基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の裏面を洗浄するための基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光処理前における種々の成膜処理の過程で、基板の裏面が汚染する場合がある。その場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じて、基板が不安定な状態となる。そのため、露光処理時に、露光レンズの焦点が基板上のレジスト膜の表面から外れるデフォーカスが発生することがある。それにより、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００６】
そこで、各種の成膜処理後に、基板の裏面を洗浄することが提案されている。しかしながら、基板上に形成されたレジスト膜に洗浄液等の液体が付着すると、レジスト膜と液体とが反応し、レジスト膜の状態が変化する。それにより、その後のレジスト膜の処理を正常に行うことができなくなる。
【０００７】
本発明の目的は、基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置は、基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の上面に気体を供給する気体供給手段と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、基板回転保持装置により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。
【０００９】
この基板洗浄装置においては、回転部材の下側に設けられた保持部材により、回転部材の下側に配置された基板の外周端部が保持される。そして、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転部材が回転する。それにより、基板が略水平に保持された状態で回転する。
【００１０】
回転する基板の上面に、基板供給手段により気体が供給される。また、回転する基板の下面に、洗浄液供給手段により洗浄液が供給されるとともに洗浄具が接触する。この場合、基板の上面に洗浄液が付着することを防止しつつ基板の下面を洗浄することができる。
【００１１】
それにより、基板の上面に感光性膜が形成されていても、感光性膜と洗浄液との接触が防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の下面に付着する汚染物を取り除くことにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。これらにより、基板の処理不良の発生を確実に防止することができる。
【００１２】
また、この基板洗浄装置では、回転駆動機構が基板の上方にあるので、回転する基板の下方に十分なスペースが形成される。そのスペースにおいて洗浄具および洗浄液供給手段による基板の下面の洗浄を行うことができるので、基板の下面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【００１３】
（２）基板回転保持装置は、保持部材により保持される基板の上面に対向するように回転部材の下側に設けられた遮断板をさらに含み、気体供給手段は、遮断板と基板との間に気体を供給してもよい。
【００１４】
この場合、遮断板によって遮断された基板の上方の空間が、気体供給手段から供給された気体によって満たされる。それにより、基板の下面に供給される洗浄液が基板の上面に回り込むことが確実に防止され、基板の上面に洗浄液が付着することが確実に防止される。
【００１５】
（３）回転駆動機構は、鉛直方向に延びる中空の回転軸を有し、回転部材は、中央部に開口を有するとともに回転軸と一体的に回転するように回転軸に取り付けられ、気体供給手段は、回転駆動機構の回転軸内および回転部材の開口に挿通され、回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように回転駆動機構に支持された金属製の外管と、外管内に挿入されるとともに基板の上面に対向する端部に吐出口を有し、吐出口から基板に気体を供給する樹脂製の内管とを含んでもよい。
【００１６】
この場合、金属製の外管が、回転軸の内周面との間に一定の隙間が形成されるように回転駆動機構に支持されているので、回転軸が回転する場合においても、外管と回転軸の内周面との間の隙間が一定に保たれる。したがって、外管および回転軸の摩耗が防止される。
【００１７】
また、外管が回転駆動機構に支持されているので、回転駆動機構が振動した場合でも、回転軸と外管との位置関係が保持される。それにより、外管が回転軸に接触することが確実に防止される。
【００１８】
また、樹脂製の内管は可撓性を有するので、外管内に容易に挿入することができる。さらに、内管を外管内に挿入することにより、気体供給手段がコンパクトになる。
【００１９】
（４）基板洗浄装置は、回転軸が鉛直方向に延びるように回転駆動機構を支持する支持部材をさらに備え、外管はフランジ部を有し、フランジ部が支持部材に固定されてもよい。
【００２０】
この場合、回転駆動機構が支持部材により支持され、外管のフランジ部が支持部材に固定される。それにより、外管がフランジ部および支持部材を介して回転駆動機構に確実に固定される。また、外管のフランジ部を支持部材に取り付けることにより、外管および内管を回転駆動機構に容易に固定することができる。したがって、基板処理装置の製造がさらに容易となる。
【００２１】
（５）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置を含み、基板洗浄装置は、表面を上方に向けて基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の表面に気体を供給する気体供給手段と、基板回転保持装置により保持される基板の裏面を洗浄するための洗浄具と、基板回転保持装置により保持される基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。
【００２２】
この基板処理装置においては、処理部において感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性膜が形成され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前には、基板洗浄装置により基板の裏面が洗浄される。
【００２３】
基板洗浄装置においては、回転部材の下側に設けられた保持部材により、表面を上方に向けて回転部材の下側に配置された基板の外周端部が保持される。そして、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転部材が回転する。それにより、基板が略水平に保持された状態で回転する。
【００２４】
回転する基板の表面に、基板供給手段により気体が供給される。また、回転する基板の裏面に、洗浄液供給手段により洗浄液が供給されるとともに洗浄具が接触する。この場合、基板の表面に洗浄液が付着することを防止しつつ基板の裏面を洗浄することができる。
【００２５】
これにより、基板の表面に形成された感光性膜に洗浄液が接触することが防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の裏面に付着する汚染物を取り除くことにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。これらにより、基板の処理不良の発生を確実に防止することができる。
【００２６】
また、この基板洗浄装置では、回転駆動機構が基板の上方にあるので、回転する基板の下方に十分なスペースが形成される。そのスペースにおいて洗浄具および洗浄液供給手段による基板の裏面の洗浄を行うことができるので、基板の裏面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【００２７】
また、基板の裏面を下方に向けたまま基板の裏面を洗浄することができるので、基板の裏面が上方に向けられる場合と異なり、基板の裏面に供給された洗浄液が重力で基板の表面側に流れ込むことがない。その結果、基板の表面に洗浄液が付着することをより確実に防止することができる。また、基板を反転させるための反転機構を設ける必要がないので、基板処理装置の大型化および高コスト化を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、感光性膜と洗浄液との接触が防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の下面に付着する汚染物が取り除かれることにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することが確実に防止される。また、回転する基板の下方に十分なスペースが形成されるので、基板の下面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３０】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３１】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３２】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３３】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３５】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３６】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００３７】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００３８】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００３９】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。露光後ベーク用熱処理部１２１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部７０は第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４０】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、第４のセンターロボットＣＲ４、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ９およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲを含む。裏面洗浄処理ユニットＢＣは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理（以下、裏面洗浄処理と呼ぶ）を行う。ここで、基板Ｗの上面とは上方に向けられた基板Ｗの面をいい、基板Ｗの下面とは下方に向けられた基板Ｗの面をいう。また、基板Ｗの表面とは、各処理ブロックにおいて種々の膜が形成される面をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。裏面洗浄処理ユニットＢＣの詳細は後述する。
