基板処理装置および基板処理方法
【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、露光処理前の基板に対して種々の成膜処理が施される。しかしながら、この成膜処理の過程で基板の裏面が汚染する場合がある。この場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じ、基板が不安定な状態となる。これにより、露光処理時に露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することがある。
【０００４】
これを回避するため、例えば特許文献１では、基板処理装置に露光処理前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットが設けられる。これにより、露光処理前の基板の裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２１４３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンのさらなる微細化が求められている。レジストパターンの微細化のために重要となる露光装置の解像度性能は、露光装置の光源の波長に依存する。そこで、波長が約１３ｎｍと極めて短いＥＵＶ（超紫外線）を用いた露光技術が提案されている。ＥＵＶは大気に吸収されやすいので、ＥＵＶを用いた露光処理は、真空度が高い状態で行う必要がある。そのため、ＥＵＶを用いた露光処理を行う場合には、基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが要求される。
【０００７】
本発明の目的は、基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の表面に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、受け渡し部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットと基板を保持して搬送する複数の保持部を有する搬送装置を含み、搬送装置は、裏面洗浄ユニットによる裏面洗浄後の基板を複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して露光装置に搬送し、露光装置からの露光処理後の基板を複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送するように構成されたものである。
【０００９】
この基板処理装置においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成される。感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。洗浄後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持されて露光装置に搬送される。露光装置からの露光処理後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持されて搬送される。
【００１０】
このように、裏面洗浄後の基板を保持して露光装置に搬送する保持部と露光装置からの露光処理後の基板を保持して搬送する保持部とが異なる。そのため、たとえ露光処理後の基板に汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板を保持する保持部に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板を清浄な状態で露光装置に搬入することができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。また、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【００１１】
（２）受け渡し部は、基板の温度を調整する温度調整部をさらに含み、一または複数の保持部により、温度調整部から露光処理前の基板を保持して露光装置に搬送する第１の保持部と、裏面洗浄ユニットから裏面洗浄後の基板を保持して温度調整部に搬送する第２の保持部とを含んでもよい。
【００１２】
この場合、裏面洗浄後の基板が第２の保持部により裏面洗浄ユニットから温度調整部に保持されて搬送される。基板の温度が温度調整部により調整される。温度調整後の基板は温度調整部から第１の保持部により保持されて露光装置に搬送される。これにより、露光装置への基板の搬入時に露光装置の内外の温度差による基板の変形を防止しつつ基板の裏面の汚染を防止することができる。
【００１３】
また、裏面洗浄処理ユニットから温度調整部に基板を保持して搬送する保持部と温度調整部から露光装置に基板を保持して搬送する保持部とが異なる。それにより、温度調整された基板を保持する保持部の温度が一定に保たれる。したがって、温度調整部から露光装置に基板が搬送される際に基板の温度が変化することが防止される。
【００１４】
（３）温度調整部は、基板を取り囲む筐体と、筐体の内部に乾燥気体を供給する気体供給部とを含んでもよい。
【００１５】
この場合、温度調整部の筺体の内部に乾燥気体が供給される。これにより、基板が確実に乾燥される。その結果、露光装置に完全に乾燥状態の基板を搬入することができる。したがって、露光装置において真空中で露光処理が行われる場合でも真空度が低下することが確実に防止される。
【００１６】
（４）受け渡し部は、露光処理後の基板が載置される載置部をさらに含み、他の保持部は、露光装置から載置部に基板を保持して搬送する第３の保持部を含んでもよい。
【００１７】
この場合、基板が第３の保持部により保持されて露光装置から載置部に搬送される。これにより、露光処理後の基板を一時的に待機させることができるので、露光処理前の基板の搬送時間および露光処理後の基板の搬送時間を調整することができる。その結果、基板の搬送効率が向上するとともに露光処理から次の処理までの時間を適切に調製することができる。
【００１８】
（５）搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、第１の搬送ユニットは、第１の保持部、第２の保持部および第３の保持部を有し、第２の搬送ユニットは、処理部から受け渡し部内に感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、受け渡し部内で露光処理後の基板を保持して搬送する第５の保持部とを含んでもよい。
【００１９】
この場合、感光性膜の形成後の基板が、第２の搬送ユニットの第４の保持部により保持されて処理部から受け渡し部内に搬送される。また、露光処理後の基板が、第２の搬送ユニットの第５の保持部により保持されて受け渡し部内で搬送される。これにより、第１の搬送ユニットにより裏面洗浄処理ユニットから載置部への基板の搬送、載置部から温度調整部への基板の搬送および露光装置からの受け渡し部内への基板の搬送が行われ、第２の搬送ユニットにより処理部から受け渡し部内への基板の搬送および受け渡し部内での基板の搬送が行われる。それにより、第１の搬送ユニットおよび第２の搬送ユニットが並行動作することが可能となる。その結果、基板の搬送効率を低下させることなく、露光装置に清浄な基板を搬入することができる。
【００２０】
（６）第３の保持部は、第１および第２の保持部よりも下方に配置されてもよい。露光処理後の基板の清浄度が露光処理前の基板の清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板またはそれを保持する第３の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第１および第２の保持部が第３の保持部よりも上方に配置されることにより、第１および第２の保持部により保持される露光処理前の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２１】
（７）第１の保持部は、第２の保持部よりも上方に配置されてもよい。裏面洗浄後の基板に液体が残存している場合、裏面洗浄後の基板またはそれを保持する第２の保持部から液体が落下する可能性がある。このような場合でも、第１の保持部が第２の保持部よりも上方に配置されることにより、第１の保持部により保持される温度調整後の基板に液体が付着することがない。これにより、温度調整後の基板の温度が変化することおよび露光装置に液体が付着した基板が搬入されることを防止することができる。
【００２２】
（８）搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、第１の搬送ユニットは、第１の保持部および第３の保持部を有し、第２の搬送ユニットは、第２の保持部と、処理部から受け渡し部内に感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、感光性膜の形成後の基板を受け渡し部内で保持して裏面洗浄ユニットに搬送する第５の保持部とを有してもよい。
【００２３】
この場合、感光性膜の形成後基板が、第２の搬送ユニットの第４の保持部により処理部から保持されて受け渡し部内に搬送される。また、感光性膜の形成後の基板が、第２の搬送ユニットの第５の保持部により受け渡し部内で保持されて裏面洗浄ユニットに搬送される。これにより、第１の搬送ユニットにより載置部から温度調整部への基板の搬送および露光装置から受け渡し部内への基板の搬送が行われ、第２の搬送ユニットにより裏面洗浄処理ユニットから載置部への基板の搬送、処理部から受け渡し部内への基板の搬送および受け渡し部内での裏面洗浄ユニットへの基板の搬送が行われる。それにより、第１の搬送ユニットおよび第２の搬送ユニットが並行動作することが可能となる。その結果、基板の搬送効率を低下させることなく、露光装置に清浄な基板を搬入することができる。
【００２４】
（９）第１の保持部は、第３の保持部よりも上方に配置されてもよい。露光処理後の基板の清浄度が露光処理前の基板の清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板またはそれを保持する第３の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第１の保持部が第３の保持部よりも上方に配置されることにより、第１の保持部により保持される露光処理前の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２５】
（１０）第２の保持部は、第４および第５の保持部よりも上方に配置されてもよい。第４または第５の保持部により保持される裏面洗浄前の基板が汚染されている場合、裏面洗浄前の基板またはそれを保持する第４もしくは第５の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第２の保持部が第４および第５の保持部よりも上方に配置されることにより、第２の保持部により保持される裏面洗浄後の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２６】
（１１）第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、基板処理装置は、感光性膜形成ユニット、裏面洗浄ユニット、および複数の保持部を有する搬送装置を備え、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、洗浄後の基板を搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して露光装置に搬送する工程と、露光装置からの露光処理後の基板を搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送する工程とを含むものである。
【００２７】
この基板処理方法においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成される。感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。洗浄後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持されて露光装置に搬送される。露光装置からの露光処理後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持されて搬送される。
【００２８】
このように、裏面洗浄後の基板を保持して露光装置に搬送する保持部と露光装置からの露光処理後の基板を保持して搬送する保持部とが異なる。そのため、たとえ露光処理後の基板に汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板を保持する保持部に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板を清浄な状態で露光装置に搬入することができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。また、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板処理の効率を低下させることなく、基板の裏面の汚染を防止し、洗浄度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図５】裏面洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】（ａ）は図５に示すチャック開閉装置およびチャックの上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すチャック開閉装置およびのＡ−Ａ線断面図である。
【図７】インターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図８】インターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。チャートである。
【図９】インターフェースブロック内の基板の搬送経路を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態におけるインターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図１１】第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図１２】第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図１３】第２の実施の形態におけるインターフェースブロック内の基板の搬送経路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３２】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１および後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向とする。
【００３３】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５を含む。また、インターフェースブロック５に隣接するように露光装置６が配置される。本実施の形態では、露光装置６は真空露光装置である。
【００３４】
以下、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３５】
インデクサブロック１は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１,ＩＲＨ２が上下に設けられる。
【００３６】
反射防止膜用処理ブロック２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部２０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部２０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３７】
インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１１が設けられる。この隔壁１１には、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック１から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からインデクサブロック１へ搬送する際に用いられる。
【００３８】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００３９】
レジスト膜用処理ブロック３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４０】
反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間には、雰囲気遮断用の隔壁１２が設けられる。この隔壁１２には、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
現像処理ブロック４は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理ブロック４はインターフェースブロック５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７を備える。現像処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられる。この隔壁１３には、レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から現像処理ブロック４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック４からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられる。
【００４３】
インターフェースブロック５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰを含む。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理および乾燥処理を行う。ここで、基板Ｗの裏面とは、各処理ブロックにより、種々の膜が形成される面の反対側の面をいう。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細は後述する。
【００４４】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２１，Ｈ２２（後述する図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１１，Ｈ１２，Ｈ１３（後述する図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック５の詳細については後述する。
【００４５】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５が順に並設されている。
【００４６】
図２は、図１の基板処理装置５００の一方の概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００の他方の概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の一方の側面に沿った領域（以下、＋Ｘ側と呼ぶ。）に設けられた構成要素を主に示し、図３においては、基板処理装置５００の他方の側面に沿った領域（以下、−Ｘ側と呼ぶ。）に設けられた構成要素を主に示している。
【００４７】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用塗布処理部２０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１およびスピンチャック２１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル２２を備える。
【００４８】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
【００４９】
現像処理ブロック４の現像処理部４０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル４２を備える。
【００５０】
インターフェースブロック５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗのエッジを露光処理する光照射器５２を備える。
【００５１】
インターフェースブロック５内のＸ方向における略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰが積層配置される（後述する図４参照）。図２には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの一部が図示されている。
【００５２】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５３】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５４】
現像処理ブロック４の現像用熱処理部１２０には２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１２１には基板載置部ＰＡＳＳ７、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰおよびが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５５】
なお、図２と同様に、図３には、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの一部が図示されている。
【００５６】
次に、図４を用いてインターフェースブロック５について詳細に説明する。図４は、インターフェースブロック５を露光装置６側から見た概略側面図である。インターフェースブロック５内において、−Ｘ側には、現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１と連通する接続口１２１ｂが配置される。また、インターフェースブロック５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷおよび裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが上下に積層配置される。
