変形例に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。図11は、本変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。図12は、ノズルを移動させてレジスト液の吐出位置をウェハの略中心上からずらした状態を示す説明図である。図13は、レジスト液の吐出位置をずらす場合のレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【0081】
なお、図7と同様に、図11における各工程の時間の長さは、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の時間の長さに対応していない。同様に、図11における回転数も、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の回転数に対応していない。
【0082】
また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【0083】
本変形例に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像処理システムは、実施の形態において図1乃至図3を用いて説明した塗布現像システムと同様にすることができる。また、本変形例に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットは、実施の形態において図4乃至図6を用いて説明したレジスト塗布装置ユニットCOTと同様にすることができる。
【0084】
一方、本変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、レジスト塗布装置ユニットCOTにおけるレジスト塗布の動作は、実施の形態に係る動作と相違する。
【0085】
本変形例では、制御部130によりウェハWの回転数(即ち、駆動モータ54の回転数)及びノズルからの溶剤又はレジスト液の吐出を制御し、図10に示すS0、S1´、S2乃至S4の工程を実施する(図10に示すS1´、S2乃至S4の工程も、本発明における第1の工程、第2の工程乃至第4の工程のそれぞれに相当する。)。また、本変形例において図10に示すS1´の工程は、実施の形態において図7(a)に示すS1の工程と相違する。
【0086】
本変形例において図10のS0に示すプリウェット処理工程は、レジスト液PRの塗布に先立ってシンナー等の溶剤でウェハW表面の表面全体を溶剤で濡らすプリウェット処理を行う工程であり、実施の形態において図7(a)のS0に示す工程と同様にすることができる。また、プリウェット処理工程におけるプリウェット回転数V0は、本発明における第5の回転数に相当する。
【0087】
次に、図10のS1´に示す第1の工程を行う。第1の工程S1´は、プリウェット回転数V0から第1の回転数V1までウェハWの回転を加速させ、回転するウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給し、供給されたレジスト液PRをウェハWの中心側から外周側へ拡散させる工程である。すなわち、第1の工程S1´の直前は、第1の回転数よりも低いプリウェット回転数V0でウェハWを回転させている。そして、第1の工程S1´を開始する前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転数を、第1の工程S1´を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させる。また、第1の工程を終了するときまでに、ウェハWの回転加速度を次第に減少させて、ウェハWの回転数を第1の回転数V1に収束させる。
【0088】
第1の工程S1´では、最初に、図示しないバルブが開放されて、レジストノズル86からレジスト液PRの吐出が開始され、プリウェット回転数V0で回転するウェハWの中心部にレジスト液PRが供給され始める。
【0089】
第1の工程S1´では、次に、ウェハWの回転数がプリウェット回転数V0から、高速の例えば2000〜4000rpm、より好ましくは2500rpm程度の回転数(第1の回転数V1)まで上げられる。第1の工程S1´の開始前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転は、その後回転数が連続的に滑らかに変動するように次第に増大する。このとき、ウェハWの回転加速度は、例えば零から次第に増大する。そして、第1の工程S1´の終了時には、ウェハWの回転加速度が次第に減少し、ウェハWの回転数が第1の回転数V1に滑らかに収束する。こうして、第1の工程S1´においては、図10に示すように、ウェハWの回転数がプリウェット回転数V0から第1の回転数V1に、S字状に変動する。
【0090】
次に、図10のS2に示す第2の工程を行う。第2の工程S2は、第1の工程S1´の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させ、拡散したレジスト液PRの形状を整える工程である。第2の工程S2は、実施の形態において図7(a)のS2に示す工程と同様にすることができる。
【0091】
次に、図10のS3に示す第3の工程を行う。第3の工程S3は、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させ、形状が整えられたレジスト液PRをウェハWの径方向の更に外周側へ拡散させる工程である。第3の工程S3は、実施の形態において図7(a)のS3に示す工程と同様にすることができる。
【0092】
次に、第4の工程S4を行う。第4の工程S4は、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4でウェハWを回転させ、ウェハW上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させる工程である。第4の工程S4は、実施の形態において図7(a)のS4に示す工程と同様にすることができる。
【0093】
本変形例に係るレジスト塗布方法においても、実施の形態と同様に、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを伸展又は拡散させることができる。また、実施の形態において図8及び図9を参照して説明したのと同様に、より少ない供給量で、レジスト液PRをウェハW全面に効率よく塗布することができ、レジスト液PRの消費量を削減することができる。
【0094】
更に、本変形例によれば、第1の工程S1´を開始する前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転数を、第1の工程S1´を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させる。また、第1の工程S1´を終了する時までに、ウェハWの回転加速度を次第に減少させて、ウェハWの回転数を第1の回転数V1に収束させるようにする。その結果、更に少量のレジスト液を塗布した場合であっても、塗布斑を抑制できる。従って、レジスト液の使用量を減らすことができ、より薄い膜を形成できる。また、コストの削減を図ることができる。
【0095】
本変形例に係るレジスト塗布方法を用いた場合に、更に少量のレジスト液であっても塗布斑を抑制できる理由の一つとして、以下のことが推察できる。
【0096】
第1の工程においてウェハWの回転数を一気に上昇させ、ウェハWを初めから第1の回転数V1で高速回転させた場合、図11(a)に示すように、レジスト液PRがウェハWの中心部に供給された直後に、レジスト液PRに強い遠心力がかかる。このため、レジスト液PRが外側方向に不規則にスジ状に広げられる。レジスト液PRが少量の場合、その後レジスト液PRがウェハWの全面に広げられたときに、スジ状の斑が塗布斑となって残る。
【0097】
一方、本変形例のようにウェハWの回転数をS字状に制御した場合、レジスト液PRが外側方向に均等に広げられる。図11(b)に示すように、レジスト液PRがウェハW上の略中心に供給された直後には、ウェハWの回転数が低回転数のままあまり変動しないので、強い遠心力がかからないためである。また、その後ウェハWの回転数が連続的に変動するので、ウェハW上のレジスト液PRが滑らかに広げられ、レジスト液PRが少量であっても塗布斑が発生しないと考えられる。
【0098】
更に、本変形例において、第1の工程S1´におけるレジストノズル86によるレジスト液PRの吐出が、第2の工程S2の途中まで継続して行われてもよい。また、第2の工程S2の途中まで継続して行われたレジスト液PRの吐出を終了させる際に、レジストノズル86を移動させてレジスト液PRの吐出位置をウェハWの略中心上からずらすようにしてもよい。すなわち、第1の工程S1´に引続いて第2の工程S2の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、ノズルの移動によりレジスト液を吐出する位置がウェハWの略中心上からずらされるようにしてもよい。
【0099】
例えば、第1の工程S1´を終了すると同時に、レジストノズル86が、図12に示すようにレジスト液PRを引き続き吐出した状態で、ウェハWの略中心(中心部A)の上方からウェハWの径方向に所定距離、例えば5mm以上、より好ましくは5〜30mm程度移動する。これにより、ウェハW上におけるレジスト液PRを吐出する位置PがウェハWの略中心(中心部A)上からずらされる。なお、このときのウェハWの回転数は、低速の100rpm程度の第2の速度V2に変更されている。レジストノズル86は、ウェハWの略中心(中心部A)上方から所定距離ずれたところで停止し、このとき図示しないバルブが閉鎖されてレジスト液PRの吐出が停止される。その後、引き続きウェハWが第2の速度V2で回転され、ウェハW上のレジスト液PRの形状が整えられる。つまり、図13に示すように、レジスト液PRの吐出は、第1の工程 S1´から第2の工程S2の途中まで行われ、第2の工程S2においてレジスト液PRの吐出が終了する際に、レジストノズル86が移動してレジスト液PRを吐出する位置PがウェハWの略中心(中心部A)上からずらされる。