【００４２】
また、第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４３】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００４４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００４５】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００４７】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００４８】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷが配置されている。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００４９】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５１】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１２１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５２】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００５３】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の裏面洗浄処理ユニットＢＣが積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００５４】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に積層配置される。
【００５５】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００５６】
（１−２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００５７】
（１−２−１）インデクサブロックから現像処理ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック９から現像処理ブロック１２までの動作について簡単に説明する。
【００５８】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００５９】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００６０】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６１】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６２】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００６３】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６４】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００６５】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００６６】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６７】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００６８】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により現像処理ブロック１２の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入される。
【００６９】
露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７１】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００７２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００７４】
（１−２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００７５】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック１２（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００７７】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＢＣのいずれかに搬入する。裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が施される。
【００７８】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第４のセンターロボットＣＲ４は、裏面洗浄処理ユニットＢＣから裏面洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００７９】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００８０】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、裏面洗浄処理ユニットＢＣから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００８１】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【００８２】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理ブロック１２（図１）の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬送する。
【００８４】
なお、現像処理ユニットＤＥＶ（図２）の故障等により、現像処理ブロック１２が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００８５】
（３）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＢＣについて図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図６には、裏面洗浄処理ユニットＢＣの一部の構成要素が模式的に示される。
【００８６】
なお、本実施の形態において、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、図示しない筐体を備え、その筐体の内部に以下の構成要素が設けられる。
【００８７】
図５および図６に示すように、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６００を備える。スピンチャック６００は、スピンモータ２００、回転軸２１０、円板状のスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、円板状の遮断板５２５、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【００８８】
裏面洗浄処理ユニットＢＣの上部にスピンモータ２００が設けられている。スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓによって支持されている。モータ支持部材２００ｓは、鉛直方向に延びる貫通孔２００ｈを有し、モータ固定部２９０に取り付けられている。モータ固定部２９０は、図示しない裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に取り付けられている。
【００８９】
スピンモータ２００の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸２１０が設けられている。回転軸２１０はスピンモータ２００の出力軸として機能する。
【００９０】
回転軸２１０の下端部にはプレート支持部材５１０が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材５１０は円筒形状を有する。プレート支持部材５１０によりスピンプレート５２０が水平に支持されている。プレート支持部材５１０およびスピンプレート５２０の下面に遮断板５２５が固定部材５２５ａ，５２５ｂにより水平に固定されている。遮断板５２５の中心部には、貫通孔５２５ｈが形成されている。スピンモータ２００によって回転軸２１０が回転することにより、プレート支持部材５１０、スピンプレート５２０および遮断板５２５が鉛直軸の周りで一体的に回転する。
【００９１】
モータ支持部材２００ｓの貫通孔２００ｈ、スピンモータ２００の回転軸２１０の内部、およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００が挿通されている。流体供給管４００を通して、スピンチャック６００により保持される基板Ｗ上に気体を供給することができる。流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細は後述する。
【００９２】
スピンプレート５２０の周縁部には、複数（図６においては５つ）のチャックピン６１５が回転軸２１０に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【００９３】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート５２０を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート５２０の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【００９４】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【００９５】
