基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
これらの諸処理を行う基板処理装置は、一般に、レジスト膜の形成処理、現像処理、熱処理等の各種処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置して構成される。このような基板処理装置において装置全体のスループットを向上させるためには、各処理ユニットにおけるスループットの向上が必須である。このためには、実際の処理に要する処理時間以外の作業時間（オーバーヘッドタイム）をできるだけ短縮しなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オーバーヘッドタイムは各種の場面で発生する。例えば、所定の処理液を吐出供給して基板を液処理する処理ユニットにおいては、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが問題となっている。これについて具体的に説明する。基板を液処理する処理ユニットは、一般に、所定の位置に被処理基板を保持する保持部と、保持部に保持された基板に対して処理液を吐出供給するノズルとを備える。このノズルは、基板の搬出入が行われる間は、その邪魔にならないように所定の待避位置におかれ、基板が処理ユニット内に搬入されて保持部に保持された後に、待避位置から基板に向けて処理液を吐出可能な所定の処理位置まで移動されてくることが多い。ここで、基板が保持部に保持されてからノズルが処理位置に到着するまでの時間がオーバーヘッドタイム（ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイム）となり、これがスループット向上の妨げとなっていた。
【０００５】
特に、それぞれにおいて１枚の基板に対する処理を実行する処理セットを複数個備える処理ユニットにおいてこれら複数の処理セット間でノズルを共用する場合、ノズルを処理セット間で移動させなければならないので、その移動に係るオーバーヘッドタイムがどうしても長くなり、スループットに大きな影響を与えてしまう。
【０００６】
また一方で、基板間での処理均一性という側面からみると、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが基板間でばらつくことは好ましくない。例えば、現像処理においては現像液を塗布される基板の温度によって処理状態が変化してしまう。したがって、所定の温度で現像液が塗布されるように、基板は厳密に温度管理された状態で現像処理ユニット内に搬入されてくる。ところが、現像処理ユニット内で現像液を吐出供給するノズルの到着が遅れると、その基板について現像液を塗布するタイミングが遅れ、その基板は他の基板と異なる温度状態で現像液を塗布されることとなってしまう。この結果、基板間で温度処理履歴の不均一が生じ、不良基板の発生につながってしまう。このような事情は、現像処理だけでなくレジスト膜塗布処理等の各種処理においても同様に当てはまる。
【０００７】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備え、前記処理液供給手段が、基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、を備え、前記ノズル位置制御手段が、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、を備える。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記複数の処理セットの間を移動する際の前記ノズルの移動経路を、前記基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが前記基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成する。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理ユニットであって、前記吐出開始位置と当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある前記待機位置とが、前記ノズルが直線移動で到達可能な位置関係にある。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、基板についての前記処理情報が、当該基板を前記複数の処理セットのうちのいずれにて処理するかを指定する情報を含む。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液供給手段が前記ノズルを複数個備え、基板についての前記処理情報が、前記複数個のノズルのうちから、当該基板に対する前記処理液の吐出を行わせるノズルを選択指定する情報を含む。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液が現像液である。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液がレジスト膜材料である。
【００１５】
請求項８の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備え、前記処理液供給手段が、基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、を備え、前記ノズル位置制御手段が、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、を備える。
【００１６】
請求項９の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、基板に対して所定の処理液を吐出するノズルの位置制御方法であって、前記基板処理ユニットが、それぞれの間で前記ノズルを共用しながら、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セット、を備え、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する工程と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定する工程と、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させる工程と、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入された後に、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜９の発明によると、複数の処理セットにて並行して基板を処理可能な構成を備える基板処理ユニットにおいて、ある基板に対する処理液の吐出処理を終えたノズルを次に処理すべき基板について特定された待機位置まで先行移動させておくので、基板がノズルを待つ時間はノズルがこの待機位置から吐出開始位置まで移動する間だけとなり、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くすることができる。また、基板について特定された吐出開始位置とその待機位置とは固定的な相対位置関係にあるので、ノズルが待機位置から吐出開始位置まで移動するのに要する時間が基板間でばらつくこともない。したがって、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを基板間で均一にすることができる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によると、処理セット間を移動する際のノズルの移動経路が、基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成されるので、搬送機構が基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもノズルを処理セット間で自由に移動させることができる。
【００１９】
特に、請求項３の発明によると、待機位置と吐出開始位置とがノズルが直線移動で到達可能な位置関係にあるので、ノズルを直線移動のみによって待機位置から吐出開始まで移動させることができる。これにより、基板がノズルの到着を待つ時間を効果的に短縮できる。
【００２０】
特に、請求項６の発明によると、現像処理を行う処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるとともに、現像処理の均一性を担保することができる。
【００２１】
特に、請求項７の発明によると、レジスト膜の塗布形成を行う処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるとともに、レジスト膜の塗布形成処理の均一性を担保することができる。
【００２２】
特に、請求項８の発明によると、基板処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるので、装置全体のスループットの向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
〈１．現像処理ユニット〉
〈１−１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理ユニット（現像処理ユニット１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、現像処理ユニット１の平面図である。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。
【００２４】
現像処理ユニット１は、基板Ｗに対して現像処理を行う。現像処理ユニット１は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０と、現像液供給部２０が備えるノズル２１を受けるためのポッド３０とを備える。なお、各現像処理セット１０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００２５】
また、現像処理ユニット１は、これら各部の動作を制御する制御部９１を備える。制御部９１は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【００２６】
〈現像処理セット１０〉
現像処理セット１０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ１２と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗにリンス液を供給するリンスノズル１３とを備える。すなわち、現像処理ユニット１はこれら各部材１１，１２，１３を３個ずつ備える。
【００２７】
回転保持部１１は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。回転保持部１１は、電動モータ（図示省略）によって回転される回転軸（図示省略）の上端に固定されている。また、回転保持部１１には吸気路（図示省略）が形成されており、回転保持部１１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面を真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００２８】
カップ１２は、先端を切り落としたドーム形状の部材であり、回転保持部１１に保持された基板Ｗを囲繞する。カップ１２には、これを昇降させる昇降機構（図示省略）が接続されている。昇降機構は、例えばエアシリンダにより構成される。昇降機構は、カップ１２を処理位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも上方にある位置））と待避位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも下方にある位置）との間で移動させる。昇降機構は、制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じてカップ１２の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。処理位置に移動させた状態においては、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面から飛散した液滴がカップ１２の内側面で受け止められる。
【００２９】
リンスノズル１３は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上面に所定のリンス液を供給する機能部であり、回転保持部１１と後述する開口部１０１との間に配設される。ただし、リンスノズル１３は、開口部１０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００３０】
リンスノズル１３は、リンス液供給源（図示省略）と接続され、基板Ｗに向けてリンス液を吐出する吐出部１３１を備える。吐出部１３１は、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成することができる。
【００３１】
吐出部１３１は、水平方向に延びるアーム１３２の先端に取り付けられている。また、アーム１３２は、上方に延びる回動軸１３３の上端に取り付けられている。さらに、回動軸１３３には、これを回動させる回動機構（図示省略）が接続されている。回動機構は、例えば回動モータにより構成される。
【００３２】
回動機構は、回動軸１３３を回動させることによって、アーム１３２の先端に取り付けられた吐出部１３１を処理位置（回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方位置）と待避位置（回転保持部１１の側方位置）との間で移動させる。回動機構は、制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じて吐出部１３１の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。処理位置に移動させた状態で吐出部１３１からリンス液を吐出させることによって、基板Ｗの表面にリンス液を供給することができる。
【００３３】
なお、現像処理ユニット１の筐体壁面であって、搬送スペースＡ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）に面する側には、各回転保持部１１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部１０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部１０１からそのハンドを挿入して、当該開口部１０１と対応する回転保持部１１にアクセスすることができる。なお、開口部１０１は、シャッター等により開閉可能とされている。
【００３４】
３個の現像処理セット１０のそれぞれにおいては、これら各構成要素１１，１２，１３と、各処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０とによって、１枚の基板に対する現像処理が実行される。なお、以下において、３個の現像処理セット１０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３と示す。
【００３５】
〈現像液供給部２０〉
現像液供給部２０は、各現像処理セット１０が備える回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面に所定の現像液を供給する機能部であり、回転保持部１１の並びに対して搬送スペースＡと逆側の位置に配置される。
【００３６】
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出するノズル２１と、ノズル２１に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）とを備える。ノズル２１は、例えばスリットノズルにより構成され、その下側面（基板Ｗと対向する面）に、基板Ｗの直径相当の長さのスリット（もしくは小孔列）２０１が形成される。ノズル２１が、スリット２０１から現像液を吐出しながら回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方を走査すると、基板表面に現像液が帯状に供給される。
【００３７】
ノズル２１は、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された横ガイドレール２２に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル２１には、これを横ガイドレール２２に沿って移動させるＹ軸駆動機構２３と、これを垂直方向に移動させるＺ軸駆動機構２４とが接続されている。各駆動機構２３，２４は制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じて制御される。
【００３８】
制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御してノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることができる。これにより、現像処理セット１０間でノズル２１を移動させることができるとともに、任意の現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方をノズル２１に走査させることができる。また、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御してノズル２１を垂直方向に沿って（すなわち、Ｚ方向に沿って）移動させることができる。
【００３９】
図２を参照する。図２は、現像処理ユニット１の側断面図である。制御部９１は、現像処理セット１０間でノズル２１を移動させる場合は、ノズル２１を第１の高さにある水平面（移動走行面Ｚ１）上で移動させる。ただし、移動走行面Ｚ１（すなわち、現像処理セット１０間を移動する際のノズル２１の移動経路Ｌ２１）は、外部搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域（進入領域Ｋ）の外側（進入領域Ｋの上方）に形成される。すなわち、移動走行面Ｚ１は、この平面上を移動するノズル２１が進入領域Ｋと干渉しない高さ位置に設定される。これにより、外部搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であっても、そのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができる。
【００４０】
一方、制御部９１は、基板Ｗの上方をノズル２１に走査させる場合は、ノズル２１を第１の高さよりも低い高さにある水平面（処理走行面Ｚ２）上で移動させる。Ｚ軸駆動機構２４を制御することにより、制御部９１は、移動走行面Ｚ１と処理走行面Ｚ２との間でノズル２１を移動させることができる。
【００４１】
〈ポッド３０〉
ポッド３０は、待機するノズル２１を受けるための機能部である。また、ポッド３０内にノズル２１の下端面を洗浄する機構（洗浄ポット）を設け、収納されたノズル２１の下端面を洗浄する機能をさらに付加してもよい。
【００４２】
ポッド３０は現像処理セット１０と同数個だけ設けられる。複数個のポッド３０のそれぞれは、複数の現像処理セット１０のそれぞれに対応して設けられ、対応する現像処理セット１０の備える回転保持部１１の所定側に隣接して配置される。ただし、所定側とは、ノズル２１が基板Ｗの上方を走査する方向と同じ側である。例えばノズル２１が基板Ｗの上方を−Ｙ方向に走査する場合、回転保持部１１の−Ｙ方向側にこれに対応するポッド３０が配置される。なお、現像処理セット１０の並びの端部に配置されるポッド３０は、特に、ノズル２１を使用しない間待機させておくポッドとしても用いられる。
【００４３】
〈１−２．現像処理〉
現像処理ユニット１においては、複数の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。各現像処理セット１０において行われる処理の流れについて、図６を参照しながら説明する。図６は、現像処理ユニット１にて行われる処理の流れを示す図である。以下の処理は、制御部９１が現像処理ユニット１の備える各部を制御することによって実行される。
【００４４】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が、開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１に搬入して、所定の現像処理セット１０（当該基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０として例えば後述するメインコントローラ１９９が指定する処理セット）の回転保持部１１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対する現像処理が開始される。
【００４５】
基板Ｗが回転保持部１１上に載置されると、制御部９１は、載置された基板Ｗを回転保持部１１に保持させる（ステップＳ１１）。
【００４６】
続いて、制御部９１は、現像液供給部２０に基板Ｗ上に現像液を吐出供給させる（ステップＳ１２）。基板Ｗの表面に現像液が液盛りされることにより、基板表面の現像反応が進行する。
【００４７】
ステップＳ１２の処理が終了すると、制御部９１は、リンスノズル１３を回動させて吐出部１３１を待避位置から処理位置まで移動させ、基板Ｗの中央付近に向けて所定のリンス液を吐出させる（ステップＳ１３）。これにより基板表面の現像反応が停止する。
【００４８】
続いて、制御部９１は、回転保持部１１を回転させて、基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる。所定時間が経過すると回転を停止させる。以上で現像処理が終了する。
【００４９】
現像処理が終了すると、外部搬送機構が開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１から搬出する。
【００５０】
〈１−３．ノズルの位置制御〉
現像処理ユニット１においては、上述した一連の処理（ステップＳ１１〜ステップＳ１４）が、各現像処理セット１０において並行して行われる。ところで、上述した通り、現像液供給部２０は複数の現像処理セット１０の間で共用される。したがって、制御部９１は、各現像処理セット１０における現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）のタイミングに合わせて、各現像処理セット１０間でノズル２１を適切に移動させなければならない。以下において、制御部９１がノズル２１の位置制御を行う態様について図３を参照しながら具体的に説明する。図３は、ノズル２１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【００５１】
制御部９１には、ノズル２１の位置制御に関する機能部として、処理情報取得部４１と、ノズル位置特定部４２と、駆動機構制御部４３とが実現されている。これら各部は、制御部９１が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００５２】
〈処理情報取得部４１〉
