基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。
【０００８】
露光処理前には、基板に対して種々の成膜処理が施される。その成膜処理の過程で、基板の端部が汚染される場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００９】
本発明の目的は、基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光処理前の基板の一面に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、成膜処理後であって露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを含み、端部洗浄ブラシは、第１の材料からなる第１の洗浄部材と、第１の洗浄部材に一体的に設けられ、第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを有するものである。
【００１１】
この基板処理装置では、処理部において、成膜処理ユニットにより基板の一面に成膜処理が施される。成膜処理後の基板は、受け渡し部により処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、その基板は受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。成膜処理ユニットによる成膜処理後であって露光装置による露光処理前に、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
【００１２】
基板洗浄装置では、基板回転保持手段により基板が保持され、回転する。その状態で、基板の端部に端部洗浄ブラシが接触する。この場合、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。
【００１３】
それにより、端部が十分に清浄な状態で、基板を露光装置に搬入することができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【００１４】
（２）基板洗浄装置は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに含んでもよい。
【００１５】
この場合、端部洗浄ブラシをブラシ回転手段により回転させた状態で基板の端部に接触させることにより、端部洗浄ブラシと基板との摺動速度を高くすることができる。それにより、効率良く基板の端部を洗浄することができる。
【００１６】
（３）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、第１の洗浄部材の第１の洗浄面の一端部から第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、基板回転保持手段により保持された基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有してもよい。
【００１７】
この場合、第１の洗浄部材の第１の洗浄面が基板の端部の端面領域に押し当てられ、基板の端部の端面領域が洗浄される。第１の洗浄部材は比較的柔軟性が低い第１の材料からなるので、基板に押し当てられてもほとんど変形しない。そのため、第１の洗浄面は、基板の端部の端面領域のみに接触する。したがって、第１の洗浄面が基板の一面に形成された膜に接触することが防止され、膜の損傷が防止される。
【００１８】
また、第２の洗浄部材の第２の洗浄面が基板の他面の周縁領域に押し当てられる。第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、基板に押し当てられることによって変形する。そのため、第２の洗浄面は、基板の他面の周縁領域に加えて、基板の他面側のベベル領域に接触する。それにより、基板の他面の周縁領域および基板の他面側のベベル領域を洗浄することができる。
【００１９】
このように、基板の一面に形成された膜の損傷を防止しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００２０】
（４）第１の洗浄部材は円筒形状を有し、端部洗浄ブラシは、第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有してもよい。
【００２１】
この場合、緩衝部材によって、第１の洗浄部材から基板に加わる負荷を低減することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００２２】
（５）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有してもよい。
【００２３】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄部材の第５の洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられ、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。
【００２４】
また、第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、第２の洗浄部材が基板の一面に形成された膜に接触しても、膜の損傷が抑制される。
【００２５】
このように、基板の一面に形成された膜の損傷を防止しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００２６】
（６）端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を有する研磨部材をさらに含み、第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、研磨部材の研磨面と第２の洗浄部材の第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されてもよい。
【００２７】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
【００２８】
また、端部洗浄ブラシの研磨洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の一面側のベベル領域が研磨部材の研磨面により研磨される。それにより、基板の一面側のベベル領域に形成された余分な膜の部分が削り取られる。研磨によって生じる粉塵等は、第２の洗浄部材によって洗浄除去される。
【００２９】
このように、基板の一面に形成された膜の余分な部分を確実に除去しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００３０】
（７）第２の発明に係る基板洗浄装置は、一面および他面を有する基板を洗浄するための基板洗浄装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを備え、端部洗浄ブラシは、第１の材料からなる第１の洗浄部材と、第１の洗浄部材に一体的に設けられ、第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを含むものである。
【００３１】
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持され、回転する。その状態で、基板の端部に端部洗浄ブラシが接触する。この場合、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。
【００３２】
（８）基板洗浄装置は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに備えてもよい。
【００３３】
この場合、端部洗浄ブラシをブラシ回転手段により回転させた状態で基板の端部に接触させることにより、端部洗浄ブラシと基板との摺動速度を高くすることができる。それにより、効率良く基板の端部を洗浄することができる。
【００３４】
（９）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、第１の洗浄部材の第１の洗浄面の一端部から第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、基板回転保持手段により保持された基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有してもよい。
【００３５】
この場合、第１の洗浄部材の第１の洗浄面が基板の端部の端面領域に押し当てられ、基板の端部の端面領域が洗浄される。第１の洗浄部材は比較的柔軟性が低い第１の材料からなるので、基板に押し当てられてもほとんど変形しない。そのため、第１の洗浄面は、基板の端部の端面領域のみに接触する。したがって、基板の一面に膜が形成されていても、その膜の損傷が防止される。
【００３６】
また、第２の洗浄部材の第２の洗浄面が基板の他面の周縁領域に押し当てられる。第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、基板に押し当てられることによって変形する。そのため、第２の洗浄面は、基板の他面の周縁領域に加えて、基板の他面側のベベル領域に接触する。それにより、基板の他面の周縁領域および基板の他面側のベベル領域を洗浄することができる。
【００３７】
（１０）第１の洗浄部材は円筒形状を有し、端部洗浄ブラシは、第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有してもよい。
【００３８】
この場合、緩衝部材によって、第１の洗浄部材から基板に加わる負荷を低減することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００３９】
（１１）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有してもよい。
【００４０】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄部材の第５の洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられ、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。
【００４１】
また、第２の洗浄部材は第１の洗浄部材よりも柔軟性が高いので、基板の一面に膜が形成されていても、その膜が損傷することが抑制される。
【００４２】
（１２）端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を含む研磨部材をさらに含み、第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、研磨部材の研磨面と第２の洗浄部材の第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されてもよい。
【００４３】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
【００４４】
