故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極のとの間にある半導体ポリマーを含む光活性の電荷分離層と、光電池の寿命を向上させるように構成された不動態化層とを備える光電池が提供される。不動態化層は、ｘが１から１．９６までの数を表す化学式ＴｉＯ_ｘを有する実質的に非晶質の酸化チタンを含む。一側面において、光活性ポリマー層を備える光電池を調製する方法が提供される。前記方法は、ｘが１から１．９６までの数を表す化学式ＴｉＯ_ｘを有する実質的に非晶質の酸化チタンの層を形成するために、酸化チタン前駆体の溶液を塗布するステップを含む。

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第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極のとの間にある活性ポリマーと、電子装置の寿命を向上させるように構成された不動態化層とを備える電子装置が提供される。不動態化層は、ｘが１から１．９６までの数を表す化学式ＴｉＯ_ｘを有する実質的に非晶質の酸化チタンを含む。いくつかの実施形態において、電子注入電極と、正孔注入電極と、電子注入電極と正孔注入電極との間にある発光ポリマー層と、ｘが１から１．９６までの数を表す化学式ＴｉＯ_ｘを有する実質的に非晶質の酸化チタンの層とを備える発光ダイオードが提供される。
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プラスミン阻害に関する方法および組成物が開示される。例えば、本発明により、１種以上のアミノ酸変異を有する配列番号１を含むポリペプチドであって、第１の変異が、ＢＰＴＩ番号付けシステムを使用して１７位でのロイシンからアルギニンまたはリジンへの置換を含む、ポリペプチドが提供される。本発明によってまた、ＫＤ１変異体と一緒でのプラスミンの結晶構造をモデリングすること；該プラスミンと該ＫＤ１変異体との間の相互作用を決定すること；ステップｂの結果に基づいて、該ＫＤ１変異体がプラスミン阻害剤であるかどうかを決定すること；を含む、プラスミン阻害剤を同定する方法もまた提供される。
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癌細胞がSATB1を発現し、SATB1が転移活性を促進する遺伝子の特定のセットの発現を制御することで転移活性の獲得に関する決定因子として作用することを提言する。乳癌細胞が転移能を獲得するためにSATB1は、遺伝子発現パターンの切り替えを可能とするように特異的に、ゲノム配列を再構成するかまたは再パッケージングする。SATB1の発現は侵襲癌細胞に主に限定されることが見出され、そこで転移過程に関与する段階をプログラムする遺伝子変化およびエピジェネティックな変化を調節する可能性がある。本発明は、侵襲癌の診断および予後予測に使用されるSATB1タンパク質を検出するための試薬およびツール、ならびにSATB1タンパク質を阻害して、転移癌および侵襲癌におけるその発現を枯渇させるための治療法について説明する。

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本発明は、反応に関連がある調節制御を組み込んだ反応ネットワークのモデルを提供する。本発明のモデルを使用して反応ネットワークの全体的特徴を決定する方法が提供される。また、調節事象により種々の時点で反応ネットワークに生じる変化をモデリングするための方法を提供する。 （もっと読む）

ガス分析のためのアセンブリーと方法。前記アセンブリーは、ガス標本の成分を触媒によって反応させ、１種類もしくはそれ以上のガス種を生成物として生成するための触媒コンパートメントを備えている。生成物コンパートメントが前記ガス種を受け入れ、前記コンパートメント内の検知素子が、前記１種類もしくはそれ以上のガス種の量を検知する。この量と、非触媒ガス標本を含む参照コンパートメント内に存在する同じのガス種の量とが比較され、触媒反応によって生成されたガス種の量が与えられる。この値を用いて、ガス標本におけるガス成分の含有量が、触媒反応の化学量に基づいて計算される。好ましい実施形態では、分析するガスは、燃料生産用のプロセスガスであり、触媒は、一酸化炭素と水との反応を触媒して、水素と二酸化炭素に転換させる、高温転化触媒である。
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本発明は、ＧＬＩポリペプチド、特にＧＬＩ１、ＧＬＩ２、またはＧＬＩ３ポリペプチドを発現する癌の診断および治療のための組成物、方法、およびキットを提供する。本発明は、ＧＬＩポリペプチドの転写活性化ドメインを模倣する小分子化合物を提供する。本発明の小分子阻害剤は、ＧＬＩポリペプチドのアクチベーター機能を特異的に遮断するが、ＧＬＩ３のリプレッサー機能を遮断しない。
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第1の電極層、第1の電極上に配置された高抵抗透明膜、第2の電極層、および第1と第2の電極層の間に配置された無機光活性層を有する光発電素子を開示する。無機光活性層は、高抵抗透明膜と少なくとも部分的な電気的接触をするように、かつ第2の電極と少なくとも部分的な電気的接触をするように、配置される。光活性層は、第1の無機材料と第1の無機材料とは異なる第2の無機材料とを有し、第1および第2の無機材料は、タイプIIのバンドオフセットエネルギープロフィールを示し、かつ光活性層は、第1の無機材料のナノ構造体の第1の集団、および第2の無機材料のナノ構造体の第2の集団を有する。

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本発明の一実施形態は、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を使用するコンデンサのための電極を製作するプロセスを提供し、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされる活物質（ＣＮＴ）の層とを備える。具体的には、該プロセスは、懸濁液を形成するためにＣＮＴを溶媒中に分散させることに始まる。次に、ＣＮＴが懸濁液の中で荷電される。次に、金属基板が懸濁液の中に浸される。次に、電気泳動堆積（ＥＰＤ）を使用してＣＮＴを金属基板の上に堆積させ、金属基板の上に活物質の層を形成する。特に、活物質の層は、結合剤を使用することなく、金属基板の上に形成され、それにより活物質と金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
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