【課題】被測定流体中への金属等の不純物の溶出を抑制することができるとともに、従来に比べて精度良く流体の流量を測定することのできる流量センサ等を提供する。
【解決手段】内部に被測定流体が流通される樹脂製配管と、樹脂製配管の外部に設けられ、被測定流体を加熱するための加熱機構と、樹脂製配管の外部に設けられ、被測定流体の流れによる温度変化を検出するための温度検出機構と、を具備した流量センサであって、樹脂製配管の一部に、管壁の厚さを薄くした薄肉部を設け、当該薄肉部に加熱機構及び温度検出機構を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。 （もっと読む）

【課題】塗布処理装置により基板に対して塗布処理を行うにあたり、塗布液を供給するノズルの位置調整を作業員の熟練度によらず正確で且つ迅速に行う。
【解決手段】ウェハに塗布液を供給する塗布液ノズル３３の位置調整を行う方法であって、塗布液ノズル３３を、ウェハが保持されていない状態のスピンチャック２０の中心部の上方に移動させ、その後、スピンチャック２０の中心部に対応する吸引口２０ａ及び塗布液ノズル３３の先端部をＣＣＤカメラ５０、５１により撮像し、撮像された画像において、塗布液ノズル３３の先端部の中心の水平方向の位置とスピンチャック２０の中心部である吸引口２０ａの水平方向の位置とが一致するように塗布液ノズル３３の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面にレジストパターンを形成する際、パターニングの精度の低下を防止し、光取り出し効率に優れた半導体発光素子を得る。
【解決手段】半導体発光素子基板として用いるウェーハ１０であって、薄円板状の本体における円弧状の外周部１１と、前記外周部１１の一部に形成された直線状のフラット部１２と、を有し、前記外周部１１と前記フラット部１２との接合部Ａにおける接線１３と直線状の当該フラット部１２との成す角度αが１６４度以上であることを特徴とするウェーハ。 （もっと読む）

【課題】基板上に処理液を供給する複数のノズルのうちの処理に供される選択された１つのノズル先端部の処理液の状態を安定して画像処理する液処理装置及び液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板に液処理を行う液処理装置において、基板を保持するスピンチャック４１と、スピンチャックに保持された基板に処理液を供給する複数のノズル１０と、複数のノズルを搬送するノズル搬送機構１０Ａと、ノズルの先端を撮像するカメラ１７と、カメラを複数のノズルの１つに対して移動させる移動機構と、ノズルの処理液供給部、ノズル搬送機構及びカメラの移動機構の処理動作を制御すると共に、複数のノズルの中から１つのノズルを選択する処理プログラムを備える制御部９と、を備える。これにより、ノズル先端部の液だれまたは滴下の発生状況に応じて所定の対処動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】角形の基板に形成される塗布膜の基板縁部に生じるフリンジを抑制すると共に、フリンジの除去を容易にし、基板の使用領域の拡大を図れるようにすること。
【解決手段】角形の基板Ｇの表面に処理液を供給して所定の処理を施す液処理装置において、基板を水平に保持すると共に、基板を鉛直軸回りに回転させるスピンチャック１１と、スピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する供給ノズル２０と、スピンチャックに保持された基板の各辺の外方近傍に設けられると共に、上面平坦部３１ａを有する下部整流部材３１と、下部整流部材の上方に位置し、下部整流部材の上面平坦部と協働して平行な流路空間３４を形成する下面平坦部３２ａを有する上部整流部材３２とを具備する気流調整部３０と、スピンチャックの周縁の外側を包囲すると共に、気流調整部に形成される流路空間の外側近傍に吸引口４７が開口する吸引流路４６を有するカップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内の気流制御により、ミスト再付着防止および膜厚均一性向上を図る。
【解決手段】処理カップ（３３Ａ）は、第１のカップ部材（４０Ａ）と、第２のカップ部材（６０）と、前記第１のカップ部材と前記第２のカップ部材との間に設けられた第３のカップ部材（７０）とを有する。第１のカップ部材（４０Ａ）は、環状の内側傾斜面（４３）と、概ね水平な環状の頂面（４３ｂ）と、環状の外側傾斜面（４１）とを有している。第３のカップ部材（７０）は、スピンチャック（３１）により保持された基板の周縁（Ｗｅ）より高くかつ外側の位置に位置するように設けられた内側端縁（７０ｅ）を有している。頂面（４３ｂ）は、平面視において、基板の周縁（Ｗｅ）と第３のカップ部材の内側端縁（７０ｅ）とを包含するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を防ぐこと。