【００５７】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック５内の略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。
【００５８】
また、インターフェースブロック５内の下部には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の構成について説明する。
【００５９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ベース部Ｂ２、支持部Ｓ２、回転軸Ｔ２、アームＡ２およびモータＭ２を含む。ベース部Ｂ２には支持部Ｓ２が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。支持部Ｓ２は、回転軸Ｔ２を介してベース部Ｂ２内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２により支持部Ｓ２が回転する。支持部Ｓ２には、アームＡ２を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ２１，Ｈ２２が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ２１はハンドＨ２２よりも高い位置に配置される。
【００６０】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、接続口１２１ｂ、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ベース部Ｂ１、支持部Ｓ１、回転軸Ｔ１、アームＡ１およびモータＭ１を含む。ベース部Ｂ１には支持部Ｓ１が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。支持部Ｓ１は、回転軸Ｔ１を介してベース部Ｂ１内のモータＭ１に連結しており、このモータＭ１により支持部Ｓ１が回転する。支持部Ｓ１には、アームＡ１を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する３個のハンドＨ１１，Ｈ１２，Ｈ１３が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも高い位置に配置され、ハンドＨ１２はハンドＨ１３よりも高い位置に配置される。
【００６２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９、および冷却ユニットＣＰの間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６３】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６４】
（２−１）インデクサブロックから現像処理ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４の動作について簡単に説明する。
【００６５】
インデクサブロック１のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６６】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００６７】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第３のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ３およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２には、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドするようにハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６８】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６９】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部２０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部２０では、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７０】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部２０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７１】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７２】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部３０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部３０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７３】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、図４の接続口１２１ｂを通してインターフェースブロック５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック５および露光装置６において所定の処理が施される。インターフェースブロック５および露光装置６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、接続口１２１ｂを通してインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２により図１の現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入される。
【００７６】
露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、現像処理部４０に搬入する。現像処理部４０においては、露光処理された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７７】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部４０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック１のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８１】
（２−２）インターフェースブロックの概略動作
次に、インターフェースブロック５の動作について詳細に説明する。
【００８２】
上述したように、インデクサブロック１に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック４（図１参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【００８３】
図４のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて接続口１２１ｂを通して基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジに露光処理が施される。
【００８４】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷからエッジに露光処理が施された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。
【００８５】
ここで、露光装置６が十分な処理速度を有しない場合には、基板載置部ＰＡＳＳ８に露光処理前の基板Ｗが存在する場合がある。この場合、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送してもよい。この基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。後述するように、露光処理前の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて送りバッファ部ＳＢＦから基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。
【００８６】
後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ９には、露光処理後の基板Ｗが載置されている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰ（図１参照）に搬送する。
【００８７】
ここで、露光後ベーク用熱処理部１２１が一時的に基板Ｗの受け入れをできない場合には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦに搬送してもよい。この場合、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。露光後ベーク用熱処理部１２１が基板Ｗを受け入れ可能になった後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて戻りバッファ部ＲＢＦから基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１に搬送する。
【００８８】
なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に代えてハンドＨ２１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１への基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【００８９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、上記の動作を繰り返す。それにより、図１の基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへ基板Ｗの搬送、エッジ露光部ＥＥＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送および基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【００９０】
一方、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送する。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【００９１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから裏面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰに搬送された基板Ｗは、露光装置６内と同じ温度または露光装置６内よりも高い温度（例えば、２０〜２３℃）に調整される。基板Ｗを露光装置６内と同じ温度に調整することにより、露光装置６への基板Ｗの搬入時に露光装置６の内外の温度差による基板Ｗの変形を防止することができる。露光装置６内で基板Ｗの温度が低下する場合には、基板Ｗを露光装置６内よりも高い温度に調整することにより、露光装置６への基板Ｗの搬入時に露光装置６の内外の温度差による基板Ｗの変形を防止することができる。
【００９２】
また、冷却ユニットＣＰ内は乾燥した窒素ガスで満たされている。基板Ｗが乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。詳細は後述する。
【００９３】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて冷却ユニットＣＰから上記所定温度に維持されかつ乾燥した窒素ガスにより水分が除去された基板Ｗを取り出し、露光装置６内の基板搬入部６ａ（図１参照）に搬送する。露光装置６においては、基板Ｗの露光処理が行われる。
【００９４】
このように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰに基板Ｗを保持して搬送するハンドＨ１２と冷却ユニットＣＰから露光装置６に基板Ｗを保持してハンドＨ１１とが異なる。それにより、温度調整された基板Ｗを保持するハンドＨ１１の温度が一定に保たれる。したがって、冷却ユニットＣＰから露光装置６に基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの温度が変化することが防止される。
【００９５】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂ（図１参照）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【００９６】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、上記の動作を繰り返す。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ８から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰへの基板Ｗの搬送、冷却ユニットＣＰから露光装置６の基板搬入部６ａへの基板Ｗの搬送および露光装置６の基板搬出部６ｂから基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【００９７】
（３）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細について説明する。
【００９８】
（３−１）構成
図５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの構成を説明するための図である。
【００９９】
図５に示すように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック７２１を備える。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、スピンチャック７２１が基板Ｗの端面を複数の保持ピン７２２により保持する。スピンチャック７２１は、チャック回転駆動機構７３６によって回転される回転軸７２５の上端に固定されている。
【０１００】
スピンチャック７２１の外方には、アーム駆動装置７１０が設けられている。アーム駆動装置７１０には、回動軸７１１が接続されている。回動軸７１１には、アーム７１２が水平方向に延びるように連結され、アーム７１２の先端には、ブラッシング装置７１３が取り付けられている。ブラッシング装置７１３は、下方に向くブラシ７１４、およびそのブラシ７１４を回転させるブラッシングモータ７１５を有する。
【０１０１】
アーム駆動装置７１０により回動軸７１１が回転するとともにアーム７１２が回動し、ブラッシング装置７１３がスピンチャック７２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。また、アーム駆動装置７１０により回動軸７１１およびアーム７１２が上下動し、ブラッシング装置７１３のブラシ７１４が基板Ｗに近づく方向または離れる方向に移動する。
【０１０２】
また、スピンチャック７２１の外方には、基板反転装置７６０が設けられている。基板反転装置７６０は昇降用駆動装置７６１を備える。昇降用駆動装置７６１には、昇降軸７６２が設けられており、昇降軸７６２の上端には、チャック開閉装置７６３が取り付けられている。チャック開閉装置７６３には、基板Ｗを保持するための１対のチャック７６４，７６５が取り付けられている。
【０１０３】
昇降用駆動装置７６１により昇降軸７６２が上下方向に移動する。それに伴い、チャック７６４，７６５が、スピンチャック７２１上の基板Ｗと同じ高さの位置（以下、基板保持位置と呼ぶ）とスピンチャック７２１の上方の位置（以下、基板反転位置と呼ぶ）との間で上下方向に移動する。基板反転装置７６０は、基板反転位置で基板Ｗを１８０°反転させることができる。基板反転装置７６０の詳細については後述する。
【０１０４】
スピンチャック７２１の外方の斜め上方には、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が設けられている。これらの洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２は、基板反転装置７６０の上下動を妨げないように配置されている。洗浄液供給ノズル７５１は、洗浄液供給管７５３およびバルブＶｄを介して洗浄液供給源Ｒ１に接続されている。不活性ガス供給ノズル７５２は、不活性ガス供給管７５４およびバルブＶｅを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。
【０１０５】
バルブＶｄの開閉を制御することにより、洗浄液供給管７５３に供給する洗浄液の供給量を調整することができる。洗浄液供給ノズル７５１には、洗浄液が、洗浄液供給管７５３を通して洗浄液供給源Ｒ１から供給される。それにより、基板Ｗ上へ洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。
【０１０６】
バルブＶｅの開閉を制御することにより、不活性ガス供給管７５４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。不活性ガス供給ノズル７５２には、不活性ガスが、不活性ガス供給管７５４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗ上へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
【０１０７】
スピンチャック７２１に保持された基板Ｗは、処理カップ７２３内に収容される。処理カップ７２３の内側には、筒状の仕切壁７３３が設けられている。また、スピンチャック７２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた洗浄液を排液するための排液空間７３１が形成されている。さらに、排液空間７３１を取り囲むように、処理カップ７２３と仕切壁７３３との間に、基板Ｗの裏面洗浄処理に用いられた洗浄液を回収するための回収液空間７３２が形成されている。
【０１０８】
排液空間７３１には、排液処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための排液管７３４が接続され、回収液空間７３２には、回収処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための回収管７３５が接続されている。
【０１０９】
処理カップ７２３の上方には、基板Ｗからの洗浄液が外方へ飛散することを防止するためのガード７２４が設けられている。このガード７２４は、回転軸７２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード７２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝７４１が環状に形成されている。
【０１１０】
また、ガード７２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部７４２が形成されている。回収液案内部７４２の上端付近には、処理カップ７２３の仕切壁７３３を受け入れるための仕切壁収納溝７４３が形成されている。
【０１１１】
このガード７２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構によりガード７２４が上下動する。
【０１１２】
ここで、回収液案内部７４２がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態（図５に示すガード７２４の状態）では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が回収液案内部７４２により回収液空間７３２に導かれ、回収管７３５を通して回収される。以下、このようなガード７２４の位置を回収位置と呼ぶ。
【０１１３】
また、排液案内溝７４１がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が排液案内溝７４１により排液空間７３１に導かれ、排液管７３４を通して排液される。以下、このようなガードの位置を排液位置と呼ぶ。
【０１１４】
また、スピンチャック７２１上の基板Ｗの搬入または搬出等が行われる際には、ガード７２４の上端部の高さがスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの高さよりも低くなる状態になる。以下、このようなガードの位置を搬入搬出位置と呼ぶ。
【０１１５】
なお、本実施の形態では、搬入搬出位置と排液位置との間でガード７２４が上下動する。
【０１１６】
（３−２）基板反転装置の詳細
ここで、基板反転装置７６０のチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の詳細について説明する。図６（ａ）は図５に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５のＡ−Ａ線断面図である。
【０１１７】
図６（ａ）に示すように、チャック７６４，７６５は、基板Ｗの端面に沿った略円弧形状を有し、基板Ｗを挟んで互いに対称に配置されるとともに、図６（ｂ）に示すように、上下方向に僅かにずれて配置されている。また、チャック７６４の一面（図６（ｂ）においては下面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられており、チャック７６５の一面（図６（ｂ）においては上面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられている。支持部材７６８は、円錐台形状の支持部７６８ａおよび逆円錐台形状の支持部７６８ｂが一体的に形成されたものである。支持部７６８ａ，７６８ｂの間には溝が形成され、この溝により基板Ｗの端面が保持される。なお、支持部材７６８は例えばフッ素樹脂からなる。
【０１１８】
チャック７６４，７６５は、支持体７６６，７６７を介してそれぞれチャック開閉装置７６３に接続されている。チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が互いに近づく方向および離れる方向（図６（ａ）の矢印Ｍ１参照）に移動する。以下、チャック７６４，７６５が最大限離れた状態を開状態と呼ぶ。
【０１１９】
また、チャック開閉装置７６３は、図示しないモータを有し、水平方向に延びる軸心Ｊ１を中心としてチャック７６４，７６５を１８０°回転させることができる。