スピンプレート５２０の上方には、回転軸２１０を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【００９６】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
【００９７】
スピンチャック６００の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６００の回転軸２１０に関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【００９８】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６００の回転軸２１０を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【００９９】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１００】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣの下部には、略円柱形状の裏面洗浄ブラシ６３０が配置されている。裏面洗浄ブラシ６３０はモータ６３５の回転軸に取り付けられており、鉛直軸の周りで回転駆動される。モータ６３５はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１は、ブラシ移動機構６３２によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および上下方向に移動する。
【０１０１】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として純水が用いられる。
【０１０２】
（４）流体供給管の詳細
図５の流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細を図７および図８を参照しつつ説明する。図７は主として図５の流体供給管４００の構造を示す縦断面図である。図８（ａ）は図５の流体供給管４００の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管４００の先端部の平面図である。
【０１０３】
上述のように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。
【０１０４】
図７に示すように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓの上方で湾曲し、水平方向に延びている。以下の説明において、鉛直方向に延びる直管部の端部を先端部と呼び、水平方向に延びる直管部の端部を後端部と呼ぶ。
【０１０５】
流体供給管４００において、鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。また、後端部には第２フランジＦＲ２が一体形成されている。
【０１０６】
第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定され、第２フランジＦＲ２が管固定部２８０に固定される。管固定部２８０は、図示しない裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に取り付けられる。
【０１０７】
これにより、流体供給管４００は、管固定部２８０、モータ支持部材２００ｓおよびモータ固定部２９０により、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に固定される。
【０１０８】
上述のように、スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓにより支持されている。これにより、流体供給管４００がモータ支持部材２００ｓに取り付けられることにより、スピンモータ２００が動作する場合でも、流体供給管４００とスピンモータ２００との位置関係が保たれる。したがって、流体供給管４００に位置ずれが発生することが防止される。
【０１０９】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に気体供給管４２０が収容された構造を有する。気体供給管４２０は基板Ｗに気体（本例ではＮ２ガス）を供給するために用いられる。
【０１１０】
本実施の形態において、ガイド管４１０はステンレス鋼からなる。気体供給管４２０はＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等のフッ素樹脂からなる。
【０１１１】
図８（ａ）に示すように、気体供給管４２０は、その先端部が遮断板５２５の貫通孔５２５ｈから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスを確実に供給することができる。なお、気体供給管４２０の先端部を遮断板５２５に固定してもよい。
【０１１２】
流体供給管４００の先端部の周辺部材について説明する。本例では、回転軸２１０は約２０ｍｍの内径を有し、ガイド管４１０は約１８ｍｍの外径を有する。これにより、流体供給管４００が図７のモータ支持部材２００ｓおよび管固定部２８０に取り付けられた状態で、回転軸２１０とガイド管４１０との間に約１ｍｍのギャップＧＡが形成される。
【０１１３】
流体供給管４００の先端部近傍において、回転軸２１０には、略円筒形状を有するプレート支持部材５１０が取り付けられている。プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈは、軸心に沿って階段状に形成されている。
【０１１４】
プレート支持部材５１０を回転軸２１０に取り付ける際には、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈと回転軸２１０の外周面との間の隙間に円筒形状のパッド固定片５１２を嵌め込み、パッド固定片５１２をプレート支持部材５１０のねじ受け部５１１にネジ止めする。これにより、プレート支持部材５１０が回転軸２１０の先端部に確実に固定される。
【０１１５】
プレート支持部材５１０の下端部近傍には、フランジ５１０Ｆが形成されている。フランジ５１０Ｆとスピンプレート５２０とがネジ止めされることにより、スピンプレート５２０が回転軸２１０に固定される。
【０１１６】
図７に戻り、流体供給管４００の後端部には、上述のように第２フランジＦＲ２が形成されている。そして、第２フランジＦＲ２は管固定部２８０に固定される。また、流体供給管４００の後端部近傍には、供給管固定部４９０が設けられる。供給管固定部４９０において、気体供給管４２０がガイド管４１０に固定される。
【０１１７】
気体供給管４２０は、ガイド管４１０の後端部から外部に延びている。ガイド管４１０の後端部から延びる気体供給管４２０の後端部は、図示しない気体供給装置に接続される。気体供給装置から気体供給管４２０にＮ２ガスが供給されることにより、基板ＷにＮ２ガスが供給される。
【０１１８】
（５）基板の保持動作
スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作について説明する。図９および図１０は、スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１１９】
まず、図９（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート５２０の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１２０】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
【０１２１】
続いて、図９（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０１２２】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１２３】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【０１２４】
（６）裏面洗浄処理
図１１および図１２は、基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【０１２５】
図１１に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスが供給される。これにより、遮断板５２５と基板Ｗとの間で、基板Ｗの中心部上から外側に向かうＮ２ガスの気流が形成される。
【０１２６】
その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。そして、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動し、基板Ｗの裏面の全域に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１２７】
続いて、図１２（ａ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１２８】
したがって、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２において、基板Ｗの外周端部の下面側の部分を洗浄ブラシ６３０により洗浄することができる。
【０１２９】
なお、本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃがマグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間しても、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１３０】
裏面洗浄処理の終了後、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【０１３１】
（７）実施の形態の効果
本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいて露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が行われる。この場合、基板Ｗの表面に継続的にＮ２ガスが供給される状態で、基板Ｗの裏面が洗浄ブラシ６３０により洗浄される。それにより、基板Ｗの表面に液体が付着することを防止しつつ基板Ｗの裏面に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。