【0100】
本変形例によれば、例えばレジストノズル86の液切れ時のレジスト液PRが第2の工程S2の低速度で回転しているウェハWに落下するので、そのレジスト液の急激な乾燥が防止される。加えてそのレジスト液PRがウェハWの略中心(中心部A)上よりずれた位置Pに落下するので、ウェハWの中心部よりも強い遠心力によりウェハ面内に適正に広げられる。この結果、レジストノズル86の吐出終了時の不安定な量や形のレジスト液が吐出された場合であっても、ウェハWの中心部付近に塗布斑ができることない。従って、少量のレジスト液を使用した場合であっても、最終的にウェハWの表面の全面において均一なレジスト膜を形成できる。
【実施例】
【0101】
次に、実施例により、本発明に係るレジスト塗布方法をさらに具体的に説明するが、本発明は、実施例により限定されて解釈されるものではない。
【0102】
本実施例では、本発明の実施の形態に示したレジスト塗布装置ユニットCOTを製造し、そのレジスト塗布装置COTを用いて実験を行うことにより、その効果を検証した。
(実施例)
実施例として、表1に示した本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法の処理レシピに基づくレジスト塗布処理を行い、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.3〜1.0mlの間で変化させた場合において、供給されたレジスト液でウェハ全面を被覆することが可能か否かの評価を行った。ウェハ全体を被覆することが可能かどうか否かの判定は、目視による確認により行った。
【0103】
【表1】
(比較例)
また、比較例として、表2に示した従来のレジスト塗布方法の処理レシピに基づくレジスト塗布処理を行った。実施例と同様に、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.3〜1.0mlの間で変化させた場合において、供給されたレジスト液でウェハ全面を被覆することが可能か否かの評価を行った。ウェハ全体を被覆することが可能かどうか否かの判定は、目視による確認により行った。
【0104】
【表2】
その結果、実施例においては、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.4mlに減少させた場合においても、ウェハ全面をレジスト液で被覆することが可能であった。
【0105】
一方、比較例において、ウェハ全面をレジスト液で被覆するためには、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量は少なくとも0.6mlが必要であり、0.6mlよりも少ない供給量でウェハ全面をレジスト液で被覆することができなかった。
【0106】
以上の結果より、従来ではウェハ全面を被覆することができない少量のレジスト液の供給量の場合においても、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うことによって、ウェハ全面をレジスト液で被覆することができる。すなわち、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うことによって、より少量のレジスト液の供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができることが、明らかになった。
【0107】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、上記した実施の形態では、レジスト液の塗布処理を例に採って説明したが、本発明は、レジスト液以外の他の塗布液、例えば反射防止膜、SOG(Spin On Glass)膜、SOD(Spin on Dielectric)膜などを形成する塗布液の塗布処理にも適用することができる。また、上記した実施の形態では、ウェハWに塗布処理を行う例であったが、本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のレチクルなどの他の基板の塗布処理にも適用することができる。
【符号の説明】
【0108】
1 塗布現像処理システム
10 カセットステーション
11 処理ステーション
12 インターフェース部
22 主ウェハ搬送機構
86 レジストノズル
88 レジスト供給管
90 レジストノズル待機部
92 レジストノズルスキャンアーム
94 ガイドレール
96 垂直支持部材
100 ノズル保持体
COT レジスト塗布装置ユニット
PR レジスト液
PRF レジスト膜
W ウェハ(基板)
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェハ等の基板上にレジスト等の塗布液を塗布処理する塗布処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、例えば半導体ウェハ(以下「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。このレジスト塗布処理では、回転中のウェハの表面上の略中心にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハ上でレジストを拡散させることによってウェハの表面にレジスト液を塗布する、いわゆるスピンコーティング法が用いられている。
【0003】
このスピンコーティング法では、例えばスピンチャックにより真空吸着によってウェハを固定保持した状態で、回転駆動手段によりスピンチャックとともにウェハを回転させ、ウェハの上方に配置されたレジストノズルからウェハ表面の回転中心にレジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心力によってウェハの径方向外周側に向かって広がり(拡散し)、その後レジスト液の滴下は停止するが、回転を継続してウェハの表面に広がったレジスト液の振り切り乾燥を行っている(例えば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2001−307984号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところが、上記のレジスト塗布処理を行う塗布処理方法を用いて、半導体ウェハ等の基板上に少量のレジスト液を供給してレジストの塗布を行う場合、次のような問題があった。
【0006】
半導体デバイスのパターンの微細化と薄膜化とが要求されることから、そのようなフォトリソグラフィに適応できるレジスト液が種々開発されているが、レジスト液に種々の物性を具備することが要求されることから、レジスト液のコストが従来に増して高騰しつつあり、現状ではレジスト液は極めて高価なものとなっている。このため、レジスト液の消費量をより一層削減しなければならない状況にある。
【0007】
しかしながら供給するレジスト液が少量である場合、レジスト液が基板上の中心側から外周側へ拡散する際、基板上の外周側において、レジスト液が一様に拡散せず、例えばひげ状に拡散してしまう。いったんレジスト液がひげ状に拡散してレジスト膜が形成されてしまうと、その後レジスト膜を全ての場所で一様の厚さに揃えることはできない。そのため、少量のレジスト液を供給してウェハ上にレジスト液を一様に塗布することができず、レジスト液の消費量を削減することができないという問題があった。
【0008】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる塗布処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【0010】
第1の発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理方法において、第1の回転数で基板を回転させ、回転する前記基板の略中心上に塗布液を供給する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数で前記基板を回転させる第2の工程と、前記第2の工程の後に、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で前記基板を回転させる第3の工程と、前記第3の工程の後に、前記第2の回転数よりも高く前記第3の回転数よりも低い第4の回転数で前記基板を回転させる第4の工程とを有する。
【0011】
第2の発明は、第1の発明に係る塗布処理方法において、前記第4の回転数は、前記第1の回転数よりも低いことを特徴とする。
【0012】
第3の発明は、第1又は第2の発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程の直前は、前記第1の回転数よりも低い第5の回転数で前記基板を回転させており、前記第1の工程を開始する前に前記第5の回転数であった前記基板の回転数を、前記第1の工程を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させ、前記第1の工程を終了する時までに、前記基板の回転加速度を次第に減少させて、前記基板の回転数を前記第1の回転数に収束させることを特徴とする。
【0013】
第4の発明は、第3の発明に係る塗布処理方法において、塗布液をノズルから吐出することによって供給し、前記第1の工程に引続いて前記第2の工程の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、前記ノズルの移動により塗布液を吐出する位置が前記基板の略中心上からずらされることを特徴とする。
【0014】
第5の発明は、第4の発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程を終了すると同時に前記ノズルの移動を開始することを特徴とする。
【0015】