【解決手段】基板を立てた状態で回転可能に保持し、保持した前記基板を第一位置及び第二位置に配置可能な基板搬送部と、前記第一位置に配置された前記基板の第一面及び第二面のそれぞれに液状体を吐出する液状体ノズルを有する塗布部と、前記第二位置に配置された前記基板の周縁部の一部を収容する収容機構及び前記周縁部に洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構を有し、前記周縁部の前記液状体を除去する除去部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、面内と周縁部の膜厚の均一な塗布膜を形成することを目的とする。
【解決手段】単結晶ウエハ１と半導体層４と、その間の結晶格子の不整合を緩和するバッファ層３を備えた半導体基板の製造方法であって、前記単結晶ウエハの外周端部１ａを被覆材２で被覆した後、前記バッファ層３を前記単結晶ウエハ１の一面側に形成する工程と、前記被覆材２を取り除いた後、前記半導体層４を前記バッファ層３上の一面側に形成すると共に、前記単結晶ウエハ１の外周端部１ａから前記半導体層４の外周部４ｂにかけて前記半導体層４の構成材料からなる堆積物４ａを堆積させる工程と、前記半導体層４上に塗布液をスピンコート法により塗布する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布膜を効率よく形成し、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】熱処理装置で温度調節されたウェハは、レジスト塗布装置に搬送される。レジスト塗布装置では、ウェハを回転させながら、ウェハの中心部にレジスト液を供給し、ウェハ上にレジスト液が塗布される（工程Ｓ２）。その後、ウェハは乾燥容器に搬送され、ウェハ上のレジスト液が乾燥されてレジスト膜が形成される（工程Ｓ３）。その後、ウェハは洗浄装置に搬送されて、ウェハの周縁部のレジスト膜が除去される（工程Ｓ４）。その後、ウェハは熱処理装置に搬送されて、プリベーク処理される（工程Ｓ５）。こうしてウェハ上に所定のレジスト膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】回転塗布時の基板上における物質層厚さの均一性を改善した基板塗布装置を提供する。
【解決手段】装置は、基板２を軸Ａの回りに保持し回転させる保持回転手段を含む。円板３が基板の下方に備えられる。円板は、基板に対して同軸に配置され、基板と少なくとも同じ直径を有し、基板と同期して回転できる。円板により、基板の塗布中、基板の縁部と下方における空気渦が防止される。その結果、均一な塗膜を得ることが可能となる。伝統的な把持システムによって装置への基板の出し入れをするために、出し入れの間、基板と円板の間隔が拡げられる。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ノズルから基板例えば半導体ウエハへの処理液の供給を行うにあたり、処理液供給ノズル内の処理液の乾燥を防止する。
【解決手段】ノズルユニット４の処理液供給ノズル４Ａ〜４Ｊの先端内部の処理液層の外側に空気層と処理液の溶剤層とを形成する。次いで前記処理液供給ノズル４Ａの前記溶剤層を待機ユニット６の液排出部に排出し、次いでこのノズル４ＡからウエハＷ表面に処理液を供給して塗布処理を行う。この後ノズル４Ａ内に残存する処理液を吸引し、次いでノズルユニット４の各ノズル４Ａ〜４Ｊの先端を、待機ユニット６の溶剤貯留部の溶剤内部に浸漬し、前記一のノズル４Ａを吸引することにより、当該ノズル４Ａの先端内部の処理液層の外側に空気層と溶剤層とを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】塗布現像処理ユニット１は、平面視において環状に形成された軌道４２と、基板Ｗを保持し、軌道４２上を移動する複数の基板保持部４１と、軌道４２に沿って配置され、基板Ｗに所定の処理を行う複数の処理装置と、基板保持部４１と処理装置との間の基板Ｗの搬送を制御する制御装置１４と、基板保持部４１と処理装置との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を有している。複数の基板保持部４１は、複数の処理装置の数よりも多く配置されている。制御装置１４は、基板Ｗの処理レシピを格納するレシピ格納部１７０と、処理レシピに基づき基板保持部４１を所定の処理装置へ移動させる基板保持部制御部１７１と、基板保持部４１と所定の処理装置との間で基板の搬送を行うように基板搬送機構を制御する基板搬送機構制御部１７２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】処理液の無駄をなくすことができると共に、廃液中に溶存するガスを効率的に除去でき、かつ処理液の種類に影響を受けることなく処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れるようにする。