処理情報取得部４１は、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（現像処理情報）を、制御部９１と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図１６参照））から取得する。
【００５３】
現像処理情報とは、現像処理ユニット１において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、現像処理セット情報Ｄ１１とノズル高さ情報Ｄ１２とが含まれる。
【００５４】
現像処理セット情報Ｄ１１は、各基板Ｗを、第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報である。
【００５５】
ノズル高さ情報Ｄ１２は、ノズル２１を位置させるべき高さを具体的に規定する情報である。
【００５６】
〈ノズル位置特定部４２〉
ノズル位置特定部４２は、処理情報取得部４１が取得した現像処理情報に基づいて、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、吐出開始位置ＰＳ（基板Ｗに対する現像処理においてノズル２１が当該基板に対する現像液の吐出を開始する位置）と、待機位置ＰＷ（基板Ｗに対する現像液の吐出処理に備えてノズル２１を待機させる位置）とを特定する。
【００５７】
吐出開始位置ＰＳおよび待機位置ＰＷをどのように特定するかについて、図４を参照しながら具体的に説明する。図４は、ノズル２１の移動経路を模式的に示す図である。
【００５８】
吐出開始位置ＰＳは、現像処理セット情報Ｄ１１とノズル高さ情報Ｄ１２とに基づいて特定される。例えば、ある基板Ｗ（基板Ｗ１）について、現像処理セット情報Ｄ１１により指定される処理セットが「第２処理セットＳＤ２」であり、ノズル高さ情報Ｄ１２により指定されるノズル高さ位置が処理走行面Ｚ２であるとする。この場合、ノズル位置特定部４２は、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板Ｗの周縁部位置の真上よりも手前の位置であって処理走行面Ｚ２上の位置を、基板Ｗ１についての吐出開始位置ＰＳ１と特定する。
【００５９】
待機位置ＰＷは、吐出開始位置ＰＳに対して固定的な相対位置関係にある位置である。より具体的には、基板Ｗについて特定された吐出開始位置ＰＳから移動経路Ｌ２１（すなわち、移動走行面Ｚ１）に下ろした垂線が移動経路Ｌ２１と交わる垂線交点が、当該基板Ｗについての待機位置ＰＷとなる。換言すると、吐出開始位置ＰＳの真上であって移動走行面Ｚ１上の位置が待機位置ＰＷとなる。上記に例示した基板Ｗ１の場合、ノズル位置特定部４２は、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板Ｗの周縁部位置の真上よりも手前の位置であって移動走行面Ｚ１上の座標位置を、基板Ｗ１についての待機位置ＰＷ１と特定する。
【００６０】
この構成によると、待機位置ＰＷが移動経路Ｌ２１上に設定されるので、現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う外部搬送機構が処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を待機位置ＰＷまで移動させてそこで待機させることができる。
【００６１】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとが、ノズル２１が直線移動（Ｚ方向に沿った移動）で到達可能な位置関係におかれるので、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御してノズル２１をＺ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって、待機位置ＰＷにあるノズル２１を吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。
【００６２】
〈駆動機構制御部４３〉
駆動機構制御部４３は、Ｙ軸駆動機構２３およびＺ軸駆動機構２４を制御してノズル２１を移動させる。駆動機構制御部４３がノズル２１を移動させる態様について、図４〜図６を参照しながら具体的に説明する。
【００６３】
ある基板Ｗ（例えば、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持される基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す））に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を行う場合、駆動機構制御部４３は以下の制御を行う。
【００６４】
まず、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、基板Ｗ１について特定された待機位置ＰＷ１に待機しているノズル２１を基板Ｗ１について特定された吐出開始位置ＰＳ１まで移動させる（ＡＲ１）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、処理走行面Ｚ２上を−Ｙ方向に沿って走らせる（ＡＲ２）。ただし、制御部９１は、ノズル２１が吐出開始位置ＰＳ１に到着すると、スリット２０１から現像液を吐出させる。ノズル２１がスリット２０１から現像液を吐出しながら基板Ｗ１上面を走査することによって、基板Ｗ１上に現像液が液盛りされる。また、制御部９１は、ノズル２１が所定位置にきた時点でスリット２０１からの現像液の吐出を停止させる。これにより、基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が実行される。
【００６５】
基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部４３は、ノズル２１を、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ３）。具体的には、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、基板Ｗ１に対する現像液の吐出処理を終えた位置にあるノズル２１を、処理走行面Ｚ２上から移動走行面Ｚ１上に移動させる。その後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、ノズル２１を待機位置ＰＷ２まで移動させる。駆動機構制御部４３は、現像処理ユニット１に基板Ｗ２が搬入されるまで、この位置で処理ノズル２１を待機させる。
【００６６】
現像処理ユニット１に基板Ｗ２が搬入され、この基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を行う場合、駆動機構制御部４３は再び上述した制御を行う。すなわち、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させる（ＡＲ４）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、処理走行面Ｚ２上を−Ｙ方向に沿って走らせる（ＡＲ５）。上述した通り、制御部９１は、ノズル２１が吐出開始位置ＰＳ２に到着すると、スリット２０１から現像液を吐出させる。ノズル２１がスリット２０１から現像液を吐出しながら基板Ｗ２上面を走査することによって、基板Ｗ２上に現像液が液盛りされる。これにより、基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が実行される。
【００６７】
基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部４３は、ノズル２１を、次に処理すべき基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで移動させて当該位置ＰＷで待機させる。
【００６８】
駆動機構制御部４３は、上記の制御を現像処理ユニット１内に次々と搬入される基板Ｗのそれぞれについて次々と実行していく。
【００６９】
なお、基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎にノズル２１を一旦ポッド３０に収納する必要がある場合（例えば、基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎にノズル２１の下端をポッド３０内の洗浄機構にて洗浄する必要がある場合）、駆動機構制御部４３は、移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて次の基板Ｗに対する待機位置ＰＷまで移動させる前に、ノズル２１をポッド３０（先の被処理基板Ｗが保持されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）まで搬送してそこに収納する。
【００７０】
例えば、図５に示すように、基板Ｗ１に対する現像液の吐出処理を終えた位置にあるノズル２１を、処理走行面Ｚ２上から移動走行面Ｚ１上に移動させた後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、所定のポッド３０（基板Ｗ１が保持されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）の真上まで移動させる。そして、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、ポッド３０内の収納位置までノズル２１を下降させる（ＡＲ２１）。ポッド３０内にてノズル下端の洗浄処理が終了すると、再びＺ軸駆動機構２４を制御してポッド３０内の収納位置にあるノズル２１を移動走行面Ｚ１上に移動させる。その後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、ノズル２１を待機位置ＰＷ２まで移動させる（ＡＲ３１）。
【００７１】
〈１−４．ノズル２１を移動させるタイミング〉
上述の通り、ある基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す）に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が終了すると、駆動機構制御部４３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ（待機位置ＰＷ２）までノズル２１を移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ３）。そして、待機位置ＰＷ２に待機しているノズル２１を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。これによって、基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が行われる（図４参照）。
【００７２】
ここにおいて、ノズル２１の待機位置ＰＷ２から吐出開始位置ＰＳ２への移動（ＡＲ４）は、基板Ｗ２を現像処理ユニット１内に搬入した外部搬送機構のハンドが処理ユニットから退避するとすぐに開始されることが望ましい。なぜなら、現像処理ユニット１内に搬入された基板Ｗ２がノズル２１の到着を待つ時間（ノズル２１の移動に係るオーバーヘッドタイム）が長くなると、スループットの低下を招くからである。また、厳密に温度管理されて現像処理ユニット１内に搬入される基板Ｗ２の表面温度が時間とともに変化してしまうからである。
【００７３】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも基板Ｗ２を現像処理ユニット１内に搬入したハンドが処理ユニットから退避するまでに）、ノズル２１を待機位置ＰＷ２に到着させておくことが望ましい。
【００７４】
このためには、ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を終えるとすぐに、これを基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に向けて移動開始させることが望ましい。
【００７５】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くともノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるまでに）、処理情報取得部４１が基板Ｗ２に対する現像処理情報を取得し、ノズル位置特定部４２が当該取得された現像処理情報に基づいて基板Ｗ２に対する吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とを特定していることが好ましい。ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるまでに吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とが特定されていれば、駆動機構制御部４３は、ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるとすぐに、これを基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に向けて移動開始させることができる。
【００７６】
〈２．レジスト塗布処理ユニット〉
〈２−１．構成〉
この発明の別の実施の形態に係る基板処理ユニット（レジスト塗布処理ユニット２）の全体構成について図７を参照しながら説明する。図７は、レジスト塗布処理ユニット２の平面図である。
【００７７】
レジスト塗布処理ユニット２は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理を行う。レジスト塗布処理ユニット２は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）のレジスト塗布処理セット５０と、これらレジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とを備える。なお、各レジスト塗布処理セット５０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００７８】
また、レジスト塗布処理ユニット２は、これら各部の動作を制御する制御部９２を備える。制御部９２は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された処理レシピ等の各種情報を記憶する記憶媒体等により実現されている。
【００７９】
〈レジスト塗布処理セット５０〉
レジスト塗布処理セット５０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部５１と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ５２と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズル５３とを備える。すなわち、レジスト塗布処理ユニット２はこれら各部材５１，５２，５３を３個ずつ備える。
【００８０】
回転保持部５１の構成は回転保持部１１と同様であり、カップ５２の構成はカップ１２と同様である。また、エッジリンスノズル５３の構成はリンスノズル１３とほぼ同様である。ただし、リンスノズル１３が基板Ｗの中央に向けてリンス液を吐出供給するのに対し、エッジリンスノズル５３は基板Ｗの周縁部に向けてリンス液を吐出供給する点が相違する。すなわち、リンスノズル１３における吐出部１３１の処理位置は回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方位置であったのに対し、エッジリンスノズル５３における吐出部５３１の処理位置は回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁上方位置である。
【００８１】
なお、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面であって、搬送スペースＡ（レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）側の面には、各回転保持部５１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部５０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部５０１からそのハンドを挿入して、当該開口部５０１と対応する回転保持部５１にアクセスすることができる。
【００８２】
３個のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいては、これら各構成要素５１，５２，５３と、各処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とによって、１枚の基板に対するレジスト膜の塗布形成処理が実行される。なお、以下において、３個のレジスト塗布処理セット５０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３と示す。
【００８３】
〈レジスト膜材料供給部６０〉
レジスト膜材料供給部６０は、各レジスト塗布処理セット５０が備える回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に所定のレジスト膜材料を供給する機能部であり、回転保持部５１の並びに対して搬送スペースＡと逆側の位置に配置される。
【００８４】
レジスト膜材料供給部６０は、回転保持部５１上に載置された基板Ｗに向けてレジスト膜材料を吐出する１以上（例えば、８個）のノズル６１を備える。ノズル６１は、例えばストレートノズルにより構成される。
【００８５】
８個のノズル６１のそれぞれは、処理液供給管（図示省略）を介して処理液供給源（図示省略）のそれぞれに接続されている。なお、各ノズル６１が接続された処理液供給源には、互いに種類や濃度が異なるレジスト膜材料がそれぞれ貯留されているものする。これによって、１以上のノズル６１のそれぞれから、種類や濃度が互いに異なるレジスト膜材料を吐出させることができる。なお、処理液供給管は、ノズル６１の移動を許容するように可動に構成されている。
【００８６】
８個のノズル６１は、ベース部６３上に配置されたノズル載置部６２上に載置される。ベース部６３は、各レジスト塗布処理セット５０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された第１横ガイドレール６３１に摺動可能に取り付けられている。また、ベース部６３には、これを第１横ガイドレール６３１に沿って移動させるベース部駆動機構６３２が接続されている。ベース部駆動機構６３２は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００８７】
制御部９２は、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を第１横ガイドレール６３１に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させる（ＡＲ６３）。これにより、ベース部６３を、複数個のレジスト塗布処理セット５０のうちの任意のレジスト塗布処理セット５０に対向する位置に移動させることができる。ただし、図９に示すように、ベース部６３の移動経路（すなわち、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際のノズル６１の移動経路Ｌ６１）は、外部搬送機構のハンドがレジスト塗布処理ユニット２内に進入する領域（進入領域Ｋ）の外側（−Ｘ方向側、すなわち、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面のうち、開口部５０１が形成された面を正面とした場合、進入領域Ｋの筐体背面側）に形成される。すなわち、第１横ガイドレール６３１は、これに沿って移動するベース部６３の移動領域が進入領域Ｋと干渉しない位置に敷設される。これにより、外部搬送機構がレジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であっても、そのハンドとの干渉を考慮せずにベース部６３をレジスト塗布処理セット５０間で自由に移動させることができる。
【００８８】
ベース部６３上には、上述した８個のノズル６１が所定方向（ここでは、Ｙ方向）に沿って隣接して載置されるノズル載置部６２と、ノズル載置部６２上に載置されたノズル６１を把持して移動させる把持部６４とが配置される。
【００８９】
ノズル載置部６２は、各ノズル６１が配列された方向（Ｙ方向）に沿ってベース部６３上に水平に配設された第２横ガイドレール６２１に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル載置部６２には、これを第２横ガイドレール６２１に沿って移動させるノズル載置部駆動機構６２２が接続されている。ノズル載置部駆動機構６２２は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００９０】
制御部９２は、ノズル載置部駆動機構６２２を制御してノズル載置部６２を第２横ガイドレール６２１に沿って（すなわち、ベース部６３上をＹ方向に沿って）移動させて、８個のノズル６１のうちの任意のノズル６１を後述するノズル把持部６４１の梁部中央の真下に移動させることができる（ＡＲ６２）。これにより、８個のノズル６１のうちの任意のノズル６１を後述するピックアップ部６４３に把持させることができる。
【００９１】
把持部６４は、ノズル載置部６２をまたぐようにベース部６３上に固設された門形状の支持部６４１と、ノズル把持部６４１の梁部中央に取り付けられた伸縮可能な把持アーム６４２と、把持アーム６４２の先端に取り付けられたピックアップ部６４３とを備える。把持アーム６４２には、これを上下方向に沿って伸縮させる第１駆動機構６４４と、これを横ガイドレール６２１，６３１と直交する水平方向（すなわち、移動経路Ｌ６１と直交する方向であり、図７においてはＸ方向）に沿って伸縮させる第２駆動機構６４５とが接続されている。各駆動機構６４４，６４５は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００９２】
制御部９２は、第１駆動機構６４４を制御して、把持アーム６４２をＺ方向について伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、支持部６４１の梁部中央位置（原点位置）とノズル載置部６２に載置されたノズル６１の高さ位置（降下位置）との間で移動させることができる。ピックアップ部６４３を原点位置から降下位置に移動させ、真下にあるノズル６１を把持させた上で再び原点位置に移動させることによって、ノズル載置部６２上に載置された８個のノズル６１のうち、原点位置の真下に位置しているノズル６１をピックアップすることができる。また、ノズル６１を把持しているピックアップ部６４３を原点位置から降下位置に移動させ、降下位置にてノズル６１をリリースさせることによって、ピックアップされていたノズル６１をノズル載置部６２上に戻すことができる。
【００９３】