【０１３２】
したがって、露光処理時に基板Ｗの裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。また、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜に液体が付着することが防止され、レジスト膜の状態を正常に維持することができる。これらにより、基板Ｗの処理不良の発生を確実に防止することができる。
【０１３３】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、基板Ｗを保持するスピンチャック６００が基板Ｗの上方に位置する。そのため、基板Ｗの裏面を下方に向けたまま洗浄ブラシ６３０により基板Ｗの裏面の全域を洗浄することが可能である。したがって、基板Ｗの裏面が上方に向けられる場合と異なり、基板Ｗの裏面に供給された液体が重力で基板Ｗの表面側に流れ込むことがない。その結果、基板Ｗの表面に液体が付着することをより確実に防止することができる。また、基板Ｗを反転させるための反転機構を設ける必要がないので、基板処理装置５００の大型化および高コスト化を抑制することができる。
【０１３４】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、スピンモータ２００の回転軸２１０内およびプレート支持部材５１０の内部に、流体供給管４００のステンレス製のガイド管４１０が挿通されている。ガイド管４１０は、回転軸２１０の内周面との間にギャップＧＡが形成されるようにスピンモータ２００を支持するモータ支持部材２００ｓに支持されている。ステンレス製のガイド管４１０は、高い剛性を有するので、回転軸２１０が回転する場合においても、ガイド管４１０と回転軸２１０の内周面との間のギャップＧＡが一定に保たれる。それにより、ガイド管４１０が回転軸２１０に接触することが確実に防止される。
【０１３５】
また、ガイド管４１０がスピンモータ２００に支持されているので、スピンモータ２００が振動した場合でも、回転軸２１０とガイド管４１０との位置関係が保持される。それにより、ガイド管４１０が回転軸２１０に接触することがより確実に防止される。
【０１３６】
また、樹脂製の気体供給管４２０は可撓性を有するので、ガイド管４１０内に容易に挿入することができる。
【０１３７】
また、気体供給管４２０が挿入されたガイド管４１０をスピンモータ２００に取り付けることにより流体供給管４００を容易に裏面洗浄処理ユニットＢＣに組み付けることができる。
【０１３８】
具体的には、スピンモータ２００がモータ支持部材２００ｓにより支持され、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定される。それにより、ガイド管４１０が第１フランジＦＲ１およびモータ支持部材２００ｓを介してスピンモータ２００に確実に固定される。また、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１をモータ支持部材２００ｓに取り付けることにより、流体供給管４００をスピンモータ２００に容易に固定することができる。したがって、裏面洗浄処理ユニットＢＣの製造がさらに容易となる。
【０１３９】
（７）変形例
（７−１）
上記実施の形態では、流体供給管４００のガイド管４１０がステンレス鋼により形成される旨を説明したが、ガイド管４１０を形成する材料としては、ステンレス鋼の他、鉄、銅、青銅、黄銅、アルミニウム、銀、または金等の強靭な金属材料を用いることができる。
【０１４０】
また、気体供給管４２０がフッ素樹脂により形成される旨を説明したが、気体供給管４２０を形成する材料としては、フッ素樹脂の他ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）またはＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等のフレキシブル性を有する樹脂材料を用いることもできる。
【０１４１】
（７−２）
裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいて、遮断板５２５を設けずに、スピンプレート５２０と基板Ｗと近接させてその間の空間にＮ２ガスを供給してもよい。
【０１４２】
（７−３）
裏面洗浄処理ユニットＢＣ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１４３】
（７−４）
また、上記実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣがインターフェースブロック１５内に配置されるが、裏面洗浄処理ユニットＢＣが図１に示す現像処理ブロック１２内に配置されてもよい。あるいは、裏面洗浄処理ユニットＢＣを含む裏面洗浄処理ブロックを図１に示す現像処理ブロック１２とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１４４】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４５】
上記実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣが基板洗浄装置の例であり、スピンチャック６００が基板回転保持装置の例であり、流体供給管４００が気体供給手段の例であり、裏面洗浄ブラシ６３０が洗浄具の例であり、洗浄ノズル６３３が洗浄液供給手段の例であり、スピンプレート５２０が回転部材の例であり、スピンモータ２００および回転軸２１０が回転駆動機構の例であり、保持部６１５ｃが保持部材の例であり、ガイド管４１０が外管の例であり、気体供給管４２０が内管の例であり、モータ支持部材２００ｓが支持部材の例であり、第１フランジＦＲ１がフランジ部の例である。
【０１４６】
また、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１および現像処理ブロック１２が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例である。
【０１４７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の側面図である。
【図４】インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図５】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図７】主として図５の流体供給管の構造を示す縦断面図である。
【図８】（ａ）は図５の流体供給管の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管の先端部の平面図である。
【図９】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１０】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１１】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１２】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
２００ スピンモータ
２１０ 回転軸
４００ 流体供給管
４１０ ガイド管
４２０ 気体供給管
５００ 基板処理装置
５２０ スピンプレート
６００ スピンチャック
６１５ チャックピン
６１５ｃ 保持部
６３０ 裏面洗浄ブラシ
６３３ 洗浄ノズル
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＢＣ 裏面洗浄処理ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ４ 第１〜第４のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の裏面を洗浄するための基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光処理前における種々の成膜処理の過程で、基板の裏面が汚染する場合がある。その場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じて、基板が不安定な状態となる。そのため、露光処理時に、露光レンズの焦点が基板上のレジスト膜の表面から外れるデフォーカスが発生することがある。それにより、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００６】
そこで、各種の成膜処理後に、基板の裏面を洗浄することが提案されている。しかしながら、基板上に形成されたレジスト膜に洗浄液等の液体が付着すると、レジスト膜と液体とが反応し、レジスト膜の状態が変化する。それにより、その後のレジスト膜の処理を正常に行うことができなくなる。
【０００７】
本発明の目的は、基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置は、基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の上面に気体を供給する気体供給手段と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、基板回転保持装置により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。
【０００９】
この基板洗浄装置においては、回転部材の下側に設けられた保持部材により、回転部材の下側に配置された基板の外周端部が保持される。そして、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転部材が回転する。それにより、基板が略水平に保持された状態で回転する。
【００１０】
回転する基板の上面に、基板供給手段により気体が供給される。また、回転する基板の下面に、洗浄液供給手段により洗浄液が供給されるとともに洗浄具が接触する。この場合、基板の上面に洗浄液が付着することを防止しつつ基板の下面を洗浄することができる。
【００１１】
それにより、基板の上面に感光性膜が形成されていても、感光性膜と洗浄液との接触が防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の下面に付着する汚染物を取り除くことにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。これらにより、基板の処理不良の発生を確実に防止することができる。
【００１２】
