【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。
【解決手段】粒子表面にシリカコーティングを有し、粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が５０ｎｍ以下で、１０％未満の一次粒子幅が１００ｎｍ超で、かつＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ²／ｇであり、さらにα−アルミナ含有率が９０重量％のアルミナ粒子を使用したＣＭＰ生成物を用いて基板をＣＭＰする。 （もっと読む）

固体酸化物セラミックは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、チタン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＴ）、マンガン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＭ）および酸化ニッケル−ＹＳＺ複合材料からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、１つの表面を画定する基板を含む。固体酸化物セラミックはさらに、表面の少なくとも一部分をコーティングし、サンボルナイト（ＢａＯ・２ＳｉＯ_２）結晶相、ヘキサセルシアン（ＢａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）結晶相および残留ガラス相を含み、前記表面において基板の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有するシールを含む。ガラス組成物のガラス結晶化温度とガラス転移温度の差は、約２０℃／分の加熱速度で約２００℃〜約４００℃の範囲内であり得る。
（もっと読む）

固体酸化物燃料電池（ＳＯＦＣ）の異方性熱膨張率（ＣＴＥ）のカソードが、２つのプラテン間にペロブスカイト粉末の層を配置することと、プラテンに圧力を加えながら層を焼結し、それによって異方性ＣＴＥのカソードを形成することとにより、形成される。このペロブスカイトはランタンストロンチウムマンガナイト（ＬＳＭ）であり得る。
（もっと読む）

【課題】十分な硬性、剛性、耐摩耗性及び耐磨耗性更には適した熱伝導性及び熱膨張性を備えたＥＳＤ保護用セラミック部材を提供する。
【解決手段】基材と抵抗率調節剤から形成される焼結組成物を含むＥＳＤ保護用セラミック部材であり、該基材は一次成分と二次成分を含み、一次成分はＡｌ₂Ｏ₃を含み、二次成分は正方晶ＺｒＯ₂を含む。 （もっと読む）

【課題】改良された機械加工方法、特にアルミニウム含有セラミック（アルミナ、アルミナ複合体類、セラミック類を含む非酸化アルミニウム等）を研磨することを目的とする機械加工方法を提供すること。
【解決手段】基板と工作機械との間に、研磨剤とリン化合物を含む添加剤とを含むスラリーを供給すること、」そして上記工作機械に対して上記基板を動かすことを含む、Ａｌを含むセラミック基板を機械加工する方法。 （もっと読む）

本開示は、シンチレーションアセンブリに関する。このアセンブリは、表面を有するシンチレータと、前述の表面の少なくとも一部に接触する感圧接着剤層と、シンチレータ表面に近接しており、且つ、感圧接着剤層によってシンチレータ表面に接着された反射器と、を含んでもよく、接着剤層は、０．０１ｍｍ以下のＴＴＶを有する。
（もっと読む）

【課題】制御された密度及び破壊強さの特徴を有する新規な窒化ホウ素凝集粉末及び窒化ホウ素凝集粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化ホウ素凝集体を含む供給原料粉末を準備し、そして、供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成することを必要とする。1態様の場合、供給原料粉末は、制御された結晶サイズを有する。別の態様の場合、供給原料粉末はバルク源から導かれる。 （もっと読む）

炭化ホウ素焼結体の形成方法には、本質的に純粋な水を用いて高温で炭化ホウ素粉末を洗浄して低酸素炭化ホウ素粉末を生成するステップと；低酸素炭化ホウ素粉末と焼結助剤および加圧助剤とを混合してグリーン混合物を形成するステップと；グリーン混合物をグリーン体に整形するステップとが含まれる。この方法には、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内の平均粒径を有する炭化チタン粉末と、低酸素炭化ホウ素粉末とを混合するステップを含むことができる。この方法はさらに、炭化ホウ素グリーン体を焼結させるステップと；炭化ホウ素の理論密度（ＴＤ）の約９８．５％超の密度まで焼結体を熱間等方圧加圧成形するステップとを含むことができる。あるいは、この方法は、整形された炭化ホウ素グリーン体を約２２００℃超の温度で焼結させてＢ４Ｃ／ＳｉＣの共晶液体固溶体を形成し、約９８％ＴＤ超の密度を有する炭化ホウ素焼結体を形成するステップを含むことができる。
（もっと読む）

炭化ケイ素と黒鉛とを含む多孔質の炭化ケイ素焼結体およびその製造方法が記載される。多孔質の炭化ケイ素体はシールであることができる。多孔質の炭化ケイ素焼結体は、約１容量％〜約５容量％の範囲の気孔率を構成する、約２０μｍ〜約４０μｍの範囲の平均孔径で細孔を画定する。
（もっと読む）