【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が減らされて、これにより製造コストが低減され、良好な開回路電圧（open-circuit voltage）と良好な短絡回路電流（short-circuit current）を有し、この結果、良好なエネルギー変換効率を有する、部分的なバックコンタクトの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＲＮＡまたはＤＮＡウイルス（例えば、ＨＩＶ、ＨＢＶまたはＨＳＶ）に対して抗ウイルス活性を有する新規化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）：


を有する新規化合物が提供されている：ここで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｚ、Ｘおよび＊は、本明細書中で定義されている。また、式（Ｉ）の化合物を使用する抗ウイルス方法およびそれを合成する方法が提供されている。他の目的は、イオン交換樹脂またはキラル媒体の調製で有用な化合物を提供することにある。さらに他の目的は、このような化合物を製造する中間体および方法を提供することにある。 （もっと読む）

【課題】イミダゾ［４，５−ｄ］ピリミジン、それらの使用および製造を提供すること。
【解決手段】本発明は、ウイルス感染を治療または予防する医薬組成物に関し、該組成物
は、活性成分として、一般式（Ａ）を有する少なくとも１種のイミダゾ［４，５−ｃ］ピ
リミジンを含有し、ここで、それらの置換基は、本明細書中で記述されている。本発明は
また、上記一般式を有する本発明の化合物を調製する方法、それらの薬学的に受容可能な
処方物、およびウイルス感染を治療または予防する医薬としてのそれらの使用に関する。
本発明は、具体的には、抗ウイルス化合物、特に、フラビウイルス科（Ｆｌａｖｉｖｉｒ
ｉｄａｅ）およびピコルナウイルス科（Ｐｉｃｏｒｎａｖｉｒｉｄａｅ）の治療用のこの
ような化合物に関する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。
【解決手段】第１ドーパントレベルのｎ型ドーパントがドープされたゲルマニウム領域（１０）を上部に有する半導体基板を得る工程と、ｎ型ドープされたゲルマニウム領域（１０）を覆う界面シリコン層（１１）を形成する工程であって、界面シリコン層（１１）は第２ドーピングレベルのｎ型ドーパントでドープされて臨界膜厚より大きな膜厚を有し、これにより界面シリコン層（１１）は少なくとも部分的に緩和される工程と、界面シリコン層（１１）を覆うように、１×１０^−２Ωｃｍより小さい電気抵抗率を有する材料の層（１２、１３）を形成する工程とを含む方法。本発明はまた、対応する半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上の陽極酸化可能な層、例えば犠牲層上に存在するアルミニウム層であって、該犠牲層は、マイクロ電気機械システム又はナノ電気機械システム（ＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ）を備えたキャビティから除去する必要があるような層のマスク陽極酸化の方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ層の陽極酸化は、細長い孔の形成につながり、該孔を通じて犠牲層を除去可能である。本発明の方法に従って、Ａｌ層の陽極酸化は、陽極酸化される領域２１を規定する第１マスク２０、及び陽極酸化される第２領域を規定する第２マスク２２であって、前記第２領域は第１領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。第１マスク及び第２マスクが規定する領域の陽極酸化は、第１領域周囲の閉環形態における陽極酸化構造の形成につながり、第１領域内では不要な横方向陽極酸化に対するバリアを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。
【解決手段】シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、（ａ）シリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む工程と、（ｂ）進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、（ｃ）シリコン表面上に、ＡＬＤＡｌ_２Ｏ_３層のような酸化物層を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】１ミクロンより小さい、好適には１０ｎｍより小さい（チヤネルまたは細孔）幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル（またはナノ細孔）を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板１を含むデバイスであって、単結晶基板１は、単結晶基板１の所定の結晶面を露出させる少なくとも１つのリセス領域４を有し、少なくとも１つのリセス領域４は、更に、リセス幅を有し、および充填材料５と埋め込まれたナノチャネル６とを含み、埋め込まれたナノチャネル６の幅、形状、および深さは、少なくとも１つのリセス領域４のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブのような単一ナノ構造の成長に適した、金属表面上に触媒ナノ粒子を形成する方法の提供。
【解決手段】少なくとも以下の工程：基板表面の少なくとも一部の上に金属層を有する基板を形成する工程と、少なくとも金属層の上に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層に小さな孔を形成して、これにより金属層を露出させる工程と、単一触媒ナノ粒子１２を孔の中に形成する工程と、犠牲層を除去する工程と、を含む方法及び、更に、触媒ナノ粒子からのカーボンナノチューブの成長。 （もっと読む）