また、この基板洗浄装置では、回転駆動機構が基板の上方にあるので、回転する基板の下方に十分なスペースが形成される。そのスペースにおいて洗浄具および洗浄液供給手段による基板の下面の洗浄を行うことができるので、基板の下面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【００１３】
（２）基板回転保持装置は、保持部材により保持される基板の上面に対向するように回転部材の下側に設けられた遮断板をさらに含み、気体供給手段は、遮断板と基板との間に気体を供給してもよい。
【００１４】
この場合、遮断板によって遮断された基板の上方の空間が、気体供給手段から供給された気体によって満たされる。それにより、基板の下面に供給される洗浄液が基板の上面に回り込むことが確実に防止され、基板の上面に洗浄液が付着することが確実に防止される。
【００１５】
（３）回転駆動機構は、鉛直方向に延びる中空の回転軸を有し、回転部材は、中央部に開口を有するとともに回転軸と一体的に回転するように回転軸に取り付けられ、気体供給手段は、回転駆動機構の回転軸内および回転部材の開口に挿通され、回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように回転駆動機構に支持された金属製の外管と、外管内に挿入されるとともに基板の上面に対向する端部に吐出口を有し、吐出口から基板に気体を供給する樹脂製の内管とを含んでもよい。
【００１６】
この場合、金属製の外管が、回転軸の内周面との間に一定の隙間が形成されるように回転駆動機構に支持されているので、回転軸が回転する場合においても、外管と回転軸の内周面との間の隙間が一定に保たれる。したがって、外管および回転軸の摩耗が防止される。
【００１７】
また、外管が回転駆動機構に支持されているので、回転駆動機構が振動した場合でも、回転軸と外管との位置関係が保持される。それにより、外管が回転軸に接触することが確実に防止される。
【００１８】
また、樹脂製の内管は可撓性を有するので、外管内に容易に挿入することができる。さらに、内管を外管内に挿入することにより、気体供給手段がコンパクトになる。
【００１９】
（４）基板洗浄装置は、回転軸が鉛直方向に延びるように回転駆動機構を支持する支持部材をさらに備え、外管はフランジ部を有し、フランジ部が支持部材に固定されてもよい。
【００２０】
この場合、回転駆動機構が支持部材により支持され、外管のフランジ部が支持部材に固定される。それにより、外管がフランジ部および支持部材を介して回転駆動機構に確実に固定される。また、外管のフランジ部を支持部材に取り付けることにより、外管および内管を回転駆動機構に容易に固定することができる。したがって、基板処理装置の製造がさらに容易となる。
【００２１】
（５）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置を含み、基板洗浄装置は、表面を上方に向けて基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の表面に気体を供給する気体供給手段と、基板回転保持装置により保持される基板の裏面を洗浄するための洗浄具と、基板回転保持装置により保持される基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。
【００２２】
この基板処理装置においては、処理部において感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性膜が形成され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前には、基板洗浄装置により基板の裏面が洗浄される。
【００２３】
基板洗浄装置においては、回転部材の下側に設けられた保持部材により、表面を上方に向けて回転部材の下側に配置された基板の外周端部が保持される。そして、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転部材が回転する。それにより、基板が略水平に保持された状態で回転する。
【００２４】
回転する基板の表面に、基板供給手段により気体が供給される。また、回転する基板の裏面に、洗浄液供給手段により洗浄液が供給されるとともに洗浄具が接触する。この場合、基板の表面に洗浄液が付着することを防止しつつ基板の裏面を洗浄することができる。
【００２５】
これにより、基板の表面に形成された感光性膜に洗浄液が接触することが防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の裏面に付着する汚染物を取り除くことにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。これらにより、基板の処理不良の発生を確実に防止することができる。
【００２６】
また、この基板洗浄装置では、回転駆動機構が基板の上方にあるので、回転する基板の下方に十分なスペースが形成される。そのスペースにおいて洗浄具および洗浄液供給手段による基板の裏面の洗浄を行うことができるので、基板の裏面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【００２７】
また、基板の裏面を下方に向けたまま基板の裏面を洗浄することができるので、基板の裏面が上方に向けられる場合と異なり、基板の裏面に供給された洗浄液が重力で基板の表面側に流れ込むことがない。その結果、基板の表面に洗浄液が付着することをより確実に防止することができる。また、基板を反転させるための反転機構を設ける必要がないので、基板処理装置の大型化および高コスト化を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、感光性膜と洗浄液との接触が防止され、感光性膜の状態を正常に維持することができる。また、基板の下面に付着する汚染物が取り除かれることにより、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することが確実に防止される。また、回転する基板の下方に十分なスペースが形成されるので、基板の下面の全体を効率良く確実に洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３０】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３１】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３２】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３３】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３５】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３６】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００３７】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００３８】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００３９】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。露光後ベーク用熱処理部１２１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部７０は第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４０】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、第４のセンターロボットＣＲ４、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ９およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲを含む。裏面洗浄処理ユニットＢＣは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理（以下、裏面洗浄処理と呼ぶ）を行う。ここで、基板Ｗの上面とは上方に向けられた基板Ｗの面をいい、基板Ｗの下面とは下方に向けられた基板Ｗの面をいう。また、基板Ｗの表面とは、各処理ブロックにおいて種々の膜が形成される面をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。裏面洗浄処理ユニットＢＣの詳細は後述する。
【００４２】
また、第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４３】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００４４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００４５】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００４７】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００４８】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷが配置されている。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００４９】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５１】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１２１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５２】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００５３】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の裏面洗浄処理ユニットＢＣが積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００５４】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に積層配置される。
【００５５】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００５６】
（１−２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００５７】