第6の発明は、第1乃至第5のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第1の工程において、供給された前記塗布液を前記基板の中心側から外周側へ拡散させ、前記第2の工程において、拡散した前記塗布液の形状を整え、前記第3の工程において、形状が整えられた前記塗布液を前記基板の更に外周側へ拡散させることを特徴とする。
【0016】
第7の発明は、第1乃至第6のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第4の工程の途中で、前記塗布液が流動性を失うことを特徴とする。
【0017】
第8の発明は、第1乃至第7のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記第4の工程において、前記基板上の塗布液を振り切り、乾燥させることを特徴とする。
【0018】
第9の発明は、第1乃至第8のいずれか一つの発明に係る塗布処理方法において、前記塗布液はレジスト液であることを特徴とする。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、より少ない供給量で、レジスト液等の塗布液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、塗布処理におけるレジスト液等の塗布液の消費量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す正面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す背面図である。
【図4】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTを示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTを示す平面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTの制御系の構成を示す図である。
【図7】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を、従来のレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態と合わせて示すグラフである。
【図8】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。
【図9】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【図11】本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。
【図12】ノズルを移動させてレジスト液の吐出位置をウェハの略中心上からずらした状態を示す説明図である。
【図13】レジスト液の吐出位置をずらす場合のレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0021】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
(実施の形態)
図1乃至図3は、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像システムの全体構成を示す図であって、図1は平面図であり、図2はその正面図、図3はその背面図である。
【0022】
なお、本実施の形態に係るレジスト塗布方法は、本発明における塗布処理方法に相当する。
【0023】
塗布現像処理システム1は、図1に示すように、基板としてウェハWをウェハカセットCRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウェハカセットCRに対してウェハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウェハWを受け渡しするためのインターフェース部12とを一体に接続した構成を有している。
【0024】
カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、複数個たとえば4個までのウェハカセットCRが、それぞれのウェハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向に一列に載置されている。そして、このカセット配列方向(X方向)およびウェハカセットCR内に収容されたウェハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移動可能なウェハ搬送体21が各ウェハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0025】
さらにこのウェハ搬送体21は、θ方向に回転自在に構成されている。ウェハ搬送体21は、後述するように処理ステーション11側の第3の処理ユニット群G3の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)及びエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0026】
処理ステーション11には、図1に示すように、ウェハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウェハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の組にわたって多段に配置されている。
【0027】
主ウェハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウェハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、回転軸を中心としてウェハ搬送装置46と一体に回転し、それによりウェハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体49はモータによって回転される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成してもよい。
【0028】
ウェハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウェハWの受け渡しを実現している。
【0029】
また、図1に示すように、この例では、5つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構成である。第1および第2の処理ユニット群G1、G2の多段ユニットは、システム正面(図1において手前)側に配置されることが可能である。第3の処理ユニット部G3の多段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置されることが可能である。第4の処理ユニット群G4の多段ユニットはインターフェース部12に隣接して配置されることが可能である。第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【0030】
図2に示すように、第1の処理ユニット群G1では、カップCP内でウェハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置ユニットCOTおよび現像ユニットDEVが下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2でも、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置ユニットCOTおよび現像ユニットDEVが下から順に2段に重ねられている。これらのレジスト塗布装置ユニットCOTは、レジスト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0031】
図1及び図3に示すように、第3の処理ユニット群G3では、ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオープン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニットCOL、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニットAD、位置合わせを行うアライメントユニットALIM、エクステンションユニットEXT、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニットPREBAKEおよび露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニットPOBAKEが、下から順に例えば8段に重ねられている。
【0032】
第4の処理ユニット群G4でも、オープン型の処理ユニット、例えばクーリングユニットCOL、エクステンション・クーリングユニットEXTCOL、エクステンションユニットEXT、クーリングユニットCOL、プリベーキングユニットPREBAKEおよびポストベーキングユニットPOBAKEが下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0033】
このように処理温度の低いクーリングユニットCOL、エクステンション・クーリングユニットEXTCOLを下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニットPREBAKE及びポストベーキングユニットPOBAKEを上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0034】