【解決手段】気体供給管路６ａを介してＮ２ガス供給源７１に接続される薬液ボトルと、被処理基板に処理液を供給する供給ノズル７０ａとを接続する供給管路７ａ，７ｂにバッファタンク２とフィルタ３を介設する。バッファタンクを大気側に連通可能に形成すると共に、気体供給管路６ｂを介してＮ２ガス供給源７１とバッファタンクとを接続する。フィルタ３に接続するドレイン管路７ｃと、ドレイン管路から分岐され、薬液ボトルとバッファタンクとの間の供給管路に接続する戻り管路８ａとからなる循環管路８を設け、循環管路に設けた可変絞り９によって循環管路中を流れるレジスト液の液圧を低下してレジスト液中に溶存する気体を気泡化して除去する。 （もっと読む）

【課題】スタンパに対するレジスト膜の剥離性及び転写特性が良好なインプリント用レジスト膜を提供する。
【解決手段】基板側に配置された深層部と、前記深層部上に配置され、前記深層部に比してフッ素化合物含有量が多い表層部とを備えることを特徴とするインプリント用レジスト膜を要旨とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な課題は、基板表面上に低粘度の塗布液を供給する際に、空気溜りを残存させることなく、平面形状が点対称な濡れ領域を形成でき、その結果、その後の高速回転により、基板表面全体に均一な厚さの塗膜が得られる回転塗布方法を提供することである。
【解決手段】本発明の回転塗布方法は、基板表面上に供給した塗布液１２を、基板Ｗを回転させることによって、基板表面に分散させて塗布する回転塗布方法であって、基板中央位置に塗布液１２を供給して、第１の濡れ領域１０１ａを形成する工程と、基板Ｗを第２の回転数Ｎ２で低速回転させながら、塗布液１２を第１の濡れ領域１０１ａの外周縁の外側位置に供給して、第１の濡れ領域１０１ａと接して取り囲む第２の濡れ領域１０１ｂを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に被着した被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去しても、基板上に良好な端面形状を有する被膜を残すことができる被膜除去方法と基板処理装置と、これら方法及び装置に用いる赤外線照射装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜Ｃが被着された基板Ｗの端縁部に溶解液を供給するエッジノズル１３と、赤外線を照射してレジスト膜Ｃを加熱する赤外線照射部３１とを備えている。そして、溶解液の供給に先立って赤外線照射部３１が端縁部のレジスト膜Ｃを予め加熱し、端縁部のレジスト膜Ｃに含まれるレジスト溶媒を蒸発させる。これにより、端縁部のレジスト膜Ｃを溶解する際にその端面が変形することがない。したがって、最終的に得られる基板Ｗ上のレジスト膜Ｃは良好な端面形状を有する。また、赤外線照射部３１は赤外線を照射して加熱するので、端縁部以外のレジスト膜Ｃの膜厚がばらつくおそれがない。 （もっと読む）

【課題】既存の基板処理システムに新たに作成された処理レシピが対応できるか否かを判断し、できる限り既存の基板処理ユニットの処理部を活用できるようにすること。
【解決手段】被処理基板に処理を施す処理ユニットにおける処理部の駆動手段の駆動制御、処理液供給ノズルからの処理液の吐出及び処理液供給手段の動作等を制御する処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成手段１００と、処理レシピに従って駆動手段、処理液供給ノズルの移動機構及び処理液供給手段の駆動制御を行うコントローラと、レシピ作成手段で作成された処理レシピを構成する処理パラメータとは別に作成された処理パラメータを有する処理レシピを格納するＵＳＢキー２００と、を具備し、ＵＳＢキーに格納された処理パラメータとレシピ作成手段で作成される処理レシピとを比較し、ＵＳＢキーに格納された処理レシピが実行可能か否かの判断を行えるようにする。 （もっと読む）