本発明は、半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する方法に関しており、ここで前記半導体基板は、エピタキシャル成長のための下地基板として使用するのに適している。フッ化水素酸（ＨＦ）を含有する水溶液によって基板を洗浄する状況において、３未満のｐＫａを有する強酸をＨＦと組み合わせて使用することができ、および／または超音波を適用しながらリンスを実施することができる。本発明による方法は、ウォーターマークの低下したレベルを示す疎水性表面を準備することを可能にする。 （もっと読む）

本発明は、熱運動化された前駆体ガスのいっそう正確な送出を与えるために、成長チャンバの中に延在するガス注入装置を提供する。改善された注入器は、成長チャンバの中に熱せられた前駆体ガスを分配することができ、その流れは成長基板に作用するまで空間的に互いから離されていて、高い容積製造に適する容積を有する。重要なことに、改善された注入器は、そのようなチャンバで用いられる機械式ロボット基板取扱装置の運転を妨げないで、既存の市販の成長チャンバの中にそれが適合することができるように、寸法付けられ、構成されている。この発明は、多数の要素のおよび化合物半導体の高容積成長に役立ち、特にＩＩＩ−Ｖ族化合物およびＧａＮの高容積成長に役立つ。
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【課題】
本発明は、外周上に識別用切り込み（４）を有する、半導体基板を分割するプロセスに関し、このプロセスは（ａ）基板内に脆弱な領域を作成するステップと、（ｂ）脆弱な領域に沿って分割するステップであって、分割するステップは、基板の外周上の前もって決定された領域（Ｒ）内で分割波が開始し波が基板の内部に伝播するステップを含む、分割するステップとを含み、−ステップ（ａ）において作成された脆弱な領域は基板の内部への原子種の埋め込みによって得られ、埋め込みの間、締結装置（５）によって、基板は基板自身の外周の部分で固定されていて、−この場合、分割ステップ（ｂ）の間、部分は分割波開始領域（Ｒ）内に位置していることを特徴とし、ステップ（ｂ）の間、分割波の開始のため領域（Ｒ）に対して直径方向に反対側の基板の外周の４分の１（Ｓ１）内か、または領域（Ｒ）上の中心の基板の外周の４分の１（Ｓ２）内にあるように、切り込み（４）は位置することを特徴とする。
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【課題】破砕中のネガの破損数を著しく制限することを可能にする方法を提案すること。
【解決手段】本発明は、２つの層により画定される脆化面に沿って複合構造（１００）を破砕する方法に関する。破砕の間、この複合構造は、ボートハウジング（１２０）内に配置され、また、この構造の両側に配置され、かつ互いに平行に整列された硬化剤（１１８）と接触した状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】除外区域のないエピタキシー用の複合構造の製造方法及び複合構造を含む多層構造を提供する。
【解決手段】支持基板１０上の半導体材料の少なくとも１つの結晶成長シード層１１を備え、支持基板１０及び結晶成長シード層１１は、それぞれ、それらの接合面の周辺上に面取り面又は縁部丸み付け区域を有する、エピタキシー用の複合構造１３の製造において、結晶成長シード層１１を支持基板１０上に分子付着により直接接合するか、あるいは酸化物などの接合層１２を介して接合する工程と、結晶成長シード層１１を薄化する工程とを含み、この結晶成長シード層１１は、薄化後に、その最初の直径と同一の直径を有する。前記複合構造１３は、その上にＧａＮをエピタキシャル成長させた後、接合層１２で切り離し、続いてシード層を化学エッチングにより除去して、自立型ＧａＮを得る。 （もっと読む）

ドナー基板（１）上の中間層（２）の形成と、エピタキシーによる前記中間層（２）上の前記エピタキシャル層（３）の形成（Ｓ２）とを備える構造（１０）の製造ステップであって、前記中間層（２）の融解温度は、前記エピタキシャル層（３）の融解温度より低い製造ステップ、及び 少なくとも１回の熱処理を適用することによる、前記ドナー基板（１）からの前記エピタキシャル層（３）の分離ステップ（Ｓ５）であって、前記熱処理は、前記中間層（２）の前記融解温度と、前記エピタキシャル層（３）の前記融解温度との間から成る温度で実行される分離ステップを備えることを特徴とするエピタキシャル層（３）を生成する方法である。
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本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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光学および電子構成要素の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、またはウェハの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族Ｖ化合物半導体材料の持続的大量生産法。この装置および方法は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。この方法は、半導体材料を形成するために、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させること、反応しなかったＩＩＩ族前駆体、反応しなかったＶ族成分および反応副生物を含む排出ガスを除去すること、および排出ガスの凝縮を低減させ、半導体材料の製造を増大させるのに十分な温度まで排出ガスを加熱することを含む。有利には、半導体材料の持続的大量製造を容易にするために、排出ガスが、凝縮を十分に防ぐように加熱される。
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本発明は、第２の半導電性基板（３０）上に第１の基板（１０）を接着するステップを含み、接着の前に第１の基板と第２の基板との間に接着層（２０）を形成するステップを含み、該接着層（２０）は第１の基板（１０）の表面上を所定のパターンで分布し、相補的パターン内に分布した異なるタイプの領域（２２）により相互に分離した複数の島（２１）を含むことを特徴とし、該島（２１）は第１の基板（１０）の材料のプラズマ処理により形成されることを特徴とする複合基板を製造する工程に関する。
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ヘテロエピタキシャル層（１２１）とは異なる材料で作られる基板（１２０）上の少なくとも１つの緩和表面ヘテロエピタキシャル層（１２１）を備えるヘテロ構造（１２）の研磨方法。本方法は、第１の圧縮比を有する研磨布（１４）と、第１のシリカ粒子濃度を有する研磨溶液と、を用いてヘテロエピタキシャル層（１２）の表面を化学機械研磨する第１の化学機械研磨ステップを備える。第１の化学機械研磨ステップの後に、ヘテロエピタキシャル層（１２）を化学機械研磨する第２の化学機械研磨ステップが続き、この第２の化学機械研磨ステップは、第１の圧縮比よりも高い第２の圧縮比を有する研磨布と、第１のシリカ粒子濃度よりも低い第２のシリカ粒子濃度を有する研磨溶液と、を用いてなされる。
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