基板処理ユニットおよび基板処理装置
【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
これらの諸処理を行う基板処理装置は、一般に、レジスト膜の形成処理、現像処理、熱処理等の各種処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置して構成される。
【０００４】
ところで、レジスト膜の形成処理や現像処理等を行う処理ユニットにおいては、基板上に所定の順序で所定の処理液を順次吐出供給する処理工程が実行される。例えば、現像処理を行う処理ユニット（現像処理ユニット）においては、基板に対して現像液を供給してその表面に現像液を液盛りすることによって基板表面を現像反応を進行させ、所定時間が経過した後に今度はリンス液を供給して表面の現像反応を停止させる。場合によっては、基板の表面状態を現像液に馴染みやすい状態にするべく、現像液の供給に先立って純水等の供給を行うこともある（プリウェット処理）。プリウェット液の液だまりが形成された状態の基板表面に現像液を滴下し、これと同時に基板を高速回転させると、現像液とプリウェット液とが同時に基板表面全体に広がり、基板の表面全体に現像液をむらなく供給することが可能となる。
【０００５】
このような処理ユニットにおいては、処理ユニット内に複数個のノズル（現像処理ユニットの場合であれば、現像液を吐出するノズルとリンス液を吐出するノズル）が設けられ、各ノズルを所定の順序で入れ替えながら処理液の吐出供給処理を行わせることによって、基板に対する一連の処理が実行されていく。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、このような処理ユニットにおいては、ノズルの入れ替えの際にノズル同士が衝突することを避けるため、一方のノズルは他方のノズルが移動している間は移動させていない。この構成では、一方のノズルが他方のノズルの移動が完了するのを待って待機する時間が生じるため、ノズルの稼働率が低下し、結果としてスループットの低下を招いていた。
【０００７】
ところで、処理ユニットの中には、１枚の基板を処理する処理セットを複数個備えるものがある。ここでは、各処理セットにて並行して処理を実行することによって、複数枚の基板を同時に処理することが可能となる。このような処理ユニットにおいては、１個のノズルを複数の処理セット間で共用する構成をとることがある。例えば、現像処理ユニットにおいて、現像液を吐出するノズルを複数の処理セット間で共用する構成をとることがある。つまり、処理ユニット内には、各処理セット毎に設けられたノズル（例えば、リンス液を吐出するノズル）と、各処理セット間で共用されるノズル（例えば、現像液を吐出するノズル）との２種類のノズルが配置されることになる。
【０００８】
このような構成においては、共用されるノズル（共用ノズル）を処理セット間で移動させなければならない。ところが、いずれかの処理セットにて他方のノズルが移動を行っている間は、それと干渉する危険があるため、共用ノズルを移動させることができない。このため、共用ノズルの稼働率は大きく低下し、処理ユニットのスループットも著しく低下してしまう。
【０００９】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数個のノズルを有する基板処理ユニットにおいて、ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、を備え、前記複数の処理セットのそれぞれが、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、を備え、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが、現像液の吐出供給に先立って所定の処理液を基板表面に供給することによって前記基板表面を前記現像液と馴染みやすい状態にするプリウェット処理に係る前記所定の処理液を吐出供給するノズルである。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルがリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルである。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項２または３に記載の基板処理ユニットであって、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの上方に形成される。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルがレジスト膜材料を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルである。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理ユニットであって、前記基板処理ユニットの筐体壁面のうち、基板を前記基板処理ユニット内に搬出入するための開口部が形成された面を正面として、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの前記筐体背面側に形成される。
【００１６】
請求項７の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、を備え、前記複数の処理セットのそれぞれが、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、を備え、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜６の発明によると、第１ノズルが複数の処理セット間を移動する際の移動経路であるセット間移動経路が第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。したがって、第２ノズルとの干渉を考慮せずに第１ノズルを処理セット間で自由に移動させることができる。また、第１ノズルが処理セット間を移動している間であっても第２ノズルを自由に移動させることができる。これにより、第１ノズルおよび第２ノズルの稼働率をともに向上させることができる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によると、現像液を吐出供給するノズルおよびプリウェット処理に係る処理液を吐出供給するノズルの稼働率を向上させることができるので、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００１９】
特に、請求項３の発明によると、現像液を吐出供給するノズルおよびリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルとの稼働率を向上させることができるので、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００２０】
特に、請求項５の発明によると、レジスト膜材料を吐出供給するノズルおよび溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルの稼働率を向上させることができるので、レジスト膜塗布形成処理のスループットを向上させることができる。
【００２１】
請求項７の発明によると、基板処理ユニットにおいて、第１ノズルおよび第２ノズルの稼働率をともに向上させ、当該基板処理ユニットのスループットを向上させることができる。これにより、高いスループットの基板処理装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
〈１．現像処理ユニット〉
〈１−１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理ユニット（現像処理ユニット１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、現像処理ユニット１の平面図である。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。
【００２３】
現像処理ユニット１は、基板Ｗに対して現像処理を行う。現像処理ユニット１は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０と、現像液供給部２０が備える現像ノズル２１を受けるためのポッド３０とを備える。なお、各現像処理セット１０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００２４】
また、現像処理ユニット１は、これら各部の動作を制御する制御部９１を備える。制御部９１は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【００２５】
〈現像処理セット１０〉
現像処理セット１０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ１２と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗに純水液を供給するＤＩＷ供給部１３とを備える。すなわち、現像処理ユニット１はこれら各部材１１，１２，１３を３個ずつ備える。
【００２６】
回転保持部１１は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。回転保持部１１は、電動モータ（図示省略）によって回転される回転軸（図示省略）の上端に固定されている。また、回転保持部１１には吸気路（図示省略）が形成されており、回転保持部１１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面を真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００２７】
カップ１２は、先端を切り落としたドーム形状の部材であり、回転保持部１１に保持された基板Ｗを囲繞する。カップ１２には、これを昇降させる昇降機構（図示省略）が接続されている。昇降機構は、例えばエアシリンダにより構成される。昇降機構は、カップ１２を処理位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも上方にある位置））と待避位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも下方にある位置）との間で移動させる。処理位置に移動させた状態においては、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面から飛散した液滴がカップ１２の内側面で受け止められる。昇降機構は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、昇降機構を制御してカップ１２の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。
【００２８】
ＤＩＷ供給部１３は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上面に純水を供給する機能部であり、回転保持部１１と後述する開口部１０１との間に配設される。ただし、ＤＩＷ供給部１３は、開口部１０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００２９】
ＤＩＷ供給部１３は、所定の処理液（プリウェット液およびリンス液として用いられる処理液であり、この実施の形態においては純水）を貯留した処理供給源（図示省略）と接続され、基板Ｗに向けてこの処理液を吐出する純水ノズル１３０を備える。純水ノズル１３０は、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成することができる。
【００３０】
純水ノズル１３０は、水平方向に延びるアーム１３２およびその先端に取り付けられた吐出部１３１を備える。また、アーム１３２は、上方に延びる回動軸１３３の上端に取り付けられている。さらに、回動軸１３３には、これを回動させる回動機構１３４が接続されている。回動機構１３４は、例えば回動モータにより構成される。
【００３１】
回動機構１３４は、回動軸１３３を回動させることによって、純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０（吐出部１３１が回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方におかれる位置））と待避位置Ｔ１３０（吐出部１３１が回転保持部１１の側方におかれる位置）との間で移動させる。処理位置Ｓ１３０にてで純水ノズル１３０からリンス液を吐出させることによって、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面にリンス液を供給することができる。
【００３２】
回動機構１３４は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、回動機構１３４を制御して純水ノズル１３０の位置を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で切り換える。
【００３３】
なお、現像処理ユニット１の筐体壁面であって、搬送スペース（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）に面する側には、各回転保持部１１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部１０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部１０１からそのハンドを挿入して、当該開口部１０１と対応する回転保持部１１にアクセスすることができる。なお、開口部１０１は、シャッター等により開閉可能とされている。
【００３４】
３個の現像処理セット１０のそれぞれにおいては、これら各構成要素１１，１２，１３と、現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０とによって、１枚の基板に対する現像処理が実行される。なお、以下において、３個の現像処理セット１０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３と示す。
【００３５】
〈現像液供給部２０〉
現像液供給部２０は、各現像処理セット１０が備える回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面に所定の現像液を供給する機能部であり、回転保持部１１の並びに対して開口部１０１と逆側の位置に配置される。
【００３６】
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出する現像ノズル２１と、現像ノズル２１に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）とを備える。現像ノズル２１の先端付近には吐出部２１０が形成されている。吐出部２１０の下側面（基板Ｗと対向する面）には、現像ノズル２１の走査方向（Ｙ方向）と並行に並んで形成された所定数個（この実施の形態においては、５個）の吐出孔２２０が形成される。現像ノズル２１は、回転保持部１１により回転される基板Ｗの上方を、基板Ｗの中心から周縁に向けて半径方向に沿って走査しながら、この吐出孔２２０から現像液を吐出することによって、基板Ｗの表面に現像液を螺旋状に供給することができる。
【００３７】
現像ノズル２１は、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された横ガイドレール２２に摺動可能に取り付けられている。また、現像ノズル２１には、これを横ガイドレール２２に沿って移動させるＹ軸駆動機構２３が接続されている。Ｙ軸駆動機構２３は制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１をＹ方向に沿って移動させる。また、現像ノズル２１は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って配設された縦ガイドレール（図示省略）に摺動可能に取り付けられている。また、現像ノズル２１には、これを縦ガイドレールに沿って移動させるＺ軸駆動機構２４とが接続されている。Ｚ軸駆動機構２４は制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１をＺ方向に沿って移動させる。
【００３８】
図２を参照する。図２は、現像処理ユニット１の側面図である。制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる。この場合、制御部９１は、現像ノズル２１を第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリアであり、以下において「純水ノズル移動エリアＡ」と示す。）の外側（純水ノズル移動エリアＡの上方）に形成される（図２参照）。これにより、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させるにあたって、純水ノズル１３０との干渉を考慮する必要がなくなる。
【００３９】
また、制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１に現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方を基板Ｗの半径方向に沿って走査させる。この場合、制御部９１は、現像ノズル２１を第１の高さよりも低い第２の高さにある水平面（吐出走行面Ｈ２）上で移動させる（ＡＲ４）。
【００４０】
なお、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、現像ノズル２１を垂直方向に沿って（すなわち、Ｚ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１と吐出走行面Ｈ２との間で移動させる（ＡＲ１，ＡＲ３，ＡＲ５）。
【００４１】
〈ポッド３０〉
再び図１を参照する。ポッド３０は、待機する現像ノズル２１を受けるための機能部である。なお、ポッド３０内には、現像ノズル２１の下端面を洗浄する機構（洗浄ポット）を設けてもよい。ポッド３０は回転保持部１１に対応して設けられ、対応する回転保持部１１の所定側（図１の場合は。＋Ｙ方向側）に隣接して配置される。制御部９１は、ある回転保持部１１に保持された基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終えた現像ノズル２１を次の基板Ｗに向けて移動させる前に、当該回転保持部１１に対応するポッド３０に一時的に待機させることができる。
【００４２】
〈１−２．現像ノズル２１および純水ノズル１３０の位置制御〉
次に、現像ノズル２１および純水ノズル１３０の位置制御について、図３を参照しながら具体的に説明する。図３は、ノズル２１，１３０の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【００４３】
制御部９１には、現像ノズル２１の位置制御に関する機能部である現像ノズル位置制御部４１と、純水ノズル１３０の位置制御に関する機能部である純水ノズル位置制御部４２とが実現されている。これら各部は、制御部９１が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００４４】
〈現像ノズル位置制御部４１〉
現像ノズル位置制御部４１は、処理情報取得部４１１と、待機位置特定部４１２と、干渉エリア特定部４１３と、移動開始タイミング制御部４１４と、現像ノズル駆動制御部４１５とを備える。
【００４５】
〈処理情報取得部４１１〉
処理情報取得部４１１は、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（現像処理情報）を、制御部９１と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図２４参照））から取得する。現像処理情報とは、現像処理ユニット１において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、各基板Ｗを、第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報（現像処理セット情報）が含まれる。
【００４６】
〈待機位置特定部４１２〉
待機位置特定部４１２は、処理情報取得部４１１が取得した処理情報に基づいて、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板Ｗに対する現像液の吐出処理に備えて現像ノズル２１を待機させる位置（待機位置Ｔ２１）を特定する。
【００４７】
待機位置Ｔ２１を特定するにあたり、待機位置特定部４１２はまず、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、現像ノズル２１が当該基板Ｗに対する現像液の吐出を開始する位置（吐出開始位置Ｓ２１）を特定する。具体的には、まず、処理情報取得部４１１が取得した現像処理セット情報から、当該基板Ｗを処理すべき処理セットを特定する。そして、当該特定された処理セットの回転保持部１１に保持された基板中央の真上に吐出孔２２０が位置するような現像ノズル２１の位置であって、吐出走行面Ｈ２上の位置を、当該基板Ｗについての吐出開始位置Ｓ２１と特定する。
【００４８】
吐出開始位置Ｓ２１が特定されると、待機位置特定部４１２は、当該特定された吐出開始位置Ｓ２１の直上であって、移動走行面Ｈ１上の位置を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ２１と特定する。
【００４９】
例えば、ある基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０が「第２処理セットＳＤ２」であると現像処理セット情報にて指定されているとする。この場合、待機位置特定部４１２は、図１および図２に示すように、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板中央の真上であって吐出走行面Ｈ２上の位置を、当該基板Ｗについての吐出開始位置Ｓ２１と特定する。そして、この吐出開始位置Ｓ２１の直上であって、移動走行面Ｈ１上の位置を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ２１と特定する。
【００５０】
上述した通り、移動走行面Ｈ１は純水ノズル移動エリアＡの外側に形成される。待機位置Ｔ２１はこの移動走行面Ｈ１上に設定されるので、純水ノズル１３０がどのような位置にあるかに関係なく（つまり、純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０におかれている間であっても）、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させて、待機位置Ｔ２１まで移動させることができる。また、そこで待機させることができる。
【００５１】
また、待機位置Ｔ２１と吐出開始位置Ｓ２１とが、現像ノズル２１が、その複数の駆動軸（この実施の形態においては、Ｙ方向およびＺ方向のそれぞれに沿った駆動軸）のうち、Ｚ方向に沿った駆動軸のみについての移動で到達可能な位置関係におかれる。つまり、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１をＺ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって（ＡＲ３）、待機位置Ｔ２１にある現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１まで移動させることができる。
【００５２】
〈干渉エリア特定部４１３〉
干渉エリア特定部４１３は、純水ノズル移動エリアＡ内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。干渉エリアＡｉとは、純水ノズル移動エリアＡ内において現像ノズル２１が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＡｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＡｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【００５３】
図４を参照する。図４は干渉エリアＡｉの設定例を示す図である。ただし、図４（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図４（ｂ）は現像処理セット１０を図４（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。この実施の形態においては、上述した通り、現像ノズル２１は、現像処理セット１０間を移動する際は純水ノズル移動エリアＡの上方に設定された移動走行面Ｈ１上を移動するので（図２参照）、現像処理セット１０間を移動する際に現像ノズル２１が純水ノズル移動エリアＡ内へ進入することはない。したがって、この際の移動領域は、進入領域を形成しない。一方、吐出走行面Ｈ２は移動走行面Ｈ１よりも下側に設定されており、吐出開始位置Ｓ２１は純水ノズル移動エリアＡ内に位置するので、現像ノズル２１は、待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１へと移動する際に純水ノズル移動エリアＡに進入する（進入領域ａ１）。また、基板Ｗ上を走査する際にも純水ノズル移動エリアＡに進入する（進入領域ａ２）。そこで、オペレータは、例えば、これら進入領域ａ１，ａ２を包含するように干渉エリアＡｉを設定すればよい。例えば、図４に示すような扇形柱形状の領域を干渉エリアＡｉと設定することができる。
