本発明は、キャリア基板と酸化物層（２）と半導体材料の薄層（３）とを連続して備える半導体オンインシュレータ型構造の処理方法であって、前記構造は、酸化物層（２）が露出した外周環状部を有し、前記処理方法は、中性又は制御された還元雰囲気中での主要熱処理の実施を含む処理方法に関する。この処理方法は、前記主要熱処理の前に、酸化物層（２）の少なくとも露出した外周部分を被覆するステップを含み、この主要熱処理を、制御された時間及び温度条件下で実施して、酸化物層（２）の酸素の少なくとも一部を半導体薄層（３）中に拡散させ、その拡散よって酸化物層（２）の厚さの低減を制御する。
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【課題】改善された光子／電子の変換効率を備える半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板の製造方法に関する。当該方法は、絶縁型基板上に第１の半導体層（７）を設けるステップと、拡散バリア層（９）を設けるステップと、第２の半導体層（１１）を設けるステップとを備える。拡散バリア層を設けることにより、高ドープされた第１の半導体層から第２の半導体層への拡散を抑制することが可能になる。本発明はまた、これに相当する半導体基板、および当該基板を備えるオプトエレクトロニクスデバイスに関する。 （もっと読む）

ＩＩＩ−窒化物材料の半導体構造および層のエピタキシャル成長中に、連続する層の品質が連続して改善されるように応用可能な方法。中間エピタキシャル層は、成長ピットが、最初の表面に存在する表面転位で形成されるように、最初の表面に成長される。それから、次の層は、横方向に広がって少なくとも交差成長ピットの凝集を密閉するように、エピタキシャル横方向オーバーグロースの知られた現象に従って中間層上に成長される。好ましくは、横方向成長材料中の転位の数を減少させるために、次の層の成長より前に、誘電体材料が不連続に堆積するように誘電体材料の不連続膜が堆積される。本発明の方法は、同じ構造に対して複数回行うことができる。また、これらの方法によって製作された半導体構造。
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本発明は、少なくとも１つの主光束パルスによって少なくとも局所的に加熱すべき少なくとも１つの層（２）を含み、前記加熱すべき層の前表面に比べて深く位置する少なくとも１つのプライミング領域（４）を含む板状体を、少なくとも局所的に加熱する方法および装置に関し、主光束（７）は、前記加熱すべき層（２）の温度が高温範囲（ＰＨＴ）にあるときに前記加熱すべき層を加熱することができ、プライミング二次加熱手段（９）は、前記プライミング領域を低温範囲（ＰＢＴ）内の温度から前記高温範囲（ＰＨＴ）内の温度まで加熱することができる。
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本発明は特に、連続してキャリア基板（１）、酸化物層（３）、および半導電性材料の薄層（２）を備える絶縁体上半導体型の構造体を製作し処理する方法に関し、方法によれば、（１）前記薄層（２）上にマスクが形成され、それにより前記層の表面上に、マスクによって覆われない露出領域（２０）を画定し、（２）熱処理が適用され、それにより酸化物層（３）の酸素の少なくとも一部が薄層（２）を通って拡散するのを促し、所望のパターンに対応する酸化物層（３）の領域（３０）内の酸化物の制御された除去となり、方法は、前記キャリア基板（１）および薄層（２）はそれらの結晶格子が、それらの境界面（Ｉ）に平行な平面内で共に、１°以下の「ねじれ角」と呼ばれる角度を形成し、それらの境界面（Ｉ）に垂直な平面内で１°以下の「傾斜角」と呼ばれる角度を形成するように、互いに対して配置され、薄層（２）は厚さが１１００Å未満のものが用いられることを特徴とする。
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本発明は、支持基板（１）、酸化物層（２）および薄い半導体層（３）を順番に含むセミコンダクタ−オン−インシュレータ型構造を処理する方法であって、（ａ）薄い半導体層（３）上に、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのマスク（４）を形成して、前記層（３）の表面に、マスク（４）によって覆われておらず、所望のパターンに配置された、いわゆる露出エリア（３ａ）を画定するステップと、（ｂ）中性雰囲気または制御された還元性雰囲気で、制御された温度条件および時間条件の下、熱処理を加えて、酸化物層（２）の酸素の少なくとも一部を薄い半導体層（３）を通して拡散させ、それによって前記所望のパターンに対応した酸化物層のエリア（２ａ）の酸化物の厚さの制御された低減を達成するステップとを含む方法に関する。ステップ（ａ）で、マスク（４）は、薄い半導体層（３）の厚さの中に少なくとも部分的に埋め込まれるように形成される。
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【課題】本発明は、セミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を製造する方法に関する。
【解決手段】特に、シリコン・オン・インシュレータ基板は、ソース基板、好ましくは単結晶ソース基板を備えるステップと、原子種を注入することによって、ソース基板の内部に所定の分割領域を備えるステップと、好ましくは結合することによって、ソース基板をハンドル基板に取り付けるステップと、所定の分割領域でソース基板の残余をソース・ハンドル化合物から分離して、それによってソース基板の素子層をハンドル基板上に移動するステップと、素子層を薄層化するステップとを備える。１００defects／ｃｍ²未満の低減されたＳＥＣＣＯ欠陥密度を有するセミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を獲得するために、注入することは、２．３×１０¹⁶atoms／ｃｍ²未満の分量で実行され、薄層化するステップは、９２５℃未満の温度で酸化するステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、第２のウェーハ（３００）に接合された第１のウェーハ（２００）を含み、第１のウェーハが面取りされた縁を有する構造（５００）をトリミングする方法を提供する。この方法は、第１のウェーハ（２００）の厚さ（ｅ₁）を含む第１の深さ（Ｐｄ₁）、および第１のウェーハ（２００）の縁から測定される第１の幅（ｌｄ₁）にわたって実行される第１のトリミングステップ（Ｓ４）を含む。少なくとも第１のウェーハ（２００）の厚さ（ｅ₁）を含む第２の深さ（Ｐｄ₂）、および第１の幅（ｌｄ₁）よりも小さい第２の幅（ｌｄ₂）にわたる第２のトリミングステップ（Ｓ５）も実行される。
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半導体構造または半導体デバイスを製造する方法は、ある温度で半導体材料の層をもう１つの材料にボンディングすること、および半導体材料の層の温度をその後で変化させることを含む。もう１つの材料を、ある熱膨張係数を示すように選択することができ、半導体材料の層の温度が変化するときに、制御した格子定数および／または選択した格子定数が半導体材料の層に与えられるまたはその中に保持される。ある実施形態では、半導体材料の層は、例えば、窒化インジウムガリウムなどのＩＩＩ−Ｖ型半導体材料を含むことができる。新規な中間構造が、かかる方法の間に形成される。エンジニアド基板は、高温で前に得た半導体材料の層の平均格子定数に近い室温における平均格子定数を有する半導体材料の層を含む。
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本発明は、第２のウェハ（２０）の一方の面（２１）に第１のウェハ（３０）の一方の面（３１）を向かい合わせるステップと、それらの向かい合う２つの面の間で１点の接触を開始するステップとを含む、分子接合を開始する方法に関する。その１点の接触は、例えばツール（５０）のベアリング要素（５１）を用いて、２枚のウェハのうち一方に０．１ＭＰａから３３．３ＭＰａの範囲の機械的圧力を印加することによって開始される。
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