【課題】パターン化された構造内でのゼオライト結晶の合成方法、さらに、ゼオライト結晶内において、カーボンナノ構造体を高収率で形成する方法を提供する。
【解決手段】上面にパターン化された構造（開口）を有する基板を準備し１１、上記基板にゼオライト合成溶液若しくはジェルを含浸させ１２、上記パターン化された構造に合成溶液を含ませるため機械的力を加え１３、ゼオライト結晶を形成するため水熱処理を適用してゼオライト合成溶液を結晶化し１４、上記基板をリンスし乾燥させ１５、内包されていない若しくは固着していないゼオライト結晶を取り除くため、付加的に機械的力を加える１６ことにより、パターン化された構造内に、ゼオライト結晶を組み込む。さらに、これらのゼオライト結晶を、緻密で配列されたＣＮＴの成長、即ちカーボンナノ構造体の成長のため使用する。ＣＮＴの成長は、ゼオライト結晶の多孔質構造体内において達成される。 （もっと読む）

イオンミリングを含む方法をオープンナノシェル懸濁液及びオープンナノシェル単層構造を作製するため例示する。イオンミリング技術により、上記基板上において、オープンナノシェルの外形及び上方への配向性を制御することが可能である。安定でかつ高密度なオープンナノシェル単層構造により被覆された基板を作製することができる。当該基板は、上方への配向性を有するナノアパーチャー構造及びナノチップ構造を有し、ＳＥＲＳベースの生体分子検出のための基板として用いることができる。
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【課題】基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体との界面の品質を最適化する技術を提供する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体を形成する方法であって、半導体基板を準備する工程と、基板を洗浄する工程と、熱処理を行う工程と、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を堆積する工程とを含み、熱処理工程は非酸化雰囲気中で行われて、半導体基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料との間に薄い界面層を形成し、薄い界面層の膜厚は１０Åより小さい方法。 （もっと読む）

【課題】銅含有汚染物などの汚染物を壁から除去するために、反応性イオンエッチングチャンバの壁をその場洗浄する方法を提供する。
【解決手段】銅含有汚染物などの汚染物１３を、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８に変える工程と、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８を光子含有雰囲気に晒して、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の形成を始める工程とを含む。更に、反応チャンバ１２から、例えば揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７を除去し、反応チャンバ１２中で、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の飽和を防止し、これにより、反応チャンバ１２の壁に、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７が再付着するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に、少なくとも１つの細長い金属含有ナノ構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化銅化合物等のハロゲン化金属化合物表面５をハロゲン含有プラズマ等の光子含有雰囲気に晒し、少なくとも１つの細長い金属ナノワイヤ（ＮＷ）、金属ナノロッド等々の金属含有ナノ構造６の形成を開始する工程を含む。また、本発明にかかる方法により得られた細長い金属含有ナノ構造６を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離などのプラズマ処理の際、プラズマ損傷の監視がその場(in situ)で可能な、非破壊で簡単な分析方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。水分子を破壊し、電子励起された酸素原子を形成できる高エネルギーＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射するプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸収された水を検出するために用いられる。励起された酸素は、７７７ｎｍの光学放射から検出される。従って、吸収された水の濃度が高くなるほど、より強い（酸素）信号が検出される。酸素信号の強度は、前の剥離ステップでのプラズマ損傷の測定手段となる。提案した分析方法は、プラズマ処理の直後、その場(in situ)で実施できる。最も好ましくは、酸素ラジカルの光学放射は、プラズマチャンバ内のチャックステップの際に監視される。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。
【解決手段】水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射する希ガスプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸着された水を除去するために用いられる。該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 （もっと読む）

本発明は、ウエハを薄くするための方法に関する。本方法は、２工程のプロセスを用い、第１工程ではキャリアウエハ（２）が薄くされ、第２工程ではデバイスウエハが薄くされる。この方法は、本質的には、キャリア（２）の上に、キャリア（２）と接着剤（３）の組み合わされた厚さの不均一性を刻印する工程に基づき、薄くした後にウエハは低いＴＴＶとなる。 （もっと読む）

【課題】減少した総ゲート容量、改善したスイッチング速度、プロセス上の利点を有するトンネル電界効果トランジスタおよびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、ソース−チャネル−ドレイン構造と、ゲート電極とを備え、該ソース−チャネル−ドレイン構造は、少なくとも１つのドープしたソース領域と、少なくとも１つのドープしたドレイン領域と、少なくとも１つのソース領域と少なくとも１つのドレイン領域の間に位置しており、ソース領域とのソース−チャネル界面、およびドレイン領域とのドレイン−チャネル界面を形成する少なくとも１つのチャネル領域とを備え、該ゲート電極は、少なくとも１つのソース領域の少なくとも一部を覆い、少なくともソース−チャネル界面まで延びており、ゲート電極の端部とドレイン−チャネル界面の平面との間に有限な距離が存在して、ドレイン領域でのゲート電極による被覆が無いようにしている。 （もっと読む）