【００５４】
〈移動開始タイミング制御部４１４〉
再び図３を参照する。移動開始タイミング制御部４１４は、所定のタイミングで、後述する現像ノズル駆動制御部４１５に対して、現像ノズル２１を待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、純水の吐出処理を終えた純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動する際に、純水ノズル１３０の位置をモニタリングしている。そして、純水ノズル１３０が、干渉エリア特定部４１３により特定された干渉エリアＡｉの外に移動したことを確認した時点で、現像ノズル駆動制御部４１５に現像ノズル２１の移動開始指示を与える。
【００５５】
〈現像ノズル駆動制御部４１５〉
現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３およびＺ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１を移動させる。現像ノズル駆動制御部４１５が現像ノズル２１をどのように移動させるかについて、図１および図２を参照しながら説明する。
【００５６】
ある基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＤ３の回転保持部１１に保持される基板Ｗ）に対する現像液の吐出供給処理を終え、別の基板Ｗ（例えば、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持される基板Ｗ（以下、「処理対象基板Ｗ」という）に対する現像液の吐出供給処理を行う場合、現像ノズル駆動制御部４１５は以下の制御により現像ノズル２１を移動させる。
【００５７】
現像ノズル駆動制御部４１５は、まず、待機位置特定部４１２から処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ２１の位置情報を取得し、現像ノズル２１を当該待機位置Ｔ２１まで移動させる。具体的には、まず、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、吐出走行面Ｈ２上にある現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１まで上昇させる（ＡＲ１）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１上に形成された移動経路Ｌ１に沿って走らせて、処理対象基板Ｗの待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ２）。ただし、移動経路Ｌ１は、現像処理セット１０間を跨ぐようにＹ方向に沿って形成される経路である。そして、移動開始タイミング制御部４１４からの指示があるまで、この位置で現像ノズル２１を待機させる。
【００５８】
移動開始タイミング制御部４１４からの移動開始指示を受けると、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、待機位置Ｔ２１に待機している現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１まで移動させる（ＡＲ３）。
【００５９】
現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着すると、制御部９１は、現像液供給部２０に、現像ノズル２１に対する現像液の供給を開始させるとともに、回転保持部１１に、処理対象基板Ｗを回転開始させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２上に形成された走査経路Ｌ２に沿って処理対象基板Ｗの走査させる（ＡＲ４）。ただし、走査経路Ｌ２は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方であって、基板Ｗの中心から周縁に向かう半径方向に沿って形成される経路である。これにより、処理対象基板Ｗの表面に現像液が螺旋状に供給されることになる。
【００６０】
現像ノズル２１が処理対象基板Ｗの周縁を通過すると、制御部９１は、現像液供給部２０に現像ノズル２１に対する現像液の供給を停止させるとともに、回転保持部１１に処理対象基板Ｗの回転を停止させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、現像ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる。すなわち、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２から移動走行面Ｈ１まで上昇させ（ＡＲ５）、さらにＹ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ６）。
【００６１】
なお、一枚の基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎に現像ノズル２１を一旦ポッド３０に収納する必要がある場合（例えば、一枚の基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎に現像ノズル２１の下端をポッド３０内の洗浄機構にて洗浄する必要がある場合）、現像ノズル駆動制御部４１５は、処理対象基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終えた現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２から移動走行面Ｈ１まで上昇させた後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、ポッド３０（処理対象基板Ｗが処理されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）の上方位置まで移動させる。そして、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１を下降させてポッド３０内に収納する。ポッド３０内での所定の処理が終了すると、再びＺ軸駆動機構２４を制御して、ポッド３０内に収容されている現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１まで上昇させ、さらにＹ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる。
【００６２】
〈純水ノズル位置制御部４２〉
再び図３を参照する。純水ノズル位置制御部４２は、干渉エリア特定部４２１と、移動開始タイミング制御部４２２と、純水ノズル駆動制御部４２３とを備える。
【００６３】
〈干渉エリア特定部４２１〉
干渉エリア特定部４２１は、現像ノズル２１の移動エリア（以下において「現像ノズル移動エリアＢ」と示す）内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＢｉを特定する。干渉エリアＢｉとは、現像ノズル移動エリアＢ内において純水ノズル１３０が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＢｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＢｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【００６４】
図５を参照する。図５は干渉エリアＢｉの設定例を示す図である。ただし、図５（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図５（ｂ）は現像処理セット１０を図５（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。この実施の形態においては、純水ノズル１３０の処理位置Ｓ１３０は現像ノズル移動エリアＢ内に位置するので、純水ノズル１３０は、待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０へと移動する際に、現像ノズル移動エリアＢ内へ進入する（進入領域ｂ）。そこで、オペレータは例えば、これら進入領域ｂを包含するように干渉エリアＢｉを設定すればよい。例えば、図５に示すような直方体状の領域を干渉エリアＢｉと設定することができる。
【００６５】
〈移動開始タイミング制御部４２２〉
再び図３を参照する。移動開始タイミング制御部４２２は、所定のタイミングで、後述する純水ノズル駆動制御部４２３に対して、純水ノズル１３０を待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、現像ノズル２１が現像液の吐出を行う際に、その現像ノズル２１の位置をモニタリングしている。そして、現像ノズル２１が干渉エリア特定部４２１により特定された干渉エリアＢｉの外に移動したことを確認した時点で、純水ノズル駆動制御部４２３に純水ノズル１３０の移動開始指示を与える。
【００６６】
〈純水ノズル駆動制御部４２３〉
純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を制御して純水ノズル１３０を移動させる。純水ノズル駆動制御部４２３が純水ノズル１３０をどのように移動させるかについて、図１を参照しながら説明する。
【００６７】
基板Ｗに対するプリウェット処理を行う場合、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、待避位置Ｔ１３０に待避させていた純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動させる。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に、純水ノズル１３０に対する純水の供給を開始させる。これにより、基板Ｗに対するプリウェット処理が行われる。プリウェット処理が終了すると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を再び待避位置Ｔ１３０まで移動させる。そして、移動開始タイミング制御部４２２からの指示があるまで、この位置で純水ノズル１３０を待機させる。
【００６８】
移動開始タイミング制御部４２２からの移動開始指示を受けると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、待避位置Ｔ１３０に待機している純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動させる。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に、純水ノズル１３０に対する純水の供給を開始させる。これにより、基板Ｗに対するリンス処理が行われる。リンス処理が終了すると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を再び待避位置Ｔ１３０まで移動させる。
【００６９】
〈１−３．現像処理〉
現像処理ユニット１においては、複数の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。各現像処理セット１０において行われる処理の流れについて、図６および図７〜図１１を参照しながら説明する。図６は、現像処理ユニット１にて行われる処理の流れを示す図である。図７〜図１１は、現像処理の各段階における現像ノズル２１と純水ノズル１３０の位置関係を模式的に示す図である。ただし、図７（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図７（ｂ）は現像処理セット１０を図７（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。図８〜図１１についても同様である。なお、以下の処理は、制御部９１が現像処理ユニット１の各構成要素を制御することによって行われる。
【００７０】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が開口部１０１を介して表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Ｗを現像処理ユニット１に搬入して、所定の現像処理セット１０（当該基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０）の回転保持部１１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対する現像処理が開始される。
【００７１】
基板Ｗが回転保持部１１上に載置されると、制御部９１は、載置された基板Ｗを回転保持部１１に保持させる（ステップＳ１１）。
【００７２】
続いて、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に基板Ｗ上にプリウェット液（この実施の形態においては純水）を吐出供給させてプリウェット処理を行わせる（ステップＳ１２）。
【００７３】
この処理について、図７を参照しながら具体的に説明する。まず、純水ノズル位置制御部４２が、回動機構１３４を駆動制御して純水ノズル１３０を待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０まで移動させる（ＡＲ１１）。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、純水ノズル１３０からプリウェット液としての純水を所定量、基板中心部に向けて滴下させる。この際、回転保持部１１に基板Ｗを低速で回転させておく。これにより、基板表面の中央部にプリウェット液の液だまり（パドル状のプリウェット液の液体層）が形成される。なお、図４に示されるように、純水ノズル１３０が基板Ｗに対してプリウェット液の吐出供給を行っている間に、現像ノズル位置制御部４１が、Ｙ軸駆動機構２３を駆動制御して現像ノズル２１を当該基板Ｗについて特定された待機位置Ｔ２１まで移動させ、当該位置にて待機させている。
【００７４】
プリウェット処理が終了すると、制御部９１は、続いて現像液供給部２０に基板Ｗ上に現像液を吐出供給させる（ステップＳ１３）。そして、現像液の吐出供給が終了すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３にリンス液（この実施の形態においては純水）を吐出供給させてリンス処理を行わせる（ステップＳ１４）。
【００７５】
これらの処理について、図８〜図１０を参照しながら具体的に説明する。まず、図８に示すように、純水ノズル位置制御部４２が、回動機構１３４を駆動制御して、プリウェット液の吐出を終えた純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動させる（ＡＲ１２）。一方、移動開始タイミング制御部４１４は、純水ノズル１３０が干渉エリアＡｉの外に出たことを確認すると、現像ノズル駆動制御部４１５に現像ノズル２１の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じて現像ノズル駆動制御部４１５は、待機位置Ｔ２１に待機させていた現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１に向けて移動開始させる（ＡＲ１３）。
【００７６】
図９に示すように、現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着すると、制御部９１は、現像液供給部２０に、現像ノズル２１に対する現像液の供給を開始させるとともに、回転保持部１１に、基板Ｗを回転開始させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２上に形成された走査経路Ｌ２に沿って走らせて、基板Ｗの上面を走査させる（ＡＲ１４）。これにより、基板Ｗの表面に現像液が螺旋状に供給される。
【００７７】
また一方、図１０に示すように、移動開始タイミング制御部４２２は、基板Ｗ上を走査する現像ノズル２１が干渉エリアＢｉの外に出たことを確認すると、純水ノズル駆動制御部４２３に純水ノズル１３０の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じて純水ノズル駆動制御部４２３は、待避位置Ｔ１３０に待避している純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０に向けて移動開始させる（ＡＲ１５）。
【００７８】
図１１に示すように、現像ノズル２１が処理対象基板Ｗの周縁を通過すると、制御部９１は、現像液供給部２０に現像ノズル２１に対する現像液の供給を停止させるとともに、回転保持部１１に処理対象基板Ｗの回転を停止させる。また、現像ノズル駆動制御部４１５は、現像ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ１５）。一方、上述の通り、純水ノズル駆動制御部４２３は、移動開始タイミング制御部４２２からの指示に応じて純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動開始させている。図１１に示すように、純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１が、純水ノズル１３０からリンス液としての純水を所定量、基板に向けて吐出供給させる。これにより基板表面の現像反応が停止する。リンス液の吐出が終わると、純水ノズル駆動制御部４２３は、再び回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動させる。
【００７９】
再び図６を参照する。ステップＳ１４の処理が終了すると、制御部９１は、回転保持部１１を回転させて、基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ただし、この際には、カップ１２を上昇させて処理位置におき、基板表面から飛散したリンス液をその内側面で受け止めさせる。所定時間が経過すると回転を停止させる。
【００８０】
ステップＳ１５の処理が終了すると、制御部９１は回転保持部１１に基板Ｗの保持状態を解除させる。すると、図示しない外部搬送機構が、開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１から搬出する。
【００８１】
〈１−４．効果〉
上記の構成によると、現像ノズル２１が複数の現像処理セット１０間を移動する際の移動経路（移動経路Ｌ１）が純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル移動エリアＡ）の外側に形成される。したがって、純水ノズル１３０がどの位置にあっても現像ノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができる。また、現像ノズル２１が現像処理セット１０間を移動している間であっても純水ノズル１３０を自由に移動させることができる。これにより、現像ノズル２１および純水ノズル１３０の稼働率をともに向上させることが可能となり、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００８２】
また、上記の構成によると、現像ノズル２１を待機させる待機位置Ｔ２１が、吐出開始位置Ｓ２１まで１つの駆動軸に沿った移動のみで到達可能な位置に設定されるので、待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１への移動に要する時間を短縮することができる。つまり、純水ノズル１３０が干渉エリアＡｉ外に移動してから現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着するまでの時間を短縮することができる。
【００８３】
また、上記の構成によると、ノズル２１，１３０それぞれの移動領域内に干渉エリアＡｉ，Ｂｉをそれぞれ規定し、一方のノズルが当該ノズルの移動領域内に規定された干渉エリアの外に移動した時点で、他方のノズルの移動を開始させる。この構成によると、ノズル同士が干渉することがないので、安全にノズルの入れ替えを行うことができる。また、一方のノズルが待避位置に到着してから他方のノズルの移動を開始する構成に比べて、迅速にノズルの入れ替えを行うことができる。ノズルの入れ替えに要する時間が短縮されることによって、処理ユニットのスループットを向上との効果が得られる。
【００８４】
例えば、純水ノズル１３０が、その移動領域（純水ノズル移動エリアＡ）内に規定された干渉エリアＡｉの外に移動した時点で、現像ノズル２１の移動を開始させるので、現像ノズル２１を迅速に現像ノズル２１と入れ替えることができる。したがって、現像液の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に形成されたプリウェット液の液だまりの表面張力が破れてヒゲ状に広がってしまう前に現像液を基板表面に供給することが可能となる。これにより、現像液を基板表面全体に均一に広げることが可能となり、欠陥の発生が防止される。
【００８５】
また例えば、現像ノズル２１が、その移動領域（現像ノズル移動エリアＢ）内に規定された干渉エリアＢｉの外に移動した時点で純水ノズル１３０の移動を開始させるので、純水ノズル１３０を迅速に現像ノズル２１と入れ替えることができる。したがって、リンス液の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に液盛りされた現像液が乾燥する前にリンス液を吐出供給することが可能となる。これにより欠陥の発生が防止される。
【００８６】
なお、上記の構成では、純水ノズル１３０の待避位置Ｔ１３０は、平面視で基板Ｗの上方から外れたカップ１２の外側の位置に設けられていたが、これに限られるものではなく、例えば現像ノズル２１による基板Ｗへの現像液の供給後に純水ノズル１３０からリンス液を供給する場合には、平面視で基板Ｗの上方の位置であって、現像ノズル２１との干渉領域Ｂｉから外れた位置に純水ノズル１３０の待避位置Ｔ１３０を設けるようにしてもよい。このようにすれば、現像液の供給後、より早く純水ノズル１３０を基板Ｗ上の処理位置Ｓ１３０に移動させることができ、基板上に供給された現像液が乾燥する前により確実にリンス液を吐出供給することができる。
【００８７】
また、上記の構成では、現像ノズル２１の現像液吐出開始位置Ｓ２１を吐出走行面Ｈ２における基板Ｗの中心に一致する位置とし、純水ノズル１３０との干渉を避けるために現像ノズル２１の待機位置Ｔ２１を移動走行面Ｈ１における基板Ｗの中心に一致する位置としていたが、これに限られるものではない。すなわち、処理プロセスの違いによって現像ノズル２１から基板Ｗへの現像液の吐出開始位置を基板Ｗの周縁部から行い、基板Ｗの中心部まで移動させて現像液の供給を行う場合、現像ノズル２１の現像液吐出開始位置Ｓ２１を吐出走行面Ｈ２における基板Ｗの周縁部に一致する位置とし、現像ノズル２１の待機位置Ｔ２１を移動走行面Ｈ１における基板Ｗの周縁部に一致する位置に設定し、純水ノズル１３０との干渉領域を設定するようにすればよい。
【００８８】
〈２．レジスト塗布処理ユニット〉
〈２−１．構成〉
この発明の別の実施の形態に係る基板処理ユニット（レジスト塗布処理ユニット２）の全体構成について図１２を参照しながら説明する。図１２は、レジスト塗布処理ユニット２の平面図である。
【００８９】
レジスト塗布処理ユニット２は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理を行う。レジスト塗布処理ユニット２は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）のレジスト塗布処理セット５０と、これらレジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とを備える。なお、各レジスト塗布処理セット５０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００９０】
また、レジスト塗布処理ユニット２は、これら各部の動作を制御する制御部９２を備える。制御部９２は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された処理レシピ等の各種情報を記憶する記憶媒体等により実現されている。
【００９１】
〈レジスト塗布処理セット５０〉
レジスト塗布処理セット５０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部５１と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ５２と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗに各種の処理液を供給する処理液供給部５３とを備える。すなわち、レジスト塗布処理ユニット２はこれら各部材５１，５２，５３を３個ずつ備える。
【００９２】
回転保持部５１の構成は回転保持部１１と同様であり、カップ５２の構成はカップ１２と同様である。
【００９３】