【０１２０】
（３−３）動作
次に、上記構成を有する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの処理動作について説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
【０１２１】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード７２４が上述した搬入搬出位置まで移動するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が基板Ｗをスピンチャック７２１上に載置する。このとき、基板Ｗは、表面が上方を向く状態である。
【０１２２】
続いて、開状態のチャック７６４，７６５が上述の基板保持位置まで下降する。次に、チャック７６４，７６５がチャック開閉装置７６３により互いに近づく方向に移動する。それにより、チャック７６４，７６５の支持部材７６８が基板Ｗの端面に当接し、基板Ｗがチャック７６４，７６５により保持される。
【０１２３】
続いて、チャック７６４，７６５が上述の基板反転位置まで上昇する。そこで、チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が１８０°回転される。それにより、基板Ｗが反転され、基板Ｗの裏面が上方を向く状態になる。
【０１２４】
次に、チャック７６４，７６５が上記状態を保ちつつ基板保持位置まで下降する。続いて、チャック７６４，７６５が開状態となる。それにより、基板Ｗは、裏面が上方を向く状態でスピンチャック７２１上に載置される。続いて、保持ピン７２２により基板Ｗの端面が保持される。一方、チャック７６４，７６５は基板Ｗの上方へ退避する。
【０１２５】
次に、ガード７２４が上述した排液位置まで移動するとともに、回転軸７２５が回転する。回転軸７２５の回転に伴ってスピンチャック７２１に保持されている基板Ｗが回転する。また、このとき、ブラシ７１４が基板Ｗの中心部上方に移動する。
【０１２６】
続いて、洗浄液供給ノズル７５１から洗浄液が基板Ｗの裏面に吐出されるとともに、ブラシ７１４が回転しつつ下降し、基板Ｗの裏面に当接する。これにより、基板Ｗの裏面がブラシ７１４により洗浄される。
【０１２７】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止されるとともに、ブラシ７１４が基板Ｗの外方に移動する。次に、回転軸７２５の回転数が上昇する。それにより、基板Ｗ上の洗浄液が遠心力により除去される。
【０１２８】
次に、不活性ガス供給ノズル７５２から不活性ガスが基板Ｗの裏面に吐出される。これにより、基板Ｗの裏面が確実に乾燥される。所定時間経過後、不活性ガスの供給が停止され、回転軸７２５の回転が停止する。また、ガード７２４が搬入搬出位置に移動する。
【０１２９】
続いて、スピンチャック７２１による基板Ｗの保持が解除されるとともに、基板反転装置７６０のチャック７６４，７６５により基板Ｗが保持され、上記と同様に、基板反転位置において基板Ｗが再度反転される。それにより、基板Ｗは、表面が上方を向いた状態となる。
【０１３０】
そして、基板Ｗがスピンチャック７２１上に載置され、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２（後述する第２の実施の形態においては、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１）により裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから搬出される。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおける基板Ｗの裏面洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が終了する。なお、裏面洗浄処理および乾燥処理中におけるガード７２４の位置は、洗浄液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１３１】
なお、ブラシ７１４により基板Ｗの裏面を洗浄した後に、基板Ｗの裏面にリンス液を供給してもよい。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。この場合、洗浄液がリンス液により洗い流されるので、基板Ｗ上に洗浄液が残留することをより確実に防止することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が固定されているが、モータにより回動するアームに取り付けられてもよい。その場合、洗浄液の吐出領域または不活性ガスの吐出領域を容易に調整することができる。そのため、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理を効果的に行うことができる。例えば、基板Ｗの裏面を乾燥させる際に、不活性ガス供給ノズル７５２を基板Ｗの中心部上方から基板Ｗの周縁部上方へと移動させることにより、基板Ｗの裏面全体に不活性ガスを吹き付けることができ、基板Ｗの裏面上の洗浄液をより効果的に除去することができる。
【０１３３】
また、本実施の形態においては、ブラシ７１４を用いて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、高圧噴射ノズル、超音波ノズルまたは後述する２流体ノズル等の他の方法により基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。
【０１３４】
また、本実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗの乾燥処理を行うが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を行ってもよい。
【０１３５】
また、本実施の形態では、基板反転装置７６０により基板Ｗを反転させて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、基板Ｗの下方から基板Ｗに向けて洗浄液を吐出するノズル、または基板Ｗの下方から基板Ｗに当接するブラシを設けて、基板Ｗを反転させずに基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。
【０１３６】
（４）基板に付着する水分量の調整
図４に示すように、インターフェースブロック５内の上方には、清浄な空気を供給するための空気供給ユニット６１が設けられる。また、インターフェースブロック５内の下方には、雰囲気を排気するための空気排出ユニット６２が設けられる。
【０１３７】
空気供給ユニット６１は、流通管６３を介して温調装置６０に接続される。温調装置６０は、空気の温度および湿度を予め設定された値に調整するとともに空気に中のパーティクル（塵埃）等の不純物を除去する。温調装置６０において調整および浄化された空気は、流通管６３を介して空気供給ユニット６１に供給される。それにより、空気供給ユニット６１からインターフェースブロック５内に温度および湿度が調整された清浄な空気が供給される。
【０１３８】
このように、温調装置６０によりインターフェースブロック５内に温湿度調整された清浄な空気が供給されるので、露光後ベーク前の基板Ｗが適切な水分を保持することができる。これにより、露光後ベーク用熱処理部１２１において、基板Ｗ上の触媒反応が適切に促進される。
【０１３９】
なお、空気供給ユニット６１と流通管６３との接続部には流量調整ダンパ６５が設けられる。流量調整ダンパ６５は流通管６３から空気供給ユニット６１に流入する空気の流量を調整する。
【０１４０】
空気排出ユニット６２には、流通管６４が接続される。インターフェースブロック５内の空気は、空気排出ユニット６２および流通管６４を介して外部に排出される。それにより、インターフェースブロック５内の雰囲気が適切な温度および湿度の清浄な状態に維持される。
【０１４１】
なお、流通管６４には流量調整ダンパ６６が設けられる。流量調整ダンパ６６は、流通管６４内の空気の流量を調整する。
【０１４２】
インターフェースブロック５内の冷却ユニットＣＰは、ケーシング５３および冷却プレート５４により構成される。冷却プレート５４は、ケーシング５３内に配置される。冷却ユニットＣＰのケーシング５３は、流通管７１を介して窒素供給装置７０に接続される。窒素供給装置７０から乾燥した窒素ガスが流通管７１を介して冷却ユニットＣＰのケーシング５３内に供給される。それにより、冷却ユニットＣＰのケーシング５３内は乾燥した窒素ガスで満たされる。
【０１４３】
この場合、露光処理前において、冷却ユニットＣＰに搬送された基板Ｗは、乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。その結果、基板Ｗが真空露光装置内に搬送される場合でも、真空露光装置内の真空度が低下することが確実に防止される。
【０１４４】
なお、流通管７１には流量調整ダンパ７３が設けられる。流量調整ダンパ７３は、流通管７１内の空気の流量を調整する。
【０１４５】
上記の構成によると、基板Ｗの処理コストの増加を抑制しつつ、露光処理前の基板Ｗを十分に乾燥させるとともに露光後ベーク前の基板Ｗ上のレジスト膜中の水分量を適切に調整することが可能となる。
【０１４６】
（５）インターフェース用搬送機構の詳細な動作
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の詳細な動作について説明する。図７はインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１，Ｈ２２の動作を示すフローチャートであり、図８はインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１〜Ｈ１３の動作を示すフローチャートであり、図９はインターフェースブロック５内の基板Ｗの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１，Ｈ２２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１〜Ｈ１３はメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
【０１４７】
図７および図９に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１）。
【０１４８】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ２）。これにより、エッジ露光部ＥＥＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１に保持した基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する（ステップＳ３）。
【０１４９】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（後述する図８のステップＳ１１）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬入する（ステップＳ４）。
【０１５０】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを搬入する（後述する図８のステップＳ１８）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（ステップＳ５）。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の加熱ユニットＨＰに搬入する（ステップＳ６）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ１〜Ｓ６の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を制御する。
【０１５１】
図８および図９に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１１）。
【０１５２】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１２）。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３に保持した基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入する（ステップＳ１３）。
【０１５３】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて冷却ユニットＣＰから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１４）。これにより、冷却ユニットＣＰに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２に保持した基板Ｗを冷却ユニットＣＰに搬入する（ステップＳ１５）。
【０１５４】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１６）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１に保持した基板Ｗを露光装置６の基板搬入部６ａに搬入する（ステップＳ１７）。
【０１５５】
先述したように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（図７のステップＳ５）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬入する（ステップＳ１８）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ１１〜Ｓ１８の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１を制御する。
【０１５６】
（６）効果
本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により行われ、冷却ユニットＣＰから露光装置６への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により行われ、露光装置６から基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送がハンドＨ１３により行われる。
【０１５７】
そのため、たとえ露光処理後の基板Ｗに汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板Ｗを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板Ｗを清浄な状態で露光装置６に搬入することができる。その結果、露光装置６内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置６における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。
【０１５８】
露光装置６内が汚染されると、露光装置６内の汚染物を除去するために清掃作業を行う必要がある。その場合、露光装置６の内部を大気圧に戻し、露光装置６の清掃作業の終了後、露光装置内を減圧して真空にする。本実施の形態においては、露光装置６内の汚染が低減されているので、露光装置６の清掃作業を行う頻度が低減される。露光装置６の清掃作業を行う場合でも、露光装置６内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するための作業時間が短縮される。また、露光装置６内が大気中にさらされる時間が短くなるので、露光装置内を減圧して真空にするための時間が短縮される。これらの結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【０１５９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも上方に配置され、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２はハンドＨ１３よりも上方に配置される。裏面洗浄後の基板Ｗにリンス液等の液体が残存している場合、裏面洗浄後の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２から液体が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１がハンドＨ１２よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持される温度調整後の基板Ｗに液体が付着することがない。これにより、温度調整後の基板Ｗの温度が変化することおよび露光装置６に液体が付着した基板Ｗが搬入されることを防止することができる。
【０１６０】
また、露光処理後の基板Ｗの清浄度が露光処理前の基板Ｗの清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２がハンドＨ１３よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２により保持される露光処理前の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１６１】
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により行われ、エッジ露光部ＥＥＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２により行われる。
【０１６２】
これにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が並行動作することが可能となる。その結果、基板Ｗの搬送効率を低下させることなく、露光装置６に清浄な基板を搬入することができる。
【０１６３】
また、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に一時的に待機させることができるので、露光処理前の基板Ｗの搬送時間および露光処理後の基板Ｗの搬送時間を調整することができる。その結果、基板Ｗの搬送効率が向上するとともに露光処理から次の処理までの時間を適切に調製することができる。
【０１６４】
［２］第２の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。図１０は、第２の実施の形態におけるインターフェースブロック５を露光装置６側から見た概略側面図である。図１０に示すように、本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷはインターフェースブロック５内の−Ｘ側の上部に配置される。この場合、＋Ｘ側に裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが配置されない。
【０１６５】
本実施の形態において、基板載置部ＰＡＳＳ８は、ケーシング５３および冷却プレート５４を有する。冷却プレート５４は、ケーシング５３内に配置される。基板載置部ＰＡＳＳ８は基板載置部兼冷却ユニットとして用いられる。この場合、冷却ユニットＣＰは別途設けられなくてもよい。
【０１６６】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２において、支持部Ｓ２には、アームＡ２を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する３個のハンドＨ２１，Ｈ２２，Ｈ２３が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ２１はハンドＨ２２よりも高い位置に配置され、ハンドＨ２２はハンドＨ２３よりも高い位置に配置される。
【０１６７】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１において、支持部Ｓ１には、アームＡ１を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１１，Ｈ１２が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも高い位置に配置される。本実施の形態において、アームＡ１にハンドＨ１３は設けられない。
【０１６８】
（２）インターフェースブロックの概略動作
第２の実施の形態に係る基板処理装置５００において、インデクサブロック１に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック４（図１参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【０１６９】
図１０のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて接続口１２１ｂを通して基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジに露光処理が施される。
【０１７０】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いてエッジ露光部ＥＥＷからエッジに露光処理が施された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送する。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【０１７１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから裏面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送された基板Ｗは、露光装置６内と同じ温度または露光装置６内よりも高い温度（例えば、２０〜２３℃）に調整される。
【０１７２】
第１の実施の形態におけるインターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰと同様に、基板載置部ＰＡＳＳ８内は乾燥した窒素ガスで満たされている。基板Ｗが乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。
【０１７３】
後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ９には、露光処理後の基板Ｗが載置されている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２３は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰ（図１参照）に搬送する。
【０１７４】
なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に代えてハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１への基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【０１７５】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、上記の動作を繰り返す。それにより、図１の基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへ基板Ｗの搬送、エッジ露光部ＥＥＷから裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送および基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【０１７６】
一方、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から上記所定温度に維持されかつ乾燥した窒素ガスにより水分が除去された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置６内の基板搬入部６ａ（図１参照）に搬送する。露光装置６においては、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１７７】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂ（図１参照）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【０１７８】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、上記の動作を繰り返す。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ８から露光装置６の基板搬入部６ａへの基板Ｗの搬送および露光装置６の基板搬出部６ｂから基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【０１７９】
（３）インターフェース用搬送機構の詳細な動作
第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の詳細な動作について説明する。図１１は第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１〜Ｈ２３の動作を示すフローチャートであり、図１２は第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２の動作を示すフローチャートであり、図１３は第２の実施の形態におけるインターフェースブロック５内の基板Ｗの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１〜Ｈ２３および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２はメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
【０１８０】
図１１および図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを搬出する（ステップＳ３１）。
【０１８１】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いてエッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ３２）。これにより、エッジ露光部ＥＥＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する（ステップＳ３３）。
【０１８２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ３４）。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に保持した基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入する（ステップＳ３５）。
【０１８３】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（後述する図１２のステップＳ４１）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬入する（ステップＳ３６）。
【０１８４】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを搬入する（後述する図１２のステップＳ４４）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（ステップＳ３７）。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に保持した基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の加熱ユニットＨＰに搬入する（ステップＳ３８）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ３１〜Ｓ３８の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を制御する。
【０１８５】
図１２および図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（ステップＳ４１）。
【０１８６】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂから基板Ｗを搬出する（ステップＳ４２）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１に保持した基板Ｗを露光装置６の基板搬入部６ａに搬入する（ステップＳ４３）。
【０１８７】
先述したように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（図１１のステップＳ３７）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬入する（ステップＳ４４）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ４１〜Ｓ４４の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１を制御する。
【０１８８】
（４）効果
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２により行われ、エッジ露光部ＥＥＷから裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２３により行われ、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により行われる。
【０１８９】
また、基板載置部ＰＡＳＳ８から露光装置６への基板Ｗのインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により行われ、露光装置６から基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により行われる。
【０１９０】
そのため、たとえ露光処理後の基板Ｗに汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板Ｗを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板Ｗを清浄な状態で露光装置６に搬入することができる。その結果、露光装置６内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置６における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。
【０１９１】
また、第１の実施の形態と同様に、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【０１９２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１は、ハンドＨ１２よりも上方に配置される。露光処理後の基板Ｗの清浄度が露光処理前の基板Ｗの清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板Ｗまたはそれをインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１がハンドＨ１２よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持される露光処理前の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１９３】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１は、ハンドＨ２２，Ｈ２３よりも上方に配置される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２，Ｈ２３により保持される裏面洗浄前の基板Ｗが汚染されている場合、裏面洗浄前の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２，Ｈ２３から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１がハンドＨ２２，Ｈ２３よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により保持される裏面洗浄後の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１９４】
［３］他の実施の形態
上記実施の形態において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２は２個または３個のハンドを有するが、これに限定されない。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２は、４個以上のハンドを有してもよい。この場合、基板の処理工程の数が増加しても、基板処理の効率を低下させることなく、基板の裏面の汚染を防止することができる。
【０１９５】
上記実施の形態において、インターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰまたは基板載置部ＰＡＳＳ８内は乾燥した窒素ガスで満たされているが、これに限定されない。インターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰまたは基板載置部ＰＡＳＳ８内はヘリウムガスまたはアルゴンガス等の乾燥した不活性ガスで満たされていてもよい。この場合においても、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。これにより、基板Ｗが真空露光装置内に搬送される場合でも、真空露光装置内の真空度が低下することが確実に防止される。
【０１９６】
なお、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて裏面洗浄後の基板Ｗが十分に乾燥される場合には、図４の冷却ユニットＣＰのケーシング５３内または図１０の基板載置部ＰＡＳＳ８のケーシング５３内に乾燥気体が供給されなくてもよい。
【０１９７】
また、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷでの裏面洗浄後の基板Ｗの温度が露光装置６での露光処理に適した温度に維持される場合には、図４の冷却ユニットＣＰまたは図１０の基板載置部ＰＡＳＳ８の冷却プレート５４が設けられなくてもよい。この場合、図４のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ２１またはハンドＨ２２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから露光装置６へ基板Ｗを搬送する。
【０１９８】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１９９】
上記実施の形態では、露光装置６が露光装置の例であり、基板処理装置５００が基板処理装置の例であり、基板Ｗが基板の例であり、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４が処理部の例であり、インターフェースブロック５が受け渡し部の例であり、レジスト膜用塗布処理部３０が感光性膜形成ユニットの例であり、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが裏面洗浄ユニットの例であり、ハンドＨ１１〜Ｈ１３，Ｈ２１〜Ｈ２３が保持部の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が搬送装置の例であり、ケーシング５３が筐体の例であり、乾燥した窒素ガスが乾燥気体の例であり、窒素供給装置７０が気体供給部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ９が載置部の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１が第１の搬送ユニットの例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が第２の搬送ユニットの例である。
【０２００】
第１の実施の形態においては、冷却ユニットＣＰが温度調整部の例であり、ハンドＨ１２が第１の保持部の例であり、ハンドＨ１１が第２の保持部の例であり、ハンドＨ１３が第３の保持部の例であり、ハンドＨ２１が第４の保持部の例であり、ハンドＨ２２が第５の保持部の例である。
【０２０１】
第２の実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ８が温度調整部の例であり、ハンドＨ１１が第１の保持部の例であり、ハンドＨ２１が第２の保持部の例であり、ハンドＨ１２が第３の保持部の例であり、ハンドＨ２２が第４の保持部の例であり、ハンドＨ２３が第５の保持部の例である。
【０２０２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０３】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２０４】
１ インデクサブロック
２ 反射防止膜用処理ブロック
３ レジスト膜用処理ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェースブロック
６ 露光装置
６ａ 基板搬入部
６ｂ 基板搬出部
１１〜１３ 隔壁
２０ 反射防止膜用塗布処理部
２１，３１，４１，５１ スピンチャック
２２，３２，４２ 供給ノズル
３０ レジスト膜用塗布処理部
４０ 現像処理部
５２ 光照射器
５３ ケーシング
５４ 冷却プレート
６０ 温調装置
６１ 空気供給ユニット
６２ 空気排出ユニット
６３，６４，７１ 流通管
６５，６６，７３ 流量調整ダンパ
７０ 窒素供給装置
９１ メインコントローラ
９２ キャリア載置台
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０ 現像用熱処理部
１２１ 露光後ベーク用熱処理部
１２１ｂ 接続口
５００ 基板処理装置
７１０ アーム駆動装置
７１１，７２５ 回転軸
７１２ アーム
７１３ ブラッシング装置
７１４ ブラシ
７１５ ブラッシングモータ
７２１ スピンチャック
７２２ 保持ピン
７２３ 処理カップ
７２４ ガード
７３１ 排液空間
７３２ 回収液空間
７３３ 仕切壁
７３４ 排液管
７３５ 回収管
７３６ チャック回転駆動機構
７４１ 排液案内溝
７４２ 回収液案内部
７４３ 仕切壁収納溝
７５１ 洗浄液供給ノズル
７５２ 不活性ガス供給ノズル
７５３ 洗浄液供給管
７５４ 不活性ガス供給管
７６０ 基板反転装置
７６１ 昇降用駆動装置
７６２ 昇降軸
７６３ チャック開閉装置
７６４，７６５ チャック
７６６，７６７ 支持体
７６８ 支持部材
７６８ａ，７６８ｂ 支持部
Ａ１，Ａ２ アーム
Ｂ１，Ｂ２ ベース部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ 塗布ユニット
Ｃ キャリア
ＣＰ 冷却ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ３ センターロボット
ＣＲＨ１〜ＣＲＨ６，Ｈ１１〜Ｈ１３，Ｈ２１〜Ｈ２３，ＩＲＨ１,ＩＲＨ２ ハンド
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＦＲ１，ＩＦＲ２ インターフェース用搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＬＣ ローカルコントローラ
Ｍ１，Ｍ２ モータ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｒ１ 洗浄液供給源
Ｒ３ 不活性ガス供給源
Ｓ１，Ｓ２ 支持部
ＲＢＦ 戻りバッファ部
ＲＳＷ 裏面洗浄処理ユニット
ＳＢＦ 送りバッファ部
Ｔ１，Ｔ２ 回転軸
Ｖｄ，Ｖｅ バルブ
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、露光処理前の基板に対して種々の成膜処理が施される。しかしながら、この成膜処理の過程で基板の裏面が汚染する場合がある。この場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じ、基板が不安定な状態となる。これにより、露光処理時に露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することがある。
【０００４】
これを回避するため、例えば特許文献１では、基板処理装置に露光処理前の基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットが設けられる。これにより、露光処理前の基板の裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２１４３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンのさらなる微細化が求められている。レジストパターンの微細化のために重要となる露光装置の解像度性能は、露光装置の光源の波長に依存する。そこで、波長が約１３ｎｍと極めて短いＥＵＶ（超紫外線）を用いた露光技術が提案されている。ＥＵＶは大気に吸収されやすいので、ＥＵＶを用いた露光処理は、真空度が高い状態で行う必要がある。そのため、ＥＵＶを用いた露光処理を行う場合には、基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが要求される。
【０００７】
本発明の目的は、基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の表面に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、受け渡し部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットと基板を保持して搬送する複数の保持部を有する搬送装置を含み、搬送装置は、裏面洗浄ユニットによる裏面洗浄後の基板を複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して露光装置に搬送し、露光装置からの露光処理後の基板を複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送するように構成されたものである。
【０００９】
この基板処理装置においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成される。感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。洗浄後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持されて露光装置に搬送される。露光装置からの露光処理後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持されて搬送される。
【００１０】
このように、裏面洗浄後の基板を保持して露光装置に搬送する保持部と露光装置からの露光処理後の基板を保持して搬送する保持部とが異なる。そのため、たとえ露光処理後の基板に汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板を保持する保持部に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板を清浄な状態で露光装置に搬入することができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。また、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【００１１】
（２）受け渡し部は、基板の温度を調整する温度調整部をさらに含み、一または複数の保持部により、温度調整部から露光処理前の基板を保持して露光装置に搬送する第１の保持部と、裏面洗浄ユニットから裏面洗浄後の基板を保持して温度調整部に搬送する第２の保持部とを含んでもよい。
【００１２】
この場合、裏面洗浄後の基板が第２の保持部により裏面洗浄ユニットから温度調整部に保持されて搬送される。基板の温度が温度調整部により調整される。温度調整後の基板は温度調整部から第１の保持部により保持されて露光装置に搬送される。これにより、露光装置への基板の搬入時に露光装置の内外の温度差による基板の変形を防止しつつ基板の裏面の汚染を防止することができる。
【００１３】
また、裏面洗浄処理ユニットから温度調整部に基板を保持して搬送する保持部と温度調整部から露光装置に基板を保持して搬送する保持部とが異なる。それにより、温度調整された基板を保持する保持部の温度が一定に保たれる。したがって、温度調整部から露光装置に基板が搬送される際に基板の温度が変化することが防止される。
【００１４】
（３）温度調整部は、基板を取り囲む筐体と、筐体の内部に乾燥気体を供給する気体供給部とを含んでもよい。
【００１５】
この場合、温度調整部の筺体の内部に乾燥気体が供給される。これにより、基板が確実に乾燥される。その結果、露光装置に完全に乾燥状態の基板を搬入することができる。したがって、露光装置において真空中で露光処理が行われる場合でも真空度が低下することが確実に防止される。