また、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２をＸ方向について伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、原点位置と基板Ｗの中央上方位置（より具体的には、ノズル載置部６２が対向位置におかれているレジスト塗布処理セット５０の回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央上方位置）との間で移動させることができる。ピックアップ部６４３を原点位置から基板Ｗの中央上方位置に移動させ、当該位置にてノズル６１からレジスト膜材料を吐出させることによって、基板Ｗ上面にレジスト膜材料を供給することができる。
【００９４】
〈２−２．レジスト膜の塗布形成処理〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、複数のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が行われる。各レジスト塗布処理セット５０において行われる処理の流れについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、レジスト塗布処理ユニット２にて行われる処理の流れを示す図である。以下の処理は、制御部９２がレジスト塗布処理ユニット２の備える各部を制御することによって実行される。
【００９５】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が、開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２に搬入して、所定のレジスト塗布処理セット５０（当該基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０として例えば後述するメインコントローラ１９９が指定する処理セット）の回転保持部５１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が開始される。
【００９６】
基板Ｗが回転保持部５１上に載置されると、制御部９２は、載置された基板Ｗを回転保持部５１に保持させる（ステップＳ２１）。
【００９７】
続いて、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に基板Ｗ上に所定のレジスト膜材料（当該基板Ｗに対して塗布すべきレジスト膜材料として後述するメインコントローラ１９９が指定するレジスト膜材料）を吐出供給させる（ステップＳ２２）。これにより、基板Ｗの表面にレジスト膜が形成される。
【００９８】
ステップＳ２２の処理が終了すると、制御部９２は、エッジリンスノズル５３を回動させて吐出部５３１を待避位置から処理位置まで移動させ、基板Ｗの周縁付近に向けて所定のリンス液を吐出させる（ステップＳ２３）。これにより基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。以上でレジスト膜の塗布形成処理が終了する。
【００９９】
レジスト膜の塗布形成処理が終了すると、外部搬送機構が開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２から搬出する。
【０１００】
〈２−３．ノズルの位置制御〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、上述した一連の処理（ステップＳ２１〜ステップＳ２３）が、各レジスト塗布処理セット５０において並行して行われる。ところで、上述した通り、レジスト膜材料供給部６０は複数のレジスト塗布処理セット５０の間で共用される。したがって、制御部９２は、各レジスト塗布処理セット５０におけるレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）のタイミングに合わせて、各レジスト塗布処理セット５０間でノズル６１を適切に移動させなければならない。以下において、制御部９２がノズル６１の位置制御を行う態様について図８を参照しながら具体的に説明する。図８は、ノズル６１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【０１０１】
制御部９２には、ノズル６１の位置制御に関する機能部として、処理情報取得部７１と、ノズル位置特定部７２と、駆動機構制御部７３とが実現されている。これら各部は、制御部９２が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【０１０２】
〈処理情報取得部７１〉
処理情報取得部７１は、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（レジスト膜塗布処理情報）を、制御部９２と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「メインコントローラ１９９」（図１６参照））から取得する。
【０１０３】
レジスト膜塗布処理情報とは、レジスト塗布処理ユニット２において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１とレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２とが含まれる。
【０１０４】
レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１は、各基板Ｗを、第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報である。
【０１０５】
レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２は、各基板Ｗに対してどのような処理を行うかを具体的に規定する情報である。レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２には、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のノズル６１のうち、いずれのノズル６１を用いて基板Ｗに対する処理を行うかを指定する情報が含まれる。これは、上述した通り、８個のノズル６１のそれぞれからは種類や濃度の異なるレジスト膜材料が吐出されるので、処理に用いるレジスト膜材料の種類等に応じて用いるべきノズル６１が変わってくるからである。
【０１０６】
〈ノズル位置特定部７２〉
ノズル位置特定部７２は、処理情報取得部７１が取得したレジスト膜塗布処理情報に基づいて、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる基板Ｗのそれぞれについて、吐出開始位置ＰＳ（基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理においてノズル６１が当該基板に対するレジスト膜材料の吐出を行う位置）と、待機位置ＰＷ（基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出処理に備えてノズル６１を待機させる位置）とを特定する。
【０１０７】
吐出開始位置ＰＳおよび待機位置ＰＷをどのように特定するかについて、図９を参照しながら具体的に説明する。図９は、ノズル６１の移動経路を模式的に示す図である。
【０１０８】
吐出開始位置ＰＳは、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１に基づいて特定される。例えば、ある基板Ｗ（基板Ｗ１）について、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１により指定される処理セットが「第３処理セットＳＣ３」であるとする。この場合、ノズル位置特定部７２は、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央の真上に相当する位置を、基板Ｗ１についての吐出開始位置ＰＳ１と特定する。
【０１０９】
待機位置ＰＷは、吐出開始位置ＰＳに対して固定的な相対位置関係にある位置である。より具体的には、基板Ｗについて特定された吐出開始位置ＰＳから移動経路Ｌ６１に下ろした垂線が移動経路Ｌ６１と交わる垂線交点が、当該基板Ｗについての待機位置ＰＷとなる。上述した通り、制御部９２は、ピックアップ部６４３にノズル６１を把持させた状態で把持アーム６４２を移動経路Ｌ６１と直交する方向（＋Ｘ方向）に向けて伸長させて、原点位置にあるピックアップ部６４３を被処理基板Ｗの中央の真上に相当する位置まで移動させる。これにより、ピックアップ部６４３に保持されたノズル６１が、当該基板Ｗの吐出開始位置ＰＳまで移動することになる。つまり、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させる直前のピックアップ部６４３（すなわち、原点位置におかれているピックアップ部６４３）に把持されたノズル６１の位置が待機位置ＰＷとなる。上記に例示した基板Ｗ１の場合、ノズル位置特定部７２は、ベース部６３が第３処理セットＳＣ３に対向する位置におかれた状態で、原点位置におかれたピックアップ部６４３に把持されるノズル６１の位置を、基板Ｗ１についての待機位置ＰＷ１と特定する。
【０１１０】
この構成によると、待機位置ＰＷが移動経路Ｌ６１上に設定されるので、レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う外部搬送機構が処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル６１を待機位置ＰＷまで移動させてそこで待機させることができる。
【０１１１】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとが、ノズル６１が直線移動（Ｘ方向に沿った移動）で到達可能な位置関係におかれるので、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御してノズル２１をＸ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって、待機位置ＰＷにあるノズル６１を吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。
【０１１２】
〈駆動機構制御部７３〉
駆動機構制御部７３は、レジスト膜材料供給部６０の備える各駆動機構を制御してノズル６１を移動させる。駆動機構制御部７３がノズル６１を移動させる態様について、図９および図１０を参照しながら具体的に説明する。
【０１１３】
ある基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持される基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す））に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を行う場合、駆動機構制御部７３は以下の制御を行う。
【０１１４】
まず、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させて、基板Ｗ１について特定された待機位置ＰＷ１に待機している処理ノズル６１（基板Ｗ１の処理に用いるべきノズルとしてレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２において指定されたノズルであり、以下「処理ノズル６１１」と示す）を基板Ｗ１について特定された吐出開始位置ＰＳ１まで移動させる（ＡＲ２１）。制御部９２は、処理ノズル６１１が吐出開始位置ＰＳ１に到着すると、ノズル６１からレジスト膜材料を吐出させる。所定量のレジスト膜材料が吐出されると、制御部９２はレジスト膜材料の供給を停止させる。ただし、レジスト膜材料を吐出する量等は、レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２にて指定されているものとする。これにより、基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が実行される。
【０１１５】
基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部７３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）の処理に用いるべきノズルとしてレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２において指定されたノズル（以下「処理ノズル６１２」と示す）を、基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ２２，ＡＲ２３，ＡＲ２４）。
【０１１６】
具体的には、まず、基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出処理を終えた処理ノズル６１１を、ノズル載置部６２上の所定位置に戻す（ＡＲ２２）。すなわち、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を収縮させて、処理ノズル６１１を把持した状態のピックアップ部６４３を原点位置に戻し、さらに第１駆動機構６４４を制御して把持アーム６４２を−Ｚ方向に伸長させてこれを降下位置まで移動させ、この位置で把持している処理ノズル６１１をリリースさせる。続いて、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を所定の処理セット（基板Ｗ２の処理を行う処理セットとしてレジスト塗布処理セット情報Ｄ２１において指定された処理セット）に対向する位置に移動させる（ＡＲ２３）とともに、ノズル載置部駆動機構６２２を制御してノズル載置部６２を移動させて処理ノズル６１２を支持部６４１の梁部中央の真下（すなわち、ピックアップ部６４３の原点位置の真下）に位置させる（ＡＲ２４）。そして、第１駆動機構６４４を制御してピックアップ部６４３に処理ノズル６１２をピックアップさせる。これにより、処理ノズル６１２が基板Ｗ２についての待機位置ＰＷ２におかれることになる。駆動機構制御部７３は、レジスト塗布処理ユニット２に基板Ｗ２が搬入されるまで、この位置で処理ノズル６１２を待機させる。
【０１１７】
レジスト塗布処理ユニット２に基板Ｗ２が搬入され、この基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を行う場合、駆動機構制御部７３は再び上述した制御を行う。すなわち、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を＋Ｘ方向に向けて伸長させて、待機位置ＰＷ２に位置している処理ノズル６１２を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させる（ＡＲ２５）。上述した通り、制御部９２は、ノズル６１が吐出開始位置ＰＳ２に到着すると、ノズル６１からレジスト膜材料を吐出させる。これにより、基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が実行される。
【０１１８】
基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部７３は、所定のノズル６１（当該基板Ｗの処理に用いるべきノズル）を、当該基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで移動させて当該位置ＰＷで待機させる。
【０１１９】
駆動機構制御部７３は、上記の制御をレジスト塗布処理ユニット２内に次々と搬入される基板Ｗのそれぞれについて次々と実行していく。
【０１２０】
〈２−４．ノズル６１を移動させるタイミング〉
上述の通り、ある基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す）に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が終了すると、駆動機構制御部７３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ（待機位置ＰＷ２）まで所定のノズル６１（以下「処理ノズル６１２」と示す）を移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ２２，ＡＲ２３，ＡＲ２４）。そして、待機位置ＰＷ２に待機している処理ノズル６１２を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ２５）、当該位置ＰＳ２で処理ノズル６１２からレジスト膜材料を吐出させる。これによって、基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が行われる（図９参照）。
【０１２１】
ここにおいて、処理ノズル６１２の待機位置ＰＷ２から吐出開始位置ＰＳ２への移動（ＡＲ２５）は、基板Ｗ２をレジスト塗布処理ユニット２内に搬入した外部搬送機構のハンドが処理ユニットから退避するとすぐに開始されることが望ましい。なぜなら、レジスト塗布処理ユニット２内に搬入された基板Ｗ２が処理ノズル６１２の到着を待つ時間が長くなると、スループットの低下を招くからである。また、厳密に温度管理されてレジスト塗布処理ユニット２内に搬入される基板Ｗ２の表面温度が時間とともに変化してしまうからである。
【０１２２】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも基板Ｗ２をレジスト塗布処理ユニット２内に搬入したハンドが処理ユニットから退避するまでに）、処理ノズル６１２を待機位置ＰＷ２に到着させておくことが望ましい。
【０１２３】
このためには、処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を終えるとすぐに、次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に当該基板Ｗ２の処理に用いる処理ノズル６１２を移動させる制御を開始することが望ましい。
【０１２４】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるまでに）、処理情報取得部７１が基板Ｗ２に対するレジスト膜塗布形成処理情報を取得し、ノズル位置特定部７２が当該取得されたレジスト膜塗布形成処理情報に基づいて基板Ｗ２に対する吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とを特定していることが好ましい。処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるまでに吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とが特定されていれば、駆動機構制御部７３は、ノズル６１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるとすぐに、基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に当該基板Ｗ２の処理に用いる処理ノズル６１２を移動させる制御を開始することができる。
【０１２５】
〈３．基板処理装置〉
上述した現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２は、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２が搭載された基板処理装置１００について、図１１〜図１７を参照しながら説明する。図１１は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図１２、図１３、図１４および図１５は、基板処理装置１００を、図１１に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図１６は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図１７は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。
【０１２６】
〈３−１．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図１６を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。
【０１２７】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【０１２８】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部１３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。
【０１２９】
なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはコントローラ１９２，１９３のそれぞれが上述した制御部９１，９２に相当する。
【０１３０】
メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御して、基板処理装置１００にて基板Ｗに対して行われる一連の処理プロセス（レジスト塗布、露光、熱処理、現像、エッチング等の一連の処理プロセス）を総括的に管理する。具体的には、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御して、後述するＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗをどのような順番でどの処理ユニットに（ひいては、どの処理セットに）搬入していくかを管理する。また、４個のコントローラ１９１〜１９４のそれぞれに対して各種の処理情報（例えば、現像処理情報、レジスト膜塗布処理情報等）を与えて、各処理ユニットにて各基板Ｗに対して行う具体的な処理内容を管理する。また、ＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。
【０１３１】
〈３−２．各部の構成および動作〉
続いて、基板処理装置１００の構成および動作について図１１〜図１７を参照しながら具体的に説明する。基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。
【０１３２】
〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１３３】
ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図１１、図１３参照）。
【０１３４】
図１７を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。
【０１３５】
なお、図１７においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図１３参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。
【０１３６】
〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成し、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。
【０１３７】
熱処理ブロック２１について、図１１および図１２を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。
【０１３８】