インターフェース部12は、図1に示すように、奥行方向(X方向)については、処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配置され、さらに、中央部には、ウェハ搬送体24が設けられている。このウェハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするようになっている。ウェハ搬送体24は、θ方向にも回転自在となるように構成されている。ウェハ搬送体24は、処理ステーション11側の第4の処理ユニット群G4の多段ユニットに属するエクステンションユニットEXTや、さらには隣接する露光装置側のウェハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0035】
また塗布現像処理システム1では、図1に示すように、主ウェハ搬送機構22の背面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5の多段ユニットが配置できるようになっている。この第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウェハ搬送機構22からみて、側方へシフトできるように構成されている。したがって、この第5の処理ユニット群G5の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、案内レール25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウェハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第5の処理ユニット群G5の多段ユニットは、そのように案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限られない。図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウェハ搬送機構22に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【0036】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットCOTについて説明する。図4及び図5は、レジスト塗布装置ユニットCOTを示す断面図および平面図である。
【0037】
レジスト塗布装置ユニットCOTの中央部には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側にはスピンチャック52が配置されている。スピンチャック52は真空吸着によってウェハWを固定保持した状態で駆動モータ54によって回転駆動される。駆動モータ54は、ユニット底板50に設けられた開口50aに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材58を介してたとえばエアシリンダよりなる昇降駆動手段60及び昇降ガイド手段62と結合されている。駆動モータ54の側面には例えばSUSよりなる筒状の冷却ジャケット64が取り付けられ、フランジ部材58は、この冷却ジャケット64の上半部を覆うように取り付けられている。
【0038】
レジスト塗布時、フランジ部材58の下端58aは、開口50aの外周付近でユニット底板50に密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピンチャック52と主ウェハ搬送機構22の保持部材48との間でウェハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段60が駆動モータ54ないしスピンチャック52を上方へ持ち上げることでフランジ部材58の下端がユニット底板50から浮くようになっている。
【0039】
ウェハWの表面にレジスト液を供給するためのレジストノズル86は、レジスト供給管88を介して後述するレジスト供給部に接続されている。このレジストノズル86はレジストノズルスキャンアーム92の先端部にノズル保持体100を介して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャンアーム92は、ユニット底板50の上に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレール94上で水平移動可能な垂直支持部材96の上端部に取り付けられており、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材96と一体にY方向に移動するようになっている。なお、本実施の形態に係るレジストノズルは、本発明におけるノズルに相当する(以下の変形例においても同様)。
【0040】
またレジストノズルスキャンアーム92は、レジストノズル待機部90でレジストノズル86を選択的に取り付けるためにY方向と直角なX方向にも移動可能であり、図示しないX方向駆動機構によってX方向にも移動するようになっている。
【0041】
さらに、レジストノズル待機部90でレジストノズル86の吐出口が溶媒雰囲気室の口90aに挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しないようになっている。また、複数本のレジストノズル86が設けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分けられるようになっている。
【0042】
また、レジストノズルスキャンアーム92の先端部(ノズル保持体100)には、ウェハ表面へのレジスト液の供給に先立ってウェハ表面にウェハ表面を濡らすための溶剤例えばシンナーを供給する溶剤ノズル101が取り付けられている。この溶剤ノズル101は図示しない溶剤供給管を介して後述する溶剤供給部に接続されている。溶剤ノズル101とレジストノズル86はレジストノズルスキャンアーム92のY移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けられている。
【0043】
さらに、ガイドレール94上には、レジストノズルスキャンアーム92を支持する垂直支持部材96だけでなく、リンスノズルスキャンアーム120を支持しY方向に移動可能な垂直支持部材122も設けられている。Y方向駆動機構(図示せず)によってリンスノズルスキャンアーム120およびリンスノズル124はカップCPの側方に設定されたリンスノズル待機位置(実線の位置)とスピンチャック52に設置されているウェハWの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置(点線の位置)との間で並進または直線運動するようになっている。
【0044】
図6はレジスト塗布装置ユニットCOTの制御系の構成を示す図である。
【0045】
制御部130は、レジスト塗布装置ユニットCOT内の各部を制御するもので、例えば駆動モータ54の駆動を制御する他、レジスト供給部131や溶剤供給部132等を制御する。具体的には、制御部130は、駆動モータ54の回転速度を数段階、例えば後述するようにレジスト塗布時に4段階(シンナー供給も合わせると5段階)に制御する。また、制御部130は、レジスト供給部131からレジストノズル86へのレジスト液の供給や、溶剤供給部132から溶剤ノズル101への溶剤、例えばシンナーの供給を制御している。
【0046】
次に、図4、図5、図7及び図8を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、レジスト塗布装置ユニットCOTにおけるレジスト塗布の動作を説明する。図7は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を、従来のレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態と合わせて示すグラフである。図7(a)は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における回転制御の状態を示すグラフであり、図7(b)は、従来のレジスト塗布方法における回転制御の状態を示すグラフである。図8は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。なお、図7における各工程の時間の長さは、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の時間の長さに対応していない。同様に、図7における回転数も、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の回転数に対応していない。
【0047】
図4に示すように、主ウェハ搬送機構22の保持部材48によってレジスト塗布装置ユニットCOTのカップCPの真上までウェハWが搬送される。すると、そのウェハWは、例えばエアシリンダよりなる昇降駆動手段60及び昇降ガイド手段62によって上昇してきたスピンチャック52によって真空吸着される。主ウェハ搬送機構22はウェハWをスピンチャック52に真空吸着させた後、保持部材48をレジスト塗布装置ユニットCOT内から引き戻し、レジスト塗布装置ユニットCOTへのウェハWの受け渡しを終了する。
【0048】
次に、スピンチャック52は、ウェハWがカップCP内の定位置になるように、下降し、駆動モータ54によってスピンチャック52の回転駆動が開始される。
【0049】
次に、レジストノズル待機部90からのノズル保持体100の移動が開始される。ノズル保持体100の移動はY方向に沿って行われる。
【0050】
溶剤ノズル101の吐出口がスピンチャック52の中心(ウェハWの中心)上に到達したところで、溶剤、例えばシンナーを回転するウェハWの表面に供給する。ウェハ表面に供給された溶剤は、遠心力によってウェハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。
【0051】
次に、ノズル保持体100は、レジストノズル86の吐出口がスピンチャック52の中心(ウェハWの中心)上に到達するまでY方向に移動される。そして、レジストノズル86の吐出口からレジスト液PRが、回転するウェハWの表面の中心に滴下され、ウェハW表面へのレジスト塗布が行われる。
【0052】