また、端部洗浄ブラシの研磨洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の一面側のベベル領域が研磨部材の研磨面により研磨される。そのため、基板の一面側のベベル領域に余分に膜が形成されている場合に、その余分な膜の部分を削り取ることができる。研磨によって生じる粉塵等は、第２の洗浄部材によって洗浄除去することができる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。それにより、端部が十分に清浄な状態で、基板を露光装置に搬入することができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００４７】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４８】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４９】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００５０】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００５１】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００５２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００５３】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００５５】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００５６】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００５７】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００５８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００５９】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００６０】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００６２】
インターフェースブロック１５は、洗浄処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗに洗浄処理を行い、乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗに乾燥処理を行う。
【００６３】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００６４】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００６５】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００６６】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００６７】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００６８】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００６９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００７０】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００７１】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００７２】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００７３】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７５】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７７】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７８】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００７９】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００８０】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００８１】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００８２】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００８３】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００８４】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００８５】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００８６】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００８８】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００８９】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００９１】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００９２】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００９５】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００９８】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９９】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【０１０１】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１０２】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【０１０４】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【０１０６】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１０７】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【０１０８】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１１０】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗに洗浄処理が行われる。
【０１１１】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄処理ユニットＳＤ１から洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１１２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１１３】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１１４】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１１５】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１１６】
乾燥処理ユニットＳＤ２において乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１１７】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１８】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１１９】
（３）洗浄処理ユニットについて
（３−１）構成
次に、洗浄処理ユニットＳＤ１の詳細について説明する。図５は、洗浄処理ユニットＳＤ１の構成を説明するための模式図である。図５に示すように、洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。
【０１２０】
スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５２２によって回転される回転軸５２３の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されている。スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１２１】
スピンチャック５２１の近傍には、複数（本例では２つ）の下面ノズル５２４が外側上方に向けて設けられている。また、スピンチャック５２１の上方には、上面ノズル５２５が設けられている。各下面ノズル５２４には洗浄液供給管５２４ａが接続され、上面ノズル５２５には洗浄液供給管５２５ａが接続されている。洗浄液供給管５２４ａ，５２５ａを通して下面ノズル５２４および上面ノズル５２５に洗浄液が供給される。本実施の形態では、洗浄液として純水を用いる。
【０１２２】
基板Ｗの洗浄処理時には、基板Ｗがスピンチャック５２１に保持された状態で回転する。回転される基板Ｗの下面に向けて下面ノズル５２４から洗浄液が供給される。また、回転される基板Ｗの上面の中心部に向けて上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出された洗浄液は遠心力によって外方に広がる。それにより、基板Ｗの表面の全体および基板Ｗの裏面の周縁領域が洗浄される。
【０１２３】
スピンチャック５２１の外方には、端部洗浄部５３０が配置されている。端部洗浄部５３０は、基板Ｗの端部Ｒを洗浄するための洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は、保持部材５３２により保持され、ブラシ回転駆動機構５３４によって鉛直軸周りに回転駆動される。
【０１２４】
保持部材５３２にはアーム５３５が連結されている。アーム駆動機構５３６によってアーム５３５が駆動されることにより、洗浄ブラシ５３１が上下方向および水平方向に移動する。
【０１２５】
（３−２）洗浄ブラシの詳細
図６は、洗浄ブラシ５３１の詳細な構成を示す断面図である。図６に示すように、洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の下端部には、ブラシプレート５４１が取り付けられている。
【０１２６】
ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。
【０１２７】
本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。洗浄部材５４３の材料としては、例えばポリウレタンまたはナイロン等が用いられる。緩衝部材５４２および洗浄部材５４４の材料としては、例えばポリビニルアルコールが用いられる。
【０１２８】
（３−３）基板の端部の洗浄
