【課題】スタンドバイ消費電力を低減した記憶装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】スタンドバイ消費電力を低減した記憶装置及びその動作方法。スタンドバイモードの間のデータの損失を回避するためにスタンドバイ電圧が供給されるべき複数のメモリセルを備えた記憶装置（２００）を動作させるための方法は、ａ）メモリセルのビットインテグリティパラメータの実際の値を決定するステップと、ｂ）実際の値を、セル特性の可能な変動をプロセスの変動の結果として考慮したビットインテグリティパラメータの所定の最小値と比較するステップと、ｃ）スタンドバイ電圧のより最適な値に関して決定されるビットインテグリティパラメータが所定の最小値に近付くように、比較結果に基づいて、スタンドバイ電圧をより最適な値に向けて調整するステップとを含む。上記ビットインテグリティパラメータを測定するための回路は、好ましくは、上記メモリマトリクス（２０１）に追加される複数のレプリカ試験セル（２０２）を備える。 （もっと読む）

【課題】プレーナ装置またはマルチゲート装置（ＭｕＧＦＥＴ）のＨｆベースの誘電体ゲートスタックに、フッ素を導入し、負バイアス温度安定性および正バイアス温度安定性（ＮＢＴＩおよびＰＢＴＩ）を大幅に改良する、新規で、効果的で、費用対効果の高い方法を提供する。
【解決手段】新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。この方法の優位点は、この方法がＦを導入するための金属ゲートエッチングを用いて、追加の注入や処理が不要であることである。新たな方法を用いた大幅なＢＴＩの改良に加えて、ＭｕＧＦＥＴ装置において、より良いＶ_ｔｈの制御性と増加した駆動電流を得ることができる。 （もっと読む）

好適に具体例では、ゲートリークと散乱を低減した、薄いその場ＳｉＮ層により覆われたＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスが提供される。これは、ゲート堆積の前と、第２パッシベーション層の堆積前の、その場ＳｉＮの洗浄と組み合わせて、その場ＳｉＮ層の上に第２のパッシベーション層を導入して得られる。
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本発明は、式Ｉのプリンもしくはピリミジンホスホネート化合物又はその薬学的に許容される塩に関し、式中のＢ、Ｘ及びＲ^１〜Ｒ^３は、明細書中のクラス及びサブクラスで定義するとおりである。これらの化合物は、抗ウイルス薬前駆体として使用されうる。本発明はまた、これらの化合物を含んだ医薬組成物、及び患者におけるウイルス感染を治療及び／又は予防する薬剤の調製のためのそれらの使用に関する。本発明はまた、これらの化合物を製造する方法を提供する。特に、本発明は、式ＩＩのＨ−ホスフィネート前駆中間体を提供し、式中のＢは明細書中で定義するとおりのプリンまたはピリミジン塩基であり、Ｒ^１は、水素原子、並びにメチル、エチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、及びＣ_１〜６ハロアルキル基からなる群から選択される。

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【課題】トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、金属酸化物電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の後継者と考えられるが、シリコンベースのＴＦＥＴは一般に低いオン電圧、トンネルバリアの大きな抵抗による欠点が問題となる。より高いオン電流を得るために、異なった半導体材料（例えばゲルマニウム（Ｇｅ））からなるヘテロ構造を備えた細長い単結晶ナノ構造ベースのＴＦＥＴが用いられる。
【解決手段】ＴＦＥＴのソース（又は代わりにドレイン）領域として機能する、異なった半導体材料からなる細長い単結晶ナノ構造を導入する。ヘテロ部分の導入は、シリコンとゲルマニウムの間の格子不整合が高い欠陥界面とならないように行われる。従来のＭＯＳＦＥＴに匹敵する、静的電力の低減と同様に動的電力の低減が行われる。細長い単結晶ナノ構造のＳｉ／ＧｅＴＦＥＴによる超高密度オンチップトランジスタを用いた、多層の論理が期待される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、ＧａＮ／ＡｉＧａＮ層のような２つの活性層を含む、ＨＥＭＴ、ＭＯＳＨＦＥＴ、ＭＩＳＨＦＥＴデバイスのようなIII−Ｎ族電界効果デバイスを製造する方法に関する。
【解決手段】このタイプのエンハンスメントモードのデバイス、即ちノーマリオフのデバイスを製造する方法は、ＡｌＧａＮ層の上にパッシベーション層を提供し、パッシベーション層に孔をエッチングし、孔にゲートコンタクトを形成し、一方、パッシベーション層の上に直接ソースおよびドレインを形成する。活性層および／またはゲートの特性は、ゼロ電圧がゲートに供給された場合に、ゲートの下に２次元電子ガス層が存在しないように選択される。この発明は、同様に、この特性を備えたデバイスにも関する。 （もっと読む）

