【課題】裏面洗浄の際に洗浄液が基板裏面に付着するのを抑制して洗浄効率の向上を図れるようにすると共に、装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】基板Ｇを水平状態に保持する基板保持部１０、基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転駆動部２０、基板保持部にて保持された基板の裏面に洗浄液を吐出する洗浄液供給部５０とを具備する基板洗浄装置において、基板保持部は、基板を支持する支持部材１４を立設する環状部材１３と、回転駆動部に連結される中空回転軸１１の頂部に設けられるボス部１２と、ボス部と環状部材とを連結する複数の中空状スポーク１６と、を具備する。洗浄液供給部は、洗浄液供給源５３に接続され、中空回転軸内に遊貫される洗浄液供給筒軸５１と、洗浄液供給筒軸内を流れる洗浄液をスポークの中空部１６ａに案内すべくボス部に設けられる連通流路５４と、スポークの軸方向に沿って設けられる複数の裏面洗浄ノズル５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ハンプの低減が図られる半導体装置の製造方法と、ハンプが低減された半導体装置と、レジスト塗布装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。高圧の不活性な液体６４ａをハンプ３ａに噴き付けることによって、ハンプ３ａが押し潰されて、下層レジスト材料膜３の膜厚が半導体基板１の全面においてほぼ均一になる。 （もっと読む）

【課題】塗布膜の除去精度の向上、塗布膜除去時間の短縮及び溶剤の使用量の削減が図れる塗布膜除去方法及び装置を提供すること。
【解決手段】溶剤吐出部及び不活性ガス吐出部により基板表面の端部から溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、塗布膜除去部を基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させ（除去工程：Ｓ−１）、濃度測定部により、排出路から排出される溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出し（濃度検出工程：Ｓ−２）、濃度測定部により検出された混合排液中の溶解物の有無を判別し（濃度判別工程：Ｓ−３）、濃度測定部による溶解物の濃度検出値に基づいて塗布膜の除去条件を変更設定する（除去条件変更工程：Ｓ−６）。溶解物の濃度判別工程において、混合排液中の上記溶解物の無が確認されるまで、塗布膜除去工程を続行し、溶解物の無が確認された後、変更設定された除去条件により、塗布膜の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の除去断面の傾斜がなだらかになるダレ現象の発生を防止して、周辺露光精度を向上させることができる周辺露光装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されるレジスト膜のパターン領域Ｐの周辺に形成される周辺領域Ｅを露光する周辺露光装置であって、光束を照射するための光源と、光源により照射された光束のうち少なくとも一部を遮光可能であって、透光領域のウエハの周方向の幅及び周方向と直交する方向の幅を可変可能に形成する液晶シャッタ５０と、制御部と、を具備し、制御部からの信号に基づいて、液晶シャッタを制御して、透光領域Ｂ１を形成して、周辺領域内のパターン領域側に近接する位置に設定される開始位置Ｓに、周方向と直交する方向の幅Ｌ１が最も広い光束を照射し、透光領域Ｂ１の外周側に透光領域Ｂ２を形成して露光処理を行う。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内の気流制御により、ミスト再付着防止および膜厚均一性向上を図る。
【解決手段】処理カップ（３３Ａ）は、第１のカップ部材（４０Ａ）と、第２のカップ部材（６０）と、前記第１のカップ部材と前記第２のカップ部材との間に設けられた第３のカップ部材（７０）とを有する。第１のカップ部材（４０Ａ）は、環状の内側傾斜面（４３）と、概ね水平な環状の頂面（４３ｂ）と、環状の外側傾斜面（４１）とを有している。第３のカップ部材（７０）は、スピンチャック（３１）により保持された基板の周縁（Ｗｅ）より高くかつ外側の位置に位置するように設けられた内側端縁（７０ｅ）を有している。頂面（４３ｂ）は、平面視において、基板の周縁（Ｗｅ）と第３のカップ部材の内側端縁（７０ｅ）とを包含するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を防ぐこと。
【解決手段】基板を立てた状態で回転可能に保持し、保持した前記基板を第一位置及び第二位置に配置可能な基板搬送部と、前記第一位置に配置された前記基板の第一面及び第二面のそれぞれに液状体を吐出する液状体ノズルを有する塗布部と、前記第二位置に配置された前記基板の周縁部の一部を収容する収容機構及び前記周縁部に洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構を有し、前記周縁部の前記液状体を除去する除去部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】四角形状の基板２上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液１３を滴下し、前記基板２を回転させ、滴下されたレジスト液１３を前記基板２上に広げるとともに、前記基板２上のレジスト液１３を乾燥させて、前記基板２上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。ここで、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板２が回転している間、前記基板２の上面に沿って基板２の中央側から外周方向に気流１９を発生させるように排気手段１８による排気を行い、基板２の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液１３の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高スループッドで高精度の検査を行う。
【解決手段】表面にレジスト膜が形成されたウェハのエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程Ｓ１と、ウェハのエッジ周辺に照明光を２つの光路に分けて照射してウェハ表面からの反射光とレジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程Ｓ２と、明視野画像に基づいてウェハ境界位置を検出するエッジ位置検出工程Ｓ１１と、微分干渉画像に基づいてＥＢＲ境界位置Ｅを検出する境界位置検出工程Ｓ１２と、ウェハ境界位置からＥＢＲ境界位置までの距離を判定する判定工程Ｓ１３とを備える基板検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、基板のパーティクル汚染を防ぐこと。