上記のように、洗浄処理ユニットＳＤ１では、図６の洗浄ブラシ５３１により基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。以下、その詳細を説明する。
【０１２９】
上記のように、基板Ｗの洗浄処理時には、スピンチャック５２１により保持された基板Ｗが回転する。その回転する基板Ｗの端部Ｒに接触するように、洗浄ブラシ５３１がアーム駆動機構５３６によって移動する。その際、ブラシ回転駆動機構５３４によって洗浄ブラシ５３１が回転駆動される。
【０１３０】
図７は、基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１の回転方向を示す平面図である。図７に示すように、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとは互いに同じ方向に回転する。この場合、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの摺動速度が高くなり、効率良く基板Ｗの端部Ｒを洗浄することができる。
【０１３１】
なお、図５の下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出される洗浄液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により基板Ｗの裏面および表面を伝って端部Ｒに導かれ、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗの端部Ｒとの接触部分に供給される。
【０１３２】
ここで、本実施の形態で用いる基板Ｗの端部Ｒの具体的な形状について説明する。図８は、基板Ｗの端部Ｒの具体的な形状を示す側面図である。
【０１３３】
図８に示すように、基板Ｗの端部Ｒは、基板Ｗの外周部において基板Ｗの平坦な表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの平坦な裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および基板の表面または裏面に略垂直な端面領域Ｂを含む。なお、基板Ｗの表面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいい、基板Ｗの裏面とはその反対側の基板Ｗの面をいう。
【０１３４】
次に、洗浄ブラシ５３１による基板Ｗの端部Ｒの洗浄方法についてより詳細に説明する。図９は、洗浄ブラシ５３１による基板の端部Ｒの洗浄方法について説明するための模式的断面図である。
【０１３５】
まず、図９（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗに向かって水平方向に移動し、洗浄部材５４３が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられる。ここで、上記のように洗浄部材５４３は柔軟性が低い。そのため、洗浄部材５４３は基板Ｗの端面Ｒに押し当てられても大きく変形することがない。それにより、洗浄部材５４３は、ほぼ基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂ（図８）のみに接触する。
【０１３６】
続いて、洗浄部材５４３が基板Ｗの端部Ｒに接触する状態で洗浄ブラシ５３１が上方に移動する。それにより、図９（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の洗浄部材５４４が基板Ｗの裏面の周縁部に押し当てられる。ここで、上記のように洗浄部材５４４は柔軟性が高い。そのため、洗浄部材５４４は基板Ｗに押し当てられることによって変形する。それにより、洗浄部材５４４は、基板Ｗの裏面の周縁部および基板Ｗの端部の下ベベル領域Ｃ（図８）に接触する。
【０１３７】
このようにして、洗浄ブラシ５３１により、基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂ、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび基板Ｗの裏面の周縁部が洗浄される。
【０１３８】
この洗浄処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗの表面にほとんど接触しない。それにより、基板Ｗの表面に形成された膜が洗浄ブラシ５３１との接触によって損傷することが防止される。
【０１３９】
また、洗浄ブラシ５３１は基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａ（図８）にもほとんど接触しない。そのため、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａに膜が形成されている場合でも、膜の損傷が防止される。
【０１４０】
なお、基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１が偏心している場合、あるいはこれらが傾いている場合には、洗浄ブラシ５３１から基板Ｗに負荷が加わる。本実施の形態では、洗浄ブラシ５３１のブラシ軸５４０と洗浄部材５４３との間に緩衝部材５４２が設けられていることにより、洗浄ブラシ５３１から基板Ｗに加わる負荷が低減される。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【０１４１】
また、本実施の形態では、洗浄ブラシ５３１の緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部がブラシプレート５４１に固定されていることにより、緩衝部材５４２および洗浄部材５４３が撓むことが防止される。それにより、洗浄部材５４３が基板Ｗの表面に形成された膜に接触することがより確実に防止される。
【０１４２】
（３−４）洗浄ブラシの変形例
図１０は、洗浄ブラシ５３１の変形例を示す断面図である。図６に示した洗浄ブラシ５３１においては、洗浄部材５４４の上面がほぼ水平面に沿うように形成されているが、基板Ｗの形状等に応じて洗浄部材５４４の形状を変形させてもよい。
【０１４３】
図１０（ａ）に示す洗浄ブラシ５３１ａにおいては、洗浄部材５４４の上面が外側下方に傾斜するように形成されている。この場合、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｂに洗浄部材５４４をより確実に接触させることができる。それにより、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｂの洗浄効率を向上させることができる。
【０１４４】
また、図１０（ｂ）に示す洗浄ブラシ５３１ｂにおいては、洗浄部材５４４の上面が外側上方に傾斜するように形成されている。
【０１４５】
（４）洗浄ブラシの他の例
洗浄ブラシ５３１の代わりに、図１１に示す洗浄ブラシを用いてもよい。図１１は、洗浄ブラシの他の例を示す側面図である。
【０１４６】
図１１に示す洗浄ブラシ５５０は、鉛直軸周りに回転対称な形状を有し、上半分の領域が上洗浄部材５５１により構成され、下半分の領域が下洗浄部材５５２により構成されている。上洗浄部材５５１の外周面は外側上方に傾斜し、下洗浄部材５５２の外周面は外側下方に傾斜している。
【０１４７】
本実施の形態では、上洗浄部材５５１として非常に柔らかく柔軟性が高い材料が用いられ、下洗浄部材５５２として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。なお、上洗浄部材５５１としては図９の洗浄部材５４４よりも軟らかい材料を用いることが好ましく、下洗浄部材５５２としては図９の洗浄部材５４４と同程度の硬度を有する材料を用いることが好ましい。
【０１４８】
上洗浄部材５５１および下洗浄部材５５２の材料としては、例えばポリビニルアルコールが用いられる。なお、一般的にポリビニルアルコールはスポンジ状で用いられる。そのスポンジの気孔の量および大きさを調整することにより、上洗浄部材５５１を下洗浄部材５５２よりも軟らかく調整することができる。
【０１４９】
図１２は、洗浄ブラシ５５０による基板の端部Ｒの洗浄方法について説明するための図である。
【０１５０】
図１２（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５５０の上洗浄部材５５１が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、上洗浄部材５１１が変形して基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａおよび端面領域Ｂに接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａおよび端面領域Ｂが洗浄される。
【０１５１】
図１２（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５５０の下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、下洗浄部材５５２が変形して基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂに接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂが洗浄される。
【０１５２】
洗浄ブラシ５５０においては、上洗浄部材５１１が非常に軟らかい材料で形成されていることにより、図１２（ａ）の状態で上洗浄部材５１１が基板Ｗの表面に形成された膜に接触しても、その膜の損傷を抑制することができる。一方、基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃは、上洗浄部材５１１に比べて比較的硬い下洗浄部材５１１により十分な洗浄力で洗浄することができる。
【０１５３】
このように、洗浄ブラシ５５０を用いた場合には、基板Ｗの表面に形成された膜の損傷を抑制しつつ、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｂを十分に清浄にすることができる。
【０１５４】
（４−ａ）変形例
図１３は、図１１に示した洗浄ブラシ５５０の変形例を示す側面図である。図１１の洗浄ブラシ５５０と図１３の洗浄ブラシ５５０ａとが異なるのは、下洗浄部材５５２の上端部分が上洗浄部材５５１に置き換えられている点である。
【０１５５】
図１１の洗浄ブラシ５５０を用いた場合には、下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに強く押し当てられると（図１２（ｂ）参照）、下洗浄部材５５２の上端部分が、基板Ｗの表面または端部Ｒの上ベベル領域Ａに接触することがある。その場合、基板Ｗ状上の膜が損傷する可能性がある。
【０１５６】
それに対して、図１３の洗浄ブラシ５５０ａを用いた場合には、下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに強く押し当てられても、基板Ｗ上の膜に接触するのは上洗浄部材５５１であり、下洗浄部材５５２が基板Ｗ上の膜に接触することはない。したがって、基板Ｗ上の膜の損傷をより確実に防止することができる。
【０１５７】
（４−ｂ）他の変形例
図１４は、図１１に示した洗浄ブラシ５５０の他の変形例を示す側面図である。図１１の洗浄ブラシ５５０と図１４の洗浄ブラシ５５０ｂとが異なるのは、上半分の領域に、上洗浄部材５５１と研磨部材５５３とが周方向に交互に配置されている点である。
