【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、前記ウェーハの表裏面に酸素含有ガスを供給し、最高到達温度Ｔ１を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を７５℃／秒以上１２０℃／秒以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１３９０℃以下の最高到達温度で急速昇降温熱処理を行う工程と、前記熱処理を行ったシリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側におけるデバイス活性領域の表面部に対して、不活性ガス雰囲気中、レーザー光を照射して、１２００℃以上１３５０℃以下の最高到達温度でレーザー熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミック製伝熱外管の熱効率を向上させながら長寿命にし、かつ、交換作業を容易に行えるシングルエンド型熱交換器を提供する。
【解決手段】高温ガスに接触する一端封じのセラミック製伝熱外管と該外管の内部に配置され被加熱流体が流通する金属製伝熱内管とを備えるシングルエンド型熱交換器を高温ガスが流通する炉体内に挿入した熱交換装置において、前記熱交換器を該炉体の炉壁から炉体内側に向け斜め上方に配設することを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容するルツボを支持、保持するために用いられる炭素繊維強化炭素複合材ルツボであって、底部湾曲部において、皺あるいは重ね合わせの段差部分をなくし、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部を有する底部３と、前記底部湾曲部から上方に延びる直胴部２とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ１であって、前記底部３と直胴部２が、炭素繊維の縦糸と横糸とを交互に織り上げた炭素繊維織布１１，１２，１３（１０）を複数枚、貼り合わせることにより形成されると共に、前記底部湾曲部に位置する炭素繊維織布の縦糸と横糸の軸線が、ルツボ周方向に対し斜め方向に形成されている。 （もっと読む）

【課題】強化用繊維集合体の繊維間を層状構造材料で満たすことですべり機能をもたせ、これを含む繊維強化セラミックス複合材料の破壊エネルギーを向上させる。
【解決手段】繊維強化セラミックス複合材料に用いる強化用繊維集合体の内部に構成されている空間部を、層状構造の材料、好適には黒鉛質の層状炭素で充填させ、より好適にはこの繊維集合体表面を黒鉛質の層状炭素材料で被覆し、さらに等方性炭素材料で被覆することによって、すべり機能をもつ層状構造及び界面を多数含む強化用繊維材料となり、この強化用繊維材料を含む繊維強化セラミックス複合材料は、より破壊エネルギーを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】フッ素プラズマにてドライエッチングを行う場合でも耐プラズマ性が高く、エッチング後も残存してパターニング不良が発生する恐れがないレジスト用ペーストを提供する。
【解決手段】スクリーン印刷によってパターニング塗布されたペースト１０２をレジストとする。該ペーストは、耐フッ素プラズマ性を有する粒子からなる充填剤を樹脂に対して添加することを特徴とし、前記充填剤は、耐フッ素プラズマ性を有する酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）およびイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）のいずれか1種または両者の混合物である。 （もっと読む）

【課題】縮径部の最小径が５ｍｍ以上と太い場合であっても、転位が増えることによるネック部の最小径部分における強度低下を防止すると共に、当該ネック部において、転位を消滅させて無転位のシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】種結晶５０の直下に、最小径が５．０ｍｍ以上である第１縮径部６０ａを形成し、次いで、前記最小径から結晶径を拡径させて、最大径が前記種結晶の結晶径よりも小さい拡径部７０を形成し、次いで、前記最大径から結晶径を縮径させて、最小径が５．０ｍｍ以上である第２縮径部６０ｂを形成し、前記拡径部７０及び前記第２縮径部６０ｂをこの順で交互に繰り返し形成すると共に、前記第１縮径部６０ａの縮径率を前記第２縮径部６０ｂの縮径率より大きくネック部５５を形成する。 （もっと読む）

【課題】縮径部の最小径が５ｍｍ以上と太い場合であっても、転位が増えることによるネック部の最小径部分における強度低下を防止すると共に、当該ネック部において、転位を消滅させて無転位のシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】
種結晶５０をシリコン融液１６に接触させた後、種結晶５０から結晶径を縮径させて、種結晶５０の直下に、最小径ｄ１が５ｍｍ以上である縮径部６０を形成し、次いで、最小径ｄ１から結晶径を拡径させて、最大径が種結晶５０の結晶径よりも小さい拡径部７０を形成し、縮径部６０及び拡径部７０をこの順で交互に繰り返し形成すると共に、縮径部６０の縮径率を０．６ｍｍ／ｍｍ以上１．５ｍｍ／ｍｍ以下としてネック部５５を形成する。 （もっと読む）

【課題】溶射被膜形成時の形状安定性や流動性に優れ、未溶融部分が低減された緻密な溶射被膜を形成することができる溶射用粉末を提供する。
【解決手段】全体として球状に形成されるとともに、その外周面の一部に凹部が形成された溶射用粒子からなる溶射用粉末であって、前記溶射用粒子におけるアスペクト比分布の９０％Ｄ₉₀が１．５以下、嵩密度が１．０ｇ／ｃｍ³以上１．５ｇ／ｃｍ³以下、溶射用粒子における５０％粒子径Ｄ₅₀の粒子直径が１０μｍ以上５０μｍ以下であり、全粒子の７０％以上が凹部を有し、前記凹部の凹部直径比が５０％以上７０％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ層と酸化膜との接合界面の平坦性が良く、良好な品質特性を有するＧｅ層を備えたＧｅＯＩ基板の提供。
【解決手段】本発明に係るＧｅＯＩ基板の製造方法は、Ｇｅ基板１０と酸化膜２５が形成されたＳｉ基板２０とを該酸化膜２５を介して貼り合わせを行い、積層体３０とする工程と、前記積層体３０に対して、一定範囲内の最高到達温度で第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行った積層体３０に対してＧｅ基板１０側の表面から加工を行い、前記Ｇｅ基板１０を薄膜化してＧｅ層１０ａとする工程と、前記Ｇｅ層１０ａが形成された積層体３０に対して、７００℃以上９００℃以下の最高到達温度で第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）