本実施の形態では、制御部130によりウェハWの回転数(即ち、駆動モータ54の回転数)及びノズルからの溶剤又はレジスト液の吐出を制御し、図7(a)に示す、S0乃至S4の工程を実施する。なお、図7(a)に示すS1乃至S4の工程は、本発明における第1の工程乃至第4の工程のそれぞれに相当する。また、図8(a)乃至図8(d)のそれぞれは、図7(a)に示すS1乃至S4の工程が終わった後のウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。
【0053】
始めに、図7(a)のS0に示すプリウェット処理工程を行う。プリウェット処理工程は、レジスト液PRの塗布に先立ってシンナー等の溶剤でウェハW表面の表面全体を溶剤で濡らす、いわゆるプリウェット処理を行う工程である。具体的には、図7の(a)に示すように、ウェハWを0〜2000rpm、より好ましくは1000rpmの回転数(プリウェット回転数V0)まで加速し、回転させる。この状態で、ウェハWを回転させながら、例えば0.1秒間、溶剤ノズル101からウェハWの略中央にシンナーを供給してウェハWの径方向外周側に拡散させ、ウェハWの表面が溶剤で濡れた状態にする。プリウェット処理を行うことにより、レジスト液PRがより拡散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト液PRの液量で均一なレジスト膜を形成することができ、より一層レジスト液PRの消費量を削減することができる。
【0054】
次に、図7(a)のS1に示す第1の工程を行う。第1の工程S1は、第1の回転数V1で基板(ウェハW)を回転させ、回転する基板(ウェハW)の略中心上にレジスト液PRを供給し、供給されたレジスト液PRを基板(ウェハW)の中心側から外周側へ拡散させる工程である。具体的には、図7(a)のS1に示すように、ウェハWを2000〜4000rpm、より好ましくは2500rpmの回転数(第1の回転数V1)まで加速し、回転させながら、例えば1.5秒間、レジストノズル86からウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給してウェハWの径方向外周側に拡散させながら塗布する。また、図8(a)は、第1の工程が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0055】
ここで、第1の工程S1で供給するレジスト液PRの供給量は、ウェハWの径方向外周側に拡散させられるレジスト液PRの外周が、上記の回転数においてウェハWの外周にまで到達する場合の供給量の半分程度の量である。具体的には、第1の工程S1で、ウェハWの表面の中心側に供給されるレジスト液は、例えば0.5mlであり、従来供給していた1.0mlの半分である。そのため、図8(a)に示すように、第1の工程S1において、ウェハWの径方向中心側から外周側に拡散するレジスト液PRの外周は、ウェハWの外周まで到達せず、例えばウェハWの中心から外周までの距離の半分程度までしか到達しない。
【0056】
次に、図7(a)のS2に示す第2の工程を行う。第2の工程S2は、第1の工程S1の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2で基板(ウェハW)を回転させ、拡散したレジスト液PRの形状を整える工程である。具体的には、図7(a)のS2に示すように、ウェハWを50〜2000rpm、より好ましくは100rpmの回転数(第2の回転数V2)に減速し、回転させる。第2の工程S2を行う時間としては、例えば1.0秒程度が好ましい。また、図8(b)は、第2の工程S2が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0057】
図8(b)に示すように、第1の工程S1において、ウェハWの外周まで到達せず、例えばウェハWの中心から外周までの距離の半分程度までしか到達していないレジスト液PRの外周は、第2の工程S2においても、第1の工程S1における場合と略同じ位置にある。また、後述するように、拡散したレジスト液PRの外周では、レジスト液PRが外周に溜まり厚さが増大することによって、レジスト液PRの形状が整えられる。
【0058】
次に、図7(a)のS3に示す第3の工程を行う。第3の工程S3は、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハW)を回転させ、形状が整えられたレジスト液PRを基板(ウェハW)の径方向の更に外周側へ拡散させる工程である。具体的には、図7(a)のS3に示すように、ウェハWを1000〜4000rpm、より好ましくは1500rpmの回転数(第3の回転数V3)に加速し、回転させながら、第1の工程S1でウェハWの径方向中心から外周までの距離の半分程度まで拡散させたレジスト液PRを、基板の更に外周側へ拡散させる。第3の工程S3を行う時間としては、例えば2.5秒程度が好ましい。また、図8(c)は、第3の工程S3が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0059】
図8(c)に示すように、第3の工程S3において、ウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液PRの外周は、略ウェハWの外周まで到達する。また、第3の工程S3を行う時間は、第3の工程S3において、レジスト液PRが流動性を失わないように、3秒以下の短時間にすることが好ましい。換言すれば、第3の工程S3の後に行う第4の工程S4の途中で、レジスト液PRは流動性を失う。
【0060】
次に、第4の工程S4を行う。第4の工程S4は、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4で基板(ウェハW)を回転させ、基板上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させる工程である。また、第4の回転数V4は、第1の回転数V1よりも低くてもよい。具体的には、図7(a)に示すように、ウェハWを1000〜2000rpmの範囲で所望の膜厚にするための回転数(第4の回転数V4)に減速し、回転させながら、例えば30秒間、レジスト液PRの振り切り乾燥を行う。また、図8(d)は、第4の工程S4が行われた後のウェハWの状態を示す平面図である。
【0061】
上記したように、第1の工程S1、すなわちレジスト液PRの供給時にウェハWを比較的高回転数である例えば2500rpm程度の第1の回転数V1で回転させる。これにより、プリウェット処理と相俟って、ウェハWの表面にマクロ的に均一にレジスト液PRを進展又は拡散させることができる。
【0062】
また、第2の工程S2及び第3の工程S3において、ウェハWを第1の回転数V1よりも低い回転数である第2の回転数V2で回転させ、その後、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で回転させる。これにより、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面全面にミクロ的にも均一にレジスト液を伸展又は拡散させることができる。また、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト塗布処理におけるレジスト液の消費量を削減することができる。
【0063】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを伸展又は拡散させることができる作用効果について説明する。また、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができ、レジスト塗布処理におけるレジスト液の消費量を削減することができる効果について、説明する。
【0064】
始めに、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、第4の工程S4であるレジスト液の振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを拡散させることができる作用効果について、説明する。
【0065】
例えば、回路パターン等の下地膜が形成されたウェハWのように、ウェハWの表面上に凹凸の溝が生じている場合を考える。この場合、従来のように振り切り乾燥時にウェハWをレジスト塗布時の回転数(第1の回転数V1)と同じ或いは第1の回転数V1よりも高い回転数で回転させると、例えばウェハWの表面上を遠心力によりウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液が凹凸の溝に十分に入り込まなくなり、凹凸の溝に形成されるレジストの膜厚が、他の位置に形成されたレジストの膜厚と比べて薄くなる。
【0066】
これに対して本実施の形態に係るレジスト塗布方法では、振り切り乾燥時にウェハWをレジスト塗布時の回転数(第1の回転数V1)よりも低い回転数(第2の回転数V2)で回転させている。そのため、ウェハWの表面をウェハWの径方向外周側に拡散するレジスト液PRが凹凸の溝にも均一に入り込み、ウェハWの表面に均一にレジスト液を拡散させることができる。
【0067】
よって、本実施の形態に係るレジスト塗布方法によれば、凹凸を有するウェハWの表面にマクロ的にもミクロ的にもレジスト膜を均一に形成することができる。
【0068】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、より少ない供給量で、レジスト液PRをウェハW全面に効率よく塗布することができ、レジスト液PRの消費量を削減することができる効果について説明する。以下、図8及び図9を参照し、更に、図7(a)に示す本実施の形態に係るレジスト塗布方法を図7(b)に示す従来のレジスト塗布方法と比較しながら説明する。図9は、本実施の形態に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図である。図9(a)乃至図9(d)は、第1の工程乃至第4の工程におけるウェハ上のレジスト液の状態を示す。
【0069】