【０１５８】
洗浄ブラシ５５０ｂの上半分の領域が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａが研磨部材５５３によって研磨される。この場合、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａまたは端面領域Ｂに形成された膜の部分が削り取られる。研磨によって生じる粉塵等は、上洗浄部材５５１によって洗浄除去される。
【０１５９】
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶによる成膜処理の過程においては、基板Ｗの表面の周縁部または基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａに、余分に膜が形成されることがある。図１４の洗浄ブラシ５５０ｂを用いて基板Ｗの端部Ｒの洗浄を行った場合には、その余分な膜の部分を基板Ｗから除去することができる。
【０１６０】
なお、従来では、そのような余分な膜の部分を除去するため、各塗布ユニットにおいて成膜処理後の基板Ｗにエッジリンス処理が行われる。エッジリンス処理においては、余分な膜の部分が薬液によって溶解除去される。
【０１６１】
しかしながら、エッジリンス処理時に、所望の部分に精度良く薬液を供給することは困難である。そのため、余分な膜の部分を十分に除去することができなかったり、除去すべきでない膜の部分が除去されたりする。
【０１６２】
洗浄ブラシ５５０ｂを用いる場合には、除去すべき膜の部分に応じて、洗浄ブラシ５５０ｂの研磨部材５５３の形状等を調整することにより、余分に形成された膜の部分を精度良く確実に除去することができる。
【０１６３】
（５）実施の形態の効果
本実施の形態では、露光装置１６における露光処理前に、洗浄処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。それにより、端部Ｒが十分に清浄な状態で、基板Ｗを露光装置１６に搬入することができる。そのため、基板Ｗの端部Ｒの汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【０１６４】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗ上に形成された膜に損傷を与えることなく、基板Ｗの端部の所望の部分を確実に洗浄することができる。それにより、基板Ｗの処理不良の発生をより確実に防止することができる。
【０１６５】
（６）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄処理ユニットＳＤ１において、洗浄液として純水を用いるが、純水の代わりに界面活性剤、溶剤またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール薬液を用いてもよい。この場合、化学的洗浄によってより高い洗浄効果を得ることができる。
【０１６６】
また、端部洗浄部５３０を乾燥処理ユニットＳＤ２に設け、乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの端部Ｒを端部洗浄部５３０により洗浄した後、基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。この場合、現像処理ブロック１２において基板Ｗの端部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、端部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。
【０１６７】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２がインターフェースブロック１５以外のブロックに設けられてもよい。
【０１６８】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１、乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
【０１６９】
また、上記実施の形態では、露光処理前の基板Ｗの成膜処理および露光処理後の基板Ｗの現像処理を行ういわゆるコータデベロッパ装置内に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられる例について説明したが、他の装置に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられてもよい。例えば、成膜処理前の基板Ｗの洗浄処理を行ういわゆるスクラバ装置に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられてもよい。
【０１７０】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７１】
上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶが成膜処理ユニットの例であり、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２が基板洗浄装置の例である。
【０１７２】
また、スピンチャック５２１およびチャック回転駆動機構５２２が基板回転保持手段の例であり、ブラシ回転駆動機構５３４がブラシ回転手段の例であり、洗浄ブラシ５３１，５３１ａ，５３１ｂ，５５０，５５０ａ，５５０ｂが端部洗浄ブラシの例であり、洗浄部材５４３または下洗浄部材５５２が第１の洗浄部材の例であり、洗浄部材５４４または上洗浄部材５５１が第２の洗浄部材の例である。
【０１７３】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】洗浄ブラシの詳細な構成を示す断面図である。
【図７】基板および洗浄ブラシの回転方向を示す平面図である。
【図８】基板の端部の具体的な形状を示す側面図である。
【図９】洗浄ブラシによる基板の端部の洗浄方法について説明するための模式的断面図である。
【図１０】洗浄ブラシの変形例を示す断面図である。
【図１１】洗浄ブラシの他の例を示す側面図である。
【図１２】洗浄ブラシによる基板の端部の洗浄方法について説明するための図である。
【図１３】図１１に示した洗浄ブラシの変形例を示す側面図である。
【図１４】図１１に示した洗浄ブラシの他の変形例を示す側面図である。
【符号の説明】
【０１７６】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
５００ 基板処理装置
５２１ スピンチャック
５２２ チャック回転駆動機構
５３１，５３１ａ，５３１ｂ，５５０，５５０ａ，５５０ｂ 洗浄ブラシ
５３４ ブラシ回転駆動機構
５４３，５４４ 洗浄部材
５４２ 緩衝部材
５５１ 上洗浄部材
５５２ 下洗浄部材
ＳＤ１ 洗浄処理ユニット
ＳＤ２ 乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。
【０００８】
露光処理前には、基板に対して種々の成膜処理が施される。その成膜処理の過程で、基板の端部が汚染される場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００９】
本発明の目的は、基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光処理前の基板の一面に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、成膜処理後であって露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを含み、端部洗浄ブラシは、第１の材料からなる第１の洗浄部材と、第１の洗浄部材に一体的に設けられ、第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを有するものである。
【００１１】
この基板処理装置では、処理部において、成膜処理ユニットにより基板の一面に成膜処理が施される。成膜処理後の基板は、受け渡し部により処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、その基板は受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。成膜処理ユニットによる成膜処理後であって露光装置による露光処理前に、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
【００１２】
基板洗浄装置では、基板回転保持手段により基板が保持され、回転する。その状態で、基板の端部に端部洗浄ブラシが接触する。この場合、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。
【００１３】
それにより、端部が十分に清浄な状態で、基板を露光装置に搬入することができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【００１４】
（２）基板洗浄装置は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに含んでもよい。
【００１５】
この場合、端部洗浄ブラシをブラシ回転手段により回転させた状態で基板の端部に接触させることにより、端部洗浄ブラシと基板との摺動速度を高くすることができる。それにより、効率良く基板の端部を洗浄することができる。
【００１６】
（３）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、第１の洗浄部材の第１の洗浄面の一端部から第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、基板回転保持手段により保持された基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有してもよい。
【００１７】
この場合、第１の洗浄部材の第１の洗浄面が基板の端部の端面領域に押し当てられ、基板の端部の端面領域が洗浄される。第１の洗浄部材は比較的柔軟性が低い第１の材料からなるので、基板に押し当てられてもほとんど変形しない。そのため、第１の洗浄面は、基板の端部の端面領域のみに接触する。したがって、第１の洗浄面が基板の一面に形成された膜に接触することが防止され、膜の損傷が防止される。
【００１８】
また、第２の洗浄部材の第２の洗浄面が基板の他面の周縁領域に押し当てられる。第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、基板に押し当てられることによって変形する。そのため、第２の洗浄面は、基板の他面の周縁領域に加えて、基板の他面側のベベル領域に接触する。それにより、基板の他面の周縁領域および基板の他面側のベベル領域を洗浄することができる。
【００１９】
このように、基板の一面に形成された膜の損傷を防止しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００２０】
（４）第１の洗浄部材は円筒形状を有し、端部洗浄ブラシは、第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有してもよい。
【００２１】
この場合、緩衝部材によって、第１の洗浄部材から基板に加わる負荷を低減することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００２２】