（１−２−１）インデクサブロックから現像処理ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック９から現像処理ブロック１２までの動作について簡単に説明する。
【００５８】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００５９】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００６０】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６１】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６２】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００６３】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６４】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００６５】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００６６】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６７】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００６８】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により現像処理ブロック１２の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入される。
【００６９】
露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７１】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００７２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００７４】
（１−２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００７５】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック１２（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００７７】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＢＣのいずれかに搬入する。裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が施される。
【００７８】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第４のセンターロボットＣＲ４は、裏面洗浄処理ユニットＢＣから裏面洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００７９】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００８０】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、裏面洗浄処理ユニットＢＣから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００８１】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【００８２】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理ブロック１２（図１）の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬送する。
【００８４】
なお、現像処理ユニットＤＥＶ（図２）の故障等により、現像処理ブロック１２が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００８５】
（３）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＢＣについて図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図６には、裏面洗浄処理ユニットＢＣの一部の構成要素が模式的に示される。
【００８６】
なお、本実施の形態において、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、図示しない筐体を備え、その筐体の内部に以下の構成要素が設けられる。
【００８７】
図５および図６に示すように、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６００を備える。スピンチャック６００は、スピンモータ２００、回転軸２１０、円板状のスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、円板状の遮断板５２５、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【００８８】
裏面洗浄処理ユニットＢＣの上部にスピンモータ２００が設けられている。スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓによって支持されている。モータ支持部材２００ｓは、鉛直方向に延びる貫通孔２００ｈを有し、モータ固定部２９０に取り付けられている。モータ固定部２９０は、図示しない裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に取り付けられている。
【００８９】
スピンモータ２００の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸２１０が設けられている。回転軸２１０はスピンモータ２００の出力軸として機能する。
【００９０】
回転軸２１０の下端部にはプレート支持部材５１０が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材５１０は円筒形状を有する。プレート支持部材５１０によりスピンプレート５２０が水平に支持されている。プレート支持部材５１０およびスピンプレート５２０の下面に遮断板５２５が固定部材５２５ａ，５２５ｂにより水平に固定されている。遮断板５２５の中心部には、貫通孔５２５ｈが形成されている。スピンモータ２００によって回転軸２１０が回転することにより、プレート支持部材５１０、スピンプレート５２０および遮断板５２５が鉛直軸の周りで一体的に回転する。
【００９１】
モータ支持部材２００ｓの貫通孔２００ｈ、スピンモータ２００の回転軸２１０の内部、およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００が挿通されている。流体供給管４００を通して、スピンチャック６００により保持される基板Ｗ上に気体を供給することができる。流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細は後述する。
【００９２】
スピンプレート５２０の周縁部には、複数（図６においては５つ）のチャックピン６１５が回転軸２１０に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【００９３】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート５２０を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート５２０の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【００９４】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【００９５】
スピンプレート５２０の上方には、回転軸２１０を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【００９６】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
【００９７】
スピンチャック６００の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６００の回転軸２１０に関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【００９８】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６００の回転軸２１０を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【００９９】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１００】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣの下部には、略円柱形状の裏面洗浄ブラシ６３０が配置されている。裏面洗浄ブラシ６３０はモータ６３５の回転軸に取り付けられており、鉛直軸の周りで回転駆動される。モータ６３５はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１は、ブラシ移動機構６３２によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および上下方向に移動する。
【０１０１】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として純水が用いられる。
【０１０２】
（４）流体供給管の詳細
図５の流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細を図７および図８を参照しつつ説明する。図７は主として図５の流体供給管４００の構造を示す縦断面図である。図８（ａ）は図５の流体供給管４００の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管４００の先端部の平面図である。
【０１０３】
上述のように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。
【０１０４】
図７に示すように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓの上方で湾曲し、水平方向に延びている。以下の説明において、鉛直方向に延びる直管部の端部を先端部と呼び、水平方向に延びる直管部の端部を後端部と呼ぶ。