【解決手段】基板に対して、少なくとも側面部を撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第１のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに露光装置で第１の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第１の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第２のレジスト塗布を行うステップと、さらに前記露光装置で第２の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第２の現像を行うステップと、を実行するように基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面撥水モジュールと、を備えるように塗布、現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】下降気流が形成されている処理カップ３３にて回転しているウエハＷに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置において、処理カップ３３のスピンチャック３１に保持されたウエハＷの外周近傍に隙間を介して当該ウエハＷを取り囲むように環状に設けられ、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部７０と、前記ウエハＷの周縁部下方より外側下方へ傾斜した傾斜壁４１及びこの傾斜壁４１に連続し、下方へ垂直に伸びる垂直壁４２から構成された下側ガイド部４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の悪化を抑制する。
【解決手段】転写パターンとなる薄膜が形成された薄膜付き基板上にレジスト膜が形成されたマスクブランクスである。レジスト膜は、前記基板の周縁部におけるレジスト膜の不要部分が除去されている。また、レジスト膜は、転写パターンが形成される領域において、膜厚の最も厚い位置におけるレジスト膜の膜厚と、膜厚の最も薄い位置におけるレジスト膜の膜厚との差異が５０オングストローム以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトリソグラフィー技術を用いる場合において、基板端部のフォトレジストを確実に除去することができる電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、フォトリソグラフィー技術を用いて電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、前記基板の端部に溶剤を吐出し、前記基板の端部上の前記フォトレジストを除去するエッジリンス工程と、前記フォトレジストの外周部を露光する周辺露光工程と、前記フォトレジストを覆うように現像液を塗布すると共に、前記周辺露光工程において露光された前記フォトレジストの外周部に沿って現像液を吐出する現像工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置において、基板単位の処理時間を短縮し、処理膜形成のスループットを向上すると共に、歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】基板Ｇを基板搬送路に沿って平流しに搬送する基板搬送手段２１と、前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板Ｇの、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第一の除去手段５ｂと、前記第一の除去手段により前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換する搬送方向転換手段７と、前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板Ｇの、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第二の除去手段６ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法等に関し、半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去するための洗浄装置及び洗浄方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。
【解決手段】本発明に係るの洗浄装置は、半導体ウエハ３の最外端から内側に５ｍｍ以内の部分を挟んで押し当てる第１及び第２のブラシ１ａ、１ｂと、第１及び第２のブラシを保持する第１及び第２のブラシ軸２ａ、２ｂと、第１及び第２のブラシ軸を回転させる回転機構と、半導体ウエハを回転させる回転機構と、洗浄液を供給する機構と、制御機構とを具備し、制御機構は、半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍ以内の部分に第１及び第２のブラシを押し当て且つ半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍより更に内側の表裏面には第１及び第２のブラシを押し当てないことにより、半導体ウエハのエッジ部に成膜された膜を除去するように制御する機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜の有効面積を向上させつつ、露光処理後に基板の周縁部上のレジスト膜を完全に除去する。
【解決手段】ウェハ上にレジスト液を塗布し、ウェハの全面にレジスト膜を形成する（工程Ｓ１）。その後、プリベーク処理を行った後（工程Ｓ２）、ウェハ上のレジスト膜を露光処理する（工程Ｓ３）。その後、ウェハの周縁部上のレジスト膜に溶剤を供給し、この周縁部上のレジスト膜を除去する（工程Ｓ４）。その後、露光後ベーク処理を行った後（工程Ｓ５）、ウェハ上のレジスト膜を現像する（工程Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】板状部材を厚み方向に沿った線を中心として回動させる場合にもタクトを短縮できる板状部材の搬送装置および板状部材の搬送方法を提供する。
【解決手段】搬送装置１０は、上方に向かって複数の噴射口から気体を噴射することによりガラス基板１１を浮上させる浮上部材２１を有する浮上手段２０と、浮上手段２０によりガラス基板１１が浮上部材２１から浮上した状態でガラス基板１１を保持するとともに搬送方向に沿って下流側に向かってガラス基板１１を搬送する搬送手段３０とを備える。搬送手段３０は、搬送方向に沿って移動可能であるとともにガラス基板１１の厚み方向に沿った線を中心として軸回転可能な吸着パッド３４を有する。パッド３４は、ガラス基板１１の平面中央部に吸着する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのベベル部を良好に洗浄することのできるウエハの洗浄方法に関する技術を提供すること。
【解決手段】 ウエハＷの洗浄時に、ウエハＷをスピンチャック１１により回転させながら、上ノズル９３によりウエハＷ表面７０側のベベル部７２にその上方からシンナー等の洗浄液吐出する工程（ａ）と同時に、内カップ３４に設けられた切り欠き部３７に着脱自在に嵌合された下ノズル４０からウエハＷ裏面７１側のベベル部７２またはウエハＷの側端部からウエハの中心寄り３ｍｍ以内の部位にウエハＷの径方向外方側に向けて洗浄液を吐出することにより、ウエハＷのベベル部７２の洗浄を行う工程（ｂ）とを行い、レジスト膜８０がベベル部７２に残存することを抑えて、ベベル部７２のパーティクルの付着を防止する。 （もっと読む）