（５）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有してもよい。
【００２３】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄部材の第５の洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられ、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。
【００２４】
また、第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、第２の洗浄部材が基板の一面に形成された膜に接触しても、膜の損傷が抑制される。
【００２５】
このように、基板の一面に形成された膜の損傷を防止しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００２６】
（６）端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を有する研磨部材をさらに含み、第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、研磨部材の研磨面と第２の洗浄部材の第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されてもよい。
【００２７】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
【００２８】
また、端部洗浄ブラシの研磨洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の一面側のベベル領域が研磨部材の研磨面により研磨される。それにより、基板の一面側のベベル領域に形成された余分な膜の部分が削り取られる。研磨によって生じる粉塵等は、第２の洗浄部材によって洗浄除去される。
【００２９】
このように、基板の一面に形成された膜の余分な部分を確実に除去しつつ基板の端部の所望の部分を十分に清浄にすることができる。
【００３０】
（７）第２の発明に係る基板洗浄装置は、一面および他面を有する基板を洗浄するための基板洗浄装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを備え、端部洗浄ブラシは、第１の材料からなる第１の洗浄部材と、第１の洗浄部材に一体的に設けられ、第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを含むものである。
【００３１】
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持され、回転する。その状態で、基板の端部に端部洗浄ブラシが接触する。この場合、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。
【００３２】
（８）基板洗浄装置は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに備えてもよい。
【００３３】
この場合、端部洗浄ブラシをブラシ回転手段により回転させた状態で基板の端部に接触させることにより、端部洗浄ブラシと基板との摺動速度を高くすることができる。それにより、効率良く基板の端部を洗浄することができる。
【００３４】
（９）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、第１の洗浄部材の第１の洗浄面の一端部から第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、基板回転保持手段により保持された基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有してもよい。
【００３５】
この場合、第１の洗浄部材の第１の洗浄面が基板の端部の端面領域に押し当てられ、基板の端部の端面領域が洗浄される。第１の洗浄部材は比較的柔軟性が低い第１の材料からなるので、基板に押し当てられてもほとんど変形しない。そのため、第１の洗浄面は、基板の端部の端面領域のみに接触する。したがって、基板の一面に膜が形成されていても、その膜の損傷が防止される。
【００３６】
また、第２の洗浄部材の第２の洗浄面が基板の他面の周縁領域に押し当てられる。第２の洗浄部材は比較的柔軟性が高い第２の材料からなるので、基板に押し当てられることによって変形する。そのため、第２の洗浄面は、基板の他面の周縁領域に加えて、基板の他面側のベベル領域に接触する。それにより、基板の他面の周縁領域および基板の他面側のベベル領域を洗浄することができる。
【００３７】
（１０）第１の洗浄部材は円筒形状を有し、端部洗浄ブラシは、第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有してもよい。
【００３８】
この場合、緩衝部材によって、第１の洗浄部材から基板に加わる負荷を低減することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００３９】
（１１）第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有してもよい。
【００４０】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられ、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄部材の第５の洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられ、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。
【００４１】
また、第２の洗浄部材は第１の洗浄部材よりも柔軟性が高いので、基板の一面に膜が形成されていても、その膜が損傷することが抑制される。
【００４２】
（１２）端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持された基板の一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を含む研磨部材をさらに含み、第１の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、第２の洗浄部材は、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、研磨部材の研磨面と第２の洗浄部材の第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されてもよい。
【００４３】
この場合、第１の洗浄部材の第４の洗浄面が基板の他面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
【００４４】
また、端部洗浄ブラシの研磨洗浄面が基板の一面側のベベル領域に押し当てられることにより、基板の一面側のベベル領域が研磨部材の研磨面により研磨される。そのため、基板の一面側のベベル領域に余分に膜が形成されている場合に、その余分な膜の部分を削り取ることができる。研磨によって生じる粉塵等は、第２の洗浄部材によって洗浄除去することができる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、柔軟性が異なる第１の洗浄部材と第２の洗浄部材とを基板の端部の領域に応じて選択的に接触させることより、基板の端部の所望の部分を効果的に洗浄することができる。それにより、端部が十分に清浄な状態で、基板を露光装置に搬入することができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００４７】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４８】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４９】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００５０】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００５１】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００５２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００５３】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００５５】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００５６】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００５７】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００５８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００５９】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００６０】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００６２】
インターフェースブロック１５は、洗浄処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗに洗浄処理を行い、乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗに乾燥処理を行う。
