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Fターム[5F157CD27]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (665) | 検知情報 (664) | 装置 (123) | 可動要素の位置 (33)

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【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台112と、試料台112の側面の消耗を低減するための試料台保護部材(206、203、200)とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材(図面上では203)を冷却するための冷却用ガス流路205を有する。また、イオンを試料台保護部材200へ引き込む導体リング201や、試料台保護部材203と試料128との距離を調整する機構(204、250〜252、260、132)を有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する2つの基板保持手段(吸着パッド2、スピンチャック3)を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材(ブラシ5)は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、2つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部4に入力されると、CPU23は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー25によって計測させる。さらに、CPU23は、ノズルの位置を検出するエンコーダ22の出力と経過時間とをメモリー24に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部4に入力されると、CPU23は、エンコーダ22の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ22の出力は、経過時間と関連付けられて1つの動作データとしてメモリー24に記憶される。 (もっと読む)


【課題】ティーチング作業を軽減することができるとともに、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置のためのティーチング方法を提供すること。
【解決手段】透明シート30がノズル3に取り付けられる。このとき、透明シートの基準線上にノズル3が位置する。スピンベース6の上面には、模様シート50が貼着される。スピンベース6が鉛直軸線まわりに回転される。スピンベース6の上面16に、回転中心BCを中心とする同心円パターン52が表れる。回転中のスピンベース6の上面16の上方を、ノズル3および透明シート30が軌道に沿って移動する。透明シート30の縞パターンが同心円パターン52に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。カメラによって撮像された画像に含まれるモアレパターンの対称軸が基準線に一致した時、ステッピングモータの回転量が取得される。 (もっと読む)


【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド21と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド21の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド22を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 (もっと読む)


【課題】ティーチングのための作業者による作業を軽減することができ、かつ、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供すること。
【解決手段】ティーチング時においては、制御部によって、ステッピングモータが駆動される。そして、処理液ノズルがホームポジションに位置することが第1センサによって検出された時、および処理液ノズルが第1周縁相当位置に位置することが第2センサによって検出された時に、それぞれ、ステッピングモータの回転量が取得される。それら取得された回転量に基づいて、第1教示情報および第2教示情報が演算され、これら第1教示情報および第2教示情報がモータ制御部21に登録される。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口2が形成された処理槽1と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ10の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段8と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル124,125と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ71,122を有するアーム63,121およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット61,62とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 (もっと読む)


【課題】洗浄部材の摩耗・汚染の状態をモニターすることで、その交換時期を判断して、常に洗浄部材を清浄で摩耗していない状態に保つ基板洗浄装置の洗浄部材交換時期判定方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄部材と基板の少なくとも一方を回転させた状態でこれらを当接させて洗浄部材と基板の相対運動により基板をスクラブ洗浄する際に、回転測定手段により洗浄部材の回転状態又は基板の回転状態を測定し、回転状態の変化から洗浄部材の表面状態を検知し、検知した表面状態の変化から洗浄部材の交換時期を判定する。 (もっと読む)


【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル21を、第1の高さにある水平面(移動走行面H1)上で移動させることによって、現像ノズル21を現像処理セット10間で移動させる(AR2,AR6)。ただし、移動走行面H1は、純水ノズル130の移動エリア(純水ノズル130を処理位置S130と待避位置T130との間で移動させる際に純水ノズル130が移動するエリア)の上方に形成される。したがって、純水ノズル130との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル21を現像処理セット10間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル21と純水ノズル130との稼働率が向上する。 (もっと読む)


【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット1においては、ノズル21を共用する複数個の現像処理セット10のそれぞれにおいて1枚の基板Wに対する現像処理が行われる。進入領域K(現像処理ユニット1に対する基板Wの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット1内に進入する領域)の上方には、現像処理セット10間にわたって移動経路L21が形成されている。制御部91は、移動経路L21に沿ってノズル21を移動させることによって、ノズル21を現像処理セット10の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット1に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル21を現像処理セット10間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。
【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板50の縁部を保持する工程と、シリコン基板50の裏面Aの周縁部Rにブラシ12を摺接させることにより、シリコン基板50の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ12の一部をシリコン基板50の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造で、ブラシから異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、ブラシ18およびブラシ洗浄液供給機構53を備えている。ブラシ18は、基板に接触する接触面45,46を外表面に有し、内方から接触面45,46に向けてブラシ洗浄液を供給するためのブラシ洗浄液導入孔47が形成されている。ブラシ18は、所定の基板処理位置で接触面45,46を基板に接触させて当該基板を洗浄する。ブラシ18が前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置には、当該ブラシ18を収容するための待機ポッド21が設けられている。また、ブラシ洗浄液供給機構53は、待機ポッド21の底部51に設けられており、ブラシ洗浄液導入孔47にブラシ洗浄液を供給する。 (もっと読む)


【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハWの裏面の周縁領域14および周端面15に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ16は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック3に保持されたウエハWの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ16は、ウエハWから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ16が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ16が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ16がウエハWからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、(i)現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、(ii)安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。 (もっと読む)


【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハWの上面におけるフッ硝酸の着液点P1は、アーム支持軸を中心とする円弧形状(ほぼ直線状)のスキャン経路S1に沿って移動する。スキャン経路S1は、ウエハWの回転中心Cを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハWの回転中心Cから微小間隔L1だけ隔てた近接位置S11と、この近接位置S11よりもウエハWの回転半径方向に設けられ、ウエハWの回転中心Cから間隔L2だけ隔てた離隔位置S12との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点P1は、近接位置S11と、離隔位置S12との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハWの上面の回転中心Cおよび周縁領域には直接供給されない。 (もっと読む)


【課題】基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 薬液表面側バルブ23の開成タイミングに至ったとき(ステップS1でYES)、CPU60は、ウエハ保持センサ9からの出力をチェックする(ステップS2)。スピンチャック3にウエハWが保持されていない場合には(ステップS3でNO)、薬液ノズル4が退避位置以外に位置していれは(ステップS4でNO)、CPU60は、薬液表面側バルブ23の開成を禁止する(ステップS5)、薬液ノズル4が退避位置に位置していれは(ステップS4でYES)、CPU60は、薬液表面側バルブ23の開成を許可する(ステップS7)。この場合、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口2が形成された処理槽1と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ10の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段8と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル124,125と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ71,122を有するアーム63,121およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット61,62とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


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