処理液供給部５３は、回転保持部５１に保持された基板Ｗの上面に各種の処理液を供給する機能部であり、回転保持部５１と後述する開口部５０１との間に配設される。ただし、処理液供給部５３は、開口部５０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００９４】
処理液供給部５３は、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する吐出ノズル５３０を備えている。吐出ノズル５３０は、水平方向に延びるアーム５３３およびその先端に取り付けられた第１処理液吐出部５３１と第２処理液吐出部５３２とを備えている。第１処理液吐出部５３１は、溶媒前塗布液を貯留した処理液供給源（図示省略）と接続されている。また、第２処理液吐出部５３２は、エッジリンス用のリンス液を貯留した処理液供給源（図示省略）と接続されている。この構成により、吐出ノズル５３０は、基板Ｗの表面に向けて溶媒前塗布用の処理液（溶媒前塗布液）を供給するノズルとして機能するとともに、基板Ｗの周縁に向けてエッジリンス用のリンス液を供給するノズル（ＥＢＲノズル）としても機能する。また、アーム５３３は、上方に延びる回動軸５３４の上端に取り付けられている。さらに、回動軸５３４には、これを回動させる回動機構５３５が接続されている。回動機構５３５は、例えば回動モータにより構成される。
【００９５】
回動機構５３５は、回動軸５３４を回動させることによって、吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１（第１処理液吐出部５３１が回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央上方におかれる位置）と待避位置Ｔ５３０（第１処理液吐出部５３１および第２処理液吐出部５３２が回転保持部５１の側方におかれる位置）との間で移動させる。また、第２処理位置（第２処理液吐出部５３２が回転保持部５１に保持された基板Ｗの端縁上方におかれる位置）と待避位置Ｔ５３０との間で移動させる。第１処理位置Ｓ５３１にて第１処理液吐出部５３１から溶媒前塗布液を吐出させることによって、回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に溶媒前塗布液を供給することができる。また、第２処理位置Ｓ５３２にて第２処理液吐出部５３２からリンス液を吐出させることによって、回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁にリンス液を供給することができる。
【００９６】
回動機構５３５は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、回動機構５３５を制御して吐出ノズル５３０の位置を、第１処理位置Ｓ５３１と待避位置Ｔ５３０との間で、また、第２処理位置Ｓ５３２と待避位置Ｔ５３０との間で切り換える。
【００９７】
なお、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面であって、搬送スペース（レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）側の面には、各回転保持部５１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部５０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部５０１からそのハンドを挿入して、当該開口部５０１と対応する回転保持部５１にアクセスすることができる。
【００９８】
３個のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいては、これら各構成要素５１，５２，５３と、各レジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とによって、１枚の基板に対するレジスト膜の塗布形成処理が実行される。なお、以下において、３個のレジスト塗布処理セット５０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３と示す。
【００９９】
〈レジスト膜材料供給部６０〉
レジスト膜材料供給部６０は、各レジスト塗布処理セット５０が備える回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に所定のレジスト膜材料を供給する機能部であり、回転保持部５１の並びに対して開口部５０１と逆側の位置に配置される。
【０１００】
レジスト膜材料供給部６０は、回転保持部５１上に載置された基板Ｗに向けてレジスト膜材料を吐出する１以上（例えば、８個）のレジストノズル６１を備える。レジストノズル６１は、例えばストレートノズルにより構成される。
【０１０１】
８個のレジストノズル６１のそれぞれは、処理液供給管（図示省略）を介して処理液供給源（図示省略）のそれぞれに接続されている。なお、各レジストノズル６１が接続された処理液供給源には、互いに種類や濃度が異なるレジスト膜材料がそれぞれ貯留されているものする。これによって、１以上のレジストノズル６１のそれぞれから、種類や濃度が互いに異なるレジスト膜材料を吐出させることができる。なお、処理液供給管は、レジストノズル６１の移動を許容するように可動に構成されている。
【０１０２】
８個のレジストノズル６１は、ベース部６３上に配置されたノズル載置部６２上に載置される。ベース部６３は、各レジスト塗布処理セット５０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された第１横ガイドレール６３１に摺動可能に取り付けられている。また、ベース部６３には、これを第１横ガイドレール６３１に沿って移動させるベース部駆動機構６３２が接続されている。ベース部駆動機構６３２は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０３】
制御部９２は、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を第１横ガイドレール６３１に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させる（ＡＲ６３）。これにより、ベース部６３を、複数個のレジスト塗布処理セット５０のうちの任意のレジスト塗布処理セット５０に対向する位置に移動させる。ただし、レジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させる際の移動経路である第１横ガイドレール６３１は、処理液供給部５３の移動エリア（吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１、第２処理位置Ｓ５３２および待避位置Ｔ５３０の間で移動させる際に吐出ノズル５３０が移動するエリアであり、以下において「処理液供給部移動エリアＣ」と示す。）の外側（レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面のうち、開口部５０１が形成された面を正面とした場合、処理液供給部移動エリアＣの筐体背面側）に形成される。より具体的には、筐体背面側であって、第１横ガイドレール６３１に沿って移動するベース部６３が、処理液供給部移動エリアＣと干渉しない程度に、処理液供給部移動エリアＣから離間した位置に形成される。これにより、レジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させるにあたって、吐出ノズル５３０との干渉を考慮する必要がなくなる。
【０１０４】
ベース部６３上には、上述した８個のレジストノズル６１が所定方向（ここでは、Ｙ方向）に沿って隣接して載置されるノズル載置部６２と、ノズル載置部６２上に載置されたレジストノズル６１を把持して移動させる把持部６４とが配置される。
【０１０５】
ノズル載置部６２は、各レジストノズル６１が配列された方向（Ｙ方向）に沿ってベース部６３上に水平に配設された第２横ガイドレール６２１に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル載置部６２には、これを第２横ガイドレール６２１に沿って移動させるノズル載置部駆動機構６２２が接続されている。ノズル載置部駆動機構６２２は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０６】
制御部９２は、ノズル載置部駆動機構６２２を制御して、ノズル載置部６２を第２横ガイドレール６２１に沿って（すなわち、ベース部６３上をＹ方向に沿って）移動させて、８個のレジストノズル６１のうちの任意のレジストノズル６１を後述する支持部６４１の梁部中央の真下に移動させることができる（ＡＲ６２）。これにより、８個のレジストノズル６１のうちの任意のレジストノズル６１を後述するピックアップ部６４３に把持させることができる。
【０１０７】
把持部６４は、ノズル載置部６２をまたぐようにベース部６３上に固設された門形状の支持部６４１と、支持部６４１の梁部中央に取り付けられた伸縮可能な把持アーム６４２と、把持アーム６４２の先端に取り付けられたピックアップ部６４３とを備える。把持アーム６４２には、これを上下方向に沿って伸縮させる第１駆動機構６４４と、これを横ガイドレール６２１と直交する水平方向（Ｘ方向）に沿って伸縮させる第２駆動機構６４５とが接続されている。各駆動機構６４４，６４５は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０８】
制御部９２は、第１駆動機構６４４を制御して、把持アーム６４２をＺ方向に沿って伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、支持部６４１の梁部中央位置（原点位置）と、ノズル載置部６２に載置されたレジストノズル６１の高さ位置（ピックアップ位置）との間で移動させる。ピックアップ部６４３を原点位置からピックアップ位置まで降下させ、真下にあるレジストノズル６１を把持させた上で再び原点位置まで上昇させることによって、ノズル載置部６２上に載置された８個のレジストノズル６１のうち、原点位置の真下に位置しているレジストノズル６１をピックアップ部６４３にピックアップさせることができる。また、レジストノズル６１を把持しているピックアップ部６４３を原点位置からピックアップ位置まで降下させ、ピックアップ位置にて把持しているレジストノズル６１をリリースさせることによって、把持されていたレジストノズル６１をノズル載置部６２上に載置させることができる。
【０１０９】
また、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２をＸ方向に沿って伸縮させる。これによって、ピックアップ部６４３を、原点位置と基板Ｗ（すなわち、ノズル載置部６２が対向位置におかれているレジスト塗布処理セット５０の回転保持部５１に保持された基板Ｗ）の中央上方位置の間で移動させることができる（ＡＲ６４２）。ピックアップ部６４３を基板Ｗの中央上方位置におくと、そこに把持されたレジストノズル６１が、後述する処理位置Ｓ６１におかれることになる。この処理位置Ｓ６１にてレジストノズル６１からレジスト膜材料を吐出させることによって、基板Ｗ上面にレジスト膜材料を供給することができる。
【０１１０】
〈２−２．レジストノズル６１の位置制御〉
次に、レジストノズル６１の位置制御について、図１３を参照しながら具体的に説明する。図１３は、レジストノズル６１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【０１１１】
制御部９２には、レジストノズル６１の位置制御に関する機能部であるレジストノズル位置制御部７１が実現されている。また、回動機構５３５を制御して吐出ノズル５３０の位置を制御する機能部である吐出ノズル位置制御部７２が実現されている。これらの構成部は、制御部９２が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【０１１２】
〈レジストノズル位置制御部７１〉
レジストノズル位置制御部７１は、処理情報取得部７１１と、待機位置特定部７１２と、干渉エリア特定部７１３と、移動開始タイミング制御部７１４と、レジストノズル駆動制御部７１５とを備える。
【０１１３】
〈処理情報取得部７１１〉
処理情報取得部７１１は、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（レジスト膜塗布形成処理情報）を、制御部９２と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図２４参照））から取得する。レジスト膜塗布形成処理情報とは、レジスト塗布処理ユニット２において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、各基板Ｗを、第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報（レジスト塗布処理セット情報）が含まれる。また、各基板Ｗに対してどのような処理を行うかを具体的に規定する情報（レシピ情報）が含まれる。なお、上述した通り、８個のレジストノズル６１のそれぞれからは種類や濃度の異なるレジスト膜材料が吐出されるので、処理に用いるべきレジスト膜材料の種類等に応じてレジストノズル６１を選択する必要がある。そこで、レシピ情報として、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のレジストノズル６１のうち、いずれのレジストノズル６１を用いて基板Ｗに対する処理を行うかを指定する情報を含ませておく。
【０１１４】
〈待機位置特定部７１２〉
待機位置特定部７１２は、処理情報取得部７１１が取得した処理情報に基づいて、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出処理に備えてレジストノズル６１を待機させる位置（待機位置Ｔ６１）を特定する。
【０１１５】
待機位置Ｔ６１を特定するにあたり、待機位置特定部７１２はまず、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、レジストノズル６１が当該基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出を行う位置（処理位置Ｓ６１）を特定する。具体的には、まず、処理情報取得部７１１が取得したレジスト塗布処理セット情報から、当該基板Ｗを処理すべき処理セットを特定する。そして、当該特定された処理セットの回転保持部５１に保持された基板中央の真上の位置を、当該基板Ｗについての処理位置Ｓ６１と特定する。
【０１１６】
処理位置Ｓ６１が特定されると、待機位置特定部７１２は、当該特定された処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１と特定する。上述した通り、制御部９２は、ピックアップ部６４３にレジストノズル６１を把持させた状態で把持アーム６４２を第１横ガイドレール６３１と直交する方向（＋Ｘ方向）に向けて伸長させて、ピックアップ部６４３に把持されたレジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させる。ここで、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させる直前のピックアップ部６４３（すなわち、原点位置におかれているピックアップ部６４３）に把持されたレジストノズル６１の位置が待機位置Ｔ６１となる。
【０１１７】
例えば、ある基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０が「第３処理セットＳＣ３」であるとレジスト塗布処理セット情報にて指定されているとする。この場合、待機位置特定部７１２は、図１２に示すように、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持された基板中央の真上の位置を、当該基板Ｗについての処理位置Ｓ６１と特定する。そして、この処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１と特定する。
【０１１８】
上述したとおり、第１横ガイドレール６３１は処理液供給部移動エリアＣの外側に形成される。待機位置Ｔ６１はこの第１横ガイドレール６３１上に設定されるので、吐出ノズル５３０がどのような位置にあるかに関係なく（つまり、吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１、第２処理位置Ｓ５３２のいずれかにおかれている間であっても）、吐出ノズル５３０との干渉を考慮せずにレジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させて、所定の待機位置Ｔ６１まで移動させることができる。また、そこで待機させることができる。
【０１１９】
また、待機位置Ｔ６１と処理位置Ｓ６１とが、レジストノズル６１が、その複数の駆動軸（この実施の形態においては、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向のそれぞれに沿った駆動軸）のうち、Ｘ方向に沿った駆動軸のみについての移動で到達可能な位置関係におかれる。つまり、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に向けて伸長させてることのみによって（ＡＲ６４２）、待機位置Ｔ６１にあるレジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させることができる。
【０１２０】
〈干渉エリア特定部７１３〉
干渉エリア特定部７１３は、処理液供給部移動エリアＣ内に、レジストノズル６１と吐出ノズル５３０との干渉エリアＣｉを特定する。干渉エリアＣｉとは、処理液供給部移動エリアＣ内においてレジストノズル６１が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＣｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＣｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【０１２１】
図１４を参照する。図１４はレジスト塗布処理セット５０の平面図であり、干渉エリアＣｉの設定例が示されている。この実施の形態においては、上述した通り、レジストノズル６１は、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際は処理液供給部移動エリアＣの外側に配置された第１横ガイドレール６３１に沿って移動するので（図１参照）、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際にレジストノズル６１が処理液供給部移動エリアＣ内へ進入することはない。したがって、この際の移動領域は進入領域を形成しない。一方、レジストノズル６１の処理位置Ｓ６１は処理液供給部移動エリアＣ内に位置するので、レジストノズル６１は、待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１へと移動する際に処理液供給部移動エリアＣに進入する（進入領域ｃ）。そこで、オペレータは、例えば、この進入領域ｃを包含するように干渉エリアＣｉを設定すればよい。例えば、図１４に示すような扇形柱形状の領域を干渉エリアＣｉと設定することができる。
【０１２２】
〈移動開始タイミング制御部７１４〉
再び図１３を参照する。移動開始タイミング制御部７１４は、所定のタイミングで、後述するレジストノズル駆動制御部７１５に対して、レジストノズル６１を待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、溶媒前塗布液の吐出処理を終えた吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１から待避位置Ｔ５３０まで移動する際に、吐出ノズル５３０の位置をモニタリングしている。そして、吐出ノズル５３０が、干渉エリア特定部７１３により特定された干渉エリアＣｉの外に移動したことを確認した時点で、レジストノズル駆動制御部７１５にレジストノズル６１の移動開始指示を与える。
【０１２３】
〈レジストノズル駆動制御部７１５〉
レジストノズル駆動制御部７１５は、レジスト膜材料供給部６０の備える各駆動機構を制御してレジストノズル６１を移動させる。レジストノズル駆動制御部７１５がレジストノズル６１をどのように移動させるかについて、図１２を参照しながら説明する。
【０１２４】
ある基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終え、別の基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持される基板Ｗ（以下、「処理対象基板Ｗ」という）に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を行う場合、レジストノズル駆動制御部７１５は以下の制御によりレジストノズル６１を移動させる。
【０１２５】
レジストノズル駆動制御部７１５は、まず、処理情報取得部７１１が取得した当該基板Ｗ１についての処理情報に基づいて、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のレジストノズル６１のうち、当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１（以下、「選択レジストノズル６１」という）を特定する。
【０１２６】
続いて、レジストノズル駆動制御部７１５は、待機位置特定部７１２から処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ６１の位置情報を取得し、処理レジストノズル６１を当該待機位置Ｔ６１まで移動させる。具体的には、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を所定の処理セット（処理対象基板Ｗの処理を行う処理セットとして処理セット情報にて指定された処理セットであり、ここでは第３処理セットＳＣ３）に対向する位置に移動させる（ＡＲ６１）。また、これとともに、ノズル載置部駆動機構６２２を制御して、選択レジストノズル６１が支持部６４１の梁部中央の真下（すなわち、ピックアップ部６４３の原点位置の真下）に位置するようにノズル載置部６２を移動させる（ＡＲ２４）。
【０１２７】
続いて、レジストノズル駆動制御部７１５は、１駆動機構６４４を制御して、ピックアップ部６４３に選択レジストノズル６１をピックアップさせる。これにより、選択レジストノズル６１が処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ６１におかれることになる。レジストノズル駆動制御部７１５は、移動開始タイミング制御部７１４からの指示があるまで、この位置で選択レジストノズル６１を待機させる。
【０１２８】
移動開始タイミング制御部７１４からの移動開始指示を受けると、レジストノズル駆動制御部７１５は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させ、待機位置Ｔ６１に待機している選択レジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させる（ＡＲ６４２）。
【０１２９】
選択レジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に、選択レジストノズル６１に対するレジスト膜材料の供給を開始させる。これにより、レジストノズル６１からレジスト膜材料が吐出され、処理対象基板Ｗの表面にレジスト膜材料が供給されることになる。
【０１３０】
所定量のレジスト膜材料が処理対象基板Ｗに供給されると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に選択レジストノズル６１に対するレジスト膜材料の供給を停止させる。一方、レジストノズル駆動制御部７１５は、選択レジストノズル６１をノズル載置部６２に載置させるとともに、次に処理すべき基板Ｗについて、当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１まで移動させる。
【０１３１】
〈２−３．レジスト膜の塗布形成処理〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、複数のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が行われる。各レジスト塗布処理セット５０において行われる処理の流れについて、図１５および図１６〜図１８を参照しながら説明する。図１５は、レジスト塗布処理ユニット２にて行われる処理の流れを示す図である。図１６〜図１８は、レジスト膜の塗布形成処理の各段階におけるレジストノズル６１と吐出ノズル５３０の位置関係を模式的に示す図である。ただし、図１６（ａ）はレジスト塗布処理セット５０の平面図であり、図１６（ｂ）はレジスト塗布処理セット５０を図１６（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。図１７〜図１８についても同様である。なお、以下の処理は、制御部９２がレジスト塗布処理ユニット２の各構成要素を制御することによって行われる。