始めに、第1の工程S1におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(a)は、第1の工程S1におけるウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。第1の工程S1において、ウェハWの表面の中心上にレジスト液PRを供給するとともに、供給するレジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させる。第1の工程S1において、ウェハWの表面は、レジスト液PRが拡散しやすくなるように、溶剤でプリウェット処理されており、レジスト液PRも表面張力がある程度小さくなるように調整されている。これにより、レジスト液PRは、ウェハWに接する下側が先にウェハWの径方向外周側に拡散し、表面側すなわち上側は、遅れてウェハWの径方向外周側に拡散する。従って、図9(a)に示すように、レジスト液PRは、外周側に向かって厚さが小さくなる断面形状を有する。
【0070】
次に、第2の工程S2におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(b)は、第2の工程S2におけるウェハW上のレジスト液PRの状態を示す。第2の工程S2において、第1の回転数V1よりも低い回転数である第2の回転数V2に減速し、第2の回転数V2でウェハWを回転させるため、第2の工程S2においてレジスト液PRに作用する遠心力は、第1の工程S1における遠心力よりも小さくなる。そのため、レジスト液PRは、ウェハWに接する下側では、ウェハWの径方向外周側への拡散が止まる。しかしながら、レジスト液PRの表面側すなわち上側は、粘性が小さく流動性を有しているため、遠心力が小さくなった後も、慣性でウェハWの径方向外周側に拡散しようとする。従って、図9(b)に示すように、レジスト液PRは、外周側の表面側すなわち上側にレジスト液が溜まり、外周付近で厚さが極大となる断面形状を有する。
【0071】
次に、第3の工程S3におけるレジスト液PRの状態を説明する。図9(c)は、第3の工程S3におけるウェハW上のレジスト液の状態を示す。第3の工程S3において、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハW)を回転させ、形状が整えられたレジスト液PRを基板(ウェハW)の更に外周側へ拡散させる。前述したように、第2の工程S2においてレジスト液PRの外周付近で厚さが極大となっており、第1の工程S1よりレジスト液PRの外周付近で厚さが増大している。すなわち、レジスト液PRの外周付近の質量が増大している。また、遠心力は、遠心力を受ける物体の質量に比例し、物体の回転半径に比例し、回転数の2乗に比例する。従って、レジスト液の外周側のレジスト液の質量が増大したことによって、第3の回転数V3が第1の回転数V1と略等しい場合にも、第3の回転数V3において、第1の回転数V1におけるよりも大きな遠心力を受ける。その結果、全体としてレジスト液PRの量は変わらないのに、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に外周側へ拡散させることができ、ウェハWの径方向に沿ってウェハWの外周付近まで到達させることができる。また、第3の回転数V3が第1の回転数V1よりも高い場合には、第3の工程S3において、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に容易に外周側へ拡散させることができる。更に、第3の回転数V3が第1の回転数V1より低い場合でも、上述したレジスト液PRの形状が整えられることによって、レジスト液PRをウェハWの径方向に沿って更に外周側へ拡散させることができる。この結果、図9(c)に示すように、レジスト液PRは、ウェハWの略全面に拡散し、ウェハWの外周側に向かって厚さが小さくなる断面形状を有する。
【0072】
なお、各工程におけるレジスト液PRの状態は、レジスト液PR自体の表面張力、基板表面におけるレジスト液の濡れ性、レジスト液の粘度、レジスト液の密度によっては、図9(a)〜図9(d)に示す断面形状でない断面形状を有することもある。例えば、レジスト液の表面張力が大きく、基板表面での濡れ性が悪く、レジスト液の粘度が低く、レジスト液の密度が低い場合を仮定する。この場合、レジスト液PRは、第1の工程S1では、レジスト液PRの外周付近で厚さが極大となる断面形状を有し、第2の工程S2では、レジスト液PRの外周に向け厚さが小さくなる断面形状を有し、第3の工程S3では、再びレジスト液PRの外周付近で厚さが極大となる断面形状を有することもある。第1の工程S1で、ウェハWの表面のミクロな凹凸によりレジスト液PRの拡散が邪魔されていても、第2の工程S2で、いったんそのミクロな凹凸の位置から引き戻されたレジスト液PRが、再び加勢されてミクロな凹凸を越え、更にウェハWの径方向外周側へ拡散していくことがある。この場合、第1の工程S1乃至第3の工程S3におけるレジスト液PRの外周側と中心側との厚さの大小関係は、図9(a)乃至図9(c)に示すようなレジスト液PRの外周側と中心側との厚さの大小関係と略逆の大小関係を有する。その場合でも、図8(a)乃至図8(c)に示すように、第3の工程S3において、レジスト液PRが更にウェハWの径方向外周側へ拡散していく作用効果が得られる。
【0073】
また、本実施の形態に係るレジスト塗布方法において、レジスト液PRを供給しながらウェハWを第1の回転数V1で回転させ、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側へ拡散させる第1の工程を行い、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させ、レジスト液PRの形状を調える第2の工程を行った後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させる第3の工程を行うことによって、上述した作用効果が得られる。従って、第1の工程の後、第2の工程を行わず、直接第3の工程を行っても、本実施の形態に係るレジスト塗布方法におけるような、レジスト消費量を削減する作用効果を得ることはできない。
【0074】
最後に、第4の工程S4におけるレジスト液の状態を説明する。図9(d)は、第4の工程S4におけるウェハW上のレジスト液の状態を示す。第4の工程S4において、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4で基板を回転させ、余計なレジスト液PRを振り切る。これによって、基板(ウェハW)の回転によって受ける遠心力とレジスト液PRの粘度による流動性とのバランスによってレジスト液PRを所定の膜厚にした状態で、レジスト液PRを乾燥させることによって流動性を失わせ、所定の膜厚のレジスト膜PRFを形成する。従って、図9(d)に示すように、レジスト膜PRFは、ウェハWの中心側から外周側に向け厚さが一定である断面形状を有する。
【0075】
一方、従来のレジスト塗布方法は、図7(b)に示すように、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における第3の工程S3を有しておらず、本実施の形態に係るレジスト塗布方法における第2の工程S2の後、直接第4の工程S4を行う。また、従来のレジスト塗布方法においても、本実施の形態に係るレジスト塗布方法と同様に、第1の工程S1においては、ウェハWの表面に供給するレジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させるが、第2の工程S2においては、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させない。
【0076】
しかし、従来のレジスト塗布方法においては、第3の工程S3を有していないため、第1の工程S1で拡散させたレジスト液PRの外周を更にウェハWの径方向外周側に拡散させることができない。すなわち、第1の工程S1において、レジスト液PRの外周をウェハWの外周まで到達させなくてはならない。従って、既にウェハWの外周に到達するのに必要な量のレジスト液を供給しなくてはならず、第1の工程S1におけるレジスト液PRの供給量が多くなってしまう。
【0077】
従って、本実施の形態に係るレジスト塗布方法によれば、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3で基板(ウェハ)を回転させる第3の工程S3を行うことによって、より少ない供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができる。その結果、基板(ウェハ)にレジストを塗布する際のレジスト液の消費量を削減することができる。
(実施の形態の変形例)
次に、図10乃至図13を参照し、本発明の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布方法について説明する。
【0078】
本変形例に係るレジスト塗布方法は、第1の工程において、基板の回転数を次第に増大させ第1の回転数に収束させる点で、実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【0079】
なお、本変形例に係るレジスト塗布方法も、本発明における塗布処理方法に相当する。
【0080】
図10は、本変形例に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。図11は、本変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、ウェハ上のレジスト液の状態を示す平面図である。図12は、ノズルを移動させてレジスト液の吐出位置をウェハの略中心上からずらした状態を示す説明図である。図13は、レジスト液の吐出位置をずらす場合のレジスト塗布装置ユニットの回転制御の状態を示すグラフである。
【0081】