【００１６】
（４）受け渡し部は、露光処理後の基板が載置される載置部をさらに含み、他の保持部は、露光装置から載置部に基板を保持して搬送する第３の保持部を含んでもよい。
【００１７】
この場合、基板が第３の保持部により保持されて露光装置から載置部に搬送される。これにより、露光処理後の基板を一時的に待機させることができるので、露光処理前の基板の搬送時間および露光処理後の基板の搬送時間を調整することができる。その結果、基板の搬送効率が向上するとともに露光処理から次の処理までの時間を適切に調製することができる。
【００１８】
（５）搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、第１の搬送ユニットは、第１の保持部、第２の保持部および第３の保持部を有し、第２の搬送ユニットは、処理部から受け渡し部内に感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、受け渡し部内で露光処理後の基板を保持して搬送する第５の保持部とを含んでもよい。
【００１９】
この場合、感光性膜の形成後の基板が、第２の搬送ユニットの第４の保持部により保持されて処理部から受け渡し部内に搬送される。また、露光処理後の基板が、第２の搬送ユニットの第５の保持部により保持されて受け渡し部内で搬送される。これにより、第１の搬送ユニットにより裏面洗浄処理ユニットから載置部への基板の搬送、載置部から温度調整部への基板の搬送および露光装置からの受け渡し部内への基板の搬送が行われ、第２の搬送ユニットにより処理部から受け渡し部内への基板の搬送および受け渡し部内での基板の搬送が行われる。それにより、第１の搬送ユニットおよび第２の搬送ユニットが並行動作することが可能となる。その結果、基板の搬送効率を低下させることなく、露光装置に清浄な基板を搬入することができる。
【００２０】
（６）第３の保持部は、第１および第２の保持部よりも下方に配置されてもよい。露光処理後の基板の清浄度が露光処理前の基板の清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板またはそれを保持する第３の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第１および第２の保持部が第３の保持部よりも上方に配置されることにより、第１および第２の保持部により保持される露光処理前の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２１】
（７）第１の保持部は、第２の保持部よりも上方に配置されてもよい。裏面洗浄後の基板に液体が残存している場合、裏面洗浄後の基板またはそれを保持する第２の保持部から液体が落下する可能性がある。このような場合でも、第１の保持部が第２の保持部よりも上方に配置されることにより、第１の保持部により保持される温度調整後の基板に液体が付着することがない。これにより、温度調整後の基板の温度が変化することおよび露光装置に液体が付着した基板が搬入されることを防止することができる。
【００２２】
（８）搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、第１の搬送ユニットは、第１の保持部および第３の保持部を有し、第２の搬送ユニットは、第２の保持部と、処理部から受け渡し部内に感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、感光性膜の形成後の基板を受け渡し部内で保持して裏面洗浄ユニットに搬送する第５の保持部とを有してもよい。
【００２３】
この場合、感光性膜の形成後基板が、第２の搬送ユニットの第４の保持部により処理部から保持されて受け渡し部内に搬送される。また、感光性膜の形成後の基板が、第２の搬送ユニットの第５の保持部により受け渡し部内で保持されて裏面洗浄ユニットに搬送される。これにより、第１の搬送ユニットにより載置部から温度調整部への基板の搬送および露光装置から受け渡し部内への基板の搬送が行われ、第２の搬送ユニットにより裏面洗浄処理ユニットから載置部への基板の搬送、処理部から受け渡し部内への基板の搬送および受け渡し部内での裏面洗浄ユニットへの基板の搬送が行われる。それにより、第１の搬送ユニットおよび第２の搬送ユニットが並行動作することが可能となる。その結果、基板の搬送効率を低下させることなく、露光装置に清浄な基板を搬入することができる。
【００２４】
（９）第１の保持部は、第３の保持部よりも上方に配置されてもよい。露光処理後の基板の清浄度が露光処理前の基板の清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板またはそれを保持する第３の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第１の保持部が第３の保持部よりも上方に配置されることにより、第１の保持部により保持される露光処理前の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２５】
（１０）第２の保持部は、第４および第５の保持部よりも上方に配置されてもよい。第４または第５の保持部により保持される裏面洗浄前の基板が汚染されている場合、裏面洗浄前の基板またはそれを保持する第４もしくは第５の保持部から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、第２の保持部が第４および第５の保持部よりも上方に配置されることにより、第２の保持部により保持される裏面洗浄後の基板に汚染物が付着することがない。これにより、露光装置に搬入される基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２６】
（１１）第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、基板処理装置は、感光性膜形成ユニット、裏面洗浄ユニット、および複数の保持部を有する搬送装置を備え、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、洗浄後の基板を搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して露光装置に搬送する工程と、露光装置からの露光処理後の基板を搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送する工程とを含むものである。
【００２７】
この基板処理方法においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成される。感光性膜の形成後でかつ露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。洗浄後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持されて露光装置に搬送される。露光装置からの露光処理後の基板が搬送装置の複数の保持部のうち他の保持部により保持されて搬送される。
【００２８】
このように、裏面洗浄後の基板を保持して露光装置に搬送する保持部と露光装置からの露光処理後の基板を保持して搬送する保持部とが異なる。そのため、たとえ露光処理後の基板に汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板を保持する保持部に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板を清浄な状態で露光装置に搬入することができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。また、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板処理の効率を低下させることなく、基板の裏面の汚染を防止し、洗浄度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図５】裏面洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】（ａ）は図５に示すチャック開閉装置およびチャックの上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すチャック開閉装置およびのＡ−Ａ線断面図である。
【図７】インターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図８】インターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。チャートである。
【図９】インターフェースブロック内の基板の搬送経路を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態におけるインターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図１１】第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図１２】第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構のハンドの動作を示すフローチャートである。
【図１３】第２の実施の形態におけるインターフェースブロック内の基板の搬送経路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３２】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１および後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向とする。
【００３３】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５を含む。また、インターフェースブロック５に隣接するように露光装置６が配置される。本実施の形態では、露光装置６は真空露光装置である。
【００３４】
以下、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３５】
インデクサブロック１は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１,ＩＲＨ２が上下に設けられる。
【００３６】
反射防止膜用処理ブロック２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部２０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部２０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３７】
インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１１が設けられる。この隔壁１１には、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック１から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からインデクサブロック１へ搬送する際に用いられる。
【００３８】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００３９】
レジスト膜用処理ブロック３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４０】
反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間には、雰囲気遮断用の隔壁１２が設けられる。この隔壁１２には、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
現像処理ブロック４は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理ブロック４はインターフェースブロック５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７を備える。現像処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられる。この隔壁１３には、レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から現像処理ブロック４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック４からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられる。
【００４３】
インターフェースブロック５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰを含む。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理および乾燥処理を行う。ここで、基板Ｗの裏面とは、各処理ブロックにより、種々の膜が形成される面の反対側の面をいう。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細は後述する。
【００４４】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２１，Ｈ２２（後述する図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１１，Ｈ１２，Ｈ１３（後述する図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック５の詳細については後述する。
【００４５】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５が順に並設されている。
【００４６】
図２は、図１の基板処理装置５００の一方の概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００の他方の概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の一方の側面に沿った領域（以下、＋Ｘ側と呼ぶ。）に設けられた構成要素を主に示し、図３においては、基板処理装置５００の他方の側面に沿った領域（以下、−Ｘ側と呼ぶ。）に設けられた構成要素を主に示している。
【００４７】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用塗布処理部２０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１およびスピンチャック２１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル２２を備える。
【００４８】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
【００４９】
現像処理ブロック４の現像処理部４０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル４２を備える。
【００５０】
インターフェースブロック５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗのエッジを露光処理する光照射器５２を備える。
【００５１】
インターフェースブロック５内のＸ方向における略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰが積層配置される（後述する図４参照）。図２には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの一部が図示されている。
【００５２】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５３】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５４】
現像処理ブロック４の現像用熱処理部１２０には２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１２１には基板載置部ＰＡＳＳ７、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰおよびが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５５】
なお、図２と同様に、図３には、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの一部が図示されている。
【００５６】
次に、図４を用いてインターフェースブロック５について詳細に説明する。図４は、インターフェースブロック５を露光装置６側から見た概略側面図である。インターフェースブロック５内において、−Ｘ側には、現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１と連通する接続口１２１ｂが配置される。また、インターフェースブロック５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷおよび裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが上下に積層配置される。
【００５７】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック５内の略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。
【００５８】
また、インターフェースブロック５内の下部には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の構成について説明する。
【００５９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ベース部Ｂ２、支持部Ｓ２、回転軸Ｔ２、アームＡ２およびモータＭ２を含む。ベース部Ｂ２には支持部Ｓ２が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。支持部Ｓ２は、回転軸Ｔ２を介してベース部Ｂ２内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２により支持部Ｓ２が回転する。支持部Ｓ２には、アームＡ２を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ２１，Ｈ２２が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ２１はハンドＨ２２よりも高い位置に配置される。
【００６０】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、接続口１２１ｂ、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９および冷却ユニットＣＰの間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ベース部Ｂ１、支持部Ｓ１、回転軸Ｔ１、アームＡ１およびモータＭ１を含む。ベース部Ｂ１には支持部Ｓ１が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。支持部Ｓ１は、回転軸Ｔ１を介してベース部Ｂ１内のモータＭ１に連結しており、このモータＭ１により支持部Ｓ１が回転する。支持部Ｓ１には、アームＡ１を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する３個のハンドＨ１１，Ｈ１２，Ｈ１３が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも高い位置に配置され、ハンドＨ１２はハンドＨ１３よりも高い位置に配置される。
【００６２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９、および冷却ユニットＣＰの間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６３】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６４】
（２−１）インデクサブロックから現像処理ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４の動作について簡単に説明する。
【００６５】
インデクサブロック１のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６６】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００６７】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第３のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ３およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２には、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドするようにハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６８】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６９】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部２０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部２０では、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７０】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部２０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７１】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７２】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部３０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部３０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７３】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、図４の接続口１２１ｂを通してインターフェースブロック５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック５および露光装置６において所定の処理が施される。インターフェースブロック５および露光装置６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、接続口１２１ｂを通してインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２により図１の現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入される。
