本発明は、２つの異なった核種の共注入工程を含む薄層の転写のための方法を提案する。第１および第２の核種の注入エネルギーは、前記第２の核種のピークがドナー基板の厚み部分内の脆化領域内に所在し、かつ、前記第１の核種の展開領域よりも深く所在するように選択され、かつ、前記第１および第２の核種の注入核種量は実質上同じに選択され、第１の核種の注入核種量は総注入核種量の４０から６０％に達する。
（もっと読む）

本発明は、ＳＭＡＲＴＣＵＴ（商標）タイプのプロセスにより基板上の半導体材料の薄層を転写するための方法を提案し、この方法は、注入工程が、ドナー基板の厚み部分内に第１の深さに前記脆化領域を作製するように、核種の注入を行う第１の注入操作と、前記第１の深さの脆化領域の高さにおいて行われなければならない剥離に影響を及ぼさないように前記第１の深さとは異なった第２の深さにおいて、その下方で注入が行われるドナー基板の表面に向けた前記第１の注入操作中に注入された核種の拡散を防止し、したがって気泡形成を制限するゲッタリング領域を作製するように選択された第２の注入条件による核種の注入を行う第２の注入操作と、を含むことを特徴とする。
（もっと読む）

本発明は、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって基板（１）の上に二酸化ケイ素層（２）を堆積するステップであって、膜堆積のソース材料としてテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）の流れと、ＴＥＯＳと反応しない希釈ガスの流れとを、希釈ガス／ＴＥＯＳの流量比が０．５から１００であるように、同時に使用するステップと、前記二酸化ケイ素層を、６００℃から１２００℃の温度で、１０分から６時間の継続時間の間アニールするステップとを含んだ、粗さの小さい二酸化ケイ素層（２）を製造する方法に関する。
（もっと読む）