なお、図7と同様に、図11における各工程の時間の長さは、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の時間の長さに対応していない。同様に、図11における回転数も、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の回転数に対応していない。
【0082】
また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【0083】
本変形例に係るレジスト塗布方法を行うために用いるレジスト塗布装置を備える塗布現像処理システムは、実施の形態において図1乃至図3を用いて説明した塗布現像システムと同様にすることができる。また、本変形例に係るレジスト塗布方法を行うためのレジスト塗布装置ユニットは、実施の形態において図4乃至図6を用いて説明したレジスト塗布装置ユニットCOTと同様にすることができる。
【0084】
一方、本変形例に係るレジスト塗布方法を行う際の、レジスト塗布装置ユニットCOTにおけるレジスト塗布の動作は、実施の形態に係る動作と相違する。
【0085】
本変形例では、制御部130によりウェハWの回転数(即ち、駆動モータ54の回転数)及びノズルからの溶剤又はレジスト液の吐出を制御し、図10に示すS0、S1´、S2乃至S4の工程を実施する(図10に示すS1´、S2乃至S4の工程も、本発明における第1の工程、第2の工程乃至第4の工程のそれぞれに相当する。)。また、本変形例において図10に示すS1´の工程は、実施の形態において図7(a)に示すS1の工程と相違する。
【0086】
本変形例において図10のS0に示すプリウェット処理工程は、レジスト液PRの塗布に先立ってシンナー等の溶剤でウェハW表面の表面全体を溶剤で濡らすプリウェット処理を行う工程であり、実施の形態において図7(a)のS0に示す工程と同様にすることができる。また、プリウェット処理工程におけるプリウェット回転数V0は、本発明における第5の回転数に相当する。
【0087】
次に、図10のS1´に示す第1の工程を行う。第1の工程S1´は、プリウェット回転数V0から第1の回転数V1までウェハWの回転を加速させ、回転するウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給し、供給されたレジスト液PRをウェハWの中心側から外周側へ拡散させる工程である。すなわち、第1の工程S1´の直前は、第1の回転数よりも低いプリウェット回転数V0でウェハWを回転させている。そして、第1の工程S1´を開始する前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転数を、第1の工程S1´を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させる。また、第1の工程を終了するときまでに、ウェハWの回転加速度を次第に減少させて、ウェハWの回転数を第1の回転数V1に収束させる。
【0088】
第1の工程S1´では、最初に、図示しないバルブが開放されて、レジストノズル86からレジスト液PRの吐出が開始され、プリウェット回転数V0で回転するウェハWの中心部にレジスト液PRが供給され始める。
【0089】
第1の工程S1´では、次に、ウェハWの回転数がプリウェット回転数V0から、高速の例えば2000〜4000rpm、より好ましくは2500rpm程度の回転数(第1の回転数V1)まで上げられる。第1の工程S1´の開始前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転は、その後回転数が連続的に滑らかに変動するように次第に増大する。このとき、ウェハWの回転加速度は、例えば零から次第に増大する。そして、第1の工程S1´の終了時には、ウェハWの回転加速度が次第に減少し、ウェハWの回転数が第1の回転数V1に滑らかに収束する。こうして、第1の工程S1´においては、図10に示すように、ウェハWの回転数がプリウェット回転数V0から第1の回転数V1に、S字状に変動する。
【0090】
次に、図10のS2に示す第2の工程を行う。第2の工程S2は、第1の工程S1´の後に、第1の回転数V1よりも低い第2の回転数V2でウェハWを回転させ、拡散したレジスト液PRの形状を整える工程である。第2の工程S2は、実施の形態において図7(a)のS2に示す工程と同様にすることができる。
【0091】
次に、図10のS3に示す第3の工程を行う。第3の工程S3は、第2の工程S2の後に、第2の回転数V2よりも高い第3の回転数V3でウェハWを回転させ、形状が整えられたレジスト液PRをウェハWの径方向の更に外周側へ拡散させる工程である。第3の工程S3は、実施の形態において図7(a)のS3に示す工程と同様にすることができる。
【0092】
次に、第4の工程S4を行う。第4の工程S4は、第3の工程S3の後に、第2の回転数V2よりも高く第3の回転数V3よりも低い第4の回転数V4でウェハWを回転させ、ウェハW上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させる工程である。第4の工程S4は、実施の形態において図7(a)のS4に示す工程と同様にすることができる。
【0093】
本変形例に係るレジスト塗布方法においても、実施の形態と同様に、第4の工程S4であるレジスト液PRの振り切り乾燥時に、ウェハWの表面にミクロ的にも均一にレジスト液PRを伸展又は拡散させることができる。また、実施の形態において図8及び図9を参照して説明したのと同様に、より少ない供給量で、レジスト液PRをウェハW全面に効率よく塗布することができ、レジスト液PRの消費量を削減することができる。
【0094】
更に、本変形例によれば、第1の工程S1´を開始する前にプリウェット回転数V0であったウェハWの回転数を、第1の工程S1´を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させる。また、第1の工程S1´を終了する時までに、ウェハWの回転加速度を次第に減少させて、ウェハWの回転数を第1の回転数V1に収束させるようにする。その結果、更に少量のレジスト液を塗布した場合であっても、塗布斑を抑制できる。従って、レジスト液の使用量を減らすことができ、より薄い膜を形成できる。また、コストの削減を図ることができる。
【0095】
本変形例に係るレジスト塗布方法を用いた場合に、更に少量のレジスト液であっても塗布斑を抑制できる理由の一つとして、以下のことが推察できる。
【0096】
第1の工程においてウェハWの回転数を一気に上昇させ、ウェハWを初めから第1の回転数V1で高速回転させた場合、図11(a)に示すように、レジスト液PRがウェハWの中心部に供給された直後に、レジスト液PRに強い遠心力がかかる。このため、レジスト液PRが外側方向に不規則にスジ状に広げられる。レジスト液PRが少量の場合、その後レジスト液PRがウェハWの全面に広げられたときに、スジ状の斑が塗布斑となって残る。
【0097】
一方、本変形例のようにウェハWの回転数をS字状に制御した場合、レジスト液PRが外側方向に均等に広げられる。図11(b)に示すように、レジスト液PRがウェハW上の略中心に供給された直後には、ウェハWの回転数が低回転数のままあまり変動しないので、強い遠心力がかからないためである。また、その後ウェハWの回転数が連続的に変動するので、ウェハW上のレジスト液PRが滑らかに広げられ、レジスト液PRが少量であっても塗布斑が発生しないと考えられる。
【0098】
更に、本変形例において、第1の工程S1´におけるレジストノズル86によるレジスト液PRの吐出が、第2の工程S2の途中まで継続して行われてもよい。また、第2の工程S2の途中まで継続して行われたレジスト液PRの吐出を終了させる際に、レジストノズル86を移動させてレジスト液PRの吐出位置をウェハWの略中心上からずらすようにしてもよい。すなわち、第1の工程S1´に引続いて第2の工程S2の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、ノズルの移動によりレジスト液を吐出する位置がウェハWの略中心上からずらされるようにしてもよい。
【0099】
例えば、第1の工程S1´を終了すると同時に、レジストノズル86が、図12に示すようにレジスト液PRを引き続き吐出した状態で、ウェハWの略中心(中心部A)の上方からウェハWの径方向に所定距離、例えば5mm以上、より好ましくは5〜30mm程度移動する。これにより、ウェハW上におけるレジスト液PRを吐出する位置PがウェハWの略中心(中心部A)上からずらされる。なお、このときのウェハWの回転数は、低速の100rpm程度の第2の速度V2に変更されている。レジストノズル86は、ウェハWの略中心(中心部A)上方から所定距離ずれたところで停止し、このとき図示しないバルブが閉鎖されてレジスト液PRの吐出が停止される。その後、引き続きウェハWが第2の速度V2で回転され、ウェハW上のレジスト液PRの形状が整えられる。つまり、図13に示すように、レジスト液PRの吐出は、第1の工程 S1´から第2の工程S2の途中まで行われ、第2の工程S2においてレジスト液PRの吐出が終了する際に、レジストノズル86が移動してレジスト液PRを吐出する位置PがウェハWの略中心(中心部A)上からずらされる。
【0100】
本変形例によれば、例えばレジストノズル86の液切れ時のレジスト液PRが第2の工程S2の低速度で回転しているウェハWに落下するので、そのレジスト液の急激な乾燥が防止される。加えてそのレジスト液PRがウェハWの略中心(中心部A)上よりずれた位置Pに落下するので、ウェハWの中心部よりも強い遠心力によりウェハ面内に適正に広げられる。この結果、レジストノズル86の吐出終了時の不安定な量や形のレジスト液が吐出された場合であっても、ウェハWの中心部付近に塗布斑ができることない。従って、少量のレジスト液を使用した場合であっても、最終的にウェハWの表面の全面において均一なレジスト膜を形成できる。
【実施例】
【0101】
次に、実施例により、本発明に係るレジスト塗布方法をさらに具体的に説明するが、本発明は、実施例により限定されて解釈されるものではない。
【0102】