【０１３２】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２に搬入して、所定のレジスト塗布処理セット５０（当該基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０）の回転保持部５１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が開始される。
【０１３３】
基板Ｗが回転保持部５１上に載置されると、制御部９２は、載置された基板Ｗを回転保持部５１に保持させる（ステップＳ２１）。
【０１３４】
続いて、制御部９２は、処理液供給部５３に基板Ｗ上に溶媒前塗布液を吐出供給させて溶媒前塗布処理を行わせる（ステップＳ２２）。
【０１３５】
この処理について、図１６を参照しながら具体的に説明する。まず、吐出ノズル位置制御部７２が、回動機構５３５を駆動制御して、吐出ノズル５３０を待避位置Ｔ５３０から第１処理位置Ｓ５３１まで移動させる（ＡＲ２１）。吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１に到着すると、制御部９２は、第１処理液吐出部５３１から、所定量の溶媒前塗布液を基板中心部に向けて滴下させる。そして、回転保持部５１に基板Ｗを所定速度で回転させる。これにより、基板表面の全体に溶媒前塗布液が供給される。なお、図１６に示されるように、吐出ノズル５３０が基板Ｗに対して前処理液の吐出供給を行っている間に、レジストノズル位置制御部７１は、レジスト膜材料供給部６０の各駆動機構を駆動制御して所定のレジストノズル６１（当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１であり、以下、「選択レジストノズル６１」という）を当該基板Ｗについて特定された待機位置Ｔ６１まで移動させ、当該位置にて待機させている。
【０１３６】
溶媒前塗布液の供給処理が終了すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に基板Ｗ上に所定のレジスト膜材料を吐出供給させる（ステップＳ２３）。
【０１３７】
この処理について、図１７〜図１８を参照しながら具体的に説明する。まず、図１７に示すように、制御部９２が、回動機構５３５を駆動制御して、溶媒前塗布液の吐出を終えた吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１から待避位置Ｔ５３０まで移動させる（ＡＲ２２）。一方、移動開始タイミング制御部７１４は、吐出ノズル５３０が干渉エリアＣｉの外に出たことを確認すると、レジストノズル駆動制御部７１５に処理レジストノズル６１の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じてレジストノズル駆動制御部７１５は、待機位置Ｔ６１に待機させていた選択レジストノズル６１を処理位置Ｓ６１に向けて移動開始させる（ＡＲ２３）。
【０１３８】
図１８に示すように、選択レジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に、選択レジストノズル６１から基板に向けてレジスト膜材料を滴下させる。これにより、基板Ｗの表面にレジスト膜が塗布形成される。基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、レジストノズル駆動制御部７１５は、第２駆動機構６４５および第１駆動機構６４４を制御して、選択レジストノズル６１をノズル載置部６２上の所定位置に載置させる。さらに、次に処理すべき基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１まで移動させる。
【０１３９】
再び図１５を参照する。ステップＳ２３の処理が終了すると、制御部９２は、処理液供給部５３にエッジリンス処理を行わせる（ステップＳ２４）。具体的には、吐出ノズル位置制御部７２が、回動機構５３５を駆動制御して、吐出ノズル５３０を待避位置Ｔ５３０から第２処理位置Ｓ５３２まで移動させる。吐出ノズル５３０が第２処理位置Ｓ５３２に到着すると、制御部９２は、第２処理液吐出部５３２からエッジリンス用のリンス液を基板Ｗの周縁部に向けて吐出させる。これにより、基板Ｗの周縁付近にリンス液が供給され、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。
【０１４０】
ステップＳ２４の処理が終了すると、制御部９２は回転保持部５１に基板Ｗの保持状態を解除させる。すると、図示しない外部搬送機構が、開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２から搬出する。
【０１４１】
〈２−４．効果〉
上記の構成によると、レジストノズル６１が複数のレジスト塗布処理セット５０間を移動する際の移動経路（第１横ガイドレール６３１）が吐出ノズル５３０の移動エリア（処理液供給部移動エリアＣ）の外側に配置される。したがって、吐出ノズル５３０がどの位置にあってもレジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で自由に移動させることができる。また、レジストノズル６１がレジスト塗布処理セット５０間を移動している間であっても吐出ノズル５３０を自由に移動させることができる。これにより、レジストノズル６１および吐出ノズル５３０の稼働率をともに向上させることが可能となる。
【０１４２】
また、上記の構成によると、レジストノズル６１を待機させる待機位置Ｔ６１が、処理位置Ｓ６１まで１つの駆動軸に沿った移動のみで到達可能な位置に設定されるので、待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１への移動に要する時間を短縮することができる。つまり、吐出ノズル５３０が干渉エリアＳ３外に移動してからレジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着するまでの時間を短縮することができる。
【０１４３】
また、上記の構成によると、吐出ノズル５３０の移動領域（処理液供給部移動エリアＣ）内に干渉エリアＣｉを規定し、吐出ノズル５３０がこの干渉エリアＣｉの外に移動した時点でレジストノズル６１の移動を開始させる。この構成によると、吐出ノズル５３０とレジストノズル６１とが干渉することがないので、安全にノズルの入れ替えを行うことができる。また、吐出ノズル５３０が待避位置Ｔ５３０に到着してからレジストノズル６１の移動を開始する構成に比べて、迅速にノズルの入れ替えを行うことができる。したがって、レジスト膜材料の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に供給された溶媒前塗布液が乾燥する前にレジスト膜材料を吐出供給することが可能となる。
【０１４４】
また、上記の構成においては、処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を当該基板についてレジストノズル６１の待機位置Ｔ６１として特定するようにしていたが、これに限られるものではなく、例えば干渉エリアＣｉから外れた位置であって、かつ上記垂線上の基板の上方の位置をレジストノズル６１の待機位置Ｔ６１として特定するようにしてもよい。このようにすれば、レジストノズル６１をより早く処理位置Ｓ６１に移動させることができ、より確実に基板上に供給された溶媒前塗布液が乾燥する前にレジスト膜材料を吐出供給することができる。
【０１４５】
〈３．基板処理装置〉
上述した現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２は、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２が搭載された基板処理装置１００について、図１９〜図２５を参照しながら説明する。図１９は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図２０、図２１、図２２および図２３は、基板処理装置１００を、図１９に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図２４は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図２５は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。
【０１４６】
〈３−１．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図２４を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。
【０１４７】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【０１４８】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部１３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。
【０１４９】
なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはコントローラ１９２，１９３のそれぞれが上述した制御部９１，９２に相当する。
【０１５０】
メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御して、基板処理装置１００にて基板Ｗに対して行われる一連の処理プロセス（レジスト塗布、露光、熱処理、現像、エッチング等の一連の処理プロセス）を総括的に管理する。具体的には、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御して、後述するＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗをどのような順番でどの処理ユニットに（ひいては、どの処理セットに）搬入していくかを管理する。また、４個のコントローラ１９１〜１９４のそれぞれに対して各種の処理情報（例えば、現像処理情報、レジスト膜塗布処理情報等）を与えて、各処理ユニットにて各基板Ｗに対して行う具体的な処理内容を管理する。また、ＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。
【０１５１】
〈３−２．各部の構成および動作〉
続いて、基板処理装置１００の構成および動作について図１９〜図２５を参照しながら具体的に説明する。基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。
【０１５２】
〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１５３】
ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図１９、図２１参照）。
【０１５４】
図２５を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。
【０１５５】
なお、図２５においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図２１参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。
【０１５６】
〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成し、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースを挟んで互いに対向配置された２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。
【０１５７】
熱処理ブロック２１について、図１９および図２０を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。
【０１５８】
最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。
【０１５９】
熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを加熱処理する処理ユニットであり、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。
【０１６０】
密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）を行う処理ユニットであり、基板Ｗを加熱処理するホットプレートと、ホットプレート上に載置された基板Ｗの表面に密着強化剤を供給する供給手段とを備える。メインロボットＴ２１が基板Ｗをホットプレート上に載置すると、基板Ｗはホットプレートによって加熱処理される。また一方で、気化した密着強化剤が基板Ｗ表面に向けて吐出供給される。密着強化剤は昇温された基板Ｗの表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。密着強化処理が終了するとホットプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１６１】
冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１６２】
第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。
【０１６３】
第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。
【０１６４】
第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。
【０１６５】
液処理ブロック２２について、図１９および図２２を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。
【０１６６】
最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１ａ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニット１を備える。現像処理ユニット１の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１６７】
現像ユニット列２２１１の下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１ｂ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニット２を備える。レジスト塗布処理ユニット２の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１６８】
図２５を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、冷却ユニットＣＰ、密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ、レジスト塗布処理ユニット２、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。
【０１６９】
メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。
【０１７０】
また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニット１、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。
【０１７１】
メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。
【０１７２】
〈ＩＦ部１３０〉
ＩＦ部１３０について、図１９および図２３を参照しながら説明する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。
【０１７３】
ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される。また、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、バッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。
【０１７４】
図２５を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。
【０１７５】
一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。
【０１７６】
ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。
【０１７７】
一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。
【０１７８】
また、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニット１にトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。
【０１７９】
以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。
【０１８０】
〈３−３．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置１００においては、現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２にて、２種類のノズルの稼働率を向上させることができる。また、２種類のノズルの入れ替え（現像処理ユニット１においては現像ノズル２１と純水ノズル１３０の入れ替え、レジスト塗布処理ユニット２においては吐出ノズル５３０とレジストノズル６１の入れ替え）を安全かつ迅速に行うことができる。これにより、ノズルの入れ替えに係るオーバーヘッドタイムが短縮され、処理ユニット１，２のスループットが良好なものとなる。ひいては、高いスループットの基板処理装置１００が実現される。
【０１８１】
〈４．変形例〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１においては、プリウェット液およびリンス液として用いられる処理液として純水を採用していたが、純水以外、例えば界面活性剤を含む溶液を処理液として採用してもよい。また、プリウェット液とリンス液とを異なる種類の処理液で構成してもよい。特に後者の場合、プリウェット液を吐出供給するノズルとリンス液を吐出供給するノズルとを１個のノズルで共用せずに、別個独立に設けてもよい。
【０１８２】
また、上記の実施の形態に係る現像ノズル２１は、供給された処理液を基板Ｗの中央にそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成してもよい。この場合、基板Ｗの中央上方に位置させた現像ノズル２１から現像液を滴下させ、それと同時に、回転保持部１１によって基板Ｗを高速回転させる。すると、プリウェット処理により形成されたプリウェット液の液だまりと現像液とが混合された状態で基板表面全体に広がる。この状態で所定時間基板Ｗを静止させて、基板表面の現像反応を進行させればよい。
【０１８３】
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１が備える現像処理セット１０の個数およびレジスト塗布処理ユニット２が備えるレジスト塗布処理セット５０の個数はいずれも３個であるとしたが、いずれの個数も３個に限らない。
【０１８４】
また、上記においては、現像処理を行う処理ユニットとレジスト膜塗布処理を行う処理ユニットに本発明を適用した場合の実施の形態を示したが、本発明は、複数個のノズルを用いて処理を行う各種の処理ユニットに適用可能である。
【０１８５】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、液処理ブロック２２が備える現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２の個数も４個に限らない。
【０１８６】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】現像処理ユニットの平面図である。
【図２】現像処理ユニットの側面図である。
【図３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図４】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図５】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図６】現像処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図７】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図８】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図９】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１０】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１１】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１２】レジスト塗布処理ユニットの平面図である。
【図１３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図１４】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図１５】レジスト塗布処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図１６】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１７】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１８】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１９】基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図２０】基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。
【図２１】基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。
【図２２】基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。
【図２３】基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。
【図２４】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図２５】各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。
【符号の説明】
【０１８８】
１ 現像処理ユニット
２ レジスト塗布処理ユニット
１０ 現像処理セット
１１，５１ 回転保持部
１３ ＤＩＷ供給部
２０ 現像液供給部
２１ 現像ノズル
２２ 横ガイドレール
２３ Ｙ軸駆動機構
２４ Ｚ軸駆動機構
３０ ポッド
４１ 現像ノズル位置制御部
４２ 純水ノズル位置制御部
５０ レジスト塗布処理セット
５３ 処理液供給部
６０ レジスト膜材料供給部
６１ レジストノズル
６２ ノズル載置部
６３ ベース部
６４ 把持部
９１，９２ 制御部
１３０ 純水ノズル
４１１ 処理情報取得部
４１２ 待機位置特定部
４１３，４２１ 干渉エリア特定部
４１４，４２２ 移動開始タイミング制御部
４１５ 現像ノズル駆動制御部
４２３ 純水ノズル駆動制御部
５３０ 吐出ノズル
５３１ 第１処理液吐出部
５３２ 第２処理液吐出部
５３５ 回動機構
１００ 基板処理装置
Ａ 純水ノズル移動エリア
Ｂ 現像ノズル移動エリア
Ｃ 処理液供給部移動エリア
Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉ 干渉エリア
Ｈ１ 移動走行面
Ｈ２ 吐出走行面
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
これらの諸処理を行う基板処理装置は、一般に、レジスト膜の形成処理、現像処理、熱処理等の各種処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置して構成される。
【０００４】
ところで、レジスト膜の形成処理や現像処理等を行う処理ユニットにおいては、基板上に所定の順序で所定の処理液を順次吐出供給する処理工程が実行される。例えば、現像処理を行う処理ユニット（現像処理ユニット）においては、基板に対して現像液を供給してその表面に現像液を液盛りすることによって基板表面を現像反応を進行させ、所定時間が経過した後に今度はリンス液を供給して表面の現像反応を停止させる。場合によっては、基板の表面状態を現像液に馴染みやすい状態にするべく、現像液の供給に先立って純水等の供給を行うこともある（プリウェット処理）。プリウェット液の液だまりが形成された状態の基板表面に現像液を滴下し、これと同時に基板を高速回転させると、現像液とプリウェット液とが同時に基板表面全体に広がり、基板の表面全体に現像液をむらなく供給することが可能となる。