【００６３】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００６４】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００６５】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００６６】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００６７】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００６８】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００６９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００７０】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００７１】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００７２】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００７３】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７５】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７７】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７８】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００７９】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００８０】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００８１】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００８２】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００８３】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００８４】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００８５】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００８６】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００８８】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００８９】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００９１】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００９２】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００９５】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００９８】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９９】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【０１０１】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１０２】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【０１０４】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【０１０６】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１０７】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【０１０８】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１１０】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗに洗浄処理が行われる。
【０１１１】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄処理ユニットＳＤ１から洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１１２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１１３】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１１４】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１１５】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１１６】
乾燥処理ユニットＳＤ２において乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１１７】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１８】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１１９】
（３）洗浄処理ユニットについて
（３−１）構成
次に、洗浄処理ユニットＳＤ１の詳細について説明する。図５は、洗浄処理ユニットＳＤ１の構成を説明するための模式図である。図５に示すように、洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。
【０１２０】
スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５２２によって回転される回転軸５２３の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されている。スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１２１】
スピンチャック５２１の近傍には、複数（本例では２つ）の下面ノズル５２４が外側上方に向けて設けられている。また、スピンチャック５２１の上方には、上面ノズル５２５が設けられている。各下面ノズル５２４には洗浄液供給管５２４ａが接続され、上面ノズル５２５には洗浄液供給管５２５ａが接続されている。洗浄液供給管５２４ａ，５２５ａを通して下面ノズル５２４および上面ノズル５２５に洗浄液が供給される。本実施の形態では、洗浄液として純水を用いる。
【０１２２】
基板Ｗの洗浄処理時には、基板Ｗがスピンチャック５２１に保持された状態で回転する。回転される基板Ｗの下面に向けて下面ノズル５２４から洗浄液が供給される。また、回転される基板Ｗの上面の中心部に向けて上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出された洗浄液は遠心力によって外方に広がる。それにより、基板Ｗの表面の全体および基板Ｗの裏面の周縁領域が洗浄される。
【０１２３】
スピンチャック５２１の外方には、端部洗浄部５３０が配置されている。端部洗浄部５３０は、基板Ｗの端部Ｒを洗浄するための洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は、保持部材５３２により保持され、ブラシ回転駆動機構５３４によって鉛直軸周りに回転駆動される。
【０１２４】
保持部材５３２にはアーム５３５が連結されている。アーム駆動機構５３６によってアーム５３５が駆動されることにより、洗浄ブラシ５３１が上下方向および水平方向に移動する。
【０１２５】
（３−２）洗浄ブラシの詳細
図６は、洗浄ブラシ５３１の詳細な構成を示す断面図である。図６に示すように、洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の下端部には、ブラシプレート５４１が取り付けられている。
【０１２６】
ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。
【０１２７】
本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。洗浄部材５４３の材料としては、例えばポリウレタンまたはナイロン等が用いられる。緩衝部材５４２および洗浄部材５４４の材料としては、例えばポリビニルアルコールが用いられる。
【０１２８】
（３−３）基板の端部の洗浄
上記のように、洗浄処理ユニットＳＤ１では、図６の洗浄ブラシ５３１により基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。以下、その詳細を説明する。
【０１２９】
上記のように、基板Ｗの洗浄処理時には、スピンチャック５２１により保持された基板Ｗが回転する。その回転する基板Ｗの端部Ｒに接触するように、洗浄ブラシ５３１がアーム駆動機構５３６によって移動する。その際、ブラシ回転駆動機構５３４によって洗浄ブラシ５３１が回転駆動される。
【０１３０】
図７は、基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１の回転方向を示す平面図である。図７に示すように、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとは互いに同じ方向に回転する。この場合、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの摺動速度が高くなり、効率良く基板Ｗの端部Ｒを洗浄することができる。
【０１３１】
なお、図５の下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出される洗浄液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により基板Ｗの裏面および表面を伝って端部Ｒに導かれ、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗの端部Ｒとの接触部分に供給される。
【０１３２】
ここで、本実施の形態で用いる基板Ｗの端部Ｒの具体的な形状について説明する。図８は、基板Ｗの端部Ｒの具体的な形状を示す側面図である。
【０１３３】
図８に示すように、基板Ｗの端部Ｒは、基板Ｗの外周部において基板Ｗの平坦な表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの平坦な裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および基板の表面または裏面に略垂直な端面領域Ｂを含む。なお、基板Ｗの表面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいい、基板Ｗの裏面とはその反対側の基板Ｗの面をいう。
【０１３４】
次に、洗浄ブラシ５３１による基板Ｗの端部Ｒの洗浄方法についてより詳細に説明する。図９は、洗浄ブラシ５３１による基板の端部Ｒの洗浄方法について説明するための模式的断面図である。
【０１３５】
まず、図９（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗに向かって水平方向に移動し、洗浄部材５４３が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられる。ここで、上記のように洗浄部材５４３は柔軟性が低い。そのため、洗浄部材５４３は基板Ｗの端面Ｒに押し当てられても大きく変形することがない。それにより、洗浄部材５４３は、ほぼ基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂ（図８）のみに接触する。
【０１３６】
続いて、洗浄部材５４３が基板Ｗの端部Ｒに接触する状態で洗浄ブラシ５３１が上方に移動する。それにより、図９（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の洗浄部材５４４が基板Ｗの裏面の周縁部に押し当てられる。ここで、上記のように洗浄部材５４４は柔軟性が高い。そのため、洗浄部材５４４は基板Ｗに押し当てられることによって変形する。それにより、洗浄部材５４４は、基板Ｗの裏面の周縁部および基板Ｗの端部の下ベベル領域Ｃ（図８）に接触する。
【０１３７】
このようにして、洗浄ブラシ５３１により、基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂ、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび基板Ｗの裏面の周縁部が洗浄される。
