【課題】シリコンウエハを平坦に加工するシリコンウエハの製造方法において、前記シリコンウエハを局所的に加工し、高精度且つ高スループットでウエハ面全体を平坦化することのできるシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ面内において所定間隔ごとに厚さ寸法を測定し、シリコンウエハＷの第一の形状データを得るステップと、前記第一の形状データにフーリエ変換（ＦＦＴ）を施し、第一の周波数分布を得るステップと、所望の周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタにより、前記第一の周波数分布のフィルタリングを行い、第二の周波数分布を得るステップと、前記第二の周波数分布に対し、逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ）を施し、第二の形状データを得るステップと、前記第二の形状データに基づき、基準厚さ値よりも厚い部分を局所的に加工するステップと、を実行する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げの際、ルツボ内の原料シリコンを溶融するための加熱開始直後に、外周に接するカーボンルツボと十分な密着性が得られるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、底部２中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面においてコーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成された、ＯＨ基含有濃度が３０〜３００ｐｐｍの合成シリカガラスからなる厚さ１〜５ｍｍの第１層４と、天然シリカガラスからなる不透明層の第２層５と、天然シリカガラス、又は、Ｎａ、Ｋ、Ａｌの金属不純物含有量が各々１ｐｐｍ以下の高純度合成シリカガラスからなる透明層である第３層６とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】各研磨処理における諸条件が異なっても、各研磨時間を制御し、各被処理基板の研磨量を略一定とする。
【解決手段】研磨加工の時間経過に応じて変化する状態変数を取得する状態変数取得手段１２と、研磨加工が開始されてから所定の経過時間までの前記状態変数の平均値と研磨レートとの相関式を記憶する記憶手段２２と、被処理基板に対する研磨加工動作を制御する制御手段２０とを備え、前記制御手段は、研磨加工が開始されてから所定の経過時間における前記状態変数の平均値と前記相関式とを用いて研磨レートを算出し、算出された研磨レートに基づき加工終了までの時間を決定する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体のシート抵抗を低減でき、かつ、この効果によるオン電流値を向上させた化合物半導体基板を低コストで提供する。
【解決手段】本発明によって、下地となる基板１と、前記基板１の主面上に形成された中間層２と、前記中間層２の主面上に形成された化合物半導体層３と、前記化合物半導体層３の主面上に形成された電極５と、前記化合物半導体層３の主面と前記電極５との間に形成され、前記化合物半導体層３の主面側から順に単結晶相、多結晶相、非晶質相の形態を有する窒化物のパッシベーション膜４と、を備えることを特徴とする化合物半導体基板１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハバルク部に存在するボイド欠陥が、デバイスプロセスにおいて汚染源となることが抑制され、さらに、スリップの発生源となることも抑制されたシリコンウェーハの提供。
【解決手段】ウェーハ表面部１はボイド欠陥が存在しない無欠陥領域であり、ウェーハ表面部１よりも深いウェーハバルク部２は、八面体を基本形状とする多面体で構成され、前記多面体の角部が曲面状であり、かつ、内壁酸化膜が除去されたボイド欠陥４が存在しているシリコンウェーハを提供する。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＰ時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができ、加えて、ＲＴＰ後、得られるシリコンウェーハの表面荒れも改善することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに対して、希ガス雰囲気中、第１の昇温速度で１３００℃以上シリコンの融点以下の第１の温度Ｔ₁まで急速昇温し、第１の温度Ｔ₁を保持した後、第１の降温速度で４００℃以上８００℃以下の第２の温度Ｔ₂まで急速降温し、続いて、希ガス雰囲気から酸素ガスを２０ｖｏｌ．％以上１００ｖｏｌ．％以下含有する酸素含有雰囲気に切り替えた後、第２の昇温速度で第２の温度Ｔ₂から１２５０℃以上シリコンの融点以下の第３の温度Ｔ₃まで急速昇温し、第３の温度Ｔ₃で保持した後、第２の降温速度で第３の温度Ｔ₃から急速降温する。 （もっと読む）

【課題】サイズが大きい酸素析出物の形成を抑制すると共に、適正なサイズの酸素析出物の密度を増加させ、かつ、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを、６００℃以下の第１の温度Ｔ₁で保持された処理室内に搬入した後、Ｔ₁から７００℃以上８００℃以下の第２の温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）まで昇温速度３．１℃／分以下で昇温する第１の昇温過程Ｓ１ａと、Ｔ₂から最高到達温度Ｔ₃（Ｔ₂＜Ｔ₃）まで昇温すると共に、Ｔ₂とＴ₃との間の８００℃以上１１００℃以下の温度範囲における一定温度Ｔ₄で３０分以上２４０分以下保持する過程を含む第２の昇温過程Ｓ１ｂと、Ｔ₃で一定時間保持する最高到達温度保持過程Ｓ２と、Ｔ₃から前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度まで降温する降温過程Ｓ３と、を経るように熱処理する。 （もっと読む）

【課題】装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１００は、ルツボ３の外周囲に設けられ、ルツボ３を加熱する第１ヒータ５と、ルツボ３の上方に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮断する輻射シールド７と、第１ヒータ５より上方であり、かつ輻射シールド７の外周囲に設けられ、ルツボ３の上部３ａ１及び輻射シールド７の外周部７ａを加熱する第２ヒータ１０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡便な方法で、チタン単体またはチタン化合物を含む材料中の、微量な不純物元素を高感度で定量する技術を提供する。
【解決手段】チタン単体またはチタンを含有する材料から粒子状もしくは粉末状の分析用原料を作製する工程と、分析用原料を濃度３０重量％以上の酸で溶解して酸溶液を作製する工程と、酸溶液を純水で希釈して酸の濃度が１重量％以上１０重量％以下の酸希釈液を作製する工程と、酸希釈液に沈殿抑制物を添加する工程と、酸希釈液に沈殿抑制物を添加した後さらに純水で希釈して分析用試料を作製する工程と、分析用試料中の不純物元素を定量分析する工程からなり、分析用試料は、０．１重量％以上５．０重量％以下の酸と、０．０５重量％以上３．０重量％以下の沈殿抑制物を共に含むことを特徴とするチタン含有材料中の微量元素分析方法。 （もっと読む）