【０００５】
このような処理ユニットにおいては、処理ユニット内に複数個のノズル（現像処理ユニットの場合であれば、現像液を吐出するノズルとリンス液を吐出するノズル）が設けられ、各ノズルを所定の順序で入れ替えながら処理液の吐出供給処理を行わせることによって、基板に対する一連の処理が実行されていく。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、このような処理ユニットにおいては、ノズルの入れ替えの際にノズル同士が衝突することを避けるため、一方のノズルは他方のノズルが移動している間は移動させていない。この構成では、一方のノズルが他方のノズルの移動が完了するのを待って待機する時間が生じるため、ノズルの稼働率が低下し、結果としてスループットの低下を招いていた。
【０００７】
ところで、処理ユニットの中には、１枚の基板を処理する処理セットを複数個備えるものがある。ここでは、各処理セットにて並行して処理を実行することによって、複数枚の基板を同時に処理することが可能となる。このような処理ユニットにおいては、１個のノズルを複数の処理セット間で共用する構成をとることがある。例えば、現像処理ユニットにおいて、現像液を吐出するノズルを複数の処理セット間で共用する構成をとることがある。つまり、処理ユニット内には、各処理セット毎に設けられたノズル（例えば、リンス液を吐出するノズル）と、各処理セット間で共用されるノズル（例えば、現像液を吐出するノズル）との２種類のノズルが配置されることになる。
【０００８】
このような構成においては、共用されるノズル（共用ノズル）を処理セット間で移動させなければならない。ところが、いずれかの処理セットにて他方のノズルが移動を行っている間は、それと干渉する危険があるため、共用ノズルを移動させることができない。このため、共用ノズルの稼働率は大きく低下し、処理ユニットのスループットも著しく低下してしまう。
【０００９】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数個のノズルを有する基板処理ユニットにおいて、ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、を備え、前記複数の処理セットのそれぞれが、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、を備え、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが、現像液の吐出供給に先立って所定の処理液を基板表面に供給することによって前記基板表面を前記現像液と馴染みやすい状態にするプリウェット処理に係る前記所定の処理液を吐出供給するノズルである。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルがリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルである。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項２または３に記載の基板処理ユニットであって、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの上方に形成される。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記第１ノズルがレジスト膜材料を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルである。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理ユニットであって、前記基板処理ユニットの筐体壁面のうち、基板を前記基板処理ユニット内に搬出入するための開口部が形成された面を正面として、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの前記筐体背面側に形成される。
【００１６】
請求項７の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、を備え、前記複数の処理セットのそれぞれが、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、を備え、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜６の発明によると、第１ノズルが複数の処理セット間を移動する際の移動経路であるセット間移動経路が第２ノズルの移動エリアの外側に形成される。したがって、第２ノズルとの干渉を考慮せずに第１ノズルを処理セット間で自由に移動させることができる。また、第１ノズルが処理セット間を移動している間であっても第２ノズルを自由に移動させることができる。これにより、第１ノズルおよび第２ノズルの稼働率をともに向上させることができる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によると、現像液を吐出供給するノズルおよびプリウェット処理に係る処理液を吐出供給するノズルの稼働率を向上させることができるので、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００１９】
特に、請求項３の発明によると、現像液を吐出供給するノズルおよびリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルとの稼働率を向上させることができるので、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００２０】
特に、請求項５の発明によると、レジスト膜材料を吐出供給するノズルおよび溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルの稼働率を向上させることができるので、レジスト膜塗布形成処理のスループットを向上させることができる。
【００２１】
請求項７の発明によると、基板処理ユニットにおいて、第１ノズルおよび第２ノズルの稼働率をともに向上させ、当該基板処理ユニットのスループットを向上させることができる。これにより、高いスループットの基板処理装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
〈１．現像処理ユニット〉
〈１−１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理ユニット（現像処理ユニット１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、現像処理ユニット１の平面図である。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。
【００２３】
現像処理ユニット１は、基板Ｗに対して現像処理を行う。現像処理ユニット１は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）の現像処理セット１０と、これら現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０と、現像液供給部２０が備える現像ノズル２１を受けるためのポッド３０とを備える。なお、各現像処理セット１０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００２４】
また、現像処理ユニット１は、これら各部の動作を制御する制御部９１を備える。制御部９１は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【００２５】
〈現像処理セット１０〉
現像処理セット１０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ１２と、当該回転保持部１１に保持された基板Ｗに純水液を供給するＤＩＷ供給部１３とを備える。すなわち、現像処理ユニット１はこれら各部材１１，１２，１３を３個ずつ備える。
【００２６】
回転保持部１１は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させる。回転保持部１１は、電動モータ（図示省略）によって回転される回転軸（図示省略）の上端に固定されている。また、回転保持部１１には吸気路（図示省略）が形成されており、回転保持部１１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面を真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００２７】
カップ１２は、先端を切り落としたドーム形状の部材であり、回転保持部１１に保持された基板Ｗを囲繞する。カップ１２には、これを昇降させる昇降機構（図示省略）が接続されている。昇降機構は、例えばエアシリンダにより構成される。昇降機構は、カップ１２を処理位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも上方にある位置））と待避位置（カップ１２の上端が回転保持部１１に保持された基板Ｗよりも下方にある位置）との間で移動させる。処理位置に移動させた状態においては、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面から飛散した液滴がカップ１２の内側面で受け止められる。昇降機構は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、昇降機構を制御してカップ１２の位置を処理位置と待避位置との間で切り換える。
【００２８】
ＤＩＷ供給部１３は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上面に純水を供給する機能部であり、回転保持部１１と後述する開口部１０１との間に配設される。ただし、ＤＩＷ供給部１３は、開口部１０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００２９】
ＤＩＷ供給部１３は、所定の処理液（プリウェット液およびリンス液として用いられる処理液であり、この実施の形態においては純水）を貯留した処理供給源（図示省略）と接続され、基板Ｗに向けてこの処理液を吐出する純水ノズル１３０を備える。純水ノズル１３０は、例えば、供給された処理液をそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成することができる。
【００３０】
純水ノズル１３０は、水平方向に延びるアーム１３２およびその先端に取り付けられた吐出部１３１を備える。また、アーム１３２は、上方に延びる回動軸１３３の上端に取り付けられている。さらに、回動軸１３３には、これを回動させる回動機構１３４が接続されている。回動機構１３４は、例えば回動モータにより構成される。
【００３１】
回動機構１３４は、回動軸１３３を回動させることによって、純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０（吐出部１３１が回転保持部１１に保持された基板Ｗの中央上方におかれる位置））と待避位置Ｔ１３０（吐出部１３１が回転保持部１１の側方におかれる位置）との間で移動させる。処理位置Ｓ１３０にてで純水ノズル１３０からリンス液を吐出させることによって、回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面にリンス液を供給することができる。
【００３２】
回動機構１３４は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、回動機構１３４を制御して純水ノズル１３０の位置を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で切り換える。
【００３３】
なお、現像処理ユニット１の筐体壁面であって、搬送スペース（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）に面する側には、各回転保持部１１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部１０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部１０１からそのハンドを挿入して、当該開口部１０１と対応する回転保持部１１にアクセスすることができる。なお、開口部１０１は、シャッター等により開閉可能とされている。
【００３４】
３個の現像処理セット１０のそれぞれにおいては、これら各構成要素１１，１２，１３と、現像処理セット１０の間で共用される現像液供給部２０とによって、１枚の基板に対する現像処理が実行される。なお、以下において、３個の現像処理セット１０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３と示す。
【００３５】
〈現像液供給部２０〉
現像液供給部２０は、各現像処理セット１０が備える回転保持部１１に保持された基板Ｗの表面に所定の現像液を供給する機能部であり、回転保持部１１の並びに対して開口部１０１と逆側の位置に配置される。
【００３６】
現像液供給部２０は、回転保持部１１上に載置された基板Ｗに向けて現像液を吐出する現像ノズル２１と、現像ノズル２１に対して現像液を供給する処理液供給源（図示省略）とを備える。現像ノズル２１の先端付近には吐出部２１０が形成されている。吐出部２１０の下側面（基板Ｗと対向する面）には、現像ノズル２１の走査方向（Ｙ方向）と並行に並んで形成された所定数個（この実施の形態においては、５個）の吐出孔２２０が形成される。現像ノズル２１は、回転保持部１１により回転される基板Ｗの上方を、基板Ｗの中心から周縁に向けて半径方向に沿って走査しながら、この吐出孔２２０から現像液を吐出することによって、基板Ｗの表面に現像液を螺旋状に供給することができる。
【００３７】
現像ノズル２１は、各現像処理セット１０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された横ガイドレール２２に摺動可能に取り付けられている。また、現像ノズル２１には、これを横ガイドレール２２に沿って移動させるＹ軸駆動機構２３が接続されている。Ｙ軸駆動機構２３は制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１をＹ方向に沿って移動させる。また、現像ノズル２１は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って配設された縦ガイドレール（図示省略）に摺動可能に取り付けられている。また、現像ノズル２１には、これを縦ガイドレールに沿って移動させるＺ軸駆動機構２４とが接続されている。Ｚ軸駆動機構２４は制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１をＺ方向に沿って移動させる。
【００３８】
図２を参照する。図２は、現像処理ユニット１の側面図である。制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる。この場合、制御部９１は、現像ノズル２１を第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリアであり、以下において「純水ノズル移動エリアＡ」と示す。）の外側（純水ノズル移動エリアＡの上方）に形成される（図２参照）。これにより、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させるにあたって、純水ノズル１３０との干渉を考慮する必要がなくなる。
【００３９】
また、制御部９１は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して現像ノズル２１を横ガイドレール２２に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１に現像処理セット１０の回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方を基板Ｗの半径方向に沿って走査させる。この場合、制御部９１は、現像ノズル２１を第１の高さよりも低い第２の高さにある水平面（吐出走行面Ｈ２）上で移動させる（ＡＲ４）。
【００４０】
なお、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、現像ノズル２１を垂直方向に沿って（すなわち、Ｚ方向に沿って）移動させることにより、現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１と吐出走行面Ｈ２との間で移動させる（ＡＲ１，ＡＲ３，ＡＲ５）。
【００４１】
〈ポッド３０〉
再び図１を参照する。ポッド３０は、待機する現像ノズル２１を受けるための機能部である。なお、ポッド３０内には、現像ノズル２１の下端面を洗浄する機構（洗浄ポット）を設けてもよい。ポッド３０は回転保持部１１に対応して設けられ、対応する回転保持部１１の所定側（図１の場合は。＋Ｙ方向側）に隣接して配置される。制御部９１は、ある回転保持部１１に保持された基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終えた現像ノズル２１を次の基板Ｗに向けて移動させる前に、当該回転保持部１１に対応するポッド３０に一時的に待機させることができる。
【００４２】
〈１−２．現像ノズル２１および純水ノズル１３０の位置制御〉
次に、現像ノズル２１および純水ノズル１３０の位置制御について、図３を参照しながら具体的に説明する。図３は、ノズル２１，１３０の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【００４３】
制御部９１には、現像ノズル２１の位置制御に関する機能部である現像ノズル位置制御部４１と、純水ノズル１３０の位置制御に関する機能部である純水ノズル位置制御部４２とが実現されている。これら各部は、制御部９１が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【００４４】
〈現像ノズル位置制御部４１〉
現像ノズル位置制御部４１は、処理情報取得部４１１と、待機位置特定部４１２と、干渉エリア特定部４１３と、移動開始タイミング制御部４１４と、現像ノズル駆動制御部４１５とを備える。
【００４５】
〈処理情報取得部４１１〉
処理情報取得部４１１は、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（現像処理情報）を、制御部９１と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図２４参照））から取得する。現像処理情報とは、現像処理ユニット１において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、各基板Ｗを、第１処理セットＳＤ１、第２処理セットＳＤ２、第３処理セットＳＤ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報（現像処理セット情報）が含まれる。
【００４６】
〈待機位置特定部４１２〉
待機位置特定部４１２は、処理情報取得部４１１が取得した処理情報に基づいて、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板Ｗに対する現像液の吐出処理に備えて現像ノズル２１を待機させる位置（待機位置Ｔ２１）を特定する。
【００４７】
待機位置Ｔ２１を特定するにあたり、待機位置特定部４１２はまず、現像処理ユニット１に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、現像ノズル２１が当該基板Ｗに対する現像液の吐出を開始する位置（吐出開始位置Ｓ２１）を特定する。具体的には、まず、処理情報取得部４１１が取得した現像処理セット情報から、当該基板Ｗを処理すべき処理セットを特定する。そして、当該特定された処理セットの回転保持部１１に保持された基板中央の真上に吐出孔２２０が位置するような現像ノズル２１の位置であって、吐出走行面Ｈ２上の位置を、当該基板Ｗについての吐出開始位置Ｓ２１と特定する。
【００４８】
吐出開始位置Ｓ２１が特定されると、待機位置特定部４１２は、当該特定された吐出開始位置Ｓ２１の直上であって、移動走行面Ｈ１上の位置を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ２１と特定する。
【００４９】
例えば、ある基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０が「第２処理セットＳＤ２」であると現像処理セット情報にて指定されているとする。この場合、待機位置特定部４１２は、図１および図２に示すように、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持された基板中央の真上であって吐出走行面Ｈ２上の位置を、当該基板Ｗについての吐出開始位置Ｓ２１と特定する。そして、この吐出開始位置Ｓ２１の直上であって、移動走行面Ｈ１上の位置を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ２１と特定する。
【００５０】
上述した通り、移動走行面Ｈ１は純水ノズル移動エリアＡの外側に形成される。待機位置Ｔ２１はこの移動走行面Ｈ１上に設定されるので、純水ノズル１３０がどのような位置にあるかに関係なく（つまり、純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０におかれている間であっても）、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させて、待機位置Ｔ２１まで移動させることができる。また、そこで待機させることができる。
【００５１】
また、待機位置Ｔ２１と吐出開始位置Ｓ２１とが、現像ノズル２１が、その複数の駆動軸（この実施の形態においては、Ｙ方向およびＺ方向のそれぞれに沿った駆動軸）のうち、Ｚ方向に沿った駆動軸のみについての移動で到達可能な位置関係におかれる。つまり、制御部９１は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１をＺ方向に沿って所定距離だけ移動させることのみによって（ＡＲ３）、待機位置Ｔ２１にある現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１まで移動させることができる。
【００５２】
〈干渉エリア特定部４１３〉
干渉エリア特定部４１３は、純水ノズル移動エリアＡ内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。干渉エリアＡｉとは、純水ノズル移動エリアＡ内において現像ノズル２１が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＡｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＡｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【００５３】
図４を参照する。図４は干渉エリアＡｉの設定例を示す図である。ただし、図４（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図４（ｂ）は現像処理セット１０を図４（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。この実施の形態においては、上述した通り、現像ノズル２１は、現像処理セット１０間を移動する際は純水ノズル移動エリアＡの上方に設定された移動走行面Ｈ１上を移動するので（図２参照）、現像処理セット１０間を移動する際に現像ノズル２１が純水ノズル移動エリアＡ内へ進入することはない。したがって、この際の移動領域は、進入領域を形成しない。一方、吐出走行面Ｈ２は移動走行面Ｈ１よりも下側に設定されており、吐出開始位置Ｓ２１は純水ノズル移動エリアＡ内に位置するので、現像ノズル２１は、待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１へと移動する際に純水ノズル移動エリアＡに進入する（進入領域ａ１）。また、基板Ｗ上を走査する際にも純水ノズル移動エリアＡに進入する（進入領域ａ２）。そこで、オペレータは、例えば、これら進入領域ａ１，ａ２を包含するように干渉エリアＡｉを設定すればよい。例えば、図４に示すような扇形柱形状の領域を干渉エリアＡｉと設定することができる。
【００５４】
〈移動開始タイミング制御部４１４〉
再び図３を参照する。移動開始タイミング制御部４１４は、所定のタイミングで、後述する現像ノズル駆動制御部４１５に対して、現像ノズル２１を待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、純水の吐出処理を終えた純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動する際に、純水ノズル１３０の位置をモニタリングしている。そして、純水ノズル１３０が、干渉エリア特定部４１３により特定された干渉エリアＡｉの外に移動したことを確認した時点で、現像ノズル駆動制御部４１５に現像ノズル２１の移動開始指示を与える。
【００５５】
〈現像ノズル駆動制御部４１５〉
