【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの外周より外側に配置されているカップ６とを含む。カップ６は、気体吐出口から基板Ｗ上に向けて気体を吐出することにより、基板Ｗの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Ｗの上面がパーティクルやミストから保護される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被洗浄物を超音波振動子の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域（超音波照射領域）外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波を励起させ、被洗浄物に超音波を直接照射することなしに、表面張力波による音圧によって被洗浄物の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に非接触で基板を搬送し、基板を高速かつ安定的に移動させながら、基板の汚染やローラー痕の生成なく、基板の上下両面又は下面のみに処理を行う、非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の上面と下面の両方又は下面のみに、水による洗浄処理、薬液による化学的処理、水によるリンス処理又は空気、窒素ガスといった気体による乾燥処理のいずれかの処理を行う、複数の基板処理ユニット７、８、９を備えてなる基板処理装置が、基板１の下面に向かって水、薬液、空気、窒素ガスといった流体を噴出して、基板１を浮上させ、基板１の下面に非接触でその位置を保持する、複数配置された基板浮上ユニット１０と、基板１の左右両側のエッジ部に水平方向から接触して、基板１を移動させる複数配置された搬送ローラー１２を有する基板搬送ユニットと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】処理流体ノズルから吐出した処理液により、半導体ウエハのような基板の上の異物を洗浄処理するときに、処理液が基板上に拡散することを抑制するとともに、一度基板から脱離した異物の基板外へ除去を効果的にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理流体ノズルの周囲を囲んで配置され一方向に開口部を設けた形に形成され、基板に対し気体を放出するように構成されている拡散抑制部と、拡散抑制部を移動させる移動部とを備え、処理流体ノズルにより処理液が吐出する際に、拡散抑制部の開口部が基板の周縁部に向くように移動部が拡散抑制部を移動することにより、処理液の拡散による基板のダメージを抑制し、処理液及び異物の基板外への除去を効果的にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板（ウエハ３）を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。環状部材４は、基板Ｗの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面２９と、基板Ｗの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部付近であってもムラの無い表面処理を可能にする。
【解決手段】基板１２の被処理面を水平に支持した状態でテーブル１０の中央部表面に、当該テーブル１０の回転軸をその中心軸とする突起部１３を形成しておく。表面処理時には、突起部１３の基端からテーブル１０の外周端部方向に所定距離だけ離れ、且つ、それぞれ突起部１３の先端から等距離となるテーブル１０上の複数の部位に、基板１２をその被処理面が水平になるように支持した状態でテーブル１０を回転させる。そして、回転中のテーブル１０の突起部１３の先端から鉛直下方にノズル１４から処理液を供給して拡散させた後、各基板１２の被処理面に到達した処理液を、遠心力によってテーブル１０の外部に払拭させる。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）