【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】スループット低下を抑制しつつ装置内への昇華物の飛散を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜用の塗布液が塗布された基板Ｗが開口部５２から加熱ユニットＰＨＰのクールプレート７０に搬入される。基板Ｗは搬送アーム８６によってクールプレート７０からホットプレート６０に搬送されて加熱され、反射防止膜が焼成される。ホットプレート６０による加熱処理が終了した後、搬送アーム８６が基板Ｗを受け取ってその基板Ｗの温度が昇華物の発生が停止する温度以下に降温するまでホットプレート６０にて待機した後に基板Ｗをクールプレート７０に搬送する。加熱処理後にホットプレート６０からクールプレート７０に搬送される時点では、基板Ｗから昇華物が発生していないため、昇華物が開口部５２から流出して基板処理装置の全体に飛散することが防止される。 （もっと読む）

【課題】無駄なエネルギーの消費を抑制することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、ヒートパイプ構造を採用したものであり、中空構造の熱処理プレート１１および制御用冷却プレート５１を備える。ヒータ１７を作動させて作動液貯留部１３の作動液１６を加熱することにより、作動液１６が蒸発してその蒸気が中空部１０内を移動し、プレート表面１１ａとの間で凝縮潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート１１を加熱する。作動液１６の蒸気の一部は作動液流通路１８に流入し、制御用冷却プレート５１にて流路５４に供給された冷却水によって冷却される。制御用冷却プレート５１の冷却能力は冷却水バルブ５７の開閉を制御することによって調整される。作動液１６の蒸気を冷却する必要のあるときのみ制御用冷却プレート５１に冷却動作を行わせることにより、無駄なエネルギー消費を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理の低コスト化が可能でかつ大きな設置スペースを要しない温調装置を提供する。
【解決手段】温調装置２００は、空気流通路２０７〜２１１およびダクト１，２，３を備える。温調装置２００の外部から空気流通路２０７に流入した空気は、空気流通路２０８を介してダクト１に供給され、空気流通路２０９〜２１１を介してダクト２，３に供給される。空気流通路２０７に冷却器２１２が設けられ、空気流通路２０８に加熱器２１６が設けられ、空気流通路２０９に加熱器２１７が設けられる。ダクト１から送出される空気は、基板処理装置のインターフェイスブロックに供給され、ダクト２，３から送出される空気は、基板処理装置の塗布ブロックおよび現像ブロックに供給される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成にて加熱処理後の基板を迅速に冷却することができ、しかも熱処理時の基板の温度履歴を一定に維持することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱ユニットＰＨＰの外部から搬入された基板Ｗはクールプレート７０のリフトピン７１上に置かれ、搬送アーム８６によってホットプレート６０まで搬送される。ホットプレート６０にて基板Ｗの加熱処理を行っている間、搬送アーム８６はクールプレート７０に接触して冷却されている。加熱処理が終了した後、基板Ｗは搬送アーム８６によって受け取られホットプレート６０からクールプレート７０まで移動される。基板Ｗを受け取って載置した搬送アーム８６の裏面がクールプレート７０の表面に接触することによって搬送アーム８６を基板Ｗが冷却される。 （もっと読む）

【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる温調装置およびそれを備えた基板処理システムを提供する。
【解決手段】温調装置２００は、複数の管継手４、複数の管継手５および冷却水流通路２２１，２２２を備える。冷却水流通路２２２には、冷却器２２４が設けられる。管継手４から基板処理装置に供給された冷却水は、管継手５により回収される。管継手５により回収された冷却水は、冷却水流通路２２２により冷却された後、管継手４から基板処理装置に供給される。複数の管継手４に対応するように複数の電磁弁４０１がそれぞれ設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板保持部に保持される複数の基板に対してそれぞれ処理液を供給可能な複数のノズルを備えることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢で保持する複数のスピンチャックと、基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル２１と、選択ノズル２１ｓを準備位置から処理位置Ｐａ、Ｐｂへ移動させる選択ノズル移動機構５１と、各準備位置の間で複数のノズル２１を一体に移動させるノズル群搬送機構４１と、を備えている。ノズル群搬送機構４１は複数のノズル２１を各準備位置間で移動させる。選択ノズル移動機構５１は、複数のノズル２１から任意に選択される選択ノズル２１ｓを、処理位置Ｐに移動させる。処理位置Ｐに移動した選択ノズル２１ｓは処理液を基板に供給する。 （もっと読む）

【課題】搬送機構の負荷を軽減可能な技術を提供する。
【解決手段】メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間の基板の受け渡しを、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の備える仮置部Ｔを介して行わせる。すなわち、メインロボットＴ２１に、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内の仮置部Ｔに送り基板を載置させ、ＰＥＢロボットＴ３１に、仮置部Ｔに載置された送り基板を取り出させる。また、ＰＥＢロボットＴ３１に、仮置部ＴにＰＥＢ処理前の送り基板を載置させ、メインロボットＴ２１に、仮置部Ｔに載置されたＰＥＢ処理後の戻り基板を取り出させる。この構成によると、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳを介して基板を受け渡す場合に比べて搬送機構の搬送工程数を少なくすることができる。 （もっと読む）