【００７６】
露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、現像処理部４０に搬入する。現像処理部４０においては、露光処理された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７７】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部４０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック１のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８１】
（２−２）インターフェースブロックの概略動作
次に、インターフェースブロック５の動作について詳細に説明する。
【００８２】
上述したように、インデクサブロック１に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック４（図１参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【００８３】
図４のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて接続口１２１ｂを通して基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジに露光処理が施される。
【００８４】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷからエッジに露光処理が施された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。
【００８５】
ここで、露光装置６が十分な処理速度を有しない場合には、基板載置部ＰＡＳＳ８に露光処理前の基板Ｗが存在する場合がある。この場合、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送してもよい。この基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。後述するように、露光処理前の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて送りバッファ部ＳＢＦから基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。
【００８６】
後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ９には、露光処理後の基板Ｗが載置されている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰ（図１参照）に搬送する。
【００８７】
ここで、露光後ベーク用熱処理部１２１が一時的に基板Ｗの受け入れをできない場合には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦに搬送してもよい。この場合、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。露光後ベーク用熱処理部１２１が基板Ｗを受け入れ可能になった後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて戻りバッファ部ＲＢＦから基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１に搬送する。
【００８８】
なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に代えてハンドＨ２１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１への基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【００８９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、上記の動作を繰り返す。それにより、図１の基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへ基板Ｗの搬送、エッジ露光部ＥＥＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送および基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【００９０】
一方、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送する。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【００９１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから裏面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰに搬送された基板Ｗは、露光装置６内と同じ温度または露光装置６内よりも高い温度（例えば、２０〜２３℃）に調整される。基板Ｗを露光装置６内と同じ温度に調整することにより、露光装置６への基板Ｗの搬入時に露光装置６の内外の温度差による基板Ｗの変形を防止することができる。露光装置６内で基板Ｗの温度が低下する場合には、基板Ｗを露光装置６内よりも高い温度に調整することにより、露光装置６への基板Ｗの搬入時に露光装置６の内外の温度差による基板Ｗの変形を防止することができる。
【００９２】
また、冷却ユニットＣＰ内は乾燥した窒素ガスで満たされている。基板Ｗが乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。詳細は後述する。
【００９３】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて冷却ユニットＣＰから上記所定温度に維持されかつ乾燥した窒素ガスにより水分が除去された基板Ｗを取り出し、露光装置６内の基板搬入部６ａ（図１参照）に搬送する。露光装置６においては、基板Ｗの露光処理が行われる。
【００９４】
このように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰに基板Ｗを保持して搬送するハンドＨ１２と冷却ユニットＣＰから露光装置６に基板Ｗを保持してハンドＨ１１とが異なる。それにより、温度調整された基板Ｗを保持するハンドＨ１１の温度が一定に保たれる。したがって、冷却ユニットＣＰから露光装置６に基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの温度が変化することが防止される。
【００９５】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂ（図１参照）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【００９６】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、上記の動作を繰り返す。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ８から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰへの基板Ｗの搬送、冷却ユニットＣＰから露光装置６の基板搬入部６ａへの基板Ｗの搬送および露光装置６の基板搬出部６ｂから基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【００９７】
（３）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細について説明する。
【００９８】
（３−１）構成
図５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの構成を説明するための図である。
【００９９】
図５に示すように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック７２１を備える。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、スピンチャック７２１が基板Ｗの端面を複数の保持ピン７２２により保持する。スピンチャック７２１は、チャック回転駆動機構７３６によって回転される回転軸７２５の上端に固定されている。
【０１００】
スピンチャック７２１の外方には、アーム駆動装置７１０が設けられている。アーム駆動装置７１０には、回動軸７１１が接続されている。回動軸７１１には、アーム７１２が水平方向に延びるように連結され、アーム７１２の先端には、ブラッシング装置７１３が取り付けられている。ブラッシング装置７１３は、下方に向くブラシ７１４、およびそのブラシ７１４を回転させるブラッシングモータ７１５を有する。
【０１０１】
アーム駆動装置７１０により回動軸７１１が回転するとともにアーム７１２が回動し、ブラッシング装置７１３がスピンチャック７２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。また、アーム駆動装置７１０により回動軸７１１およびアーム７１２が上下動し、ブラッシング装置７１３のブラシ７１４が基板Ｗに近づく方向または離れる方向に移動する。
【０１０２】
また、スピンチャック７２１の外方には、基板反転装置７６０が設けられている。基板反転装置７６０は昇降用駆動装置７６１を備える。昇降用駆動装置７６１には、昇降軸７６２が設けられており、昇降軸７６２の上端には、チャック開閉装置７６３が取り付けられている。チャック開閉装置７６３には、基板Ｗを保持するための１対のチャック７６４，７６５が取り付けられている。
【０１０３】
昇降用駆動装置７６１により昇降軸７６２が上下方向に移動する。それに伴い、チャック７６４，７６５が、スピンチャック７２１上の基板Ｗと同じ高さの位置（以下、基板保持位置と呼ぶ）とスピンチャック７２１の上方の位置（以下、基板反転位置と呼ぶ）との間で上下方向に移動する。基板反転装置７６０は、基板反転位置で基板Ｗを１８０°反転させることができる。基板反転装置７６０の詳細については後述する。
【０１０４】
スピンチャック７２１の外方の斜め上方には、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が設けられている。これらの洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２は、基板反転装置７６０の上下動を妨げないように配置されている。洗浄液供給ノズル７５１は、洗浄液供給管７５３およびバルブＶｄを介して洗浄液供給源Ｒ１に接続されている。不活性ガス供給ノズル７５２は、不活性ガス供給管７５４およびバルブＶｅを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。
【０１０５】
バルブＶｄの開閉を制御することにより、洗浄液供給管７５３に供給する洗浄液の供給量を調整することができる。洗浄液供給ノズル７５１には、洗浄液が、洗浄液供給管７５３を通して洗浄液供給源Ｒ１から供給される。それにより、基板Ｗ上へ洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。
【０１０６】
バルブＶｅの開閉を制御することにより、不活性ガス供給管７５４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。不活性ガス供給ノズル７５２には、不活性ガスが、不活性ガス供給管７５４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗ上へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
【０１０７】
スピンチャック７２１に保持された基板Ｗは、処理カップ７２３内に収容される。処理カップ７２３の内側には、筒状の仕切壁７３３が設けられている。また、スピンチャック７２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた洗浄液を排液するための排液空間７３１が形成されている。さらに、排液空間７３１を取り囲むように、処理カップ７２３と仕切壁７３３との間に、基板Ｗの裏面洗浄処理に用いられた洗浄液を回収するための回収液空間７３２が形成されている。
【０１０８】
排液空間７３１には、排液処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための排液管７３４が接続され、回収液空間７３２には、回収処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための回収管７３５が接続されている。
【０１０９】
処理カップ７２３の上方には、基板Ｗからの洗浄液が外方へ飛散することを防止するためのガード７２４が設けられている。このガード７２４は、回転軸７２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード７２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝７４１が環状に形成されている。
【０１１０】
また、ガード７２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部７４２が形成されている。回収液案内部７４２の上端付近には、処理カップ７２３の仕切壁７３３を受け入れるための仕切壁収納溝７４３が形成されている。
【０１１１】
このガード７２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構によりガード７２４が上下動する。
【０１１２】
ここで、回収液案内部７４２がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態（図５に示すガード７２４の状態）では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が回収液案内部７４２により回収液空間７３２に導かれ、回収管７３５を通して回収される。以下、このようなガード７２４の位置を回収位置と呼ぶ。
【０１１３】
また、排液案内溝７４１がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が排液案内溝７４１により排液空間７３１に導かれ、排液管７３４を通して排液される。以下、このようなガードの位置を排液位置と呼ぶ。
【０１１４】
また、スピンチャック７２１上の基板Ｗの搬入または搬出等が行われる際には、ガード７２４の上端部の高さがスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの高さよりも低くなる状態になる。以下、このようなガードの位置を搬入搬出位置と呼ぶ。
【０１１５】
なお、本実施の形態では、搬入搬出位置と排液位置との間でガード７２４が上下動する。
【０１１６】
（３−２）基板反転装置の詳細
ここで、基板反転装置７６０のチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の詳細について説明する。図６（ａ）は図５に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５のＡ−Ａ線断面図である。
【０１１７】
図６（ａ）に示すように、チャック７６４，７６５は、基板Ｗの端面に沿った略円弧形状を有し、基板Ｗを挟んで互いに対称に配置されるとともに、図６（ｂ）に示すように、上下方向に僅かにずれて配置されている。また、チャック７６４の一面（図６（ｂ）においては下面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられており、チャック７６５の一面（図６（ｂ）においては上面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられている。支持部材７６８は、円錐台形状の支持部７６８ａおよび逆円錐台形状の支持部７６８ｂが一体的に形成されたものである。支持部７６８ａ，７６８ｂの間には溝が形成され、この溝により基板Ｗの端面が保持される。なお、支持部材７６８は例えばフッ素樹脂からなる。
【０１１８】
チャック７６４，７６５は、支持体７６６，７６７を介してそれぞれチャック開閉装置７６３に接続されている。チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が互いに近づく方向および離れる方向（図６（ａ）の矢印Ｍ１参照）に移動する。以下、チャック７６４，７６５が最大限離れた状態を開状態と呼ぶ。
【０１１９】
また、チャック開閉装置７６３は、図示しないモータを有し、水平方向に延びる軸心Ｊ１を中心としてチャック７６４，７６５を１８０°回転させることができる。
【０１２０】
（３−３）動作
次に、上記構成を有する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの処理動作について説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
【０１２１】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード７２４が上述した搬入搬出位置まで移動するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が基板Ｗをスピンチャック７２１上に載置する。このとき、基板Ｗは、表面が上方を向く状態である。
【０１２２】
続いて、開状態のチャック７６４，７６５が上述の基板保持位置まで下降する。次に、チャック７６４，７６５がチャック開閉装置７６３により互いに近づく方向に移動する。それにより、チャック７６４，７６５の支持部材７６８が基板Ｗの端面に当接し、基板Ｗがチャック７６４，７６５により保持される。
【０１２３】
続いて、チャック７６４，７６５が上述の基板反転位置まで上昇する。そこで、チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が１８０°回転される。それにより、基板Ｗが反転され、基板Ｗの裏面が上方を向く状態になる。
【０１２４】
次に、チャック７６４，７６５が上記状態を保ちつつ基板保持位置まで下降する。続いて、チャック７６４，７６５が開状態となる。それにより、基板Ｗは、裏面が上方を向く状態でスピンチャック７２１上に載置される。続いて、保持ピン７２２により基板Ｗの端面が保持される。一方、チャック７６４，７６５は基板Ｗの上方へ退避する。
【０１２５】
次に、ガード７２４が上述した排液位置まで移動するとともに、回転軸７２５が回転する。回転軸７２５の回転に伴ってスピンチャック７２１に保持されている基板Ｗが回転する。また、このとき、ブラシ７１４が基板Ｗの中心部上方に移動する。
【０１２６】
続いて、洗浄液供給ノズル７５１から洗浄液が基板Ｗの裏面に吐出されるとともに、ブラシ７１４が回転しつつ下降し、基板Ｗの裏面に当接する。これにより、基板Ｗの裏面がブラシ７１４により洗浄される。
【０１２７】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止されるとともに、ブラシ７１４が基板Ｗの外方に移動する。次に、回転軸７２５の回転数が上昇する。それにより、基板Ｗ上の洗浄液が遠心力により除去される。
【０１２８】
次に、不活性ガス供給ノズル７５２から不活性ガスが基板Ｗの裏面に吐出される。これにより、基板Ｗの裏面が確実に乾燥される。所定時間経過後、不活性ガスの供給が停止され、回転軸７２５の回転が停止する。また、ガード７２４が搬入搬出位置に移動する。
【０１２９】
続いて、スピンチャック７２１による基板Ｗの保持が解除されるとともに、基板反転装置７６０のチャック７６４，７６５により基板Ｗが保持され、上記と同様に、基板反転位置において基板Ｗが再度反転される。それにより、基板Ｗは、表面が上方を向いた状態となる。
【０１３０】
そして、基板Ｗがスピンチャック７２１上に載置され、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２（後述する第２の実施の形態においては、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１）により裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから搬出される。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおける基板Ｗの裏面洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が終了する。なお、裏面洗浄処理および乾燥処理中におけるガード７２４の位置は、洗浄液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１３１】
なお、ブラシ７１４により基板Ｗの裏面を洗浄した後に、基板Ｗの裏面にリンス液を供給してもよい。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。この場合、洗浄液がリンス液により洗い流されるので、基板Ｗ上に洗浄液が残留することをより確実に防止することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が固定されているが、モータにより回動するアームに取り付けられてもよい。その場合、洗浄液の吐出領域または不活性ガスの吐出領域を容易に調整することができる。そのため、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理を効果的に行うことができる。例えば、基板Ｗの裏面を乾燥させる際に、不活性ガス供給ノズル７５２を基板Ｗの中心部上方から基板Ｗの周縁部上方へと移動させることにより、基板Ｗの裏面全体に不活性ガスを吹き付けることができ、基板Ｗの裏面上の洗浄液をより効果的に除去することができる。
