本発明は、ＴＬＲアゴニスト結合体（化合物）及び組成物、並びにこれらを使用する方法を提供する。本発明の化合物は、合成免疫刺激剤の広域スペクトル、長期作用及び非毒性の組み合わせであり、これらは、哺乳動物、好ましくはヒトの免疫系を活性化するのに有用であり、且つファーマコフォアを標的細胞のエンドソーム内の受容体に向け、ファーマコフォアにより誘発されるシグナル伝達を強化するのを補助する。本発明の化合物によって処置され得る病態又は症状の非限定的な例には、癌の処置、細菌又はウイルス性疾患の処置、自己免疫疾患の処置、及びクローン病の処置が含まれる。
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本発明は、アンドロゲンレセプターの非ステロイド性リガンド、アンドロゲンレセプターの非ステロイド性リガンドの製造方法、アンドロゲンレセプターの非ステロイド性リガンドの組成物、並びにアンドロゲンレセプターへのアンドロゲンの結合に関連する疾患（例えば、前立腺癌）の治療又は予防のための非ステロイド性リガンド及びアンドロゲンレセプターの非ステロイド性リガンドの組成物の使用方法を提供する。 （もっと読む）

ホスホリパーゼA₂（PLA₂）フォリンは、その阻害が強力な抗痛覚過敏を誘導する脊髄内で発現される。炭化水素テールおよび4個の炭素テザーを有する2-オキソアミドからなる共通モチーフを含むPLA₂阻害剤化合物が提供される。これらの化合物は、グループIVAカルシウム依存性PLA₂（cPLA₂）および／またはグループVIAカルシウム非依存性PLA₂（iPLA₂）および／またはグループV分泌型PLA₂（sPLA₂）を遮断する。 （もっと読む）

本発明は、VEGF受容体の細胞外ドメインおよびデスリガンドを含む融合タンパク質を提供する。これらの融合タンパク質は、VEGFおよび腫瘍細胞上のデスレセプターに結合し、それによって、VEGF受容体のVEGF活性化を阻害し、かつ腫瘍細胞においてアポトーシスを誘導する。本発明の融合タンパク質は、細胞においてアポトーシスおよび細胞傷害作用を誘導し、癌、ならびに未制御な血管新生および/または脈管形成に関係した疾患または障害を治療するのに有用である。したがって、本発明はさらに、融合タンパク質、融合タンパク質をコードするポリヌクレオチド、ポリヌクレオチドを含むベクター、融合タンパク質または融合タンパク質をコードするポリヌクレオチドを含む薬学的組成物およびキットを用いて、血管新生に関係した疾患を治療するための方法も提供する。

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本発明は、可溶性エポキシドヒドロラーゼの阻害剤もしくはcis-エポキシエイコサトリエン酸（「EET」）の局所投与により、またはその両方により、対象において、疼痛およびかゆみを軽減するため、創傷治癒を促進するため、疾病行動を低減するため、ならびに炎症性腸疾患またはニキビ病変を減少させるための方法および組成物を提供する。

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腫瘍の成長、特に固形腫瘍の成長を阻害し、ｉｎ ｖｉｖｏでの処置に有効である適切な治療指数を有するアシルフルベン類似体が本明細書において提供される。本明細書に記載の化合物は、抗腫瘍剤として、即ち、ヒト、又は家畜等の動物といった哺乳動物宿主において、ｉｎ ｖｉｔｒｏ又はｉｎ ｖｉｖｏで腫瘍細胞の成長を阻害するのに有用であり、固形腫瘍、悪性血液癌及び多剤耐性癌／腫瘍に対して有効である。本発明の化合物は単独で使用してもよければ、１種以上の抗癌剤又は抗腫瘍剤と併用して使用してもよい。
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ヒト細胞発生および機能におけるシナプス接着分子の役割は、大部分が知られていない。本発明は、新規な付着および移動アッセイ方法の使用を介する天然の組織中のβ細胞を研究する方法を提供する。これらのアッセイ方法の使用を介して、発明者らは、初めてヒトβ細胞の接着、拡散および運動性に対するSAMの貢献を記載することができた。さらに、発明者らはこれらのアッセイ方法の結果を用いて、膵臓と関係する疾患の検出、治療および予防のための方法を開発した。
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高品質のＩＩＩ族窒化物バルク単結晶を成長する方法を開示する。ＩＩＩ族窒化物バルク結晶は、粒径が少なくとも１０μｍ以上のＩＩＩ族窒化物多結晶あるいはＩＩＩ族金属である原材料すなわち栄養素と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶とを用いて、超臨界アンモニア中で耐圧釜において成長される。ＩＩＩ族窒化物多結晶は６００℃以上の還元雰囲気で熱処理することによって、前に行った安熱法工程で用いたものを再利用することができる。耐圧釜はアンモニアで満たされた内室を備えている。そこでは、耐圧釜が加熱されてアンモニアが超臨界状態になると、アンモニアは内室から耐圧釜の中へ放出され、超臨界アンモニアの対流が原材料を輸送して、輸送された原材料を種結晶上に堆積するが、原材料の未溶解粒子が輸送され種結晶上に堆積することを防ぐ。
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半極性窒化物薄膜の欠陥低減に関する横方向成長方法を開示する。工程ステップは半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、半極性窒化物の面および組成の成長に適した基板を選択するステップと、半極性窒化物が基板のある領域上では核生成し、基板の他の領域上では核生成しない選択成長工程を適用するステップとを含み、選択成長工程は横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＬＥＯ）法、側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＳＬＥＯ）法、カンチレバー・エピタキシー法あるいはナノマスキング法による窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする。
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本発明は、イソプレノイド修飾酵素をコードするヌクレオチド配列を含む単離された核酸、および該核酸を含む組換えベクターを提供する。本発明は、本核酸または組換えベクターを含む、遺伝的に改変された宿主細胞をさらに提供する。本発明は、本核酸を含むトランスジェニック植物をさらに提供する。本発明は、本遺伝的に改変された宿主細胞を、本核酸にコードされたイソプレノイド化合物修飾酵素の合成を可能とする条件で培養する段階を一般に含む、イソプレノイド化合物を産生させる方法をさらに提供する。

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