現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３およびＺ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１を移動させる。現像ノズル駆動制御部４１５が現像ノズル２１をどのように移動させるかについて、図１および図２を参照しながら説明する。
【００５６】
ある基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＤ３の回転保持部１１に保持される基板Ｗ）に対する現像液の吐出供給処理を終え、別の基板Ｗ（例えば、第２処理セットＳＤ２の回転保持部１１に保持される基板Ｗ（以下、「処理対象基板Ｗ」という）に対する現像液の吐出供給処理を行う場合、現像ノズル駆動制御部４１５は以下の制御により現像ノズル２１を移動させる。
【００５７】
現像ノズル駆動制御部４１５は、まず、待機位置特定部４１２から処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ２１の位置情報を取得し、現像ノズル２１を当該待機位置Ｔ２１まで移動させる。具体的には、まず、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、吐出走行面Ｈ２上にある現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１まで上昇させる（ＡＲ１）。そして、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１上に形成された移動経路Ｌ１に沿って走らせて、処理対象基板Ｗの待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ２）。ただし、移動経路Ｌ１は、現像処理セット１０間を跨ぐようにＹ方向に沿って形成される経路である。そして、移動開始タイミング制御部４１４からの指示があるまで、この位置で現像ノズル２１を待機させる。
【００５８】
移動開始タイミング制御部４１４からの移動開始指示を受けると、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、待機位置Ｔ２１に待機している現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１まで移動させる（ＡＲ３）。
【００５９】
現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着すると、制御部９１は、現像液供給部２０に、現像ノズル２１に対する現像液の供給を開始させるとともに、回転保持部１１に、処理対象基板Ｗを回転開始させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２上に形成された走査経路Ｌ２に沿って処理対象基板Ｗの走査させる（ＡＲ４）。ただし、走査経路Ｌ２は、回転保持部１１に保持された基板Ｗの上方であって、基板Ｗの中心から周縁に向かう半径方向に沿って形成される経路である。これにより、処理対象基板Ｗの表面に現像液が螺旋状に供給されることになる。
【００６０】
現像ノズル２１が処理対象基板Ｗの周縁を通過すると、制御部９１は、現像液供給部２０に現像ノズル２１に対する現像液の供給を停止させるとともに、回転保持部１１に処理対象基板Ｗの回転を停止させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、現像ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる。すなわち、Ｚ軸駆動機構２４を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２から移動走行面Ｈ１まで上昇させ（ＡＲ５）、さらにＹ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ６）。
【００６１】
なお、一枚の基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎に現像ノズル２１を一旦ポッド３０に収納する必要がある場合（例えば、一枚の基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終える度毎に現像ノズル２１の下端をポッド３０内の洗浄機構にて洗浄する必要がある場合）、現像ノズル駆動制御部４１５は、処理対象基板Ｗに対する現像液の吐出処理を終えた現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２から移動走行面Ｈ１まで上昇させた後に、Ｙ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、ポッド３０（処理対象基板Ｗが処理されていた回転保持部１１に対応するポッド３０）の上方位置まで移動させる。そして、Ｚ軸駆動機構２４を制御して現像ノズル２１を下降させてポッド３０内に収納する。ポッド３０内での所定の処理が終了すると、再びＺ軸駆動機構２４を制御して、ポッド３０内に収容されている現像ノズル２１を移動走行面Ｈ１まで上昇させ、さらにＹ軸駆動機構２３を制御して移動経路Ｌ１に沿って走らせて、次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる。
【００６２】
〈純水ノズル位置制御部４２〉
再び図３を参照する。純水ノズル位置制御部４２は、干渉エリア特定部４２１と、移動開始タイミング制御部４２２と、純水ノズル駆動制御部４２３とを備える。
【００６３】
〈干渉エリア特定部４２１〉
干渉エリア特定部４２１は、現像ノズル２１の移動エリア（以下において「現像ノズル移動エリアＢ」と示す）内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＢｉを特定する。干渉エリアＢｉとは、現像ノズル移動エリアＢ内において純水ノズル１３０が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＢｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＢｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【００６４】
図５を参照する。図５は干渉エリアＢｉの設定例を示す図である。ただし、図５（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図５（ｂ）は現像処理セット１０を図５（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。この実施の形態においては、純水ノズル１３０の処理位置Ｓ１３０は現像ノズル移動エリアＢ内に位置するので、純水ノズル１３０は、待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０へと移動する際に、現像ノズル移動エリアＢ内へ進入する（進入領域ｂ）。そこで、オペレータは例えば、これら進入領域ｂを包含するように干渉エリアＢｉを設定すればよい。例えば、図５に示すような直方体状の領域を干渉エリアＢｉと設定することができる。
【００６５】
〈移動開始タイミング制御部４２２〉
再び図３を参照する。移動開始タイミング制御部４２２は、所定のタイミングで、後述する純水ノズル駆動制御部４２３に対して、純水ノズル１３０を待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、現像ノズル２１が現像液の吐出を行う際に、その現像ノズル２１の位置をモニタリングしている。そして、現像ノズル２１が干渉エリア特定部４２１により特定された干渉エリアＢｉの外に移動したことを確認した時点で、純水ノズル駆動制御部４２３に純水ノズル１３０の移動開始指示を与える。
【００６６】
〈純水ノズル駆動制御部４２３〉
純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を制御して純水ノズル１３０を移動させる。純水ノズル駆動制御部４２３が純水ノズル１３０をどのように移動させるかについて、図１を参照しながら説明する。
【００６７】
基板Ｗに対するプリウェット処理を行う場合、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、待避位置Ｔ１３０に待避させていた純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動させる。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に、純水ノズル１３０に対する純水の供給を開始させる。これにより、基板Ｗに対するプリウェット処理が行われる。プリウェット処理が終了すると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を再び待避位置Ｔ１３０まで移動させる。そして、移動開始タイミング制御部４２２からの指示があるまで、この位置で純水ノズル１３０を待機させる。
【００６８】
移動開始タイミング制御部４２２からの移動開始指示を受けると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、待避位置Ｔ１３０に待機している純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動させる。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に、純水ノズル１３０に対する純水の供給を開始させる。これにより、基板Ｗに対するリンス処理が行われる。リンス処理が終了すると、純水ノズル駆動制御部４２３は、回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を再び待避位置Ｔ１３０まで移動させる。
【００６９】
〈１−３．現像処理〉
現像処理ユニット１においては、複数の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。各現像処理セット１０において行われる処理の流れについて、図６および図７〜図１１を参照しながら説明する。図６は、現像処理ユニット１にて行われる処理の流れを示す図である。図７〜図１１は、現像処理の各段階における現像ノズル２１と純水ノズル１３０の位置関係を模式的に示す図である。ただし、図７（ａ）は現像処理セット１０の平面図であり、図７（ｂ）は現像処理セット１０を図７（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。図８〜図１１についても同様である。なお、以下の処理は、制御部９１が現像処理ユニット１の各構成要素を制御することによって行われる。
【００７０】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が開口部１０１を介して表面に露光後のレジスト膜が形成された基板Ｗを現像処理ユニット１に搬入して、所定の現像処理セット１０（当該基板Ｗを処理すべき現像処理セット１０）の回転保持部１１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対する現像処理が開始される。
【００７１】
基板Ｗが回転保持部１１上に載置されると、制御部９１は、載置された基板Ｗを回転保持部１１に保持させる（ステップＳ１１）。
【００７２】
続いて、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３に基板Ｗ上にプリウェット液（この実施の形態においては純水）を吐出供給させてプリウェット処理を行わせる（ステップＳ１２）。
【００７３】
この処理について、図７を参照しながら具体的に説明する。まず、純水ノズル位置制御部４２が、回動機構１３４を駆動制御して純水ノズル１３０を待避位置Ｔ１３０から処理位置Ｓ１３０まで移動させる（ＡＲ１１）。純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１は、純水ノズル１３０からプリウェット液としての純水を所定量、基板中心部に向けて滴下させる。この際、回転保持部１１に基板Ｗを低速で回転させておく。これにより、基板表面の中央部にプリウェット液の液だまり（パドル状のプリウェット液の液体層）が形成される。なお、図４に示されるように、純水ノズル１３０が基板Ｗに対してプリウェット液の吐出供給を行っている間に、現像ノズル位置制御部４１が、Ｙ軸駆動機構２３を駆動制御して現像ノズル２１を当該基板Ｗについて特定された待機位置Ｔ２１まで移動させ、当該位置にて待機させている。
【００７４】
プリウェット処理が終了すると、制御部９１は、続いて現像液供給部２０に基板Ｗ上に現像液を吐出供給させる（ステップＳ１３）。そして、現像液の吐出供給が終了すると、制御部９１は、ＤＩＷ供給部１３にリンス液（この実施の形態においては純水）を吐出供給させてリンス処理を行わせる（ステップＳ１４）。
【００７５】
これらの処理について、図８〜図１０を参照しながら具体的に説明する。まず、図８に示すように、純水ノズル位置制御部４２が、回動機構１３４を駆動制御して、プリウェット液の吐出を終えた純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動させる（ＡＲ１２）。一方、移動開始タイミング制御部４１４は、純水ノズル１３０が干渉エリアＡｉの外に出たことを確認すると、現像ノズル駆動制御部４１５に現像ノズル２１の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じて現像ノズル駆動制御部４１５は、待機位置Ｔ２１に待機させていた現像ノズル２１を吐出開始位置Ｓ２１に向けて移動開始させる（ＡＲ１３）。
【００７６】
図９に示すように、現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着すると、制御部９１は、現像液供給部２０に、現像ノズル２１に対する現像液の供給を開始させるとともに、回転保持部１１に、基板Ｗを回転開始させる。一方、現像ノズル駆動制御部４１５は、Ｙ軸駆動機構２３を制御して、現像ノズル２１を吐出走行面Ｈ２上に形成された走査経路Ｌ２に沿って走らせて、基板Ｗの上面を走査させる（ＡＲ１４）。これにより、基板Ｗの表面に現像液が螺旋状に供給される。
【００７７】
また一方、図１０に示すように、移動開始タイミング制御部４２２は、基板Ｗ上を走査する現像ノズル２１が干渉エリアＢｉの外に出たことを確認すると、純水ノズル駆動制御部４２３に純水ノズル１３０の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じて純水ノズル駆動制御部４２３は、待避位置Ｔ１３０に待避している純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０に向けて移動開始させる（ＡＲ１５）。
【００７８】
図１１に示すように、現像ノズル２１が処理対象基板Ｗの周縁を通過すると、制御部９１は、現像液供給部２０に現像ノズル２１に対する現像液の供給を停止させるとともに、回転保持部１１に処理対象基板Ｗの回転を停止させる。また、現像ノズル駆動制御部４１５は、現像ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗについての待機位置Ｔ２１まで移動させる（ＡＲ１５）。一方、上述の通り、純水ノズル駆動制御部４２３は、移動開始タイミング制御部４２２からの指示に応じて純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０まで移動開始させている。図１１に示すように、純水ノズル１３０が処理位置Ｓ１３０に到着すると、制御部９１が、純水ノズル１３０からリンス液としての純水を所定量、基板に向けて吐出供給させる。これにより基板表面の現像反応が停止する。リンス液の吐出が終わると、純水ノズル駆動制御部４２３は、再び回動機構１３４を駆動制御して、純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０から待避位置Ｔ１３０まで移動させる。
【００７９】
再び図６を参照する。ステップＳ１４の処理が終了すると、制御部９１は、回転保持部１１を回転させて、基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ただし、この際には、カップ１２を上昇させて処理位置におき、基板表面から飛散したリンス液をその内側面で受け止めさせる。所定時間が経過すると回転を停止させる。
【００８０】
ステップＳ１５の処理が終了すると、制御部９１は回転保持部１１に基板Ｗの保持状態を解除させる。すると、図示しない外部搬送機構が、開口部１０１を介して基板Ｗを現像処理ユニット１から搬出する。
【００８１】
〈１−４．効果〉
上記の構成によると、現像ノズル２１が複数の現像処理セット１０間を移動する際の移動経路（移動経路Ｌ１）が純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル移動エリアＡ）の外側に形成される。したがって、純水ノズル１３０がどの位置にあっても現像ノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができる。また、現像ノズル２１が現像処理セット１０間を移動している間であっても純水ノズル１３０を自由に移動させることができる。これにより、現像ノズル２１および純水ノズル１３０の稼働率をともに向上させることが可能となり、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００８２】
また、上記の構成によると、現像ノズル２１を待機させる待機位置Ｔ２１が、吐出開始位置Ｓ２１まで１つの駆動軸に沿った移動のみで到達可能な位置に設定されるので、待機位置Ｔ２１から吐出開始位置Ｓ２１への移動に要する時間を短縮することができる。つまり、純水ノズル１３０が干渉エリアＡｉ外に移動してから現像ノズル２１が吐出開始位置Ｓ２１に到着するまでの時間を短縮することができる。
【００８３】
また、上記の構成によると、ノズル２１，１３０それぞれの移動領域内に干渉エリアＡｉ，Ｂｉをそれぞれ規定し、一方のノズルが当該ノズルの移動領域内に規定された干渉エリアの外に移動した時点で、他方のノズルの移動を開始させる。この構成によると、ノズル同士が干渉することがないので、安全にノズルの入れ替えを行うことができる。また、一方のノズルが待避位置に到着してから他方のノズルの移動を開始する構成に比べて、迅速にノズルの入れ替えを行うことができる。ノズルの入れ替えに要する時間が短縮されることによって、処理ユニットのスループットを向上との効果が得られる。
【００８４】
例えば、純水ノズル１３０が、その移動領域（純水ノズル移動エリアＡ）内に規定された干渉エリアＡｉの外に移動した時点で、現像ノズル２１の移動を開始させるので、現像ノズル２１を迅速に現像ノズル２１と入れ替えることができる。したがって、現像液の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に形成されたプリウェット液の液だまりの表面張力が破れてヒゲ状に広がってしまう前に現像液を基板表面に供給することが可能となる。これにより、現像液を基板表面全体に均一に広げることが可能となり、欠陥の発生が防止される。
【００８５】
また例えば、現像ノズル２１が、その移動領域（現像ノズル移動エリアＢ）内に規定された干渉エリアＢｉの外に移動した時点で純水ノズル１３０の移動を開始させるので、純水ノズル１３０を迅速に現像ノズル２１と入れ替えることができる。したがって、リンス液の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に液盛りされた現像液が乾燥する前にリンス液を吐出供給することが可能となる。これにより欠陥の発生が防止される。
【００８６】
なお、上記の構成では、純水ノズル１３０の待避位置Ｔ１３０は、平面視で基板Ｗの上方から外れたカップ１２の外側の位置に設けられていたが、これに限られるものではなく、例えば現像ノズル２１による基板Ｗへの現像液の供給後に純水ノズル１３０からリンス液を供給する場合には、平面視で基板Ｗの上方の位置であって、現像ノズル２１との干渉領域Ｂｉから外れた位置に純水ノズル１３０の待避位置Ｔ１３０を設けるようにしてもよい。このようにすれば、現像液の供給後、より早く純水ノズル１３０を基板Ｗ上の処理位置Ｓ１３０に移動させることができ、基板上に供給された現像液が乾燥する前により確実にリンス液を吐出供給することができる。
【００８７】
また、上記の構成では、現像ノズル２１の現像液吐出開始位置Ｓ２１を吐出走行面Ｈ２における基板Ｗの中心に一致する位置とし、純水ノズル１３０との干渉を避けるために現像ノズル２１の待機位置Ｔ２１を移動走行面Ｈ１における基板Ｗの中心に一致する位置としていたが、これに限られるものではない。すなわち、処理プロセスの違いによって現像ノズル２１から基板Ｗへの現像液の吐出開始位置を基板Ｗの周縁部から行い、基板Ｗの中心部まで移動させて現像液の供給を行う場合、現像ノズル２１の現像液吐出開始位置Ｓ２１を吐出走行面Ｈ２における基板Ｗの周縁部に一致する位置とし、現像ノズル２１の待機位置Ｔ２１を移動走行面Ｈ１における基板Ｗの周縁部に一致する位置に設定し、純水ノズル１３０との干渉領域を設定するようにすればよい。
【００８８】
〈２．レジスト塗布処理ユニット〉
〈２−１．構成〉
この発明の別の実施の形態に係る基板処理ユニット（レジスト塗布処理ユニット２）の全体構成について図１２を参照しながら説明する。図１２は、レジスト塗布処理ユニット２の平面図である。
【００８９】
レジスト塗布処理ユニット２は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理を行う。レジスト塗布処理ユニット２は、主として、複数個（この実施の形態においては、３個）のレジスト塗布処理セット５０と、これらレジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とを備える。なお、各レジスト塗布処理セット５０は、仕切り壁等で間仕切りされることなく同一の処理ユニット内にＹ方向に沿って併設されているものとする。
【００９０】
また、レジスト塗布処理ユニット２は、これら各部の動作を制御する制御部９２を備える。制御部９２は、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された処理レシピ等の各種情報を記憶する記憶媒体等により実現されている。
【００９１】
〈レジスト塗布処理セット５０〉
レジスト塗布処理セット５０は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部５１と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗの周囲に昇降可能に設けられるカップ５２と、当該回転保持部５１に保持された基板Ｗに各種の処理液を供給する処理液供給部５３とを備える。すなわち、レジスト塗布処理ユニット２はこれら各部材５１，５２，５３を３個ずつ備える。
【００９２】
回転保持部５１の構成は回転保持部１１と同様であり、カップ５２の構成はカップ１２と同様である。
【００９３】
処理液供給部５３は、回転保持部５１に保持された基板Ｗの上面に各種の処理液を供給する機能部であり、回転保持部５１と後述する開口部５０１との間に配設される。ただし、処理液供給部５３は、開口部５０１から挿入される外部搬送機構（これについては後述する）のハンドと干渉しない高さにおかれるものとする。
【００９４】
処理液供給部５３は、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する吐出ノズル５３０を備えている。吐出ノズル５３０は、水平方向に延びるアーム５３３およびその先端に取り付けられた第１処理液吐出部５３１と第２処理液吐出部５３２とを備えている。第１処理液吐出部５３１は、溶媒前塗布液を貯留した処理液供給源（図示省略）と接続されている。また、第２処理液吐出部５３２は、エッジリンス用のリンス液を貯留した処理液供給源（図示省略）と接続されている。この構成により、吐出ノズル５３０は、基板Ｗの表面に向けて溶媒前塗布用の処理液（溶媒前塗布液）を供給するノズルとして機能するとともに、基板Ｗの周縁に向けてエッジリンス用のリンス液を供給するノズル（ＥＢＲノズル）としても機能する。また、アーム５３３は、上方に延びる回動軸５３４の上端に取り付けられている。さらに、回動軸５３４には、これを回動させる回動機構５３５が接続されている。回動機構５３５は、例えば回動モータにより構成される。
【００９５】
回動機構５３５は、回動軸５３４を回動させることによって、吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１（第１処理液吐出部５３１が回転保持部５１に保持された基板Ｗの中央上方におかれる位置）と待避位置Ｔ５３０（第１処理液吐出部５３１および第２処理液吐出部５３２が回転保持部５１の側方におかれる位置）との間で移動させる。また、第２処理位置（第２処理液吐出部５３２が回転保持部５１に保持された基板Ｗの端縁上方におかれる位置）と待避位置Ｔ５３０との間で移動させる。第１処理位置Ｓ５３１にて第１処理液吐出部５３１から溶媒前塗布液を吐出させることによって、回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に溶媒前塗布液を供給することができる。また、第２処理位置Ｓ５３２にて第２処理液吐出部５３２からリンス液を吐出させることによって、回転保持部５１に保持された基板Ｗの周縁にリンス液を供給することができる。
【００９６】