【０１３３】
また、本実施の形態においては、ブラシ７１４を用いて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、高圧噴射ノズル、超音波ノズルまたは後述する２流体ノズル等の他の方法により基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。
【０１３４】
また、本実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗの乾燥処理を行うが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を行ってもよい。
【０１３５】
また、本実施の形態では、基板反転装置７６０により基板Ｗを反転させて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、基板Ｗの下方から基板Ｗに向けて洗浄液を吐出するノズル、または基板Ｗの下方から基板Ｗに当接するブラシを設けて、基板Ｗを反転させずに基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。
【０１３６】
（４）基板に付着する水分量の調整
図４に示すように、インターフェースブロック５内の上方には、清浄な空気を供給するための空気供給ユニット６１が設けられる。また、インターフェースブロック５内の下方には、雰囲気を排気するための空気排出ユニット６２が設けられる。
【０１３７】
空気供給ユニット６１は、流通管６３を介して温調装置６０に接続される。温調装置６０は、空気の温度および湿度を予め設定された値に調整するとともに空気に中のパーティクル（塵埃）等の不純物を除去する。温調装置６０において調整および浄化された空気は、流通管６３を介して空気供給ユニット６１に供給される。それにより、空気供給ユニット６１からインターフェースブロック５内に温度および湿度が調整された清浄な空気が供給される。
【０１３８】
このように、温調装置６０によりインターフェースブロック５内に温湿度調整された清浄な空気が供給されるので、露光後ベーク前の基板Ｗが適切な水分を保持することができる。これにより、露光後ベーク用熱処理部１２１において、基板Ｗ上の触媒反応が適切に促進される。
【０１３９】
なお、空気供給ユニット６１と流通管６３との接続部には流量調整ダンパ６５が設けられる。流量調整ダンパ６５は流通管６３から空気供給ユニット６１に流入する空気の流量を調整する。
【０１４０】
空気排出ユニット６２には、流通管６４が接続される。インターフェースブロック５内の空気は、空気排出ユニット６２および流通管６４を介して外部に排出される。それにより、インターフェースブロック５内の雰囲気が適切な温度および湿度の清浄な状態に維持される。
【０１４１】
なお、流通管６４には流量調整ダンパ６６が設けられる。流量調整ダンパ６６は、流通管６４内の空気の流量を調整する。
【０１４２】
インターフェースブロック５内の冷却ユニットＣＰは、ケーシング５３および冷却プレート５４により構成される。冷却プレート５４は、ケーシング５３内に配置される。冷却ユニットＣＰのケーシング５３は、流通管７１を介して窒素供給装置７０に接続される。窒素供給装置７０から乾燥した窒素ガスが流通管７１を介して冷却ユニットＣＰのケーシング５３内に供給される。それにより、冷却ユニットＣＰのケーシング５３内は乾燥した窒素ガスで満たされる。
【０１４３】
この場合、露光処理前において、冷却ユニットＣＰに搬送された基板Ｗは、乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。その結果、基板Ｗが真空露光装置内に搬送される場合でも、真空露光装置内の真空度が低下することが確実に防止される。
【０１４４】
なお、流通管７１には流量調整ダンパ７３が設けられる。流量調整ダンパ７３は、流通管７１内の空気の流量を調整する。
【０１４５】
上記の構成によると、基板Ｗの処理コストの増加を抑制しつつ、露光処理前の基板Ｗを十分に乾燥させるとともに露光後ベーク前の基板Ｗ上のレジスト膜中の水分量を適切に調整することが可能となる。
【０１４６】
（５）インターフェース用搬送機構の詳細な動作
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の詳細な動作について説明する。図７はインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１，Ｈ２２の動作を示すフローチャートであり、図８はインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１〜Ｈ１３の動作を示すフローチャートであり、図９はインターフェースブロック５内の基板Ｗの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１，Ｈ２２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１〜Ｈ１３はメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
【０１４７】
図７および図９に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１）。
【０１４８】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いてエッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ２）。これにより、エッジ露光部ＥＥＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１に保持した基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する（ステップＳ３）。
【０１４９】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（後述する図８のステップＳ１１）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬入する（ステップＳ４）。
【０１５０】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを搬入する（後述する図８のステップＳ１８）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（ステップＳ５）。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の加熱ユニットＨＰに搬入する（ステップＳ６）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ１〜Ｓ６の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を制御する。
【０１５１】
図８および図９に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１１）。
【０１５２】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１２）。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３に保持した基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入する（ステップＳ１３）。
【０１５３】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて冷却ユニットＣＰから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１４）。これにより、冷却ユニットＣＰに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２に保持した基板Ｗを冷却ユニットＣＰに搬入する（ステップＳ１５）。
【０１５４】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１６）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１に保持した基板Ｗを露光装置６の基板搬入部６ａに搬入する（ステップＳ１７）。
【０１５５】
先述したように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（図７のステップＳ５）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１３に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬入する（ステップＳ１８）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ１１〜Ｓ１８の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１を制御する。
【０１５６】
（６）効果
本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから冷却ユニットＣＰへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により行われ、冷却ユニットＣＰから露光装置６への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により行われ、露光装置６から基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送がハンドＨ１３により行われる。
【０１５７】
そのため、たとえ露光処理後の基板Ｗに汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板Ｗを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板Ｗを清浄な状態で露光装置６に搬入することができる。その結果、露光装置６内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置６における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。
【０１５８】
露光装置６内が汚染されると、露光装置６内の汚染物を除去するために清掃作業を行う必要がある。その場合、露光装置６の内部を大気圧に戻し、露光装置６の清掃作業の終了後、露光装置内を減圧して真空にする。本実施の形態においては、露光装置６内の汚染が低減されているので、露光装置６の清掃作業を行う頻度が低減される。露光装置６の清掃作業を行う場合でも、露光装置６内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するための作業時間が短縮される。また、露光装置６内が大気中にさらされる時間が短くなるので、露光装置内を減圧して真空にするための時間が短縮される。これらの結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【０１５９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも上方に配置され、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２はハンドＨ１３よりも上方に配置される。裏面洗浄後の基板Ｗにリンス液等の液体が残存している場合、裏面洗浄後の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２から液体が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１がハンドＨ１２よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持される温度調整後の基板Ｗに液体が付着することがない。これにより、温度調整後の基板Ｗの温度が変化することおよび露光装置６に液体が付着した基板Ｗが搬入されることを防止することができる。
【０１６０】
また、露光処理後の基板Ｗの清浄度が露光処理前の基板Ｗの清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２がハンドＨ１３よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２により保持される露光処理前の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１６１】
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により行われ、エッジ露光部ＥＥＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２により行われる。
【０１６２】
これにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が並行動作することが可能となる。その結果、基板Ｗの搬送効率を低下させることなく、露光装置６に清浄な基板を搬入することができる。
【０１６３】
また、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に一時的に待機させることができるので、露光処理前の基板Ｗの搬送時間および露光処理後の基板Ｗの搬送時間を調整することができる。その結果、基板Ｗの搬送効率が向上するとともに露光処理から次の処理までの時間を適切に調製することができる。
【０１６４】
［２］第２の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。図１０は、第２の実施の形態におけるインターフェースブロック５を露光装置６側から見た概略側面図である。図１０に示すように、本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷはインターフェースブロック５内の−Ｘ側の上部に配置される。この場合、＋Ｘ側に裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが配置されない。
【０１６５】
本実施の形態において、基板載置部ＰＡＳＳ８は、ケーシング５３および冷却プレート５４を有する。冷却プレート５４は、ケーシング５３内に配置される。基板載置部ＰＡＳＳ８は基板載置部兼冷却ユニットとして用いられる。この場合、冷却ユニットＣＰは別途設けられなくてもよい。
【０１６６】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２において、支持部Ｓ２には、アームＡ２を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する３個のハンドＨ２１，Ｈ２２，Ｈ２３が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ２１はハンドＨ２２よりも高い位置に配置され、ハンドＨ２２はハンドＨ２３よりも高い位置に配置される。
【０１６７】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１において、支持部Ｓ１には、アームＡ１を介して基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１１，Ｈ１２が進退可能に上下に設けられる。ここで、ハンドＨ１１はハンドＨ１２よりも高い位置に配置される。本実施の形態において、アームＡ１にハンドＨ１３は設けられない。
【０１６８】
（２）インターフェースブロックの概略動作
第２の実施の形態に係る基板処理装置５００において、インデクサブロック１に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック４（図１参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【０１６９】
図１０のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて接続口１２１ｂを通して基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジに露光処理が施される。
【０１７０】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いてエッジ露光部ＥＥＷからエッジに露光処理が施された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送する。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【０１７１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから裏面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送された基板Ｗは、露光装置６内と同じ温度または露光装置６内よりも高い温度（例えば、２０〜２３℃）に調整される。
【０１７２】
第１の実施の形態におけるインターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰと同様に、基板載置部ＰＡＳＳ８内は乾燥した窒素ガスで満たされている。基板Ｗが乾燥した窒素ガスの雰囲気下で乾燥されることにより、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。
【０１７３】
後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ９には、露光処理後の基板Ｗが載置されている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２３は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを取り出し、接続口１２１ｂを通してその基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰ（図１参照）に搬送する。
【０１７４】
なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に代えてハンドＨ２２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１への基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【０１７５】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、上記の動作を繰り返す。それにより、図１の基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへ基板Ｗの搬送、エッジ露光部ＥＥＷから裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送および基板載置部ＰＡＳＳ９から露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【０１７６】
一方、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から上記所定温度に維持されかつ乾燥した窒素ガスにより水分が除去された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置６内の基板搬入部６ａ（図１参照）に搬送する。露光装置６においては、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１７７】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂ（図１参照）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【０１７８】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、上記の動作を繰り返す。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ８から露光装置６の基板搬入部６ａへの基板Ｗの搬送および露光装置６の基板搬出部６ｂから基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が繰り返し行われる。
【０１７９】
（３）インターフェース用搬送機構の詳細な動作
第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２の詳細な動作について説明する。図１１は第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１〜Ｈ２３の動作を示すフローチャートであり、図１２は第２の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２の動作を示すフローチャートであり、図１３は第２の実施の形態におけるインターフェースブロック５内の基板Ｗの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１〜Ｈ２３および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１，Ｈ１２はメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
【０１８０】
図１１および図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２を用いて露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の基板載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを搬出する（ステップＳ３１）。
【０１８１】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いてエッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ３２）。これにより、エッジ露光部ＥＥＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２２に保持した基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する（ステップＳ３３）。