【０１０５】
流体供給管４００において、鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。また、後端部には第２フランジＦＲ２が一体形成されている。
【０１０６】
第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定され、第２フランジＦＲ２が管固定部２８０に固定される。管固定部２８０は、図示しない裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に取り付けられる。
【０１０７】
これにより、流体供給管４００は、管固定部２８０、モータ支持部材２００ｓおよびモータ固定部２９０により、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体に固定される。
【０１０８】
上述のように、スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓにより支持されている。これにより、流体供給管４００がモータ支持部材２００ｓに取り付けられることにより、スピンモータ２００が動作する場合でも、流体供給管４００とスピンモータ２００との位置関係が保たれる。したがって、流体供給管４００に位置ずれが発生することが防止される。
【０１０９】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に気体供給管４２０が収容された構造を有する。気体供給管４２０は基板Ｗに気体（本例ではＮ２ガス）を供給するために用いられる。
【０１１０】
本実施の形態において、ガイド管４１０はステンレス鋼からなる。気体供給管４２０はＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等のフッ素樹脂からなる。
【０１１１】
図８（ａ）に示すように、気体供給管４２０は、その先端部が遮断板５２５の貫通孔５２５ｈから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスを確実に供給することができる。なお、気体供給管４２０の先端部を遮断板５２５に固定してもよい。
【０１１２】
流体供給管４００の先端部の周辺部材について説明する。本例では、回転軸２１０は約２０ｍｍの内径を有し、ガイド管４１０は約１８ｍｍの外径を有する。これにより、流体供給管４００が図７のモータ支持部材２００ｓおよび管固定部２８０に取り付けられた状態で、回転軸２１０とガイド管４１０との間に約１ｍｍのギャップＧＡが形成される。
【０１１３】
流体供給管４００の先端部近傍において、回転軸２１０には、略円筒形状を有するプレート支持部材５１０が取り付けられている。プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈは、軸心に沿って階段状に形成されている。
【０１１４】
プレート支持部材５１０を回転軸２１０に取り付ける際には、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈと回転軸２１０の外周面との間の隙間に円筒形状のパッド固定片５１２を嵌め込み、パッド固定片５１２をプレート支持部材５１０のねじ受け部５１１にネジ止めする。これにより、プレート支持部材５１０が回転軸２１０の先端部に確実に固定される。
【０１１５】
プレート支持部材５１０の下端部近傍には、フランジ５１０Ｆが形成されている。フランジ５１０Ｆとスピンプレート５２０とがネジ止めされることにより、スピンプレート５２０が回転軸２１０に固定される。
【０１１６】
図７に戻り、流体供給管４００の後端部には、上述のように第２フランジＦＲ２が形成されている。そして、第２フランジＦＲ２は管固定部２８０に固定される。また、流体供給管４００の後端部近傍には、供給管固定部４９０が設けられる。供給管固定部４９０において、気体供給管４２０がガイド管４１０に固定される。
【０１１７】
気体供給管４２０は、ガイド管４１０の後端部から外部に延びている。ガイド管４１０の後端部から延びる気体供給管４２０の後端部は、図示しない気体供給装置に接続される。気体供給装置から気体供給管４２０にＮ２ガスが供給されることにより、基板ＷにＮ２ガスが供給される。
【０１１８】
（５）基板の保持動作
スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作について説明する。図９および図１０は、スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１１９】
まず、図９（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート５２０の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１２０】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
【０１２１】
続いて、図９（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０１２２】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１２３】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【０１２４】
（６）裏面洗浄処理
図１１および図１２は、基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【０１２５】
図１１に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスが供給される。これにより、遮断板５２５と基板Ｗとの間で、基板Ｗの中心部上から外側に向かうＮ２ガスの気流が形成される。
【０１２６】
その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。そして、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動し、基板Ｗの裏面の全域に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１２７】
続いて、図１２（ａ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１２（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１２８】
したがって、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２において、基板Ｗの外周端部の下面側の部分を洗浄ブラシ６３０により洗浄することができる。
【０１２９】
なお、本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃがマグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間しても、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１３０】
裏面洗浄処理の終了後、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【０１３１】
（７）実施の形態の効果
本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいて露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が行われる。この場合、基板Ｗの表面に継続的にＮ２ガスが供給される状態で、基板Ｗの裏面が洗浄ブラシ６３０により洗浄される。それにより、基板Ｗの表面に液体が付着することを防止しつつ基板Ｗの裏面に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。
【０１３２】
したがって、露光処理時に基板Ｗの裏面の凹凸に起因するデフォーカスが発生することを確実に防止することができる。また、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜に液体が付着することが防止され、レジスト膜の状態を正常に維持することができる。これらにより、基板Ｗの処理不良の発生を確実に防止することができる。
【０１３３】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、基板Ｗを保持するスピンチャック６００が基板Ｗの上方に位置する。そのため、基板Ｗの裏面を下方に向けたまま洗浄ブラシ６３０により基板Ｗの裏面の全域を洗浄することが可能である。したがって、基板Ｗの裏面が上方に向けられる場合と異なり、基板Ｗの裏面に供給された液体が重力で基板Ｗの表面側に流れ込むことがない。その結果、基板Ｗの表面に液体が付着することをより確実に防止することができる。また、基板Ｗを反転させるための反転機構を設ける必要がないので、基板処理装置５００の大型化および高コスト化を抑制することができる。
【０１３４】
また、裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、スピンモータ２００の回転軸２１０内およびプレート支持部材５１０の内部に、流体供給管４００のステンレス製のガイド管４１０が挿通されている。ガイド管４１０は、回転軸２１０の内周面との間にギャップＧＡが形成されるようにスピンモータ２００を支持するモータ支持部材２００ｓに支持されている。ステンレス製のガイド管４１０は、高い剛性を有するので、回転軸２１０が回転する場合においても、ガイド管４１０と回転軸２１０の内周面との間のギャップＧＡが一定に保たれる。それにより、ガイド管４１０が回転軸２１０に接触することが確実に防止される。
【０１３５】
また、ガイド管４１０がスピンモータ２００に支持されているので、スピンモータ２００が振動した場合でも、回転軸２１０とガイド管４１０との位置関係が保持される。それにより、ガイド管４１０が回転軸２１０に接触することがより確実に防止される。
【０１３６】
また、樹脂製の気体供給管４２０は可撓性を有するので、ガイド管４１０内に容易に挿入することができる。
【０１３７】
また、気体供給管４２０が挿入されたガイド管４１０をスピンモータ２００に取り付けることにより流体供給管４００を容易に裏面洗浄処理ユニットＢＣに組み付けることができる。
【０１３８】