回動機構５３５は、制御部９１と電気的に接続されている。制御部９１は、回動機構５３５を制御して吐出ノズル５３０の位置を、第１処理位置Ｓ５３１と待避位置Ｔ５３０との間で、また、第２処理位置Ｓ５３２と待避位置Ｔ５３０との間で切り換える。
【００９７】
なお、レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面であって、搬送スペース（レジスト塗布処理ユニット２に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１であり、以下「外部搬送機構」と示す）の移動エリア）側の面には、各回転保持部５１に対して基板Ｗを搬出入するための開口部５０１が形成されている。すなわち、外部搬送機構は、開口部５０１からそのハンドを挿入して、当該開口部５０１と対応する回転保持部５１にアクセスすることができる。
【００９８】
３個のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいては、これら各構成要素５１，５２，５３と、各レジスト塗布処理セット５０の間で共用されるレジスト膜材料供給部６０とによって、１枚の基板に対するレジスト膜の塗布形成処理が実行される。なお、以下において、３個のレジスト塗布処理セット５０を特に区別して示す場合は、＋Ｙ方向に沿って順に第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３と示す。
【００９９】
〈レジスト膜材料供給部６０〉
レジスト膜材料供給部６０は、各レジスト塗布処理セット５０が備える回転保持部５１に保持された基板Ｗの表面に所定のレジスト膜材料を供給する機能部であり、回転保持部５１の並びに対して開口部５０１と逆側の位置に配置される。
【０１００】
レジスト膜材料供給部６０は、回転保持部５１上に載置された基板Ｗに向けてレジスト膜材料を吐出する１以上（例えば、８個）のレジストノズル６１を備える。レジストノズル６１は、例えばストレートノズルにより構成される。
【０１０１】
８個のレジストノズル６１のそれぞれは、処理液供給管（図示省略）を介して処理液供給源（図示省略）のそれぞれに接続されている。なお、各レジストノズル６１が接続された処理液供給源には、互いに種類や濃度が異なるレジスト膜材料がそれぞれ貯留されているものする。これによって、１以上のレジストノズル６１のそれぞれから、種類や濃度が互いに異なるレジスト膜材料を吐出させることができる。なお、処理液供給管は、レジストノズル６１の移動を許容するように可動に構成されている。
【０１０２】
８個のレジストノズル６１は、ベース部６３上に配置されたノズル載置部６２上に載置される。ベース部６３は、各レジスト塗布処理セット５０が配列された方向（Ｙ方向）に沿って水平に配設された第１横ガイドレール６３１に摺動可能に取り付けられている。また、ベース部６３には、これを第１横ガイドレール６３１に沿って移動させるベース部駆動機構６３２が接続されている。ベース部駆動機構６３２は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０３】
制御部９２は、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を第１横ガイドレール６３１に沿って（すなわち、Ｙ方向に沿って）移動させる（ＡＲ６３）。これにより、ベース部６３を、複数個のレジスト塗布処理セット５０のうちの任意のレジスト塗布処理セット５０に対向する位置に移動させる。ただし、レジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させる際の移動経路である第１横ガイドレール６３１は、処理液供給部５３の移動エリア（吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１、第２処理位置Ｓ５３２および待避位置Ｔ５３０の間で移動させる際に吐出ノズル５３０が移動するエリアであり、以下において「処理液供給部移動エリアＣ」と示す。）の外側（レジスト塗布処理ユニット２の筐体壁面のうち、開口部５０１が形成された面を正面とした場合、処理液供給部移動エリアＣの筐体背面側）に形成される。より具体的には、筐体背面側であって、第１横ガイドレール６３１に沿って移動するベース部６３が、処理液供給部移動エリアＣと干渉しない程度に、処理液供給部移動エリアＣから離間した位置に形成される。これにより、レジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させるにあたって、吐出ノズル５３０との干渉を考慮する必要がなくなる。
【０１０４】
ベース部６３上には、上述した８個のレジストノズル６１が所定方向（ここでは、Ｙ方向）に沿って隣接して載置されるノズル載置部６２と、ノズル載置部６２上に載置されたレジストノズル６１を把持して移動させる把持部６４とが配置される。
【０１０５】
ノズル載置部６２は、各レジストノズル６１が配列された方向（Ｙ方向）に沿ってベース部６３上に水平に配設された第２横ガイドレール６２１に摺動可能に取り付けられている。また、ノズル載置部６２には、これを第２横ガイドレール６２１に沿って移動させるノズル載置部駆動機構６２２が接続されている。ノズル載置部駆動機構６２２は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０６】
制御部９２は、ノズル載置部駆動機構６２２を制御して、ノズル載置部６２を第２横ガイドレール６２１に沿って（すなわち、ベース部６３上をＹ方向に沿って）移動させて、８個のレジストノズル６１のうちの任意のレジストノズル６１を後述する支持部６４１の梁部中央の真下に移動させることができる（ＡＲ６２）。これにより、８個のレジストノズル６１のうちの任意のレジストノズル６１を後述するピックアップ部６４３に把持させることができる。
【０１０７】
把持部６４は、ノズル載置部６２をまたぐようにベース部６３上に固設された門形状の支持部６４１と、支持部６４１の梁部中央に取り付けられた伸縮可能な把持アーム６４２と、把持アーム６４２の先端に取り付けられたピックアップ部６４３とを備える。把持アーム６４２には、これを上下方向に沿って伸縮させる第１駆動機構６４４と、これを横ガイドレール６２１と直交する水平方向（Ｘ方向）に沿って伸縮させる第２駆動機構６４５とが接続されている。各駆動機構６４４，６４５は制御部９２と電気的に接続されている。
【０１０８】
制御部９２は、第１駆動機構６４４を制御して、把持アーム６４２をＺ方向に沿って伸縮させることによって、ピックアップ部６４３を、支持部６４１の梁部中央位置（原点位置）と、ノズル載置部６２に載置されたレジストノズル６１の高さ位置（ピックアップ位置）との間で移動させる。ピックアップ部６４３を原点位置からピックアップ位置まで降下させ、真下にあるレジストノズル６１を把持させた上で再び原点位置まで上昇させることによって、ノズル載置部６２上に載置された８個のレジストノズル６１のうち、原点位置の真下に位置しているレジストノズル６１をピックアップ部６４３にピックアップさせることができる。また、レジストノズル６１を把持しているピックアップ部６４３を原点位置からピックアップ位置まで降下させ、ピックアップ位置にて把持しているレジストノズル６１をリリースさせることによって、把持されていたレジストノズル６１をノズル載置部６２上に載置させることができる。
【０１０９】
また、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２をＸ方向に沿って伸縮させる。これによって、ピックアップ部６４３を、原点位置と基板Ｗ（すなわち、ノズル載置部６２が対向位置におかれているレジスト塗布処理セット５０の回転保持部５１に保持された基板Ｗ）の中央上方位置の間で移動させることができる（ＡＲ６４２）。ピックアップ部６４３を基板Ｗの中央上方位置におくと、そこに把持されたレジストノズル６１が、後述する処理位置Ｓ６１におかれることになる。この処理位置Ｓ６１にてレジストノズル６１からレジスト膜材料を吐出させることによって、基板Ｗ上面にレジスト膜材料を供給することができる。
【０１１０】
〈２−２．レジストノズル６１の位置制御〉
次に、レジストノズル６１の位置制御について、図１３を参照しながら具体的に説明する。図１３は、レジストノズル６１の位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【０１１１】
制御部９２には、レジストノズル６１の位置制御に関する機能部であるレジストノズル位置制御部７１が実現されている。また、回動機構５３５を制御して吐出ノズル５３０の位置を制御する機能部である吐出ノズル位置制御部７２が実現されている。これらの構成部は、制御部９２が記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムを実行することにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。
【０１１２】
〈レジストノズル位置制御部７１〉
レジストノズル位置制御部７１は、処理情報取得部７１１と、待機位置特定部７１２と、干渉エリア特定部７１３と、移動開始タイミング制御部７１４と、レジストノズル駆動制御部７１５とを備える。
【０１１３】
〈処理情報取得部７１１〉
処理情報取得部７１１は、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについての処理情報（レジスト膜塗布形成処理情報）を、制御部９２と電気的に接続されたコンピュータ（例えば、後述する「基板処理装置１００」の「メインコントローラ１９９」（図２４参照））から取得する。レジスト膜塗布形成処理情報とは、レジスト塗布処理ユニット２において各基板Ｗに対してどの位置でどのような処理を行うかを規定する情報であり、特に、各基板Ｗを、第１処理セットＳＣ１、第２処理セットＳＣ２、第３処理セットＳＣ３のうちのいずれで処理するかを特定する情報（レジスト塗布処理セット情報）が含まれる。また、各基板Ｗに対してどのような処理を行うかを具体的に規定する情報（レシピ情報）が含まれる。なお、上述した通り、８個のレジストノズル６１のそれぞれからは種類や濃度の異なるレジスト膜材料が吐出されるので、処理に用いるべきレジスト膜材料の種類等に応じてレジストノズル６１を選択する必要がある。そこで、レシピ情報として、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のレジストノズル６１のうち、いずれのレジストノズル６１を用いて基板Ｗに対する処理を行うかを指定する情報を含ませておく。
【０１１４】
〈待機位置特定部７１２〉
待機位置特定部７１２は、処理情報取得部７１１が取得した処理情報に基づいて、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出処理に備えてレジストノズル６１を待機させる位置（待機位置Ｔ６１）を特定する。
【０１１５】
待機位置Ｔ６１を特定するにあたり、待機位置特定部７１２はまず、レジスト塗布処理ユニット２に搬入されてくる予定の基板Ｗのそれぞれについて、レジストノズル６１が当該基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出を行う位置（処理位置Ｓ６１）を特定する。具体的には、まず、処理情報取得部７１１が取得したレジスト塗布処理セット情報から、当該基板Ｗを処理すべき処理セットを特定する。そして、当該特定された処理セットの回転保持部５１に保持された基板中央の真上の位置を、当該基板Ｗについての処理位置Ｓ６１と特定する。
【０１１６】
処理位置Ｓ６１が特定されると、待機位置特定部７１２は、当該特定された処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１と特定する。上述した通り、制御部９２は、ピックアップ部６４３にレジストノズル６１を把持させた状態で把持アーム６４２を第１横ガイドレール６３１と直交する方向（＋Ｘ方向）に向けて伸長させて、ピックアップ部６４３に把持されたレジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させる。ここで、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させる直前のピックアップ部６４３（すなわち、原点位置におかれているピックアップ部６４３）に把持されたレジストノズル６１の位置が待機位置Ｔ６１となる。
【０１１７】
例えば、ある基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０が「第３処理セットＳＣ３」であるとレジスト塗布処理セット情報にて指定されているとする。この場合、待機位置特定部７１２は、図１２に示すように、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持された基板中央の真上の位置を、当該基板Ｗについての処理位置Ｓ６１と特定する。そして、この処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１と特定する。
【０１１８】
上述したとおり、第１横ガイドレール６３１は処理液供給部移動エリアＣの外側に形成される。待機位置Ｔ６１はこの第１横ガイドレール６３１上に設定されるので、吐出ノズル５３０がどのような位置にあるかに関係なく（つまり、吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１、第２処理位置Ｓ５３２のいずれかにおかれている間であっても）、吐出ノズル５３０との干渉を考慮せずにレジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で移動させて、所定の待機位置Ｔ６１まで移動させることができる。また、そこで待機させることができる。
【０１１９】
また、待機位置Ｔ６１と処理位置Ｓ６１とが、レジストノズル６１が、その複数の駆動軸（この実施の形態においては、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向のそれぞれに沿った駆動軸）のうち、Ｘ方向に沿った駆動軸のみについての移動で到達可能な位置関係におかれる。つまり、制御部９２は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に向けて伸長させてることのみによって（ＡＲ６４２）、待機位置Ｔ６１にあるレジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させることができる。
【０１２０】
〈干渉エリア特定部７１３〉
干渉エリア特定部７１３は、処理液供給部移動エリアＣ内に、レジストノズル６１と吐出ノズル５３０との干渉エリアＣｉを特定する。干渉エリアＣｉとは、処理液供給部移動エリアＣ内においてレジストノズル６１が進入する可能性のある領域（進入領域）を包含する領域である。干渉エリアＣｉは、例えばオペレータからの設定入力を受け付けることによって規定される。ただし、干渉エリアＣｉはなるべく小さな領域となることが好ましく、進入領域と一致するように設定されることが望ましい。
【０１２１】
図１４を参照する。図１４はレジスト塗布処理セット５０の平面図であり、干渉エリアＣｉの設定例が示されている。この実施の形態においては、上述した通り、レジストノズル６１は、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際は処理液供給部移動エリアＣの外側に配置された第１横ガイドレール６３１に沿って移動するので（図１参照）、レジスト塗布処理セット５０間を移動する際にレジストノズル６１が処理液供給部移動エリアＣ内へ進入することはない。したがって、この際の移動領域は進入領域を形成しない。一方、レジストノズル６１の処理位置Ｓ６１は処理液供給部移動エリアＣ内に位置するので、レジストノズル６１は、待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１へと移動する際に処理液供給部移動エリアＣに進入する（進入領域ｃ）。そこで、オペレータは、例えば、この進入領域ｃを包含するように干渉エリアＣｉを設定すればよい。例えば、図１４に示すような扇形柱形状の領域を干渉エリアＣｉと設定することができる。
【０１２２】
〈移動開始タイミング制御部７１４〉
再び図１３を参照する。移動開始タイミング制御部７１４は、所定のタイミングで、後述するレジストノズル駆動制御部７１５に対して、レジストノズル６１を待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１へ移動開始させるよう指示を与える。具体的には、溶媒前塗布液の吐出処理を終えた吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１から待避位置Ｔ５３０まで移動する際に、吐出ノズル５３０の位置をモニタリングしている。そして、吐出ノズル５３０が、干渉エリア特定部７１３により特定された干渉エリアＣｉの外に移動したことを確認した時点で、レジストノズル駆動制御部７１５にレジストノズル６１の移動開始指示を与える。
【０１２３】
〈レジストノズル駆動制御部７１５〉
レジストノズル駆動制御部７１５は、レジスト膜材料供給部６０の備える各駆動機構を制御してレジストノズル６１を移動させる。レジストノズル駆動制御部７１５がレジストノズル６１をどのように移動させるかについて、図１２を参照しながら説明する。
【０１２４】
ある基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出供給処理を終え、別の基板Ｗ（例えば、第３処理セットＳＣ３の回転保持部５１に保持される基板Ｗ（以下、「処理対象基板Ｗ」という）に対するレジスト膜材料の吐出供給処理を行う場合、レジストノズル駆動制御部７１５は以下の制御によりレジストノズル６１を移動させる。
【０１２５】
レジストノズル駆動制御部７１５は、まず、処理情報取得部７１１が取得した当該基板Ｗ１についての処理情報に基づいて、レジスト膜材料供給部６０が備える８個のレジストノズル６１のうち、当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１（以下、「選択レジストノズル６１」という）を特定する。
【０１２６】
続いて、レジストノズル駆動制御部７１５は、待機位置特定部７１２から処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ６１の位置情報を取得し、処理レジストノズル６１を当該待機位置Ｔ６１まで移動させる。具体的には、ベース部駆動機構６３２を制御して、ベース部６３を所定の処理セット（処理対象基板Ｗの処理を行う処理セットとして処理セット情報にて指定された処理セットであり、ここでは第３処理セットＳＣ３）に対向する位置に移動させる（ＡＲ６１）。また、これとともに、ノズル載置部駆動機構６２２を制御して、選択レジストノズル６１が支持部６４１の梁部中央の真下（すなわち、ピックアップ部６４３の原点位置の真下）に位置するようにノズル載置部６２を移動させる（ＡＲ２４）。
【０１２７】
続いて、レジストノズル駆動制御部７１５は、１駆動機構６４４を制御して、ピックアップ部６４３に選択レジストノズル６１をピックアップさせる。これにより、選択レジストノズル６１が処理対象基板Ｗについての待機位置Ｔ６１におかれることになる。レジストノズル駆動制御部７１５は、移動開始タイミング制御部７１４からの指示があるまで、この位置で選択レジストノズル６１を待機させる。
【０１２８】
移動開始タイミング制御部７１４からの移動開始指示を受けると、レジストノズル駆動制御部７１５は、第２駆動機構６４５を制御して、把持アーム６４２を＋Ｘ方向に伸長させ、待機位置Ｔ６１に待機している選択レジストノズル６１を処理位置Ｓ６１まで移動させる（ＡＲ６４２）。
【０１２９】
選択レジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に、選択レジストノズル６１に対するレジスト膜材料の供給を開始させる。これにより、レジストノズル６１からレジスト膜材料が吐出され、処理対象基板Ｗの表面にレジスト膜材料が供給されることになる。
【０１３０】
所定量のレジスト膜材料が処理対象基板Ｗに供給されると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に選択レジストノズル６１に対するレジスト膜材料の供給を停止させる。一方、レジストノズル駆動制御部７１５は、選択レジストノズル６１をノズル載置部６２に載置させるとともに、次に処理すべき基板Ｗについて、当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１まで移動させる。
【０１３１】
〈２−３．レジスト膜の塗布形成処理〉
レジスト塗布処理ユニット２においては、複数のレジスト塗布処理セット５０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が行われる。各レジスト塗布処理セット５０において行われる処理の流れについて、図１５および図１６〜図１８を参照しながら説明する。図１５は、レジスト塗布処理ユニット２にて行われる処理の流れを示す図である。図１６〜図１８は、レジスト膜の塗布形成処理の各段階におけるレジストノズル６１と吐出ノズル５３０の位置関係を模式的に示す図である。ただし、図１６（ａ）はレジスト塗布処理セット５０の平面図であり、図１６（ｂ）はレジスト塗布処理セット５０を図１６（ａ）の矢印Ｑ方向からみた側面図である。図１７〜図１８についても同様である。なお、以下の処理は、制御部９２がレジスト塗布処理ユニット２の各構成要素を制御することによって行われる。
【０１３２】
図示しない外部搬送機構（例えばメインロボットＴ２１）が開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２に搬入して、所定のレジスト塗布処理セット５０（当該基板Ｗを処理すべきレジスト塗布処理セット５０）の回転保持部５１上に載置すると、搬入された基板Ｗに対するレジスト膜の塗布形成処理が開始される。
【０１３３】
基板Ｗが回転保持部５１上に載置されると、制御部９２は、載置された基板Ｗを回転保持部５１に保持させる（ステップＳ２１）。
【０１３４】
続いて、制御部９２は、処理液供給部５３に基板Ｗ上に溶媒前塗布液を吐出供給させて溶媒前塗布処理を行わせる（ステップＳ２２）。
【０１３５】
この処理について、図１６を参照しながら具体的に説明する。まず、吐出ノズル位置制御部７２が、回動機構５３５を駆動制御して、吐出ノズル５３０を待避位置Ｔ５３０から第１処理位置Ｓ５３１まで移動させる（ＡＲ２１）。吐出ノズル５３０が第１処理位置Ｓ５３１に到着すると、制御部９２は、第１処理液吐出部５３１から、所定量の溶媒前塗布液を基板中心部に向けて滴下させる。そして、回転保持部５１に基板Ｗを所定速度で回転させる。これにより、基板表面の全体に溶媒前塗布液が供給される。なお、図１６に示されるように、吐出ノズル５３０が基板Ｗに対して前処理液の吐出供給を行っている間に、レジストノズル位置制御部７１は、レジスト膜材料供給部６０の各駆動機構を駆動制御して所定のレジストノズル６１（当該基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１であり、以下、「選択レジストノズル６１」という）を当該基板Ｗについて特定された待機位置Ｔ６１まで移動させ、当該位置にて待機させている。
【０１３６】
溶媒前塗布液の供給処理が終了すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に基板Ｗ上に所定のレジスト膜材料を吐出供給させる（ステップＳ２３）。
【０１３７】
この処理について、図１７〜図１８を参照しながら具体的に説明する。まず、図１７に示すように、制御部９２が、回動機構５３５を駆動制御して、溶媒前塗布液の吐出を終えた吐出ノズル５３０を第１処理位置Ｓ５３１から待避位置Ｔ５３０まで移動させる（ＡＲ２２）。一方、移動開始タイミング制御部７１４は、吐出ノズル５３０が干渉エリアＣｉの外に出たことを確認すると、レジストノズル駆動制御部７１５に処理レジストノズル６１の移動を開始させるように指示を与える。この指示に応じてレジストノズル駆動制御部７１５は、待機位置Ｔ６１に待機させていた選択レジストノズル６１を処理位置Ｓ６１に向けて移動開始させる（ＡＲ２３）。
【０１３８】
図１８に示すように、選択レジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着すると、制御部９２は、レジスト膜材料供給部６０に、選択レジストノズル６１から基板に向けてレジスト膜材料を滴下させる。これにより、基板Ｗの表面にレジスト膜が塗布形成される。基板Ｗに対するレジスト膜材料の吐出供給処理が終了すると、レジストノズル駆動制御部７１５は、第２駆動機構６４５および第１駆動機構６４４を制御して、選択レジストノズル６１をノズル載置部６２上の所定位置に載置させる。さらに、次に処理すべき基板Ｗの処理に用いるべきレジストノズル６１を、当該基板Ｗについての待機位置Ｔ６１まで移動させる。
【０１３９】
再び図１５を参照する。ステップＳ２３の処理が終了すると、制御部９２は、処理液供給部５３にエッジリンス処理を行わせる（ステップＳ２４）。具体的には、吐出ノズル位置制御部７２が、回動機構５３５を駆動制御して、吐出ノズル５３０を待避位置Ｔ５３０から第２処理位置Ｓ５３２まで移動させる。吐出ノズル５３０が第２処理位置Ｓ５３２に到着すると、制御部９２は、第２処理液吐出部５３２からエッジリンス用のリンス液を基板Ｗの周縁部に向けて吐出させる。これにより、基板Ｗの周縁付近にリンス液が供給され、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。
