偏光発光ダイオード（ＬＥＤ）は偏光方向を示すマーカーを備えている。ＬＥＤのパッケージもまた偏光方向を示すマーカーを備えている。ＬＥＤおよびパッケージ上のマーカーは相互の位置合わせのために用いられ、パッケージから出射される光の偏光方向が明示されるようにＬＥＤはパッケージに対して好適な方位に取り付けられる。マーカーはダイの分離の前にＬＥＤ上に配置され、マーカーは位置合わせ作業の前にパッケージ上に配置される。ＬＥＤ上のマーカーはフォトリソ・パターン、ダイの非対称形状、ダイ上の刻み目、あるいはダイ上の引っかき傷を含んで構成されている。一方、パッケージ上のマーカーは電極の形またはパターン、パッケージの非対称形状、パッケージ上の刻み目、あるいはパッケージ上の引っかき傷を含んで構成されている。最後に、ＬＥＤあるいはパッケージは偏光方向を示している外部回路またはシステム内に設置されてもよい。
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光が導電性のあるＺｎＯを通過し、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯが直接ウェーハ・ボンディングされた発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯのウェーハの両方に平坦で清潔な表面を準備する。次に（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯウェーハの間でウェーハ・ボンディング工程を行うが、これは（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯウェーハを互いに張り合わせて、そこで窒素雰囲気中で一軸性圧力の下、設定温度で設定された時間ウェーハ・ボンディングを行う。ウェーハ・ボンディング工程の後、ＺｎＯはＬＥＤの内部から光取り出し量を増加させるために整形される。
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簡単な低侵襲的検査で、被験体であるヒト又は実験動物における膵臓β細胞代償の適合性及び／又は組織インスリン抵抗性の存在を同時に決定するための方法を提供する。本方法は、２型糖尿病（DM2）の発症又はDM2のより悪化した形態への進行に対する被験者若しくは実験動物の感受性を決定することができる。他の用途で、本方法は、治療介入に関する決定のために被験体の診断的分類；１型DMとDM2との間の臨床的識別；非糖尿病被験体におけるDM2発症リスクの減少を目的とした治療の臨床的モニタリング；既存のDM2の改善及びDM2の進行の抑制を目的とした作用剤の臨床モニタリング；DM2への進行又は既存のDM2の病気の進行を抑制する新しい化合物、候補剤、又は候補療法の臨床開発及び臨床試験；そして、インスリン感受性性質、膵臓刺激若しくは再生の性質又はその他の望ましい作用を有する作用剤を同定し、特徴付けするための実験動物における候補剤又は候補療法の前臨床的スクリーニングを可能にする。 （もっと読む）

関連性ネットワークを生成するためのコンピュータ実装されるシステムおよび処理方法が開示される。システムは、関係付けされるデータ項目の集合を与え、各データ項目内のターム間の関連性を表わす可変長データベクトルを生成する。システムは、文書、画像、または他の任意の種類のファイルについて関連性ネットワークを生成するために使用することができる。そして、この関連性ネットワークは、データ項目の集合内のターム間の関係を発見するために照会することができる。
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作り上げられた微小構造は、基部と接触面に接着する基部の一つまたは複数の部分上に配置された一つまたは複数のナノ構造とを含む。一つまたは複数のナノ構造を備える基部の一つまたは複数の部分は、一つまたは複数のナノ構造が接触面に接着し、外力が加えられて接触面から基部がはく離されるときに、基部の一つまたは複数の部分における一つまたは複数のナノ構造が、接触面からのナノ構造のはく離を容易にするか、またははく離に抵抗するように基部に配置されている。 （もっと読む）

特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
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パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁からの選択横方向エピタキシャル成長法を用いることにより作製したＩＩＩ族窒化物のａ｛１１−２０｝面およびｍ｛１−１００｝面のような無極性の面、または｛１０−１ｎ｝面のような半極性の面における貫通転位密度を低減する方法を提供する。該方法は、無極性または半極性のＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、マスク内の開口を通して色々な深さにテンプレート材料をエッチングする工程と、溝の底から垂直に成長する材料が側壁の上部に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長した材料を合体させることによって無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物を成長する工程を含む。合体した部分はマスクの開口を通して成長して、誘電体マスクの上を横方向に成長して、やがて完全に合体した連続的な膜が得られる。
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III族窒化物材料を、ｍ面炭化珪素（ｍ−ＳｉＣ）のような適当な基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて成長することを特徴とする、平坦な無極性ｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）エピタキシャル層のようなｍ面III族窒化物材料を成長する方法を提供する。前記の方法は、基板表面から酸化膜を除去するために基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、基板を熱処理する工程と、熱処理された基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のような核形成層を成長する工程と、ＭＯＣＶＤ法を用いて核形成層上に無極性ｍ面III族窒化物エピタキシャル層を成長する工程を含む。
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エレクトロポレーションセル中で、電圧に対する電流の比率として本発明において定義されるような電気インピーダンスをモニターすることにより、生物組織中に存在する個々のおよび複数の生体細胞中で、制御された様式でエレクトロポレーションを実施する。インピーダンスは、生体細胞中でのエレクトロポレーションの開始を検出し、この情報は、電圧の強度および持続時間を制御するために使用され、エレクトロポレーションが細胞を破壊することなく行われたことを確実にする。本発明は概してエレクトロポレーションに適用可能である。 （もっと読む）

本発明は、垂直軸式風力タービンに関する。風力タービンは、上部円環、中央円環、及び下部円環を含み、複数の垂直な翼がこれら円環同士の間に配置されていることを特徴とする。例えば、３つの垂直な翼が上部円環と中央円環との間に取り付けられている。さらに、３つ以上の垂直な翼が下部円環と中央円環との間に取り付けられている。風が垂直に配置された翼に接触した場合に、これら円環は回転を開始する。これら円環を、発電機を回転させる中心ポールに接続することによって、風力発電が達成される。
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