本発明は、ウイルス感染症（例えば、水痘帯状疱疹ウイルスが原因の水痘または帯状疱疹）の治療または予防における使用のための化合物であって、


上記一般式（ＩＩ）［式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＣＨ_２であり；Ｙは、Ｏ、Ｓ、またはＮＨであり；Ｚは、Ｏ、Ｓ、またはＣＨ_２であり；Ｒ_１は、Ｃ_１〜６アルキルであり、ｎ−ペンチルまたはｎ−ヘキシルを含むｎ−アルキルが好ましく；Ｒ_２およびＲ_３の１つはＯＨであり、そしてＲ_３およびＲ_２の他方は中性で非極性のアミノ酸分子である］で示される化合物、またはその医薬的に許容し得る塩もしくは水和物を提供する。該中性で非極性のアミノ酸分子のＲ_２またはＲ_３は、上記式（ＩＶ)［式中、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は各々独立してＨまたはＣ_１〜２アルキルである］であり得る。特に好ましい実施態様において、Ｒ_２またはＲ_３の１つはバリン、ロイシン、イソロイシン、またはアラニンであり、バリンが特に好ましい。
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【課題】種々の良性および悪性いずれの腫瘍にも見られる異常細胞成長に関連する遺伝子およびタンパク質の提供。
【解決手段】高速移動群タンパク質遺伝子またはＬＩＭタンパク質遺伝子（これらの修飾体を含む）の成員の一つの鎖の一つのヌクレオチド配列を有する多重腫瘍異常生長（ＭＡＧ）遺伝子および多重腫瘍成長因子。遺伝子およびその誘導体は、非生理的増殖を有する細胞の診断、種々の腫瘍、その他診断的および治療的利用に供することができる。 （もっと読む）

本発明は、非破壊方法で、未知の半導体基板から少なくとも活性キャリアプロファイルを決定するための方法および装置を提供する。該方法は、ｍ個の反射信号から２ｍ個の独立した測定値を生成すること、これらの２ｍ個の測定値を２ｍ個の独立したキャリアプロファイル値と相関させることを含む。該方法は、追加の２ｍ個の測定値を生成し、４ｍ個の測定値を４ｍ個のプロファイル値と相関させることによって、活性キャリアプロファイルおよび第２パラメータプロファイルを決定することをさらに含む。該方法は、全部で２ｍ［ｎ，ｋ］個の測定値を生成し、［ｎ，ｋ］個の独立した材料パラメータ深さプロファイルを決定することをさらに含み、各材料パラメータプロファイルはｍ個のポイントからなる。
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本発明は所定のタイプの電荷トラップ不揮発性メモリデバイスのプログラミング条件セットを決定するための方法に関する。本方法は（ａ）対応する数のタイプの不揮発性メモリデバイスに適用されるべき異なるプログラミングのパラメータセットを選択するステップと、（ｂ）プログラミングのパラメータセットによって不揮発性メモリデバイスの数をプログラムするステップと、（ｃ）各プログラムされるデバイスの電荷トラップ層の実際の空間的電荷分布を決定するステップと、（ｄ）プログラミングパラメータのうちの少なくとも１つの空間的電荷分布に対する影響を決定するステップと、（ｅ）プログラミングパラメータのうちの少なくとも１つの最適値を決定するステップと、（ｆ）各最適値をプログラミングのパラメータセットに入力しかつステップ（ｂ）からステップ（ｅ）までを少なくとも一度反復するステップとを含む。
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