【課題】シリコン表面、特にシリコンウエハ上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面をエッチング液で処理する方法、およびそれに用いるエッチング液を提供する。
【解決手段】ＨＦ、ＨＮＯ3、酢酸、臭化アルカリおよび臭素酸アルカリを含むエッチング液で処理するものであり、特に臭化アルカリおよび前記臭素酸アルカリは、臭化ナトリウムおよび臭素酸ナトリウムであり、又ＨＦ／ＨＮＯ3は、１：１から１：１５のモル比であり、臭化物および臭素酸塩は、５：１のモル比で存在し、ＨＦ／酢酸は、１：５から１：１５のモル比である。 （もっと読む）

【課題】半導体材料薄層の品質の低下をもたらすことなしに、半導体材料薄層と該薄層が転写される支持基板との間の接合界面を安定化させる技術の提供。
【解決手段】ドナー基板の厚さ方向の脆化領域を作製する工程；支持基板とドナー基板の接合工程；脆化領域のレベルにおいてドナー基板を分離して、ドナー基板の一部を支持基板上に転写し、支持基板上の薄層を形成する工程；支持基板上の薄層を含む構造物を、１回または複数回の急速熱アニーリング操作によって熱処理して、薄層と支持基板との間の接合界面を安定化する工程を含むことを特徴とする、基板上の半導体材料の薄層を含む構造物を製造するための方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
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【課題】層転写プロセスに用いてＳＯＩ基板を作製するのに用いられるバルクシリコン基板中の潜在的結晶欠陥を予防的に顕在化させる方法の提供。
【解決手段】バルクシリコン基板が層のリフトおよび転写の方法において用いられ、および少なくとも３回にわたって再生利用される場合に、後になって出現するようなバルクシリコン基板中の結晶欠陥を予防的に顕在化する方法であって、バルク基板を、約５００℃〜１３００℃の範囲内の温度において非還元性雰囲気中で実施される、「顕在化熱処理」と称する熱処理にかける工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１層の薄層を備える構造を支持基板上に製作する方法であって、いわゆる中間構造であって、非晶質層、点欠陥を含み、前記非晶質層の直下にある第１の結晶質層、および中間構造の下部内にある第２の結晶質層を備える中間構造を、前記支持基板から形成するステップと、前記中間構造の上面上に、受取基板を接合するステップと、点欠陥が生じた中間構造の層を、非晶質層が中間構造の上層となるように除去するステップとを少なくとも含む方法に関する。本発明の別の目的は、支持基板上にある、非晶質材料の少なくとも１層の薄層を備える基板であって、受取基板、中央結晶質層、および非晶質層を備え、前記受取基板、結晶質層、および非晶質層に、どんなＥＯＲタイプの点欠陥もない基板に関する。
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本発明は、初期ウェハーから開始して、この初期ウェハーの面の１つを通して原子種を注入するステップを含む、電子工学、光学、またはオプトロニクスでの利用を目的とした被膜の生成方法に関し、この方法は、下記の段階、即ち：（ａ）ウェハーの周縁を巡る、決定された高さのステップを形成する段階であって、このステップでのウェハーの平均厚さが、ウェハーの残りの部分の平均厚さ未満であるステップを形成する段階と；（ｂ）原子種の注入に対して前記ステップを保護する段階と；（ｃ）決定された注入深さで注入ゾーンが形成されるように、前記ステップを有するウェハーのその面を通して原子種を注入する段階とを含み、前記被膜は、その片側が、ウェハーの注入面によって決定され、もう一方の側が、注入ゾーンによって決定される。また本発明は、前記方法によって得られるウェハーにも関する。
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本発明は、マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、オプティクスなどで使用される少なくとも１種の半導体材料を含む構造の製造方法に関する。本発明の方法は、下記のステップ、すなわち第１の材料で作製された支持体（１０）に、この支持体に転写されることになる第１の材料とは異なる第２の材料の薄い単結晶層（２２）を備えること、および少なくともこの薄層と支持体との間の結合界面（１２）を強化するなどのために、所定の熱処理を施すことにあるステップを含む。この方法は、支持体／転写された薄層アセンブリに対して前記処理により加えられた応力がこのアセンブリを無傷のまま残すように、薄層の厚さ（ｅ１）が、第１および第２の材料の熱膨張係数の差の関数として、また前記所定の熱処理のパラメータの関数として選択されることを特徴とする。本発明は、単結晶状態にある第２の材料の追加の厚さ（２２’）が薄層上に堆積される、追加のステップを含むことも特徴とする。本発明は、厚い有効層を含むヘテロ基板の製造に適している。
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本発明は、ＳｉＧｅ層の表面領域を酸化させる方法において、前記表面領域を酸化させるためのＳｉＧｅ層の酸化熱処理を含む方法であって、２つの段階を含み、酸化熱処理である第１の段階は前記ＳｉＧｅ層に対して直接実施され、もって下にあるＳｉＧｅを後続の第２の段階中にピッチングから保護することができるキャッピング酸化物を形成するのに十分なほど厚く、また酸化表面領域の厚さを、ＳｉＧｅ層内の転位の発生に相当する閾値厚さ範囲未満に維持するのに十分なほど薄い酸化領域を得るものであり、不活性雰囲気中での高温アニールである第２の段階は前記第１の段階の後に前記ＳｉＧｅ層に対して実施され、前記ＳｉＧｅ層が、前記第１の段階中に形成された前記酸化領域で覆われ、前記高温アニールが、Ｇｅ濃縮領域から前記ＳｉＧｅ層の基底をなす部分内にＧｅが拡散するのを可能にするものである方法に関する。
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本発明は、最終キャリア上に少なくとも１層の活性窒化物層と、その間に金属中間層とを有するオプトエレクトロニクス用基板の作製方法であって、１層の半導体窒化物層を、補助キャリア上に配置した補助基板を提供するステップと、補助基板を窒化物層の側で金属化するステップと、金属化されたキャリア基板を最終キャリアと接合するステップと、接合ステップ後に補助キャリアを除去するステップとを含む方法に関する。１層または複数層の活性窒化物層の結晶品質を向上させることができる、こうしたタイプの方法を提供することが本発明の目的である。この目的は、補助基板を提供するステップが、半導体窒化物基板の厚板から一部分を切り離すステップと、前記一部分を補助キャリア上に移転して、補助キャリア上に半導体窒化物層を形成するステップとを含む、上述のタイプの方法によって解決される。
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本発明は、材料層をトップドナーウエハ（１０）から受け側のハンドルウエハ（２０）上へ転写する方法であって、トップウエハおよび受け側ウエハが接合されるべきそれぞれの面を有し、該方法が・接合されるべき面の少なくとも１つを処理する処理ステップであって、ウエハの所与の面の処理によって前記ウエハの反対側の面に汚染物質が生じるステップと、・トップウエハとハンドルウエハの接合されるべき面を直接接合して、中間多層ウエハ（３０）を形成する接合ステップと、・トップウエハから過剰な材料を除去する除去ステップとを含み、処理ステップ中、トップウエハの接合されるべき面のみを処理することを特徴とする方法に関する。
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