具体的には、スピンモータ２００がモータ支持部材２００ｓにより支持され、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定される。それにより、ガイド管４１０が第１フランジＦＲ１およびモータ支持部材２００ｓを介してスピンモータ２００に確実に固定される。また、ガイド管４１０の第１フランジＦＲ１をモータ支持部材２００ｓに取り付けることにより、流体供給管４００をスピンモータ２００に容易に固定することができる。したがって、裏面洗浄処理ユニットＢＣの製造がさらに容易となる。
【０１３９】
（７）変形例
（７−１）
上記実施の形態では、流体供給管４００のガイド管４１０がステンレス鋼により形成される旨を説明したが、ガイド管４１０を形成する材料としては、ステンレス鋼の他、鉄、銅、青銅、黄銅、アルミニウム、銀、または金等の強靭な金属材料を用いることができる。
【０１４０】
また、気体供給管４２０がフッ素樹脂により形成される旨を説明したが、気体供給管４２０を形成する材料としては、フッ素樹脂の他ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）またはＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等のフレキシブル性を有する樹脂材料を用いることもできる。
【０１４１】
（７−２）
裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいて、遮断板５２５を設けずに、スピンプレート５２０と基板Ｗと近接させてその間の空間にＮ２ガスを供給してもよい。
【０１４２】
（７−３）
裏面洗浄処理ユニットＢＣ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１４３】
（７−４）
また、上記実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣがインターフェースブロック１５内に配置されるが、裏面洗浄処理ユニットＢＣが図１に示す現像処理ブロック１２内に配置されてもよい。あるいは、裏面洗浄処理ユニットＢＣを含む裏面洗浄処理ブロックを図１に示す現像処理ブロック１２とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１４４】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４５】
上記実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣが基板洗浄装置の例であり、スピンチャック６００が基板回転保持装置の例であり、流体供給管４００が気体供給手段の例であり、裏面洗浄ブラシ６３０が洗浄具の例であり、洗浄ノズル６３３が洗浄液供給手段の例であり、スピンプレート５２０が回転部材の例であり、スピンモータ２００および回転軸２１０が回転駆動機構の例であり、保持部６１５ｃが保持部材の例であり、ガイド管４１０が外管の例であり、気体供給管４２０が内管の例であり、モータ支持部材２００ｓが支持部材の例であり、第１フランジＦＲ１がフランジ部の例である。
【０１４６】
また、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１および現像処理ブロック１２が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例である。
【０１４７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の側面図である。
【図４】インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図５】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図７】主として図５の流体供給管の構造を示す縦断面図である。
【図８】（ａ）は図５の流体供給管の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は図８（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管の先端部の平面図である。
【図９】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１０】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１１】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１２】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
２００ スピンモータ
２１０ 回転軸
４００ 流体供給管
４１０ ガイド管
４２０ 気体供給管
５００ 基板処理装置
５２０ スピンプレート
６００ スピンチャック
６１５ チャックピン
６１５ｃ 保持部
６３０ 裏面洗浄ブラシ
６３３ 洗浄ノズル
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＢＣ 裏面洗浄処理ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ４ 第１〜第４のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の上面に気体を供給する気体供給手段と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記基板回転保持装置は、
前記保持部材により保持される基板の上面に対向するように前記回転部材の下側に設けられた遮断板をさらに含み、
前記気体供給手段は、前記遮断板と基板との間に気体を供給することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記回転駆動機構は、鉛直方向に延びる中空の回転軸を有し、
前記回転部材は、中央部に開口を有するとともに前記回転軸と一体的に回転するように前記回転軸に取り付けられ、
前記気体供給手段は、
前記回転駆動機構の前記回転軸内および前記回転部材の前記開口に挿通され、前記回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように前記回転駆動機構に支持された金属製の外管と、
前記外管内に挿入されるとともに基板の前記上面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から基板に気体を供給する樹脂製の内管とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記回転軸が鉛直方向に延びるように前記回転駆動機構を支持する支持部材をさらに備え、
前記外管はフランジ部を有し、前記フランジ部が前記支持部材に固定されたことを特徴とする請求項３記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、基板の前記表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
前記露光装置による露光処理前に基板の前記裏面を洗浄する基板洗浄装置を含み、
前記基板洗浄装置は、
前記表面を上方に向けて基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の表面に気体を供給する気体供給手段と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の裏面を洗浄するための洗浄具と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の前記裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の上面に気体を供給する気体供給手段と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄具と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記基板回転保持装置は、
前記保持部材により保持される基板の上面に対向するように前記回転部材の下側に設けられた遮断板をさらに含み、
前記気体供給手段は、前記遮断板と基板との間に気体を供給することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記回転駆動機構は、鉛直方向に延びる中空の回転軸を有し、
前記回転部材は、中央部に開口を有するとともに前記回転軸と一体的に回転するように前記回転軸に取り付けられ、
前記気体供給手段は、
前記回転駆動機構の前記回転軸内および前記回転部材の前記開口に挿通され、前記回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように前記回転駆動機構に支持された金属製の外管と、
前記外管内に挿入されるとともに基板の前記上面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から基板に気体を供給する樹脂製の内管とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記回転軸が鉛直方向に延びるように前記回転駆動機構を支持する支持部材をさらに備え、
前記外管はフランジ部を有し、前記フランジ部が前記支持部材に固定されたことを特徴とする請求項３記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、基板の前記表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
前記露光装置による露光処理前に基板の前記裏面を洗浄する基板洗浄装置を含み、
前記基板洗浄装置は、
前記表面を上方に向けて基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の表面に気体を供給する気体供給手段と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の裏面を洗浄するための洗浄具と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の前記裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備え、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−２６００３３（Ｐ２００９−２６００３３Ａ）
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０７１６７（Ｐ２００８−１０７１６７）
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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