【０１３８】
この洗浄処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗの表面にほとんど接触しない。それにより、基板Ｗの表面に形成された膜が洗浄ブラシ５３１との接触によって損傷することが防止される。
【０１３９】
また、洗浄ブラシ５３１は基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａ（図８）にもほとんど接触しない。そのため、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａに膜が形成されている場合でも、膜の損傷が防止される。
【０１４０】
なお、基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１が偏心している場合、あるいはこれらが傾いている場合には、洗浄ブラシ５３１から基板Ｗに負荷が加わる。本実施の形態では、洗浄ブラシ５３１のブラシ軸５４０と洗浄部材５４３との間に緩衝部材５４２が設けられていることにより、洗浄ブラシ５３１から基板Ｗに加わる負荷が低減される。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【０１４１】
また、本実施の形態では、洗浄ブラシ５３１の緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部がブラシプレート５４１に固定されていることにより、緩衝部材５４２および洗浄部材５４３が撓むことが防止される。それにより、洗浄部材５４３が基板Ｗの表面に形成された膜に接触することがより確実に防止される。
【０１４２】
（３−４）洗浄ブラシの変形例
図１０は、洗浄ブラシ５３１の変形例を示す断面図である。図６に示した洗浄ブラシ５３１においては、洗浄部材５４４の上面がほぼ水平面に沿うように形成されているが、基板Ｗの形状等に応じて洗浄部材５４４の形状を変形させてもよい。
【０１４３】
図１０（ａ）に示す洗浄ブラシ５３１ａにおいては、洗浄部材５４４の上面が外側下方に傾斜するように形成されている。この場合、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｂに洗浄部材５４４をより確実に接触させることができる。それにより、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｂの洗浄効率を向上させることができる。
【０１４４】
また、図１０（ｂ）に示す洗浄ブラシ５３１ｂにおいては、洗浄部材５４４の上面が外側上方に傾斜するように形成されている。
【０１４５】
（４）洗浄ブラシの他の例
洗浄ブラシ５３１の代わりに、図１１に示す洗浄ブラシを用いてもよい。図１１は、洗浄ブラシの他の例を示す側面図である。
【０１４６】
図１１に示す洗浄ブラシ５５０は、鉛直軸周りに回転対称な形状を有し、上半分の領域が上洗浄部材５５１により構成され、下半分の領域が下洗浄部材５５２により構成されている。上洗浄部材５５１の外周面は外側上方に傾斜し、下洗浄部材５５２の外周面は外側下方に傾斜している。
【０１４７】
本実施の形態では、上洗浄部材５５１として非常に柔らかく柔軟性が高い材料が用いられ、下洗浄部材５５２として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。なお、上洗浄部材５５１としては図９の洗浄部材５４４よりも軟らかい材料を用いることが好ましく、下洗浄部材５５２としては図９の洗浄部材５４４と同程度の硬度を有する材料を用いることが好ましい。
【０１４８】
上洗浄部材５５１および下洗浄部材５５２の材料としては、例えばポリビニルアルコールが用いられる。なお、一般的にポリビニルアルコールはスポンジ状で用いられる。そのスポンジの気孔の量および大きさを調整することにより、上洗浄部材５５１を下洗浄部材５５２よりも軟らかく調整することができる。
【０１４９】
図１２は、洗浄ブラシ５５０による基板の端部Ｒの洗浄方法について説明するための図である。
【０１５０】
図１２（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５５０の上洗浄部材５５１が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、上洗浄部材５１１が変形して基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａおよび端面領域Ｂに接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａおよび端面領域Ｂが洗浄される。
【０１５１】
図１２（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５５０の下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、下洗浄部材５５２が変形して基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂに接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒの下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂが洗浄される。
【０１５２】
洗浄ブラシ５５０においては、上洗浄部材５１１が非常に軟らかい材料で形成されていることにより、図１２（ａ）の状態で上洗浄部材５１１が基板Ｗの表面に形成された膜に接触しても、その膜の損傷を抑制することができる。一方、基板Ｗの端部Ｒの端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃは、上洗浄部材５１１に比べて比較的硬い下洗浄部材５１１により十分な洗浄力で洗浄することができる。
【０１５３】
このように、洗浄ブラシ５５０を用いた場合には、基板Ｗの表面に形成された膜の損傷を抑制しつつ、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｂを十分に清浄にすることができる。
【０１５４】
（４−ａ）変形例
図１３は、図１１に示した洗浄ブラシ５５０の変形例を示す側面図である。図１１の洗浄ブラシ５５０と図１３の洗浄ブラシ５５０ａとが異なるのは、下洗浄部材５５２の上端部分が上洗浄部材５５１に置き換えられている点である。
【０１５５】
図１１の洗浄ブラシ５５０を用いた場合には、下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに強く押し当てられると（図１２（ｂ）参照）、下洗浄部材５５２の上端部分が、基板Ｗの表面または端部Ｒの上ベベル領域Ａに接触することがある。その場合、基板Ｗ状上の膜が損傷する可能性がある。
【０１５６】
それに対して、図１３の洗浄ブラシ５５０ａを用いた場合には、下洗浄部材５５２が基板Ｗの端部Ｒに強く押し当てられても、基板Ｗ上の膜に接触するのは上洗浄部材５５１であり、下洗浄部材５５２が基板Ｗ上の膜に接触することはない。したがって、基板Ｗ上の膜の損傷をより確実に防止することができる。
【０１５７】
（４−ｂ）他の変形例
図１４は、図１１に示した洗浄ブラシ５５０の他の変形例を示す側面図である。図１１の洗浄ブラシ５５０と図１４の洗浄ブラシ５５０ｂとが異なるのは、上半分の領域に、上洗浄部材５５１と研磨部材５５３とが周方向に交互に配置されている点である。
【０１５８】
洗浄ブラシ５５０ｂの上半分の領域が基板Ｗの端部Ｒに押し当てられると、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａが研磨部材５５３によって研磨される。この場合、基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａまたは端面領域Ｂに形成された膜の部分が削り取られる。研磨によって生じる粉塵等は、上洗浄部材５５１によって洗浄除去される。
【０１５９】
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶによる成膜処理の過程においては、基板Ｗの表面の周縁部または基板Ｗの端部Ｒの上ベベル領域Ａに、余分に膜が形成されることがある。図１４の洗浄ブラシ５５０ｂを用いて基板Ｗの端部Ｒの洗浄を行った場合には、その余分な膜の部分を基板Ｗから除去することができる。
【０１６０】
なお、従来では、そのような余分な膜の部分を除去するため、各塗布ユニットにおいて成膜処理後の基板Ｗにエッジリンス処理が行われる。エッジリンス処理においては、余分な膜の部分が薬液によって溶解除去される。
【０１６１】
しかしながら、エッジリンス処理時に、所望の部分に精度良く薬液を供給することは困難である。そのため、余分な膜の部分を十分に除去することができなかったり、除去すべきでない膜の部分が除去されたりする。
【０１６２】
洗浄ブラシ５５０ｂを用いる場合には、除去すべき膜の部分に応じて、洗浄ブラシ５５０ｂの研磨部材５５３の形状等を調整することにより、余分に形成された膜の部分を精度良く確実に除去することができる。
【０１６３】
（５）実施の形態の効果
本実施の形態では、露光装置１６における露光処理前に、洗浄処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。それにより、端部Ｒが十分に清浄な状態で、基板Ｗを露光装置１６に搬入することができる。そのため、基板Ｗの端部Ｒの汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【０１６４】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗ上に形成された膜に損傷を与えることなく、基板Ｗの端部の所望の部分を確実に洗浄することができる。それにより、基板Ｗの処理不良の発生をより確実に防止することができる。
【０１６５】
（６）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄処理ユニットＳＤ１において、洗浄液として純水を用いるが、純水の代わりに界面活性剤、溶剤またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール薬液を用いてもよい。この場合、化学的洗浄によってより高い洗浄効果を得ることができる。
【０１６６】
また、端部洗浄部５３０を乾燥処理ユニットＳＤ２に設け、乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの端部Ｒを端部洗浄部５３０により洗浄した後、基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。この場合、現像処理ブロック１２において基板Ｗの端部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、端部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。
【０１６７】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２がインターフェースブロック１５以外のブロックに設けられてもよい。
【０１６８】
また、洗浄処理ユニットＳＤ１、乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
【０１６９】