最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（より具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。
【０１３９】
熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを加熱処理する処理ユニットであり、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。
【０１４０】
密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）を行う処理ユニットであり、基板Ｗを加熱処理するホットプレートと、ホットプレート上に載置された基板Ｗの表面に密着強化剤を供給する供給手段とを備える。メインロボットＴ２１が基板Ｗをホットプレート上に載置すると、基板Ｗはホットプレートによって加熱処理される。また一方で、気化した密着強化剤が基板Ｗ表面に向けて吐出供給される。密着強化剤は昇温された基板Ｗの表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。密着強化処理が終了するとホットプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１４１】
冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１４２】
第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。
【０１４３】
第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。
【０１４４】
第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。
【０１４５】
液処理ブロック２２について、図１１および図１４を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。
【０１４６】
最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１１）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニット１を備える。現像処理ユニット１の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１４７】
現像ユニット列２２１１の下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１２）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニット２を備える。レジスト塗布処理ユニット２の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１４８】
図１７を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースＡに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、冷却ユニットＣＰ、密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ、レジスト塗布処理ユニット２、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。
【０１４９】
メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。
【０１５０】
また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースＡに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニット１、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。
【０１５１】
メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。
【０１５２】
〈ＩＦ部１３０〉
ＩＦ部１３０について、図１１および図１５を参照しながら説明する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。
【０１５３】
ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される。また、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、バッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。
【０１５４】
図１７を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。
【０１５５】
一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。
【０１５６】
ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。
【０１５７】
一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。
【０１５８】
また、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニット１にトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。
【０１５９】
以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。
【０１６０】
〈４．効果〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２はいずれも複数の処理セット（現像処理セット１０、レジスト塗布処理セット５０）にて並行して基板Ｗを処理可能な構成を備える処理ユニットである。ここでは、駆動機構制御部４３，７３が、ある基板Ｗに対する処理を終えたノズル（ノズル２１、ノズル６１）を次に処理すべき基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで先行移動させておくので、基板Ｗがノズル２１，６１を待つ時間はノズル２１，６１がこの待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動する間だけとなる。これにより、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが短縮され、処理ユニット１，２のスループットが向上する。
【０１６１】
また、ノズル２１，６１の待機位置ＰＷは、各基板Ｗの吐出開始位置ＰＳと固定的な相対位置関係にあるので、ノズル２１，６１が待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動するのに要する時間（すなわち、基板Ｗがノズル２１，６１を待つ時間）が基板間でばらつくこともない。したがって、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムがいずれの基板Ｗについても等しいものとなり、いずれの基板Ｗについても同じ温度状態で処理液の吐出供給を行うことができる。これにより、処理の均一性を担保することができる。
【０１６２】
また、処理セット１０，５０間を移動する際のノズル２１，６１の移動経路Ｌ２１，６１が、外部搬送機構（基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構）のハンドの進入領域Ｋの外側に形成されるので、外部搬送機構が基板処理ユニット１，２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であってもノズル２１，６１を処理セット１０，５０間で自由に移動させることができる。特に、待機位置ＰＷが、この移動経路Ｌ２１，６１上に設定されるので、外部搬送機構が基板処理ユニット１，２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であってもノズル２１，６１を待機位置ＰＷまで移動させ、そこで待機させることができる。
【０１６３】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとがノズル２１，６１が直線移動で到達可能な位置関係にあるので、ノズル２１，６１を直線移動のみによって待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。これにより、基板Ｗがノズル２１，６１の到着を待つ時間を効果的に短縮できる。
【０１６４】
〈５．変形例〉
〈５−１．複数ノズルを備える現像処理ユニット〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１は１個のノズル２１を備える構成としたが、ノズル２１の搭載個数は１個に限らず、また、用いるノズル２１の種類もスリットノズルに限らない。
【０１６５】
複数個のノズル２１を備える現像処理ユニット１ａの構成について、図１８を参照しながら説明する。図１８は、現像処理ユニット１ａの平面図である。ただし、以下においては、現像処理ユニット１と同じ構成要素については同じ参照符号を用いて示し、その説明は省略する。
【０１６６】
現像処理ユニット１ａは、３個の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０ａと、現像液供給部２０ａが備えるノズル２１１，２１２を受けるためのポッド３０１，３０２とを備える。また、これら各部の動作を制御する制御部９１ａを備える。
【０１６７】
〈現像液供給部２０ａ〉
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出する２個のノズル（ここでは、スリットノズル２１１と吐出孔ノズル２１２）と、各ノズル２１２，２１２に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）と、各ノズル２１２，２１２がそれぞれ摺動可能に取り付けられた横ガイドレール２２１，２２２とを備える。また、スリットノズル２１１を横ガイドレール２２１に沿って、吐出孔ノズル２１２を横ガイドレール２２２に沿って、それぞれ移動させるＹ軸駆動機構２３１，２３２を備える。さらに、スリットノズル２１１、吐出孔ノズル２１２のそれぞれを垂直方向に移動させるＺ軸駆動機構２４１，２４２を備える。各駆動機構２３１，２３２，２４１，２４２は制御部９１ａと電気的に接続されており、制御部９１ａからの制御に応じて制御される。
【０１６８】
なお、各ノズル２１１，２１２に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）として、種類や濃度が互いに異なる現像液をそれぞれ貯留する処理液供給源を採用すれば、各ノズル２１２，２１２から種類や濃度が互いに異なる現像液を吐出させることができる。
【０１６９】
スリットノズル２１１の構成は上述した通りである。一方、吐出孔ノズル２１２は、その下側面であって、基板Ｗの中心位置の上方に相当する位置に、走査方向（Ｙ方向）と並行に並んで形成された所定数個（この実施の形態においては、５個）の吐出孔２１２１が形成される。回転保持部１１により回転される基板Ｗの上方を走査しながら、この吐出孔２１２１から現像液を吐出することによって、基板Ｗの表面に現像液を螺旋状に供給することができる。
【０１７０】
なお、ここでは現像処理ユニット１ａが備える２個のノズルを、異種のノズルの組み合わせにより構成しているが、同種のノズル（例えば、スリットノズル２１１とスリットノズル２１１、吐出孔ノズル２１２と吐出孔ノズル２１２）の組み合わせにより構成してもよい。
【０１７１】
横ガイドレール２２１，２２２はいずれも、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設されている。制御部９１ａは、Ｙ軸駆動機構２３１を制御してスリットノズル２１１を横ガイドレール２２１に沿って移動させることができ、Ｚ軸駆動機構２４１を制御してスリットノズル２１１を垂直方向に移動させることができる。また、Ｙ軸駆動機構２３２を制御して吐出孔ノズル２１２を横ガイドレール２２２に沿って移動させることができ、Ｚ軸駆動機構２４２を制御して吐出孔ノズル２１２を垂直方向に移動させることができる。
【０１７２】
Ｙ軸駆動機構２３１，２３２およびＺ軸駆動機構２４１，２４２のそれぞれを制御することにより、制御部９１ａは、現像処理セット１０間でスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２をそれぞれ独立に移動させることができる。また、任意の現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方をスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２に走査させることができる。ただし、スリットノズル２１１が基板Ｗの上方を走査する方向と、吐出孔ノズル２１２が基板Ｗの上方を走査する方向とは逆向きに設定する。これにより、スリットノズル２１１と吐出孔ノズル２１２を互いに交差させることなく、各ノズル２１１，２１２に、各現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗに対する現像液の吐出を行わせることができる。
【０１７３】
〈ポッド３０１，３０２〉
スリットノズル用ポッド３０１は待機するスリットノズル２１１を受けるための機能部であり、吐出孔ノズル用ポッド３０２は吐出孔ノズル２１２を受けるための機能部である。
【０１７４】
スリットノズル用ポッド３０１および吐出孔ノズル用ポッド３０２はいずれも現像処理セット１０と同数個だけ設けられる。複数個のポッド３０１，３０２のそれぞれは、複数の現像処理セット１０のそれぞれに対応して設けられ、対応する現像処理セット１０の備える回転保持部１１の所定側（ノズルが基板Ｗの上方を走査する方向と同じ側）に隣接して配置される。ただし、上述の通りスリットノズル２１１が基板Ｗの上方を走査する方向と吐出孔ノズル２１２が基板Ｗの上方を走査する方向とは逆向きであるので、同じ現像処理セット１０に対応するスリットノズル用ポッド３０１と吐出孔ノズル用ポッド３０２とは互いに逆側に設けられることになる。例えばスリットノズル２１１が基板Ｗの上方を−Ｙ方向に走査し、吐出孔ノズル２１２が＋Ｙ方向に走査する場合、スリットノズル用ポッド３０１は、対応する回転保持部１１の−Ｙ方向側に配置される。また、吐出孔ノズル用ポッド３０２は、対応する回転保持部１１の＋Ｙ方向側に配置される。なお、同じ現像処理セット１０間隙に配置される２つのポッド３０１，３０２は、一体に構成してもよい。
【０１７５】
なお、制御部９１ａは電気的に接続された各駆動機構２３１，２３２，２４１，２４２を制御することによってスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２の各位置を制御する。制御部９１ａが各ノズル２１１，２１２の位置制御を行う態様は、上記の実施の形態に係る制御部９１のそれと同じである。
【０１７６】
〈５−２．その他の変形例〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１が備える現像処理セット１０の個数およびレジスト塗布処理ユニット２が備えるレジスト塗布処理セット５０の個数はいずれも３個であるとしたが、いずれの個数も３個に限らない。
【０１７７】
また、上記においては、現像処理を行う処理ユニットとレジスト膜塗布処理を行う処理ユニットに本発明を適用した場合の実施の形態を示したが、本発明は、それ以外の各種の処理を行う処理ユニットにも適用可能である。
【０１７８】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、液処理ブロック２２が備える現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２の個数も４個に限らない。
【０１７９】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】現像処理ユニットの平面図である。
【図２】現像処理ユニットの側断面図である。
【図３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図４】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図５】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図６】現像処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図７】レジスト塗布処理ユニットの平面図である。
【図８】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図９】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図１０】レジスト塗布処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図１１】基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図１２】基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。
【図１３】基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。
【図１４】基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。
【図１５】基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。
【図１６】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１７】各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。
【図１８】複数個のノズルを備える現像処理ユニットの平面図である。
【符号の説明】
【０１８１】
１ 現像処理ユニット
２ レジスト塗布処理ユニット
１０ 現像処理セット
１１，５１ 回転保持部
２０ 現像液供給部
２１ ノズル
２２ 横ガイドレール
２３ Ｙ軸駆動機構
２４ Ｚ軸駆動機構
３０ ポッド
４１，７１ 処理情報取得部
４２，７２ ノズル位置特定部
４３，７３ 駆動機構制御部
５０ レジスト塗布処理セット
６０ レジスト膜材料供給部
６１ ノズル
６２ ノズル載置部
６３ ベース部
６４ 把持部
９１，９２ 制御部
１００ 基板処理装置
１１０ ＩＤ部
１２０ 処理部
１３０ ＩＦ部
１９９ メインコントローラ
６２１ 第２横ガイドレール
６２２ 駆動機構
６３１ 第１横ガイドレール
６３２ 駆動機構
６４１ 支持部
６４２ 把持アーム
ＰＳ 吐出開始位置
ＰＷ 待機位置
Ｌ２１，Ｌ６１ 移動経路
Ｋ 進入領域
Ｔ１０ ＩＤロボット
Ｔ２１，Ｔ２２ メインロボット
Ｔ３１ ＰＥＢロボット
Ｔ３２ ＩＦロボット
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
これらの諸処理を行う基板処理装置は、一般に、レジスト膜の形成処理、現像処理、熱処理等の各種処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置して構成される。このような基板処理装置において装置全体のスループットを向上させるためには、各処理ユニットにおけるスループットの向上が必須である。このためには、実際の処理に要する処理時間以外の作業時間（オーバーヘッドタイム）をできるだけ短縮しなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オーバーヘッドタイムは各種の場面で発生する。例えば、所定の処理液を吐出供給して基板を液処理する処理ユニットにおいては、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが問題となっている。これについて具体的に説明する。基板を液処理する処理ユニットは、一般に、所定の位置に被処理基板を保持する保持部と、保持部に保持された基板に対して処理液を吐出供給するノズルとを備える。このノズルは、基板の搬出入が行われる間は、その邪魔にならないように所定の待避位置におかれ、基板が処理ユニット内に搬入されて保持部に保持された後に、待避位置から基板に向けて処理液を吐出可能な所定の処理位置まで移動されてくることが多い。ここで、基板が保持部に保持されてからノズルが処理位置に到着するまでの時間がオーバーヘッドタイム（ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイム）となり、これがスループット向上の妨げとなっていた。
【０００５】
特に、それぞれにおいて１枚の基板に対する処理を実行する処理セットを複数個備える処理ユニットにおいてこれら複数の処理セット間でノズルを共用する場合、ノズルを処理セット間で移動させなければならないので、その移動に係るオーバーヘッドタイムがどうしても長くなり、スループットに大きな影響を与えてしまう。
【０００６】
また一方で、基板間での処理均一性という側面からみると、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが基板間でばらつくことは好ましくない。例えば、現像処理においては現像液を塗布される基板の温度によって処理状態が変化してしまう。したがって、所定の温度で現像液が塗布されるように、基板は厳密に温度管理された状態で現像処理ユニット内に搬入されてくる。ところが、現像処理ユニット内で現像液を吐出供給するノズルの到着が遅れると、その基板について現像液を塗布するタイミングが遅れ、その基板は他の基板と異なる温度状態で現像液を塗布されることとなってしまう。この結果、基板間で温度処理履歴の不均一が生じ、不良基板の発生につながってしまう。このような事情は、現像処理だけでなくレジスト膜塗布処理等の各種処理においても同様に当てはまる。