【０１４０】
ステップＳ２４の処理が終了すると、制御部９２は回転保持部５１に基板Ｗの保持状態を解除させる。すると、図示しない外部搬送機構が、開口部５０１を介して基板Ｗをレジスト塗布処理ユニット２から搬出する。
【０１４１】
〈２−４．効果〉
上記の構成によると、レジストノズル６１が複数のレジスト塗布処理セット５０間を移動する際の移動経路（第１横ガイドレール６３１）が吐出ノズル５３０の移動エリア（処理液供給部移動エリアＣ）の外側に配置される。したがって、吐出ノズル５３０がどの位置にあってもレジストノズル６１をレジスト塗布処理セット５０間で自由に移動させることができる。また、レジストノズル６１がレジスト塗布処理セット５０間を移動している間であっても吐出ノズル５３０を自由に移動させることができる。これにより、レジストノズル６１および吐出ノズル５３０の稼働率をともに向上させることが可能となる。
【０１４２】
また、上記の構成によると、レジストノズル６１を待機させる待機位置Ｔ６１が、処理位置Ｓ６１まで１つの駆動軸に沿った移動のみで到達可能な位置に設定されるので、待機位置Ｔ６１から処理位置Ｓ６１への移動に要する時間を短縮することができる。つまり、吐出ノズル５３０が干渉エリアＳ３外に移動してからレジストノズル６１が処理位置Ｓ６１に到着するまでの時間を短縮することができる。
【０１４３】
また、上記の構成によると、吐出ノズル５３０の移動領域（処理液供給部移動エリアＣ）内に干渉エリアＣｉを規定し、吐出ノズル５３０がこの干渉エリアＣｉの外に移動した時点でレジストノズル６１の移動を開始させる。この構成によると、吐出ノズル５３０とレジストノズル６１とが干渉することがないので、安全にノズルの入れ替えを行うことができる。また、吐出ノズル５３０が待避位置Ｔ５３０に到着してからレジストノズル６１の移動を開始する構成に比べて、迅速にノズルの入れ替えを行うことができる。したがって、レジスト膜材料の供給タイミングが遅れることがなく、基板上に供給された溶媒前塗布液が乾燥する前にレジスト膜材料を吐出供給することが可能となる。
【０１４４】
また、上記の構成においては、処理位置Ｓ６１から第１横ガイドレール６３１に下ろした垂線が第１横ガイドレール６３１と交わる垂線交点を当該基板についてレジストノズル６１の待機位置Ｔ６１として特定するようにしていたが、これに限られるものではなく、例えば干渉エリアＣｉから外れた位置であって、かつ上記垂線上の基板の上方の位置をレジストノズル６１の待機位置Ｔ６１として特定するようにしてもよい。このようにすれば、レジストノズル６１をより早く処理位置Ｓ６１に移動させることができ、より確実に基板上に供給された溶媒前塗布液が乾燥する前にレジスト膜材料を吐出供給することができる。
【０１４５】
〈３．基板処理装置〉
上述した現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２は、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２が搭載された基板処理装置１００について、図１９〜図２５を参照しながら説明する。図１９は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図２０、図２１、図２２および図２３は、基板処理装置１００を、図１９に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図２４は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図２５は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。
【０１４６】
〈３−１．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図２４を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。
【０１４７】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【０１４８】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部１３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。
【０１４９】
なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはコントローラ１９２，１９３のそれぞれが上述した制御部９１，９２に相当する。
【０１５０】
メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御して、基板処理装置１００にて基板Ｗに対して行われる一連の処理プロセス（レジスト塗布、露光、熱処理、現像、エッチング等の一連の処理プロセス）を総括的に管理する。具体的には、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御して、後述するＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗをどのような順番でどの処理ユニットに（ひいては、どの処理セットに）搬入していくかを管理する。また、４個のコントローラ１９１〜１９４のそれぞれに対して各種の処理情報（例えば、現像処理情報、レジスト膜塗布処理情報等）を与えて、各処理ユニットにて各基板Ｗに対して行う具体的な処理内容を管理する。また、ＩＤ部１１０から払い出された基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。
【０１５１】
〈３−２．各部の構成および動作〉
続いて、基板処理装置１００の構成および動作について図１９〜図２５を参照しながら具体的に説明する。基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。
【０１５２】
〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１５３】
ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図１９、図２１参照）。
【０１５４】
図２５を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。
【０１５５】
なお、図２５においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図２１参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。
【０１５６】
〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成し、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースを挟んで互いに対向配置された２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。
【０１５７】
熱処理ブロック２１について、図１９および図２０を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。
【０１５８】
最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。
【０１５９】
熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを加熱処理する処理ユニットであり、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。
【０１６０】
密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）を行う処理ユニットであり、基板Ｗを加熱処理するホットプレートと、ホットプレート上に載置された基板Ｗの表面に密着強化剤を供給する供給手段とを備える。メインロボットＴ２１が基板Ｗをホットプレート上に載置すると、基板Ｗはホットプレートによって加熱処理される。また一方で、気化した密着強化剤が基板Ｗ表面に向けて吐出供給される。密着強化剤は昇温された基板Ｗの表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。密着強化処理が終了するとホットプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１６１】
冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１６２】
第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。
【０１６３】
第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。
【０１６４】
第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。
【０１６５】
液処理ブロック２２について、図１９および図２２を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。
【０１６６】
最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１ａ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニット１を備える。現像処理ユニット１の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１６７】
現像ユニット列２２１１の下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１ｂ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニット２を備える。レジスト塗布処理ユニット２の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【０１６８】
図２５を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、冷却ユニットＣＰ、密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ、レジスト塗布処理ユニット２、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。
【０１６９】
メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。
【０１７０】
また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニット１、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。
【０１７１】
メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。
【０１７２】
〈ＩＦ部１３０〉
ＩＦ部１３０について、図１９および図２３を参照しながら説明する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。
【０１７３】
ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される。また、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、バッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。
【０１７４】
図２５を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。
【０１７５】
一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。
【０１７６】
ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。
【０１７７】
一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。
【０１７８】
また、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニット１にトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。
【０１７９】
以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。
【０１８０】
〈３−３．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置１００においては、現像処理ユニット１およびレジスト塗布処理ユニット２にて、２種類のノズルの稼働率を向上させることができる。また、２種類のノズルの入れ替え（現像処理ユニット１においては現像ノズル２１と純水ノズル１３０の入れ替え、レジスト塗布処理ユニット２においては吐出ノズル５３０とレジストノズル６１の入れ替え）を安全かつ迅速に行うことができる。これにより、ノズルの入れ替えに係るオーバーヘッドタイムが短縮され、処理ユニット１，２のスループットが良好なものとなる。ひいては、高いスループットの基板処理装置１００が実現される。
【０１８１】
〈４．変形例〉
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１においては、プリウェット液およびリンス液として用いられる処理液として純水を採用していたが、純水以外、例えば界面活性剤を含む溶液を処理液として採用してもよい。また、プリウェット液とリンス液とを異なる種類の処理液で構成してもよい。特に後者の場合、プリウェット液を吐出供給するノズルとリンス液を吐出供給するノズルとを１個のノズルで共用せずに、別個独立に設けてもよい。
【０１８２】
また、上記の実施の形態に係る現像ノズル２１は、供給された処理液を基板Ｗの中央にそのまま吐出するいわゆるストレートノズルにより構成してもよい。この場合、基板Ｗの中央上方に位置させた現像ノズル２１から現像液を滴下させ、それと同時に、回転保持部１１によって基板Ｗを高速回転させる。すると、プリウェット処理により形成されたプリウェット液の液だまりと現像液とが混合された状態で基板表面全体に広がる。この状態で所定時間基板Ｗを静止させて、基板表面の現像反応を進行させればよい。
【０１８３】
上記の実施の形態に係る現像処理ユニット１が備える現像処理セット１０の個数およびレジスト塗布処理ユニット２が備えるレジスト塗布処理セット５０の個数はいずれも３個であるとしたが、いずれの個数も３個に限らない。
【０１８４】
また、上記においては、現像処理を行う処理ユニットとレジスト膜塗布処理を行う処理ユニットに本発明を適用した場合の実施の形態を示したが、本発明は、複数個のノズルを用いて処理を行う各種の処理ユニットに適用可能である。
【０１８５】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、液処理ブロック２２が備える現像処理ユニット１やレジスト塗布処理ユニット２の個数も４個に限らない。
【０１８６】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】現像処理ユニットの平面図である。
【図２】現像処理ユニットの側面図である。
【図３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図４】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図５】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図６】現像処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図７】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図８】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図９】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１０】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１１】現像ノズルと純水ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１２】レジスト塗布処理ユニットの平面図である。
【図１３】ノズルの位置制御を行う機能に関する構成を示すブロック図である。
【図１４】干渉エリアの設定例を示す図である。
【図１５】レジスト塗布処理ユニットにて行われる処理の流れを示す図である。
【図１６】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１７】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１８】レジストノズルと吐出ノズルの位置関係を模式的に示す図である。
【図１９】基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図２０】基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。
【図２１】基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。
【図２２】基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。
【図２３】基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。
【図２４】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図２５】各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。
【符号の説明】
【０１８８】
１ 現像処理ユニット
２ レジスト塗布処理ユニット
１０ 現像処理セット
１１，５１ 回転保持部
１３ ＤＩＷ供給部
２０ 現像液供給部
２１ 現像ノズル
２２ 横ガイドレール
２３ Ｙ軸駆動機構
２４ Ｚ軸駆動機構
３０ ポッド
４１ 現像ノズル位置制御部
４２ 純水ノズル位置制御部
５０ レジスト塗布処理セット
５３ 処理液供給部
６０ レジスト膜材料供給部
６１ レジストノズル
６２ ノズル載置部
６３ ベース部
６４ 把持部
９１，９２ 制御部
１３０ 純水ノズル
４１１ 処理情報取得部
４１２ 待機位置特定部
４１３，４２１ 干渉エリア特定部
４１４，４２２ 移動開始タイミング制御部
４１５ 現像ノズル駆動制御部
４２３ 純水ノズル駆動制御部
５３０ 吐出ノズル
５３１ 第１処理液吐出部
５３２ 第２処理液吐出部
５３５ 回動機構
１００ 基板処理装置
Ａ 純水ノズル移動エリア
Ｂ 現像ノズル移動エリア
Ｃ 処理液供給部移動エリア
Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉ 干渉エリア
Ｈ１ 移動走行面
Ｈ２ 吐出走行面
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、
前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、
を備え、
前記複数の処理セットのそれぞれが、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、
を備え、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが、現像液の吐出供給に先立って所定の処理液を基板表面に供給することによって前記基板表面を前記現像液と馴染みやすい状態にするプリウェット処理に係る前記所定の処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルがリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理ユニットであって、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの上方に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルがレジスト膜材料を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理ユニットであって、
前記基板処理ユニットの筐体壁面のうち、基板を前記基板処理ユニット内に搬出入するための開口部が形成された面を正面として、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの前記筐体背面側に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項７】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、
前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、
を備え、
前記複数の処理セットのそれぞれが、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、
を備え、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に対する所定の処理を行う基板処理ユニットであって、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、
前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、
を備え、
前記複数の処理セットのそれぞれが、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、
を備え、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが、現像液の吐出供給に先立って所定の処理液を基板表面に供給することによって前記基板表面を前記現像液と馴染みやすい状態にするプリウェット処理に係る前記所定の処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルが現像液を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルがリンス処理に係る処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理ユニットであって、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの上方に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記第１ノズルがレジスト膜材料を吐出供給するノズルであり、前記第２ノズルが溶媒前塗布処理に係る処理液を吐出供給するノズルであることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理ユニットであって、
前記基板処理ユニットの筐体壁面のうち、基板を前記基板処理ユニット内に搬出入するための開口部が形成された面を正面として、前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの前記筐体背面側に形成されることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項７】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の基板処理ユニットと、前記１以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の基板処理ユニットのいずれかが、
それぞれにおいて１枚の基板に対する前記所定の処理を実行する複数の処理セットと、
前記複数の処理セットの間で共用され、基板に対して第１処理液を供給する第１ノズルと、
前記複数の処理セット間にわたって形成されたセット間移動経路に沿って前記第１ノズルを移動させることによって、前記第１ノズルを前記複数の処理セットの間で移動させるノズル駆動機構と、
を備え、
前記複数の処理セットのそれぞれが、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に対して第２処理液を吐出供給する第２ノズルと、
を備え、
前記セット間移動経路が、前記第２ノズルの移動エリアの外側に形成されることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１０−５６３１８（Ｐ２０１０−５６３１８Ａ）
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２００８８（Ｐ２００８−２２００８８）
【出願日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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