安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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カチオン交換層状無機ケイ酸塩及びケイ酸塩以外のカチオン交換層状化合物から成る群から選択される少なくとも1種類のカチオン交換層状充填素材が酸処理されてその層状構造が破壊され、該酸処理された充填剤と接触した際にオレフィン重合のために活性化される触媒と混合されるオレフィン重合によるナノコンポジットの形成方法。オレフィンは、（a）アルキルアルミニウム共触媒の不存在下又は（b）活性化可能な触媒がポリアルキル金属化合物である場合にはアルキルアルミニウム共触媒の存在下で、前記活性化された触媒/充填剤混合物と接触し、ポリオレフィン及び酸処理された充填剤を含むナノコンポジットを形成する。特定の態様では、ナノコンポジットの少なくとも30重量％を構成するような十分量の充填剤を用いて、高充填量ナノコンポジットマスターバッチが調製される。次いで、1種類又は2種類以上のオレフィンポリマーを所定の量で前記マスターバッチとブレンドして所望の充填量を有するナノコンポジットを得ることが可能である。充填剤は、好ましくはクレーであり、その例としてモンモリロナイトが挙げられる。触媒は、好ましくは非メタロセン触媒であり、最も好ましくは、α−イミノカルボキサミダト配位子を有するニッケル錯体である。
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【課題】核融合反応を可能にするために特に重要であるプラズマを閉じ込めるために、異常輸送を回避し、かつ電子とイオンの両方の古典的閉じ込めを容易にする方法および装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ閉じ込めデバイスであって、以下：チャンバ、このチャンバの主軸に実質的に沿って、このチャンバ内に磁場を適用するための磁場発生器、このチャンバ内に方位性電場を誘導するための電流コイル、および電子およびイオンを含むプラズマをこのチャンバに注入するためのプラズマ供給源、を備える、プラズマ閉じ込めデバイスを提供する。 （もっと読む）

血中ガスＯ_２送達のための向上した、又は最適な速度論的及び熱力学的な特性を示すようにＨ−ＮＯＸ蛋白を変異させる。操作されたＨ−ＮＯＸ蛋白は対応する野生型Ｈ−ＮＯＸドメインと相対比較して改変されたＯ_２又はＮＯリガンド結合を付与する変異を含む。本発明は又Ｏ_２の送達が有益である何れかの状態の治療のための野生型又は変異体のＨ−ＮＯＸ蛋白を使用する医薬組成物、キット及び方法を提供する。本発明の一つの実施形態においては、本発明は対応する野生型Ｈ−ＮＯＸ蛋白のものと比較してＯ_２解離定数又はＮＯ反応性を改変する少なくとも１つの変異を有する単離されたＨ−ＮＯＸ蛋白を提供する。 （もっと読む）

【課題】 直列接続内において固定された波長位置決め（fixed wavelength positioning）を必要とせず、小型形状において実施可能な分配／結合装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 右手系／左手系複合（CRLH）メタ物質線路において観察される無限波長現象を用いたトンネルダイオード発振器のための電力結合方法及び装置。ある実施例においては、各発振器の出力ポートは直接的に線路に接続され、かつ、同相で結合され、電力を位相において等しく結合するためのゼロ度線路から構成される直列結合器を利用している。第２の実施例においては、ゼロ度伝送線路のあるセクションが、波の振幅と位相が線路に沿って一定であるという条件下において、共振器に疎結合された発振器と共に、定常波長共振器を実行する。 （もっと読む）

ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
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欠陥密度低減型の平面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長させるための方法が開示される。本方法は、（ａ）少なくとも１つの窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）ナノマスク層をＧａＮテンプレート上に成長させるステップと、（ｂ）ＳｉＮ_ｘナノマスク層の上にＧａＮ膜の厚さを成長させるステップと、を含む。ナノマスクは、ナノメートルスケールの開口部を含むマスクである。ＧａＮテンプレートは、低温または高温窒化物核形成層の基板上での成長を含んでもよく、その後、融合を達成するために約０．５μｍ厚さのＧａＮの成長を含む。 （もっと読む）

本発明は、ホスホネート、ヌクレオシドホスホネートまたはヌクレオシドホスフェートの化合物、それらを含有する組成物、それらを得るための方法、ならびに多様な病的障害、特にウイルス感染症、癌などの処置におけるそれらの使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、ジアリールチオヒダントイン化合物およびそれらの合成方法ならびにホルモン抵抗性前立腺癌の治療の際のそれらの使用に関する。これらの化合物の投与量は、一日あたり約０．００１ｍｇ／体重ｋｇ〜一日あたり約１００ｍｇ／体重ｋｇ、一日あたり約０．０１ｍｇ／体重ｋｇ〜一日あたり約１００ｍｇ／体重ｋｇ、一日あたり約０．１ｍｇ／体重ｋｇ〜一日あたり約１０ｍｇ／体重ｋｇの範囲内にあってもよいし、一日あたり約１ｍｇ／体重ｋｇであってもよい。
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ニューロンの死および／または機能不全と関連するCNS障害を処置するための、哺乳動物CNSへの成長因子の局部的送達に向けられている方法およびシステムを記載する。

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