【０００７】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備え、前記処理液供給手段が、基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、を備え、前記ノズル位置制御手段が、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、を備える。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記複数の処理セットの間を移動する際の前記ノズルの移動経路を、前記基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが前記基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成する。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理ユニットであって、前記吐出開始位置と当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある前記待機位置とが、前記ノズルが直線移動で到達可能な位置関係にある。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、基板についての前記処理情報が、当該基板を前記複数の処理セットのうちのいずれにて処理するかを指定する情報を含む。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液供給手段が前記ノズルを複数個備え、基板についての前記処理情報が、前記複数個のノズルのうちから、当該基板に対する前記処理液の吐出を行わせるノズルを選択指定する情報を含む。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液が現像液である。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、前記処理液がレジスト膜材料である。
【００１５】
請求項８の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備え、前記処理液供給手段が、基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、を備え、前記ノズル位置制御手段が、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、を備える。
【００１６】
請求項９の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、基板に対して所定の処理液を吐出するノズルの位置制御方法であって、前記基板処理ユニットが、それぞれの間で前記ノズルを共用しながら、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セット、を備え、前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する工程と、基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定する工程と、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させる工程と、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入された後に、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜９の発明によると、複数の処理セットにて並行して基板を処理可能な構成を備える基板処理ユニットにおいて、ある基板に対する処理液の吐出処理を終えたノズルを次に処理すべき基板について特定された待機位置まで先行移動させておくので、基板がノズルを待つ時間はノズルがこの待機位置から吐出開始位置まで移動する間だけとなり、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くすることができる。また、基板について特定された吐出開始位置とその待機位置とは固定的な相対位置関係にあるので、ノズルが待機位置から吐出開始位置まで移動するのに要する時間が基板間でばらつくこともない。したがって、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを基板間で均一にすることができる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によると、処理セット間を移動する際のノズルの移動経路が、基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成されるので、搬送機構が基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもノズルを処理セット間で自由に移動させることができる。
【００１９】
特に、請求項３の発明によると、待機位置と吐出開始位置とがノズルが直線移動で到達可能な位置関係にあるので、ノズルを直線移動のみによって待機位置から吐出開始まで移動させることができる。これにより、基板がノズルの到着を待つ時間を効果的に短縮できる。
【００２０】
特に、請求項６の発明によると、現像処理を行う処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるとともに、現像処理の均一性を担保することができる。
【００２１】
特に、請求項７の発明によると、レジスト膜の塗布形成を行う処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるとともに、レジスト膜の塗布形成処理の均一性を担保することができる。
【００２２】
特に、請求項８の発明によると、基板処理ユニットにおけるスループットを向上させることができるので、装置全体のスループットの向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
〈１．現像処理ユニット〉
〈１−１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理ユニット（現像処理ユニット１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、現像処理ユニット１の平面図である。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。
【００２４】
現像処理ユニット１は、基板Ｗに対して現像処理を行う。現像処理ユニット１は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０と、現像液供給部２０が備えるノズル２１を受けるためのポッド３０とを備える。なお、各現像処理セット１０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００２５】
また、現像処理ユニット１は、これら各部の動作を制御する制御部９１を備える。制御部９１は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【００２６】
〈現像処理セット１０〉
現像処理セット１０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ１２と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗにリンス液を供給するリンスノズル１３とを備える。すなわち、現像処理ユニット１はこれら各部材１１，１２，１３を３個ずつ備える。
【００２７】
回転保持部１１は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。回転保持部１１は、電動モータ（図示省略）によって回転される回転軸（図示省略）の上端に固定されている。また、回転保持部１１には吸気路（図示省略）が形成されており、回転保持部１１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面を真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００２８】
カップ１２は、先端を切り落としたドーム形状の部材であり、回転保持部１１に保持された基板Ｗを囲繞する。カップ１２には、これを昇降させる昇降機構（図示省略）が接続されている。昇降機構は、例えばエアシリンダにより構成される。昇降機構は、カップ１２を処理位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも上方にある位置））と待避位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも下方にある位置）との間で移動させる。昇降機構は、制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じてカップ１２の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。処理位置に移動させた状態においては、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面から飛散した液滴がカップ１２の内側面で受け止められる。
【００２９】
リンスノズル１３は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上面に所定のリンス液を供給する機能部であり、回転保持部１１と後述する開口部１０１との間に配設される。ただし、リンスノズル１３は、開口部１０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００３０】
リンスノズル１３は、リンス液供給源（図示省略）と接続され、基板Ｗに向けてリンス液を吐出する吐出部１３１を備える。吐出部１３１は、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成することができる。
【００３１】
吐出部１３１は、水平方向に延びるアーム１３２の先端に取り付けられている。また、アーム１３２は、上方に延びる回動軸１３３の上端に取り付けられている。さらに、回動軸１３３には、これを回動させる回動機構（図示省略）が接続されている。回動機構は、例えば回動モータにより構成される。
【００３２】
回動機構は、回動軸１３３を回動させることによって、アーム１３２の先端に取り付けられた吐出部１３１を処理位置（回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方位置）と待避位置（回転保持部１１の側方位置）との間で移動させる。回動機構は、制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じて吐出部１３１の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。処理位置に移動させた状態で吐出部１３１からリンス液を吐出させることによって、基板Ｗの表面にリンス液を供給することができる。
【００３３】
なお、現像処理ユニット１の筐体壁面であって、搬送スペースＡ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）に面する側には、各回転保持部１１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部１０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部１０１からそのハンドを挿入して、当該開口部１０１と対応する回転保持部１１にアクセスすることができる。なお、開口部１０１は、シャッター等により開閉可能とされている。
【００３４】
３個の現像処理セット１０のそれぞれにおいては、これら各構成要素１１，１２，１３と、各処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０とによって、１枚の基板に対する現像処理が実行される。なお、以下において、３個の現像処理セット１０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３と示す。
【００３５】
〈現像液供給部２０〉
現像液供給部２０は、各現像処理セット１０が備える回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面に所定の現像液を供給する機能部であり、回転保持部１１の並びに対して搬送スペースＡと逆側の位置に配置される。
【００３６】
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出するノズル２１と、ノズル２１に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）とを備える。ノズル２１は、例えばスリットノズルにより構成され、その下側面（基板Ｗと対向する面）に、基板Ｗの直径相当の長さのスリット（もしくは小孔列）２０１が形成される。ノズル２１が、スリット２０１から現像液を吐出しながら回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方を走査すると、基板表面に現像液が帯状に供給される。
【００３７】
ノズル２１は、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された横ガイドレール２２に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル２１には、これを横ガイドレール２２に沿って移動させるＹ軸駆動機構２３と、これを垂直方向に移動させるＺ軸駆動機構２４とが接続されている。各駆動機構２３，２４は制御部９１と電気的に接続されており、制御部９１からの制御に応じて制御される。
【００３８】
制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御してノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることができる。これにより、現像処理セット１０間でノズル２１を移動させることができるとともに、任意の現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方をノズル２１に走査させることができる。また、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御してノズル２１を垂直方向に沿って（すなわち、Ｚ方向に沿って）移動させることができる。
【００３９】
図２を参照する。図２は、現像処理ユニット１の側断面図である。制御部９１は、現像処理セット１０間でノズル２１を移動させる場合は、ノズル２１を第１の高さにある水平面（移動走行面Ｚ１）上で移動させる。ただし、移動走行面Ｚ１（すなわち、現像処理セット１０間を移動する際のノズル２１の移動経路Ｌ２１）は、外部搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域（進入領域Ｋ）の外側（進入領域Ｋの上方）に形成される。すなわち、移動走行面Ｚ１は、この平面上を移動するノズル２１が進入領域Ｋと干渉しない高さ位置に設定される。これにより、外部搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であっても、そのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができる。
【００４０】
一方、制御部９１は、基板Ｗの上方をノズル２１に走査させる場合は、ノズル２１を第１の高さよりも低い高さにある水平面（処理走行面Ｚ２）上で移動させる。Ｚ軸駆動機構２４を制御することにより、制御部９１は、移動走行面Ｚ１と処理走行面Ｚ２との間でノズル２１を移動させることができる。
【００４１】
〈ポッド３０〉
ポッド３０は、待機するノズル２１を受けるための機能部である。また、ポッド３０内にノズル２１の下端面を洗浄する機構（洗浄ポット）を設け、収納されたノズル２１の下端面を洗浄する機能をさらに付加してもよい。
【００４２】
ポッド３０は現像処理セット１０と同数個だけ設けられる。複数個のポッド３０のそれぞれは、複数の現像処理セット１０のそれぞれに対応して設けられ、対応する現像処理セット１０の備える回転保持部１１の所定側に隣接して配置される。ただし、所定側とは、ノズル２１が基板Ｗの上方を走査する方向と同じ側である。例えばノズル２１が基板Ｗの上方を−Ｙ方向に走査する場合、回転保持部１１の−Ｙ方向側にこれに対応するポッド３０が配置される。なお、現像処理セット１０の並びの端部に配置されるポッド３０は、特に、ノズル２１を使用しない間待機させておくポッドとしても用いられる。
【００４３】
〈１−２．現像処理〉
現像処理ユニット１においては、複数の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。各現像処理セット１０において行われる処理の流れについて、図６を参照しながら説明する。図６は、現像処理ユニット１にて行われる処理の流れを示す図である。以下の処理は、制御部９１が現像処理ユニット１の備える各部を制御することによって実行される。
【００４４】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が、開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１に搬入して、所定の現像処理セット１０（当該基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０として例えば後述するメインコントローラ１９９が指定する処理セット）の回転保持部１１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対する現像処理が開始される。
【００４５】
基板Ｗが回転保持部１１上に載置されると、制御部９１は、載置された基板Ｗを回転保持部１１に保持させる（ステップＳ１１）。
【００４６】
続いて、制御部９１は、現像液供給部２０に基板Ｗ上に現像液を吐出供給させる（ステップＳ１２）。基板Ｗの表面に現像液が液盛りされることにより、基板表面の現像反応が進行する。
【００４７】
ステップＳ１２の処理が終了すると、制御部９１は、リンスノズル１３を回動させて吐出部１３１を待避位置から処理位置まで移動させ、基板Ｗの中央付近に向けて所定のリンス液を吐出させる（ステップＳ１３）。これにより基板表面の現像反応が停止する。
【００４８】
続いて、制御部９１は、回転保持部１１を回転させて、基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる。所定時間が経過すると回転を停止させる。以上で現像処理が終了する。
【００４９】
現像処理が終了すると、外部搬送機構が開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１から搬出する。
【００５０】
〈１−３．ノズルの位置制御〉
現像処理ユニット１においては、上述した一連の処理（ステップＳ１１〜ステップＳ１４）が、各現像処理セット１０において並行して行われる。ところで、上述した通り、現像液供給部２０は複数の現像処理セット１０の間で共用される。したがって、制御部９１は、各現像処理セット１０における現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）のタイミングに合わせて、各現像処理セット１０間でノズル２１を適切に移動させなければならない。以下において、制御部９１がノズル２１の位置制御を行う態様について図３を参照しながら具体的に説明する。図３は、ノズル２１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【００５１】
制御部９１には、ノズル２１の位置制御に関する機能部として、処理情報取得部４１と、ノズル位置特定部４２と、駆動機構制御部４３とが実現されている。これら各部は、制御部９１が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００５２】
〈処理情報取得部４１〉
処理情報取得部４１は、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（現像処理情報）を、制御部９１と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図１６参照））から取得する。
【００５３】
現像処理情報とは、現像処理ユニット１において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、現像処理セット情報Ｄ１１とノズル高さ情報Ｄ１２とが含まれる。
【００５４】
現像処理セット情報Ｄ１１は、各基板Ｗを、第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報である。
【００５５】
ノズル高さ情報Ｄ１２は、ノズル２１を位置させるべき高さを具体的に規定する情報である。
【００５６】
〈ノズル位置特定部４２〉
ノズル位置特定部４２は、処理情報取得部４１が取得した現像処理情報に基づいて、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、吐出開始位置ＰＳ（基板Ｗに対する現像処理においてノズル２１が当該基板に対する現像液の吐出を開始する位置）と、待機位置ＰＷ（基板Ｗに対する現像液の吐出処理に備えてノズル２１を待機させる位置）とを特定する。
【００５７】
吐出開始位置ＰＳおよび待機位置ＰＷをどのように特定するかについて、図４を参照しながら具体的に説明する。図４は、ノズル２１の移動経路を模式的に示す図である。
【００５８】
吐出開始位置ＰＳは、現像処理セット情報Ｄ１１とノズル高さ情報Ｄ１２とに基づいて特定される。例えば、ある基板Ｗ（基板Ｗ１）について、現像処理セット情報Ｄ１１により指定される処理セットが「第２処理セットＳＤ２」であり、ノズル高さ情報Ｄ１２により指定されるノズル高さ位置が処理走行面Ｚ２であるとする。この場合、ノズル位置特定部４２は、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板Ｗの周縁部位置の真上よりも手前の位置であって処理走行面Ｚ２上の位置を、基板Ｗ１についての吐出開始位置ＰＳ１と特定する。
【００５９】
待機位置ＰＷは、吐出開始位置ＰＳに対して固定的な相対位置関係にある位置である。より具体的には、基板Ｗについて特定された吐出開始位置ＰＳから移動経路Ｌ２１（すなわち、移動走行面Ｚ１）に下ろした垂線が移動経路Ｌ２１と交わる垂線交点が、当該基板Ｗについての待機位置ＰＷとなる。換言すると、吐出開始位置ＰＳの真上であって移動走行面Ｚ１上の位置が待機位置ＰＷとなる。上記に例示した基板Ｗ１の場合、ノズル位置特定部４２は、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板Ｗの周縁部位置の真上よりも手前の位置であって移動走行面Ｚ１上の座標位置を、基板Ｗ１についての待機位置ＰＷ１と特定する。
【００６０】
この構成によると、待機位置ＰＷが移動経路Ｌ２１上に設定されるので、現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う外部搬送機構が処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を待機位置ＰＷまで移動させてそこで待機させることができる。
【００６１】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとが、ノズル２１が直線移動（Ｚ方向に沿った移動）で到達可能な位置関係におかれるので、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御してノズル２１をＺ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって、待機位置ＰＷにあるノズル２１を吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。
【００６２】
〈駆動機構制御部４３〉
駆動機構制御部４３は、Ｙ軸駆動機構２３およびＺ軸駆動機構２４を制御してノズル２１を移動させる。駆動機構制御部４３がノズル２１を移動させる態様について、図４〜図６を参照しながら具体的に説明する。