また、上記実施の形態では、露光処理前の基板Ｗの成膜処理および露光処理後の基板Ｗの現像処理を行ういわゆるコータデベロッパ装置内に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられる例について説明したが、他の装置に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられてもよい。例えば、成膜処理前の基板Ｗの洗浄処理を行ういわゆるスクラバ装置に洗浄処理ユニットＳＤ１が設けられてもよい。
【０１７０】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７１】
上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶが成膜処理ユニットの例であり、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２が基板洗浄装置の例である。
【０１７２】
また、スピンチャック５２１およびチャック回転駆動機構５２２が基板回転保持手段の例であり、ブラシ回転駆動機構５３４がブラシ回転手段の例であり、洗浄ブラシ５３１，５３１ａ，５３１ｂ，５５０，５５０ａ，５５０ｂが端部洗浄ブラシの例であり、洗浄部材５４３または下洗浄部材５５２が第１の洗浄部材の例であり、洗浄部材５４４または上洗浄部材５５１が第２の洗浄部材の例である。
【０１７３】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】洗浄ブラシの詳細な構成を示す断面図である。
【図７】基板および洗浄ブラシの回転方向を示す平面図である。
【図８】基板の端部の具体的な形状を示す側面図である。
【図９】洗浄ブラシによる基板の端部の洗浄方法について説明するための模式的断面図である。
【図１０】洗浄ブラシの変形例を示す断面図である。
【図１１】洗浄ブラシの他の例を示す側面図である。
【図１２】洗浄ブラシによる基板の端部の洗浄方法について説明するための図である。
【図１３】図１１に示した洗浄ブラシの変形例を示す側面図である。
【図１４】図１１に示した洗浄ブラシの他の変形例を示す側面図である。
【符号の説明】
【０１７６】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
５００ 基板処理装置
５２１ スピンチャック
５２２ チャック回転駆動機構
５３１，５３１ａ，５３１ｂ，５５０，５５０ａ，５５０ｂ 洗浄ブラシ
５３４ ブラシ回転駆動機構
５４３，５４４ 洗浄部材
５４２ 緩衝部材
５５１ 上洗浄部材
５５２ 下洗浄部材
ＳＤ１ 洗浄処理ユニット
ＳＤ２ 乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、露光処理前の基板の一面に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、成膜処理後であって露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、
前記基板洗浄装置は、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを含み、
前記端部洗浄ブラシは、
第１の材料からなる第１の洗浄部材と、
前記第１の洗浄部材に一体的に設けられ、前記第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板洗浄装置は、
前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記第１の洗浄部材の前記第１の洗浄面の一端部から前記第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の洗浄部材は円筒形状を有し、
前記端部洗浄ブラシは、前記第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、前記第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記端部洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を有する研磨部材をさらに含み、
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、
前記研磨部材の前記研磨面と前記第２の洗浄部材の前記第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項７】
一面および他面を有する基板を洗浄するための基板洗浄装置であって、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを備え、
前記端部洗浄ブラシは、
第１の材料からなる第１の洗浄部材と、
前記第１の洗浄部材に一体的に設けられ、前記第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項８】
前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに備えることを特徴とする請求項７記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記第１の洗浄部材の前記第１の洗浄面の一端部から前記第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有することを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記第１の洗浄部材は円筒形状を有し、
前記端部洗浄ブラシは、前記第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、前記第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有することを特徴とする請求項９記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有することを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記端部洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を含む研磨部材をさらに含み、
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、
前記研磨部材の前記研磨面と前記第２の洗浄部材の前記第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されることを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、露光処理前の基板の一面に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、成膜処理後であって露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、
前記基板洗浄装置は、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを含み、
前記端部洗浄ブラシは、
第１の材料からなる第１の洗浄部材と、
前記第１の洗浄部材に一体的に設けられ、前記第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板洗浄装置は、
前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記第１の洗浄部材の前記第１の洗浄面の一端部から前記第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の洗浄部材は円筒形状を有し、
前記端部洗浄ブラシは、前記第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、前記第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記端部洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を有する研磨部材をさらに含み、
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、
前記研磨部材の前記研磨面と前記第２の洗浄部材の前記第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項７】
一面および他面を有する基板を洗浄するための基板洗浄装置であって、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシとを備え、
前記端部洗浄ブラシは、
第１の材料からなる第１の洗浄部材と、
前記第１の洗浄部材に一体的に設けられ、前記第１の材料よりも柔軟性が高い第２の材料からなる第２の洗浄部材とを含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項８】
前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段をさらに備えることを特徴とする請求項７記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向に軸心を有する円筒状の第１の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記第１の洗浄部材の前記第１の洗浄面の一端部から前記第１の洗浄面に略垂直な方向に延び、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面の周縁領域に接触可能な第２の洗浄面を有することを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記第１の洗浄部材は円筒形状を有し、
前記端部洗浄ブラシは、前記第１の洗浄部材の内周面に沿って設けられ、前記第１の洗浄部材よりも柔軟性が高い緩衝部材をさらに有することを特徴とする請求項９記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第５の洗浄面を有することを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記端部洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域を研磨するための研磨面を含む研磨部材をさらに含み、
前記第１の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面を有し、
前記第２の洗浄部材は、前記基板回転保持手段により保持された基板の前記一面側のベベル領域に接触可能な第６の洗浄面を有し、
前記研磨部材の前記研磨面と前記第２の洗浄部材の前記第６の洗浄面とによりテーパ状の研磨洗浄面が形成されることを特徴とする請求項７または８記載の基板洗浄装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００９−２３１５５３（Ｐ２００９−２３１５５３Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７５４６０（Ｐ２００８−７５４６０）
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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