【課題】ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置は、固相ドーパントを自由落下させる自由落下部５２と、固相ドーパントを自由落下部５２内に供給するドーパント供給部と、自由落下された固相ドーパントを保持して気化させるドーパント気化部５６と、気化された気相ドーパントをシリコン融液１６の液面上に送入するドーパント送入部５８と、気相ドーパントと共にシリコン融液の液面上に送入される第２キャリアガスを供給する第２キャリアガス供給部と、を備えたドーパント添加装置を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】本発明に係わるエピタキシャルウェーハ１は、リン濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーであり、酸素濃度が１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１０上に、リン濃度が１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーで、膜厚が０．５〜２０μｍのエピタキシャル層２０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の反りの低減とデバイスの高速性を高いレベルで実現することのできる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ単結晶の基板と、基板の主面上に形成された窒化物半導体の中間層と、中間層の主面上に形成された窒化物半導体の化合物半導体層からなり、基板の酸素濃度が０．２×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．４×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、抵抗値が１０００Ωｃｍ以上であり、前記中間層と前記化合物半導体層を合計した、主面と垂直方向の膜厚が４５０ｎｍ以上４５００ｎｍ以下であることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程（Ｓ１）と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第１の厚さの活性層を形成する工程（Ｓ２）と、活性層を形成した接合体を研磨用プレートに複数枚貼り付け、活性層を第２の厚さまで研磨する工程（Ｓ３）と、研磨した接合体を研磨用プレートに貼り付けた状態で、第２の厚さを光学的に測定する工程（Ｓ４）と、測定した第２の厚さに基づいて、活性層を第３の厚さまで再研磨する工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成する窒化物半導体層を厚膜化した場合でも、反りが効果的に抑制された窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の一面上に、組成の異なる２種以上の窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層７０が形成されており、前記シリコン基板１０のバルク部には、前記窒化物半導体積層の厚さに応じて制御された平均散乱光強度及び密度を有する酸素析出物が形成されている窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ終了後、ルツボの冷却時間を短縮し、シリコン単結晶の製造効率の向上を図るために、ルツボ外周に接するカーボンルツボへの伝熱性及び放熱性に優れたシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、第１層４は、透明シリカガラス、又は、平均気孔径１２０μｍ以下の気孔を含有し、気孔密度３０個／ｍｍ³以下の不透明シリカガラスにて、前記底部中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面において前記コーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、前記曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成し、第２層５は、平均気孔径８０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度４０〜８０個／ｍｍ³の不透明シリカガラスにて形成し、第３層６は、透明シリカガラスにて形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶融液にドーパント不純物を添加するドーピング方法及びドーピング装置において、ドーパント不純物を効率よくシリコン溶融液に取り込むと共に、シリコン溶融液に取り込まれたドーパント不純物の蒸発を抑制することのできるドーピング方法及びドーピング装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって炉体２内のルツボ３から単結晶を引上げる単結晶引上装置１において、ルツボ３内のシリコン溶融液Ｍにドーパント不純物を添加するドーピング方法であって、ルツボ３内にシリコン溶融液Ｍを形成するステップと、シリコン溶融液Ｍにおける所定の液面領域に固化層を形成するステップと、固化層が形成されていない液面領域から、シリコン溶融液Ｍにドーパント不純物を導入するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 （もっと読む）

【課題】内層の透明層が、外層の不透明層よりも厚いシリカガラスルツボであって、シリコン単結晶引上げに使用した後、ルツボの冷却時に割れることのない、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有し、外層４が不透明層、内層５が透明層からなり、前記透明層５が前記不透明層４よりも厚いシリカガラスルツボにおいて、前記底部１から前記コーナー部３にかけて透明層５内に、前記不透明層４と接触せず、かつ、ルツボ内表面に露出しないように、平均気孔径６０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度５０〜１００個／ｍｍ³の多孔質層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを平坦に加工するシリコンウエハの製造方法において、前記シリコンウエハを局所的に加工し、高精度且つ高スループットでウエハ面全体を平坦化することのできるシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ面内において所定間隔ごとに厚さ寸法を測定し、シリコンウエハＷの第一の形状データを得るステップと、前記第一の形状データにフーリエ変換（ＦＦＴ）を施し、第一の周波数分布を得るステップと、所望の周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタにより、前記第一の周波数分布のフィルタリングを行い、第二の周波数分布を得るステップと、前記第二の周波数分布に対し、逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ）を施し、第二の形状データを得るステップと、前記第二の形状データに基づき、基準厚さ値よりも厚い部分を局所的に加工するステップと、を実行する。 （もっと読む）