【００６３】
ある基板Ｗ（例えば、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持される基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す））に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を行う場合、駆動機構制御部４３は以下の制御を行う。
【００６４】
まず、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、基板Ｗ１について特定された待機位置ＰＷ１に待機しているノズル２１を基板Ｗ１について特定された吐出開始位置ＰＳ１まで移動させる（ＡＲ１）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、処理走行面Ｚ２上を−Ｙ方向に沿って走らせる（ＡＲ２）。ただし、制御部９１は、ノズル２１が吐出開始位置ＰＳ１に到着すると、スリット２０１から現像液を吐出させる。ノズル２１がスリット２０１から現像液を吐出しながら基板Ｗ１上面を走査することによって、基板Ｗ１上に現像液が液盛りされる。また、制御部９１は、ノズル２１が所定位置にきた時点でスリット２０１からの現像液の吐出を停止させる。これにより、基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が実行される。
【００６５】
基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部４３は、ノズル２１を、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ３）。具体的には、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、基板Ｗ１に対する現像液の吐出処理を終えた位置にあるノズル２１を、処理走行面Ｚ２上から移動走行面Ｚ１上に移動させる。その後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、ノズル２１を待機位置ＰＷ２まで移動させる。駆動機構制御部４３は、現像処理ユニット１に基板Ｗ２が搬入されるまで、この位置で処理ノズル２１を待機させる。
【００６６】
現像処理ユニット１に基板Ｗ２が搬入され、この基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を行う場合、駆動機構制御部４３は再び上述した制御を行う。すなわち、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させる（ＡＲ４）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、処理走行面Ｚ２上を−Ｙ方向に沿って走らせる（ＡＲ５）。上述した通り、制御部９１は、ノズル２１が吐出開始位置ＰＳ２に到着すると、スリット２０１から現像液を吐出させる。ノズル２１がスリット２０１から現像液を吐出しながら基板Ｗ２上面を走査することによって、基板Ｗ２上に現像液が液盛りされる。これにより、基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が実行される。
【００６７】
基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部４３は、ノズル２１を、次に処理すべき基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで移動させて当該位置ＰＷで待機させる。
【００６８】
駆動機構制御部４３は、上記の制御を現像処理ユニット１内に次々と搬入される基板Ｗのそれぞれについて次々と実行していく。
【００６９】
なお、基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎にノズル２１を一旦ポッド３０に収納する必要がある場合（例えば、基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎にノズル２１の下端をポッド３０内の洗浄機構にて洗浄する必要がある場合）、駆動機構制御部４３は、移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて次の基板Ｗに対する待機位置ＰＷまで移動させる前に、ノズル２１をポッド３０（先の被処理基板Ｗが保持されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）まで搬送してそこに収納する。
【００７０】
例えば、図５に示すように、基板Ｗ１に対する現像液の吐出処理を終えた位置にあるノズル２１を、処理走行面Ｚ２上から移動走行面Ｚ１上に移動させた後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、所定のポッド３０（基板Ｗ１が保持されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）の真上まで移動させる。そして、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、ポッド３０内の収納位置までノズル２１を下降させる（ＡＲ２１）。ポッド３０内にてノズル下端の洗浄処理が終了すると、再びＺ軸駆動機構２４を制御してポッド３０内の収納位置にあるノズル２１を移動走行面Ｚ１上に移動させる。その後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動走行面Ｚ１上をＹ方向に沿って走らせて、ノズル２１を待機位置ＰＷ２まで移動させる（ＡＲ３１）。
【００７１】
〈１−４．ノズル２１を移動させるタイミング〉
上述の通り、ある基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す）に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が終了すると、駆動機構制御部４３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ（待機位置ＰＷ２）までノズル２１を移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ３）。そして、待機位置ＰＷ２に待機しているノズル２１を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。これによって、基板Ｗ２に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）が行われる（図４参照）。
【００７２】
ここにおいて、ノズル２１の待機位置ＰＷ２から吐出開始位置ＰＳ２への移動（ＡＲ４）は、基板Ｗ２を現像処理ユニット１内に搬入した外部搬送機構のハンドが処理ユニットから退避するとすぐに開始されることが望ましい。なぜなら、現像処理ユニット１内に搬入された基板Ｗ２がノズル２１の到着を待つ時間（ノズル２１の移動に係るオーバーヘッドタイム）が長くなると、スループットの低下を招くからである。また、厳密に温度管理されて現像処理ユニット１内に搬入される基板Ｗ２の表面温度が時間とともに変化してしまうからである。
【００７３】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも基板Ｗ２を現像処理ユニット１内に搬入したハンドが処理ユニットから退避するまでに）、ノズル２１を待機位置ＰＷ２に到着させておくことが望ましい。
【００７４】
このためには、ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理（ステップＳ１２）を終えるとすぐに、これを基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に向けて移動開始させることが望ましい。
【００７５】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くともノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるまでに）、処理情報取得部４１が基板Ｗ２に対する現像処理情報を取得し、ノズル位置特定部４２が当該取得された現像処理情報に基づいて基板Ｗ２に対する吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とを特定していることが好ましい。ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるまでに吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とが特定されていれば、駆動機構制御部４３は、ノズル２１が基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えるとすぐに、これを基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に向けて移動開始させることができる。
【００７６】
〈２．レジスト塗布処理ユニット〉
〈２−１．構成〉
この発明の別の実施の形態に係る基板処理ユニット（レジスト塗布処理ユニット２）の全体構成について図７を参照しながら説明する。図７は、レジスト塗布処理ユニット２の平面図である。
【００７７】
レジスト塗布処理ユニット２は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理を行う。レジスト塗布処理ユニット２は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）のレジスト塗布処理セット５０と、これらレジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とを備える。なお、各レジスト塗布処理セット５０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００７８】
また、レジスト塗布処理ユニット２は、これら各部の動作を制御する制御部９２を備える。制御部９２は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された処理レシピ等の各種情報を記憶する記憶媒体等により実現されている。
【００７９】
〈レジスト塗布処理セット５０〉
レジスト塗布処理セット５０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部５１と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ５２と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズル５３とを備える。すなわち、レジスト塗布処理ユニット２はこれら各部材５１，５２，５３を３個ずつ備える。
【００８０】
回転保持部５１の構成は回転保持部１１と同様であり、カップ５２の構成はカップ１２と同様である。また、エッジリンスノズル５３の構成はリンスノズル１３とほぼ同様である。ただし、リンスノズル１３が基板Ｗの中央に向けてリンス液を吐出供給するのに対し、エッジリンスノズル５３は基板Ｗの周縁部に向けてリンス液を吐出供給する点が相違する。すなわち、リンスノズル１３における吐出部１３１の処理位置は回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方位置であったのに対し、エッジリンスノズル５３における吐出部５３１の処理位置は回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁上方位置である。
【００８１】
なお、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面であって、搬送スペースＡ（レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）側の面には、各回転保持部５１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部５０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部５０１からそのハンドを挿入して、当該開口部５０１と対応する回転保持部５１にアクセスすることができる。
【００８２】
３個のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいては、これら各構成要素５１，５２，５３と、各処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とによって、１枚の基板に対するレジスト膜の塗布形成処理が実行される。なお、以下において、３個のレジスト塗布処理セット５０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３と示す。
【００８３】
〈レジスト膜材料供給部６０〉
レジスト膜材料供給部６０は、各レジスト塗布処理セット５０が備える回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に所定のレジスト膜材料を供給する機能部であり、回転保持部５１の並びに対して搬送スペースＡと逆側の位置に配置される。
【００８４】
レジスト膜材料供給部６０は、回転保持部５１上に載置された基板Ｗに向けてレジスト膜材料を吐出する１以上（例えば、８個）のノズル６１を備える。ノズル６１は、例えばストレートノズルにより構成される。
【００８５】
８個のノズル６１のそれぞれは、処理液供給管（図示省略）を介して処理液供給源（図示省略）のそれぞれに接続されている。なお、各ノズル６１が接続された処理液供給源には、互いに種類や濃度が異なるレジスト膜材料がそれぞれ貯留されているものする。これによって、１以上のノズル６１のそれぞれから、種類や濃度が互いに異なるレジスト膜材料を吐出させることができる。なお、処理液供給管は、ノズル６１の移動を許容するように可動に構成されている。
【００８６】
８個のノズル６１は、ベース部６３上に配置されたノズル載置部６２上に載置される。ベース部６３は、各レジスト塗布処理セット５０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された第１横ガイドレール６３１に摺動可能に取り付けられている。また、ベース部６３には、これを第１横ガイドレール６３１に沿って移動させるベース部駆動機構６３２が接続されている。ベース部駆動機構６３２は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００８７】
制御部９２は、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を第１横ガイドレール６３１に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させる（ＡＲ６３）。これにより、ベース部６３を、複数個のレジスト塗布処理セット５０のうちの任意のレジスト塗布処理セット５０に対向する位置に移動させることができる。ただし、図９に示すように、ベース部６３の移動経路（すなわち、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際のノズル６１の移動経路Ｌ６１）は、外部搬送機構のハンドがレジスト塗布処理ユニット２内に進入する領域（進入領域Ｋ）の外側（−Ｘ方向側、すなわち、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面のうち、開口部５０１が形成された面を正面とした場合、進入領域Ｋの筐体背面側）に形成される。すなわち、第１横ガイドレール６３１は、これに沿って移動するベース部６３の移動領域が進入領域Ｋと干渉しない位置に敷設される。これにより、外部搬送機構がレジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であっても、そのハンドとの干渉を考慮せずにベース部６３をレジスト塗布処理セット５０間で自由に移動させることができる。
【００８８】
ベース部６３上には、上述した８個のノズル６１が所定方向（ここでは、Ｙ方向）に沿って隣接して載置されるノズル載置部６２と、ノズル載置部６２上に載置されたノズル６１を把持して移動させる把持部６４とが配置される。
【００８９】
ノズル載置部６２は、各ノズル６１が配列された方向（Ｙ方向）に沿ってベース部６３上に水平に配設された第２横ガイドレール６２１に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル載置部６２には、これを第２横ガイドレール６２１に沿って移動させるノズル載置部駆動機構６２２が接続されている。ノズル載置部駆動機構６２２は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００９０】
制御部９２は、ノズル載置部駆動機構６２２を制御してノズル載置部６２を第２横ガイドレール６２１に沿って（すなわち、ベース部６３上をＹ方向に沿って）移動させて、８個のノズル６１のうちの任意のノズル６１を後述するノズル把持部６４１の梁部中央の真下に移動させることができる（ＡＲ６２）。これにより、８個のノズル６１のうちの任意のノズル６１を後述するピックアップ部６４３に把持させることができる。
【００９１】
把持部６４は、ノズル載置部６２をまたぐようにベース部６３上に固設された門形状の支持部６４１と、ノズル把持部６４１の梁部中央に取り付けられた伸縮可能な把持アーム６４２と、把持アーム６４２の先端に取り付けられたピックアップ部６４３とを備える。把持アーム６４２には、これを上下方向に沿って伸縮させる第１駆動機構６４４と、これを横ガイドレール６２１，６３１と直交する水平方向（すなわち、移動経路Ｌ６１と直交する方向であり、図７においてはＸ方向）に沿って伸縮させる第２駆動機構６４５とが接続されている。各駆動機構６４４，６４５は制御部９２と電気的に接続されており、制御部９２からの制御に応じて制御される。
【００９２】
制御部９２は、第１駆動機構６４４を制御して、把持アーム６４２をＺ方向について伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、支持部６４１の梁部中央位置（原点位置）とノズル載置部６２に載置されたノズル６１の高さ位置（降下位置）との間で移動させることができる。ピックアップ部６４３を原点位置から降下位置に移動させ、真下にあるノズル６１を把持させた上で再び原点位置に移動させることによって、ノズル載置部６２上に載置された８個のノズル６１のうち、原点位置の真下に位置しているノズル６１をピックアップすることができる。また、ノズル６１を把持しているピックアップ部６４３を原点位置から降下位置に移動させ、降下位置にてノズル６１をリリースさせることによって、ピックアップされていたノズル６１をノズル載置部６２上に戻すことができる。
【００９３】
また、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２をＸ方向について伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、原点位置と基板Ｗの中央上方位置（より具体的には、ノズル載置部６２が対向位置におかれているレジスト塗布処理セット５０の回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央上方位置）との間で移動させることができる。ピックアップ部６４３を原点位置から基板Ｗの中央上方位置に移動させ、当該位置にてノズル６１からレジスト膜材料を吐出させることによって、基板Ｗ上面にレジスト膜材料を供給することができる。
【００９４】
〈２−２．レジスト膜の塗布形成処理〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、複数のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が行われる。各レジスト塗布処理セット５０において行われる処理の流れについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、レジスト塗布処理ユニット２にて行われる処理の流れを示す図である。以下の処理は、制御部９２がレジスト塗布処理ユニット２の備える各部を制御することによって実行される。
【００９５】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が、開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２に搬入して、所定のレジスト塗布処理セット５０（当該基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０として例えば後述するメインコントローラ１９９が指定する処理セット）の回転保持部５１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が開始される。
【００９６】
基板Ｗが回転保持部５１上に載置されると、制御部９２は、載置された基板Ｗを回転保持部５１に保持させる（ステップＳ２１）。
【００９７】
続いて、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に基板Ｗ上に所定のレジスト膜材料（当該基板Ｗに対して塗布すべきレジスト膜材料として後述するメインコントローラ１９９が指定するレジスト膜材料）を吐出供給させる（ステップＳ２２）。これにより、基板Ｗの表面にレジスト膜が形成される。
【００９８】
ステップＳ２２の処理が終了すると、制御部９２は、エッジリンスノズル５３を回動させて吐出部５３１を待避位置から処理位置まで移動させ、基板Ｗの周縁付近に向けて所定のリンス液を吐出させる（ステップＳ２３）。これにより基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。以上でレジスト膜の塗布形成処理が終了する。
【００９９】
レジスト膜の塗布形成処理が終了すると、外部搬送機構が開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２から搬出する。
【０１００】
〈２−３．ノズルの位置制御〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、上述した一連の処理（ステップＳ２１〜ステップＳ２３）が、各レジスト塗布処理セット５０において並行して行われる。ところで、上述した通り、レジスト膜材料供給部６０は複数のレジスト塗布処理セット５０の間で共用される。したがって、制御部９２は、各レジスト塗布処理セット５０におけるレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）のタイミングに合わせて、各レジスト塗布処理セット５０間でノズル６１を適切に移動させなければならない。以下において、制御部９２がノズル６１の位置制御を行う態様について図８を参照しながら具体的に説明する。図８は、ノズル６１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【０１０１】