【０１８２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板Ｗを搬出する（ステップＳ３４）。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に保持した基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入する（ステップＳ３５）。
【０１８３】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（後述する図１２のステップＳ４１）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２１に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬入する（ステップＳ３６）。
【０１８４】
後述するように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを搬入する（後述する図１２のステップＳ４４）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（ステップＳ３７）。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３に保持した基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１２１（図４参照）の加熱ユニットＨＰに搬入する（ステップＳ３８）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ３１〜Ｓ３８の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を制御する。
【０１８５】
図１２および図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８から基板Ｗを搬出する（ステップＳ４１）。
【０１８６】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２を用いて露光装置６の基板搬出部６ｂから基板Ｗを搬出する（ステップＳ４２）。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１１に保持した基板Ｗを露光装置６の基板搬入部６ａに搬入する（ステップＳ４３）。
【０１８７】
先述したように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを搬出する（図１１のステップＳ３７）。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗの搬入が可能となる。続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ１２に保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬入する（ステップＳ４４）。メインコントローラ９１（制御部）は、ステップＳ４１〜Ｓ４４の処理が繰り返し行われるようにインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１を制御する。
【０１８８】
（４）効果
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２により行われ、エッジ露光部ＥＥＷから裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２３により行われ、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により行われる。
【０１８９】
また、基板載置部ＰＡＳＳ８から露光装置６への基板Ｗのインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により行われ、露光装置６から基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送がインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により行われる。
【０１９０】
そのため、たとえ露光処理後の基板Ｗに汚染物が付着している場合でも、その汚染物が裏面洗浄後の基板Ｗを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１に付着することがない。これにより、裏面洗浄後の基板Ｗを清浄な状態で露光装置６に搬入することができる。その結果、露光装置６内の汚染を防止することができる。したがって、露光装置６における露光処理が真空中で行われる場合であっても、汚染物による真空度の低下が防止される。
【０１９１】
また、第１の実施の形態と同様に、露光装置内の汚染が低減されているので、汚染物を除去するために必要な時間が短縮される。その結果、基板処理装置の稼働率が低下することを防止することができる。
【０１９２】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１は、ハンドＨ１２よりも上方に配置される。露光処理後の基板Ｗの清浄度が露光処理前の基板Ｗの清浄度に比べて低い場合、露光処理後の基板Ｗまたはそれをインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１がハンドＨ１２よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持される露光処理前の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１９３】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１は、ハンドＨ２２，Ｈ２３よりも上方に配置される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２，Ｈ２３により保持される裏面洗浄前の基板Ｗが汚染されている場合、裏面洗浄前の基板Ｗまたはそれを保持するインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２２，Ｈ２３から汚染物が落下する可能性がある。このような場合でも、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１がハンドＨ２２，Ｈ２３よりも上方に配置されることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のハンドＨ２１により保持される裏面洗浄後の基板Ｗに汚染物が付着することがない。これにより、露光装置６に搬入される基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１９４】
［３］他の実施の形態
上記実施の形態において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２は２個または３個のハンドを有するが、これに限定されない。インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２は、４個以上のハンドを有してもよい。この場合、基板の処理工程の数が増加しても、基板処理の効率を低下させることなく、基板の裏面の汚染を防止することができる。
【０１９５】
上記実施の形態において、インターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰまたは基板載置部ＰＡＳＳ８内は乾燥した窒素ガスで満たされているが、これに限定されない。インターフェースブロック５の冷却ユニットＣＰまたは基板載置部ＰＡＳＳ８内はヘリウムガスまたはアルゴンガス等の乾燥した不活性ガスで満たされていてもよい。この場合においても、基板Ｗに付着した水分が十分に除去される。これにより、基板Ｗが真空露光装置内に搬送される場合でも、真空露光装置内の真空度が低下することが確実に防止される。
【０１９６】
なお、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて裏面洗浄後の基板Ｗが十分に乾燥される場合には、図４の冷却ユニットＣＰのケーシング５３内または図１０の基板載置部ＰＡＳＳ８のケーシング５３内に乾燥気体が供給されなくてもよい。
【０１９７】
また、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷでの裏面洗浄後の基板Ｗの温度が露光装置６での露光処理に適した温度に維持される場合には、図４の冷却ユニットＣＰまたは図１０の基板載置部ＰＡＳＳ８の冷却プレート５４が設けられなくてもよい。この場合、図４のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、ハンドＨ２１またはハンドＨ２２を用いて裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから露光装置６へ基板Ｗを搬送する。
【０１９８】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１９９】
上記実施の形態では、露光装置６が露光装置の例であり、基板処理装置５００が基板処理装置の例であり、基板Ｗが基板の例であり、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４が処理部の例であり、インターフェースブロック５が受け渡し部の例であり、レジスト膜用塗布処理部３０が感光性膜形成ユニットの例であり、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが裏面洗浄ユニットの例であり、ハンドＨ１１〜Ｈ１３，Ｈ２１〜Ｈ２３が保持部の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２が搬送装置の例であり、ケーシング５３が筐体の例であり、乾燥した窒素ガスが乾燥気体の例であり、窒素供給装置７０が気体供給部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ９が載置部の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ１が第１の搬送ユニットの例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が第２の搬送ユニットの例である。
【０２００】
第１の実施の形態においては、冷却ユニットＣＰが温度調整部の例であり、ハンドＨ１２が第１の保持部の例であり、ハンドＨ１１が第２の保持部の例であり、ハンドＨ１３が第３の保持部の例であり、ハンドＨ２１が第４の保持部の例であり、ハンドＨ２２が第５の保持部の例である。
【０２０１】
第２の実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ８が温度調整部の例であり、ハンドＨ１１が第１の保持部の例であり、ハンドＨ２１が第２の保持部の例であり、ハンドＨ１２が第３の保持部の例であり、ハンドＨ２２が第４の保持部の例であり、ハンドＨ２３が第５の保持部の例である。
【０２０２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０３】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２０４】
１ インデクサブロック
２ 反射防止膜用処理ブロック
３ レジスト膜用処理ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェースブロック
６ 露光装置
６ａ 基板搬入部
６ｂ 基板搬出部
１１〜１３ 隔壁
２０ 反射防止膜用塗布処理部
２１，３１，４１，５１ スピンチャック
２２，３２，４２ 供給ノズル
３０ レジスト膜用塗布処理部
４０ 現像処理部
５２ 光照射器
５３ ケーシング
５４ 冷却プレート
６０ 温調装置
６１ 空気供給ユニット
６２ 空気排出ユニット
６３，６４，７１ 流通管
６５，６６，７３ 流量調整ダンパ
７０ 窒素供給装置
９１ メインコントローラ
９２ キャリア載置台
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０ 現像用熱処理部
１２１ 露光後ベーク用熱処理部
１２１ｂ 接続口
５００ 基板処理装置
７１０ アーム駆動装置
７１１，７２５ 回転軸
７１２ アーム
７１３ ブラッシング装置
７１４ ブラシ
７１５ ブラッシングモータ
７２１ スピンチャック
７２２ 保持ピン
７２３ 処理カップ
７２４ ガード
７３１ 排液空間
７３２ 回収液空間
７３３ 仕切壁
７３４ 排液管
７３５ 回収管
７３６ チャック回転駆動機構
７４１ 排液案内溝
７４２ 回収液案内部
７４３ 仕切壁収納溝
７５１ 洗浄液供給ノズル
７５２ 不活性ガス供給ノズル
７５３ 洗浄液供給管
７５４ 不活性ガス供給管
７６０ 基板反転装置
７６１ 昇降用駆動装置
７６２ 昇降軸
７６３ チャック開閉装置
７６４，７６５ チャック
７６６，７６７ 支持体
７６８ 支持部材
７６８ａ，７６８ｂ 支持部
Ａ１，Ａ２ アーム
Ｂ１，Ｂ２ ベース部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ 塗布ユニット
Ｃ キャリア
ＣＰ 冷却ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ３ センターロボット
ＣＲＨ１〜ＣＲＨ６，Ｈ１１〜Ｈ１３，Ｈ２１〜Ｈ２３，ＩＲＨ１,ＩＲＨ２ ハンド
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＦＲ１，ＩＦＲ２ インターフェース用搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＬＣ ローカルコントローラ
Ｍ１，Ｍ２ モータ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｒ１ 洗浄液供給源
Ｒ３ 不活性ガス供給源
Ｓ１，Ｓ２ 支持部
ＲＢＦ 戻りバッファ部
ＲＳＷ 裏面洗浄処理ユニット
ＳＢＦ 送りバッファ部
Ｔ１，Ｔ２ 回転軸
Ｖｄ，Ｖｅ バルブ
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の表面に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記受け渡し部は、
前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットと
基板を保持して搬送する複数の保持部を有する搬送装置とを含み、
前記搬送装置は、前記裏面洗浄ユニットによる裏面洗浄後の基板を前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送し、前記露光装置からの露光処理後の基板を前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送するように構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記受け渡し部は、基板の温度を調整する温度調整部をさらに含み、
前記一または複数の保持部は、
前記温度調整部から前記露光処理前の基板を保持して前記露光装置に搬送する第１の保持部と、
前記裏面洗浄ユニットから裏面洗浄後の基板を保持して前記温度調整部に搬送する第２の保持部とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記温度調整部は、
基板を取り囲む筐体と、
前記筐体の内部に乾燥気体を供給する気体供給部とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記受け渡し部は、前記露光処理後の基板が載置される載置部をさらに含み、
前記他の保持部は、前記露光装置から前記載置部に基板を保持して搬送する第３の保持部を含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、
前記第１の搬送ユニットは、前記第１の保持部、前記第２の保持部および前記第３の保持部を有し、
前記第２の搬送ユニットは、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、
前記受け渡し部内で前記露光処理後の基板を保持して搬送する第５の保持部とを含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第３の保持部は、前記第１および第２の保持部よりも下方に配置されることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の保持部は、前記第２の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、
前記第１の搬送ユニットは、前記第１の保持部および前記第３の保持部を有し、
前記第２の搬送ユニットは、
前記第２の保持部と、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、
前記感光性膜の形成後の基板を前記受け渡し部で保持して前記裏面洗浄ユニットに搬送する第５の保持部とを有することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の保持部は、前記第３の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２の保持部は、前記第４および第５の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、前記基板処理装置は、感光性膜形成ユニット、裏面洗浄ユニット、および複数の保持部を有する搬送装置を備え、
前記感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、
前記洗浄後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送する工程と、
前記露光装置からの露光処理後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の表面に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記受け渡し部は、
前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットと
基板を保持して搬送する複数の保持部を有する搬送装置とを含み、
前記搬送装置は、前記裏面洗浄ユニットによる裏面洗浄後の基板を前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送し、前記露光装置からの露光処理後の基板を前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送するように構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記受け渡し部は、基板の温度を調整する温度調整部をさらに含み、
前記一または複数の保持部は、
前記温度調整部から前記露光処理前の基板を保持して前記露光装置に搬送する第１の保持部と、
前記裏面洗浄ユニットから裏面洗浄後の基板を保持して前記温度調整部に搬送する第２の保持部とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記温度調整部は、
基板を取り囲む筐体と、
前記筐体の内部に乾燥気体を供給する気体供給部とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記受け渡し部は、前記露光処理後の基板が載置される載置部をさらに含み、
前記他の保持部は、前記露光装置から前記載置部に基板を保持して搬送する第３の保持部を含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、
前記第１の搬送ユニットは、前記第１の保持部、前記第２の保持部および前記第３の保持部を有し、
前記第２の搬送ユニットは、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、
前記受け渡し部内で前記露光処理後の基板を保持して搬送する第５の保持部とを含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第３の保持部は、前記第１および第２の保持部よりも下方に配置されることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の保持部は、前記第２の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記搬送装置は、第１および第２の搬送ユニットを含み、
前記第１の搬送ユニットは、前記第１の保持部および前記第３の保持部を有し、
前記第２の搬送ユニットは、
前記第２の保持部と、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第４の保持部と、
前記感光性膜の形成後の基板を前記受け渡し部で保持して前記裏面洗浄ユニットに搬送する第５の保持部とを有することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の保持部は、前記第３の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２の保持部は、前記第４および第５の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、前記基板処理装置は、感光性膜形成ユニット、裏面洗浄ユニット、および複数の保持部を有する搬送装置を備え、
前記感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、
前記洗浄後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送する工程と、
前記露光装置からの露光処理後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−２０５００４（Ｐ２０１１−２０５００４Ａ）
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７２７２１（Ｐ２０１０−７２７２１）
【出願日】平成２２年３月２６日（２０１０．３．２６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２６日（２０１０．３．２６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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