本実施例では、本発明の実施の形態に示したレジスト塗布装置ユニットCOTを製造し、そのレジスト塗布装置COTを用いて実験を行うことにより、その効果を検証した。
(実施例)
実施例として、表1に示した本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法の処理レシピに基づくレジスト塗布処理を行い、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.3〜1.0mlの間で変化させた場合において、供給されたレジスト液でウェハ全面を被覆することが可能か否かの評価を行った。ウェハ全体を被覆することが可能かどうか否かの判定は、目視による確認により行った。
【0103】
【表1】
(比較例)
また、比較例として、表2に示した従来のレジスト塗布方法の処理レシピに基づくレジスト塗布処理を行った。実施例と同様に、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.3〜1.0mlの間で変化させた場合において、供給されたレジスト液でウェハ全面を被覆することが可能か否かの評価を行った。ウェハ全体を被覆することが可能かどうか否かの判定は、目視による確認により行った。
【0104】
【表2】
その結果、実施例においては、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量を0.4mlに減少させた場合においても、ウェハ全面をレジスト液で被覆することが可能であった。
【0105】
一方、比較例において、ウェハ全面をレジスト液で被覆するためには、第1の工程S1で供給するレジスト液の供給量は少なくとも0.6mlが必要であり、0.6mlよりも少ない供給量でウェハ全面をレジスト液で被覆することができなかった。
【0106】
以上の結果より、従来ではウェハ全面を被覆することができない少量のレジスト液の供給量の場合においても、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うことによって、ウェハ全面をレジスト液で被覆することができる。すなわち、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布方法を行うことによって、より少量のレジスト液の供給量で、レジスト液をウェハ全面に効率よく塗布することができることが、明らかになった。
【0107】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、上記した実施の形態では、レジスト液の塗布処理を例に採って説明したが、本発明は、レジスト液以外の他の塗布液、例えば反射防止膜、SOG(Spin On Glass)膜、SOD(Spin on Dielectric)膜などを形成する塗布液の塗布処理にも適用することができる。また、上記した実施の形態では、ウェハWに塗布処理を行う例であったが、本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のレチクルなどの他の基板の塗布処理にも適用することができる。
【符号の説明】
【0108】
1 塗布現像処理システム
10 カセットステーション
11 処理ステーション
12 インターフェース部
22 主ウェハ搬送機構
86 レジストノズル
88 レジスト供給管
90 レジストノズル待機部
92 レジストノズルスキャンアーム
94 ガイドレール
96 垂直支持部材
100 ノズル保持体
COT レジスト塗布装置ユニット
PR レジスト液
PRF レジスト膜
W ウェハ(基板)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理方法において、
第1の回転数で基板を回転させ、回転する前記基板の略中心上に塗布液を供給する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数で前記基板を回転させる第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で前記基板を回転させる第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記第2の回転数よりも高く前記第3の回転数よりも低い第4の回転数で前記基板を回転させる第4の工程と
を有する塗布処理方法。
【請求項2】
前記第4の回転数は、前記第1の回転数よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の塗布処理方法。
【請求項3】
前記第1の工程の直前は、前記第1の回転数よりも低い第5の回転数で前記基板を回転させており、
前記第1の工程を開始する前に前記第5の回転数であった前記基板の回転数を、前記第1の工程を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させ、
前記第1の工程を終了する時までに、前記基板の回転加速度を次第に減少させて、前記基板の回転数を前記第1の回転数に収束させることを特徴とする請求項1又は2に記載の塗布処理方法。
【請求項4】
塗布液をノズルから吐出することによって供給し、
前記第1の工程に引続いて前記第2の工程の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、前記ノズルの移動により塗布液を吐出する位置が前記基板の略中心上からずらされることを特徴とする請求項3に記載の塗布処理方法。
【請求項5】
前記第1の工程を終了すると同時に前記ノズルの移動を開始することを特徴とする請求項4に記載の塗布処理方法。
【請求項6】
前記第1の工程において、供給された前記塗布液を前記基板の中心側から外周側へ拡散させ、
前記第2の工程において、拡散した前記塗布液の形状を整え、
前記第3の工程において、形状が整えられた前記塗布液を前記基板の更に外周側へ拡散させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項7】
前記第4の工程の途中で、前記塗布液が流動性を失うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項8】
前記第4の工程において、前記基板上の塗布液を振り切り、乾燥させることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項9】
前記塗布液はレジスト液であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項1】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理方法において、
第1の回転数で基板を回転させ、回転する前記基板の略中心上に塗布液を供給する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数で前記基板を回転させる第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で前記基板を回転させる第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記第2の回転数よりも高く前記第3の回転数よりも低い第4の回転数で前記基板を回転させる第4の工程と
を有する塗布処理方法。
【請求項2】
前記第4の回転数は、前記第1の回転数よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の塗布処理方法。
【請求項3】
前記第1の工程の直前は、前記第1の回転数よりも低い第5の回転数で前記基板を回転させており、
前記第1の工程を開始する前に前記第5の回転数であった前記基板の回転数を、前記第1の工程を開始した後に連続的に変動するように次第に増大させ、
前記第1の工程を終了する時までに、前記基板の回転加速度を次第に減少させて、前記基板の回転数を前記第1の回転数に収束させることを特徴とする請求項1又は2に記載の塗布処理方法。
【請求項4】
塗布液をノズルから吐出することによって供給し、
前記第1の工程に引続いて前記第2の工程の途中まで塗布液を供給し、塗布液の供給を終了する際には、前記ノズルの移動により塗布液を吐出する位置が前記基板の略中心上からずらされることを特徴とする請求項3に記載の塗布処理方法。
【請求項5】
前記第1の工程を終了すると同時に前記ノズルの移動を開始することを特徴とする請求項4に記載の塗布処理方法。
【請求項6】
前記第1の工程において、供給された前記塗布液を前記基板の中心側から外周側へ拡散させ、
前記第2の工程において、拡散した前記塗布液の形状を整え、
前記第3の工程において、形状が整えられた前記塗布液を前記基板の更に外周側へ拡散させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項7】
前記第4の工程の途中で、前記塗布液が流動性を失うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項8】
前記第4の工程において、前記基板上の塗布液を振り切り、乾燥させることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項9】
前記塗布液はレジスト液であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
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【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2010−212658(P2010−212658A)
【公開日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−263158(P2009−263158)
【出願日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
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