制御部９２には、ノズル６１の位置制御に関する機能部として、処理情報取得部７１と、ノズル位置特定部７２と、駆動機構制御部７３とが実現されている。これら各部は、制御部９２が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【０１０２】
〈処理情報取得部７１〉
処理情報取得部７１は、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（レジスト膜塗布処理情報）を、制御部９２と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「メインコントローラ１９９」（図１６参照））から取得する。
【０１０３】
レジスト膜塗布処理情報とは、レジスト塗布処理ユニット２において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１とレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２とが含まれる。
【０１０４】
レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１は、各基板Ｗを、第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報である。
【０１０５】
レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２は、各基板Ｗに対してどのような処理を行うかを具体的に規定する情報である。レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２には、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のノズル６１のうち、いずれのノズル６１を用いて基板Ｗに対する処理を行うかを指定する情報が含まれる。これは、上述した通り、８個のノズル６１のそれぞれからは種類や濃度の異なるレジスト膜材料が吐出されるので、処理に用いるレジスト膜材料の種類等に応じて用いるべきノズル６１が変わってくるからである。
【０１０６】
〈ノズル位置特定部７２〉
ノズル位置特定部７２は、処理情報取得部７１が取得したレジスト膜塗布処理情報に基づいて、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる基板Ｗのそれぞれについて、吐出開始位置ＰＳ（基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理においてノズル６１が当該基板に対するレジスト膜材料の吐出を行う位置）と、待機位置ＰＷ（基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出処理に備えてノズル６１を待機させる位置）とを特定する。
【０１０７】
吐出開始位置ＰＳおよび待機位置ＰＷをどのように特定するかについて、図９を参照しながら具体的に説明する。図９は、ノズル６１の移動経路を模式的に示す図である。
【０１０８】
吐出開始位置ＰＳは、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１に基づいて特定される。例えば、ある基板Ｗ（基板Ｗ１）について、レジスト塗布処理セット情報Ｄ２１により指定される処理セットが「第３処理セットＳＣ３」であるとする。この場合、ノズル位置特定部７２は、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央の真上に相当する位置を、基板Ｗ１についての吐出開始位置ＰＳ１と特定する。
【０１０９】
待機位置ＰＷは、吐出開始位置ＰＳに対して固定的な相対位置関係にある位置である。より具体的には、基板Ｗについて特定された吐出開始位置ＰＳから移動経路Ｌ６１に下ろした垂線が移動経路Ｌ６１と交わる垂線交点が、当該基板Ｗについての待機位置ＰＷとなる。上述した通り、制御部９２は、ピックアップ部６４３にノズル６１を把持させた状態で把持アーム６４２を移動経路Ｌ６１と直交する方向（＋Ｘ方向）に向けて伸長させて、原点位置にあるピックアップ部６４３を被処理基板Ｗの中央の真上に相当する位置まで移動させる。これにより、ピックアップ部６４３に保持されたノズル６１が、当該基板Ｗの吐出開始位置ＰＳまで移動することになる。つまり、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させる直前のピックアップ部６４３（すなわち、原点位置におかれているピックアップ部６４３）に把持されたノズル６１の位置が待機位置ＰＷとなる。上記に例示した基板Ｗ１の場合、ノズル位置特定部７２は、ベース部６３が第３処理セットＳＣ３に対向する位置におかれた状態で、原点位置におかれたピックアップ部６４３に把持されるノズル６１の位置を、基板Ｗ１についての待機位置ＰＷ１と特定する。
【０１１０】
この構成によると、待機位置ＰＷが移動経路Ｌ６１上に設定されるので、レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う外部搬送機構が処理ユニットに対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル６１を待機位置ＰＷまで移動させてそこで待機させることができる。
【０１１１】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとが、ノズル６１が直線移動（Ｘ方向に沿った移動）で到達可能な位置関係におかれるので、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御してノズル２１をＸ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって、待機位置ＰＷにあるノズル６１を吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。
【０１１２】
〈駆動機構制御部７３〉
駆動機構制御部７３は、レジスト膜材料供給部６０の備える各駆動機構を制御してノズル６１を移動させる。駆動機構制御部７３がノズル６１を移動させる態様について、図９および図１０を参照しながら具体的に説明する。
【０１１３】
ある基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持される基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す））に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を行う場合、駆動機構制御部７３は以下の制御を行う。
【０１１４】
まず、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させて、基板Ｗ１について特定された待機位置ＰＷ１に待機している処理ノズル６１（基板Ｗ１の処理に用いるべきノズルとしてレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２において指定されたノズルであり、以下「処理ノズル６１１」と示す）を基板Ｗ１について特定された吐出開始位置ＰＳ１まで移動させる（ＡＲ２１）。制御部９２は、処理ノズル６１１が吐出開始位置ＰＳ１に到着すると、ノズル６１からレジスト膜材料を吐出させる。所定量のレジスト膜材料が吐出されると、制御部９２はレジスト膜材料の供給を停止させる。ただし、レジスト膜材料を吐出する量等は、レジスト塗布レシピ情報Ｄ２２にて指定されているものとする。これにより、基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が実行される。
【０１１５】
基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部７３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）の処理に用いるべきノズルとしてレジスト塗布レシピ情報Ｄ２２において指定されたノズル（以下「処理ノズル６１２」と示す）を、基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ２２，ＡＲ２３，ＡＲ２４）。
【０１１６】
具体的には、まず、基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出処理を終えた処理ノズル６１１を、ノズル載置部６２上の所定位置に戻す（ＡＲ２２）。すなわち、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を収縮させて、処理ノズル６１１を把持した状態のピックアップ部６４３を原点位置に戻し、さらに第１駆動機構６４４を制御して把持アーム６４２を−Ｚ方向に伸長させてこれを降下位置まで移動させ、この位置で把持している処理ノズル６１１をリリースさせる。続いて、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を所定の処理セット（基板Ｗ２の処理を行う処理セットとしてレジスト塗布処理セット情報Ｄ２１において指定された処理セット）に対向する位置に移動させる（ＡＲ２３）とともに、ノズル載置部駆動機構６２２を制御してノズル載置部６２を移動させて処理ノズル６１２を支持部６４１の梁部中央の真下（すなわち、ピックアップ部６４３の原点位置の真下）に位置させる（ＡＲ２４）。そして、第１駆動機構６４４を制御してピックアップ部６４３に処理ノズル６１２をピックアップさせる。これにより、処理ノズル６１２が基板Ｗ２についての待機位置ＰＷ２におかれることになる。駆動機構制御部７３は、レジスト塗布処理ユニット２に基板Ｗ２が搬入されるまで、この位置で処理ノズル６１２を待機させる。
【０１１７】
レジスト塗布処理ユニット２に基板Ｗ２が搬入され、この基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を行う場合、駆動機構制御部７３は再び上述した制御を行う。すなわち、第２駆動機構６４５を制御して把持アーム６４２を＋Ｘ方向に向けて伸長させて、待機位置ＰＷ２に位置している処理ノズル６１２を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させる（ＡＲ２５）。上述した通り、制御部９２は、ノズル６１が吐出開始位置ＰＳ２に到着すると、ノズル６１からレジスト膜材料を吐出させる。これにより、基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が実行される。
【０１１８】
基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、駆動機構制御部７３は、所定のノズル６１（当該基板Ｗの処理に用いるべきノズル）を、当該基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで移動させて当該位置ＰＷで待機させる。
【０１１９】
駆動機構制御部７３は、上記の制御をレジスト塗布処理ユニット２内に次々と搬入される基板Ｗのそれぞれについて次々と実行していく。
【０１２０】
〈２−４．ノズル６１を移動させるタイミング〉
上述の通り、ある基板Ｗ（以下「基板Ｗ１」と示す）に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が終了すると、駆動機構制御部７３は、次に処理すべき基板Ｗ（以下「基板Ｗ２」と示す）について特定された待機位置ＰＷ（待機位置ＰＷ２）まで所定のノズル６１（以下「処理ノズル６１２」と示す）を移動させて当該位置ＰＷ２で待機させる（ＡＲ２２，ＡＲ２３，ＡＲ２４）。そして、待機位置ＰＷ２に待機している処理ノズル６１２を基板Ｗ２について特定された吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ２５）、当該位置ＰＳ２で処理ノズル６１２からレジスト膜材料を吐出させる。これによって、基板Ｗ２に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）が行われる（図９参照）。
【０１２１】
ここにおいて、処理ノズル６１２の待機位置ＰＷ２から吐出開始位置ＰＳ２への移動（ＡＲ２５）は、基板Ｗ２をレジスト塗布処理ユニット２内に搬入した外部搬送機構のハンドが処理ユニットから退避するとすぐに開始されることが望ましい。なぜなら、レジスト塗布処理ユニット２内に搬入された基板Ｗ２が処理ノズル６１２の到着を待つ時間が長くなると、スループットの低下を招くからである。また、厳密に温度管理されてレジスト塗布処理ユニット２内に搬入される基板Ｗ２の表面温度が時間とともに変化してしまうからである。
【０１２２】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも基板Ｗ２をレジスト塗布処理ユニット２内に搬入したハンドが処理ユニットから退避するまでに）、処理ノズル６１２を待機位置ＰＷ２に到着させておくことが望ましい。
【０１２３】
このためには、処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理（ステップＳ２２）を終えるとすぐに、次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に当該基板Ｗ２の処理に用いる処理ノズル６１２を移動させる制御を開始することが望ましい。
【０１２４】
このためには、できるだけ早く（好ましくは、遅くとも処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるまでに）、処理情報取得部７１が基板Ｗ２に対するレジスト膜塗布形成処理情報を取得し、ノズル位置特定部７２が当該取得されたレジスト膜塗布形成処理情報に基づいて基板Ｗ２に対する吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とを特定していることが好ましい。処理ノズル６１１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるまでに吐出開始位置ＰＳ２と待機位置ＰＷ２とが特定されていれば、駆動機構制御部７３は、ノズル６１が基板Ｗ１に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終えるとすぐに、基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２に当該基板Ｗ２の処理に用いる処理ノズル６１２を移動させる制御を開始することができる。
【０１２５】
〈３．基板処理装置〉
上述した現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２は、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２が搭載された基板処理装置１００について、図１１〜図１７を参照しながら説明する。図１１は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図１２、図１３、図１４および図１５は、基板処理装置１００を、図１１に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図１６は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図１７は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。
【０１２６】
〈３−１．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図１６を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。
【０１２７】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【０１２８】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部１３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。
【０１２９】
なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはコントローラ１９２，１９３のそれぞれが上述した制御部９１，９２に相当する。
【０１３０】
メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御して、基板処理装置１００にて基板Ｗに対して行われる一連の処理プロセス（レジスト塗布、露光、熱処理、現像、エッチング等の一連の処理プロセス）を総括的に管理する。具体的には、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御して、後述するＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗをどのような順番でどの処理ユニットに（ひいては、どの処理セットに）搬入していくかを管理する。また、４個のコントローラ１９１〜１９４のそれぞれに対して各種の処理情報（例えば、現像処理情報、レジスト膜塗布処理情報等）を与えて、各処理ユニットにて各基板Ｗに対して行う具体的な処理内容を管理する。また、ＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。
【０１３１】
〈３−２．各部の構成および動作〉
続いて、基板処理装置１００の構成および動作について図１１〜図１７を参照しながら具体的に説明する。基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。
【０１３２】
〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１３３】
ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図１１、図１３参照）。
【０１３４】
図１７を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。
【０１３５】
なお、図１７においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図１３参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。
【０１３６】
〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成し、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。
【０１３７】
熱処理ブロック２１について、図１１および図１２を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。
【０１３８】
最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（より具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。
【０１３９】
熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを加熱処理する処理ユニットであり、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。
【０１４０】
密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）を行う処理ユニットであり、基板Ｗを加熱処理するホットプレートと、ホットプレート上に載置された基板Ｗの表面に密着強化剤を供給する供給手段とを備える。メインロボットＴ２１が基板Ｗをホットプレート上に載置すると、基板Ｗはホットプレートによって加熱処理される。また一方で、気化した密着強化剤が基板Ｗ表面に向けて吐出供給される。密着強化剤は昇温された基板Ｗの表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。密着強化処理が終了するとホットプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１４１】
冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１４２】
第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。
【０１４３】
第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。
【０１４４】
第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。
【０１４５】
液処理ブロック２２について、図１１および図１４を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。
【０１４６】
最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１１）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニット１を備える。現像処理ユニット１の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１４７】
現像ユニット列２２１１の下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１２）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニット２を備える。レジスト塗布処理ユニット２の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１４８】
図１７を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースＡに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、冷却ユニットＣＰ、密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ、レジスト塗布処理ユニット２、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。
【０１４９】
メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。
【０１５０】
また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースＡに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニット１、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。
【０１５１】
メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。
【０１５２】
〈ＩＦ部１３０〉
ＩＦ部１３０について、図１１および図１５を参照しながら説明する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。
【０１５３】
ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される。また、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、バッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。
【０１５４】
図１７を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。
【０１５５】
一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。
【０１５６】
ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。
【０１５７】
一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。
【０１５８】
また、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニット１にトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。
【０１５９】
以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。
【０１６０】
〈４．効果〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２はいずれも複数の処理セット（現像処理セット１０、レジスト塗布処理セット５０）にて並行して基板Ｗを処理可能な構成を備える処理ユニットである。ここでは、駆動機構制御部４３，７３が、ある基板Ｗに対する処理を終えたノズル（ノズル２１、ノズル６１）を次に処理すべき基板Ｗについて特定された待機位置ＰＷまで先行移動させておくので、基板Ｗがノズル２１，６１を待つ時間はノズル２１，６１がこの待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動する間だけとなる。これにより、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムが短縮され、処理ユニット１，２のスループットが向上する。
【０１６１】
また、ノズル２１，６１の待機位置ＰＷは、各基板Ｗの吐出開始位置ＰＳと固定的な相対位置関係にあるので、ノズル２１，６１が待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動するのに要する時間（すなわち、基板Ｗがノズル２１，６１を待つ時間）が基板間でばらつくこともない。したがって、ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムがいずれの基板Ｗについても等しいものとなり、いずれの基板Ｗについても同じ温度状態で処理液の吐出供給を行うことができる。これにより、処理の均一性を担保することができる。
【０１６２】
また、処理セット１０，５０間を移動する際のノズル２１，６１の移動経路Ｌ２１，６１が、外部搬送機構（基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構）のハンドの進入領域Ｋの外側に形成されるので、外部搬送機構が基板処理ユニット１，２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であってもノズル２１，６１を処理セット１０，５０間で自由に移動させることができる。特に、待機位置ＰＷが、この移動経路Ｌ２１，６１上に設定されるので、外部搬送機構が基板処理ユニット１，２に対する基板Ｗの搬出入を行っている間であってもノズル２１，６１を待機位置ＰＷまで移動させ、そこで待機させることができる。
【０１６３】
また、待機位置ＰＷと吐出開始位置ＰＳとがノズル２１，６１が直線移動で到達可能な位置関係にあるので、ノズル２１，６１を直線移動のみによって待機位置ＰＷから吐出開始位置ＰＳまで移動させることができる。これにより、基板Ｗがノズル２１，６１の到着を待つ時間を効果的に短縮できる。
【０１６４】
〈５．変形例〉
〈５−１．複数ノズルを備える現像処理ユニット〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１は１個のノズル２１を備える構成としたが、ノズル２１の搭載個数は１個に限らず、また、用いるノズル２１の種類もスリットノズルに限らない。
【０１６５】
複数個のノズル２１を備える現像処理ユニット１ａの構成について、図１８を参照しながら説明する。図１８は、現像処理ユニット１ａの平面図である。ただし、以下においては、現像処理ユニット１と同じ構成要素については同じ参照符号を用いて示し、その説明は省略する。
【０１６６】
現像処理ユニット１ａは、３個の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０ａと、現像液供給部２０ａが備えるノズル２１１，２１２を受けるためのポッド３０１，３０２とを備える。また、これら各部の動作を制御する制御部９１ａを備える。
【０１６７】
〈現像液供給部２０ａ〉
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出する２個のノズル（ここでは、スリットノズル２１１と吐出孔ノズル２１２）と、各ノズル２１２，２１２に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）と、各ノズル２１２，２１２がそれぞれ摺動可能に取り付けられた横ガイドレール２２１，２２２とを備える。また、スリットノズル２１１を横ガイドレール２２１に沿って、吐出孔ノズル２１２を横ガイドレール２２２に沿って、それぞれ移動させるＹ軸駆動機構２３１，２３２を備える。さらに、スリットノズル２１１、吐出孔ノズル２１２のそれぞれを垂直方向に移動させるＺ軸駆動機構２４１，２４２を備える。各駆動機構２３１，２３２，２４１，２４２は制御部９１ａと電気的に接続されており、制御部９１ａからの制御に応じて制御される。
【０１６８】
なお、各ノズル２１１，２１２に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）として、種類や濃度が互いに異なる現像液をそれぞれ貯留する処理液供給源を採用すれば、各ノズル２１２，２１２から種類や濃度が互いに異なる現像液を吐出させることができる。
【０１６９】
スリットノズル２１１の構成は上述した通りである。一方、吐出孔ノズル２１２は、その下側面であって、基板Ｗの中心位置の上方に相当する位置に、走査方向（Ｙ方向）と並行に並んで形成された所定数個（この実施の形態においては、５個）の吐出孔２１２１が形成される。回転保持部１１により回転される基板Ｗの上方を走査しながら、この吐出孔２１２１から現像液を吐出することによって、基板Ｗの表面に現像液を螺旋状に供給することができる。
【０１７０】
なお、ここでは現像処理ユニット１ａが備える２個のノズルを、異種のノズルの組み合わせにより構成しているが、同種のノズル（例えば、スリットノズル２１１とスリットノズル２１１、吐出孔ノズル２１２と吐出孔ノズル２１２）の組み合わせにより構成してもよい。
【０１７１】
横ガイドレール２２１，２２２はいずれも、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設されている。制御部９１ａは、Ｙ軸駆動機構２３１を制御してスリットノズル２１１を横ガイドレール２２１に沿って移動させることができ、Ｚ軸駆動機構２４１を制御してスリットノズル２１１を垂直方向に移動させることができる。また、Ｙ軸駆動機構２３２を制御して吐出孔ノズル２１２を横ガイドレール２２２に沿って移動させることができ、Ｚ軸駆動機構２４２を制御して吐出孔ノズル２１２を垂直方向に移動させることができる。
【０１７２】
Ｙ軸駆動機構２３１，２３２およびＺ軸駆動機構２４１，２４２のそれぞれを制御することにより、制御部９１ａは、現像処理セット１０間でスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２をそれぞれ独立に移動させることができる。また、任意の現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方をスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２に走査させることができる。ただし、スリットノズル２１１が基板Ｗの上方を走査する方向と、吐出孔ノズル２１２が基板Ｗの上方を走査する方向とは逆向きに設定する。これにより、スリットノズル２１１と吐出孔ノズル２１２を互いに交差させることなく、各ノズル２１１，２１２に、各現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗに対する現像液の吐出を行わせることができる。
【０１７３】
〈ポッド３０１，３０２〉
スリットノズル用ポッド３０１は待機するスリットノズル２１１を受けるための機能部であり、吐出孔ノズル用ポッド３０２は吐出孔ノズル２１２を受けるための機能部である。
【０１７４】
スリットノズル用ポッド３０１および吐出孔ノズル用ポッド３０２はいずれも現像処理セット１０と同数個だけ設けられる。複数個のポッド３０１，３０２のそれぞれは、複数の現像処理セット１０のそれぞれに対応して設けられ、対応する現像処理セット１０の備える回転保持部１１の所定側（ノズルが基板Ｗの上方を走査する方向と同じ側）に隣接して配置される。ただし、上述の通りスリットノズル２１１が基板Ｗの上方を走査する方向と吐出孔ノズル２１２が基板Ｗの上方を走査する方向とは逆向きであるので、同じ現像処理セット１０に対応するスリットノズル用ポッド３０１と吐出孔ノズル用ポッド３０２とは互いに逆側に設けられることになる。例えばスリットノズル２１１が基板Ｗの上方を−Ｙ方向に走査し、吐出孔ノズル２１２が＋Ｙ方向に走査する場合、スリットノズル用ポッド３０１は、対応する回転保持部１１の−Ｙ方向側に配置される。また、吐出孔ノズル用ポッド３０２は、対応する回転保持部１１の＋Ｙ方向側に配置される。なお、同じ現像処理セット１０間隙に配置される２つのポッド３０１，３０２は、一体に構成してもよい。
【０１７５】
なお、制御部９１ａは電気的に接続された各駆動機構２３１，２３２，２４１，２４２を制御することによってスリットノズル２１１および吐出孔ノズル２１２の各位置を制御する。制御部９１ａが各ノズル２１１，２１２の位置制御を行う態様は、上記の実施の形態に係る制御部９１のそれと同じである。
【０１７６】
〈５−２．その他の変形例〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１が備える現像処理セット１０の個数およびレジスト塗布処理ユニット２が備えるレジスト塗布処理セット５０の個数はいずれも３個であるとしたが、いずれの個数も３個に限らない。
【０１７７】
また、上記においては、現像処理を行う処理ユニットとレジスト膜塗布処理を行う処理ユニットに本発明を適用した場合の実施の形態を示したが、本発明は、それ以外の各種の処理を行う処理ユニットにも適用可能である。
【０１７８】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、液処理ブロック２２が備える現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２の個数も４個に限らない。
【０１７９】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】現像処理ユニットの平面図である。
【図２】現像処理ユニットの側断面図である。
【図３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図４】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図５】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図６】現像処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図７】レジスト塗布処理ユニットの平面図である。
【図８】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図９】ノズルの移動経路を模式的に示す図である。
【図１０】レジスト塗布処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図１１】基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図１２】基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。
【図１３】基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。
【図１４】基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。
【図１５】基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。
【図１６】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１７】各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。
【図１８】複数個のノズルを備える現像処理ユニットの平面図である。
【符号の説明】
【０１８１】
１ 現像処理ユニット
２ レジスト塗布処理ユニット
１０ 現像処理セット
１１，５１ 回転保持部
２０ 現像液供給部
２１ ノズル
２２ 横ガイドレール
２３ Ｙ軸駆動機構
２４ Ｚ軸駆動機構
３０ ポッド
４１，７１ 処理情報取得部
４２，７２ ノズル位置特定部
４３，７３ 駆動機構制御部
５０ レジスト塗布処理セット
６０ レジスト膜材料供給部
６１ ノズル
６２ ノズル載置部
６３ ベース部
６４ 把持部
９１，９２ 制御部
１００ 基板処理装置
１１０ ＩＤ部
１２０ 処理部
１３０ ＩＦ部
１９９ メインコントローラ
６２１ 第２横ガイドレール
６２２ 駆動機構
６３１ 第１横ガイドレール
６３２ 駆動機構
６４１ 支持部
６４２ 把持アーム
ＰＳ 吐出開始位置
ＰＷ 待機位置
Ｌ２１，Ｌ６１ 移動経路
Ｋ 進入領域
Ｔ１０ ＩＤロボット
Ｔ２１，Ｔ２２ メインロボット
Ｔ３１ ＰＥＢロボット
Ｔ３２ ＩＦロボット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、
前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、
を備え、
前記ノズル位置制御手段が、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、
前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記複数の処理セットの間を移動する際の前記ノズルの移動経路を、前記基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが前記基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成することを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理ユニットであって、
前記吐出開始位置と当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある前記待機位置とが、前記ノズルが直線移動で到達可能な位置関係にあることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
基板についての前記処理情報が、当該基板を前記複数の処理セットのうちのいずれにて処理するかを指定する情報を含むことを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液供給手段が前記ノズルを複数個備え、
基板についての前記処理情報が、前記複数個のノズルのうちから、当該基板に対する前記処理液の吐出を行わせるノズルを選択指定する情報を含むことを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液が現像液であることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液がレジスト膜材料であることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項８】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、
前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、
を備え、
前記ノズル位置制御手段が、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、
前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、基板に対して所定の処理液を吐出するノズルの位置制御方法であって、
前記基板処理ユニットが、
それぞれの間で前記ノズルを共用しながら、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セット、
を備え、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する工程と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定する工程と、
基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させる工程と、
前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入された後に、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる工程と、
を備えることを特徴とするノズルの位置制御方法。
【請求項１】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、
前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、
を備え、
前記ノズル位置制御手段が、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、
前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記複数の処理セットの間を移動する際の前記ノズルの移動経路を、前記基板処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送機構のハンドが前記基板処理ユニット内に進入する領域である進入領域の外側に形成することを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理ユニットであって、
前記吐出開始位置と当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある前記待機位置とが、前記ノズルが直線移動で到達可能な位置関係にあることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
基板についての前記処理情報が、当該基板を前記複数の処理セットのうちのいずれにて処理するかを指定する情報を含むことを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液供給手段が前記ノズルを複数個備え、
基板についての前記処理情報が、前記複数個のノズルのうちから、当該基板に対する前記処理液の吐出を行わせるノズルを選択指定する情報を含むことを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液が現像液であることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理ユニットであって、
前記処理液がレジスト膜材料であることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項８】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段が、
基板に対して前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させる駆動機構と、
前記ノズルの位置を制御するノズル位置制御手段と、
を備え、
前記ノズル位置制御手段が、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する処理情報取得手段と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定するノズル位置特定手段と、
前記駆動機構を制御して、基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させ、前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入されると、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる駆動機構制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、基板に対して所定の処理液を吐出するノズルの位置制御方法であって、
前記基板処理ユニットが、
それぞれの間で前記ノズルを共用しながら、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セット、
を備え、
前記基板処理ユニットに搬入されてくる予定の基板のそれぞれについての処理情報を取得する工程と、
基板についての前記処理情報に基づいて、前記ノズルが当該基板に対する前記処理液の吐出を開始する位置である吐出開始位置と、当該吐出開始位置に対して固定的な相対位置関係にある待機位置とを特定する工程と、
基板に対する前記処理液の吐出処理を終えた前記ノズルを、次に処理すべき基板について特定された前記待機位置まで移動させて当該待機位置で待機させる工程と、
前記基板が前記基板処理ユニット内に搬入された後に、前記ノズルを前記待機位置から前記基板について特定された前記吐出開始位置まで移動させる工程と、
を備えることを特徴とするノズルの位置制御方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１０−３４２２２（Ｐ２０１０−３４２２２Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１９３６３４（Ｐ２００８−１９３６３４）
【出願日】平成２０年７月２８日（２００８．７．２８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月２８日（２００８．７．２８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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