導波路集積型光検出器（１００）を記載している。導波路集積型光検出器は、プラズモンサポート材料から成る第１層（１１０）を備え、第１層（１１０）は、第１放射線を導波路と結合させるために第１層を貫通する入力スリット（１１２）を有する。光検出器（１００）はまた、プラズモンサポート材料からなり、第１層（１１０）に面し、第１層（１１０）から第１方向に第１距離を隔てた第２層（１２０）を有する。第２層（１２０）は、第２層（１２０）を貫通し、入力スリット（１１２）から第１方向と異なる第２方向に沿って第２距離隔てた出力スリット（１２２）を有する。光検出システム（１００）はまた、第１層（１１０）と第２層（１２０）との間に配置した誘電体層（１３０）、および出力スリット（１２２）に近接する、出力スリット（１２２）を通って出射する結合した放射線を検出するための、検出器（１４０）とを備える。
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【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、無線通信システムにおけるアナログビームフォーミング方法に関し、前記システムは複数の送信アンテナ及び複数の受信アンテナを有する。当該方法は、前記複数のアンテナのうちの１つの送信アンテナと１つの受信アンテナとの間に形成された通信チャンネルを表す情報を決定し、前記送信ビームフォーミング係数及び前記受信ビームフォーミング係数とを結合して表す係数セットを定義し、前記情報及び前記係数セットを使用してビームフォーミングコスト関数を決定し、前記ビームフォーミングコスト関数を利用することにより、最適化された係数セットを決定し、前記最適化された係数セットを最適化された送信ビームフォーミング係数と最適化された受信ビームフォーミング係数とに分離することにより、送信ビームフォーミング係数及び受信ビームフォーミング係数を決定するステップを備える。
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本発明は固体状有機発光デバイスおよび固体状有機発光デバイスにおける三重項励起捕捉方法に関する。より具体的には、本発明は固体状有機材料中の三重項ポピュレーションを実質的に低減する方法であって、該方法が固体状有機材料に非垂直三重項エネルギー移動を示す分子を供すること、又は固体状有機材料から三重項励起拡散長さよりも短い距離分離れた非垂直三重項エネルギー移動を示す分子を供することを含んで成る。
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デバイスは、基板、その上に存在する層、および前記層を貫通するナノ構造を備え、ナノ構造は、分析される分子が通過可能なナノスケールの通路を規定し、ナノ構造は断面図において、実質的に三角形状を有するようにした。この形状は、ナノ構造の傾斜側壁を規定する結晶ファセットを有するエピタキシャル層の成長によって特に達成する。それは、特に表面プラズモン増強透過分光を用いた、分子構造の光学的特性評価のための使用に極めて好適である。
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本発明は、有機半導体層の上に、金属を含む電気コンタクト層を形成する方法に関し、この方法は、（ａ）有機半導体層の上に電荷収集バリア層を提供する工程と、（ｂ）電荷収集バリア層の上に金属のための前駆体を含む液体合成物を提供する工程と、（ｃ）シンタリング工程を行う工程とを含み、電荷収集バリア層は、液体合成物の成分に対して実質的に不浸透性である。
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【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な、量子井戸デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】量子井戸ＱＷデバイスは、基板１を覆う量子井戸領域ＱＷ、量子井戸領域の一部を覆うゲート領域Ｇ、ゲート領域に隣接するソース領域Ｓおよびドレイン領域Ｄを含む。量子井戸領域は、第１バンドギャップを有する半導体材料を含むバッファ構造２と、バッファ構造２を覆い、第２バンドギャップを有する半導体材料を含むチャネル構造３と、チャネル構造３と接する第３バンドギャップを有するアンドープの半導体材料を含むバリア構造４とを含み、第１バンドギャップと第３バンドギャップは、第２バンドギャップより広い。ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄは、それぞれゲート領域Ｇに対してセルフアラインであり、第４バンドギャップを有する半導体材料を含み、第４バンドギャップは第２バンドギャップより広い。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェット洗浄処理において、基板の腐食を防止した方法および装置の提供。
【解決手段】半導体基板（１）を洗浄するための方法および装置に関し、基板の表面の上に、第１の導電性または半導体材料を含み、第２の導電性または半導体材料の層（４）により囲まれた少なくとも１つの構造（５）を含み、この層は本質的に表面の全体に渡って拡がり、第１および第２の材料は物理的に接続され、この方法は、基板を提供する工程と、基板の表面に面するように対向電極（２０）を配置する工程と、表面と電極との間の空間に電解溶液（２１）を供給する工程であって、基板表面、洗浄溶液（２１）、および対向電極（２０）により形成されたガルバニ電池中で、対向電極がアノードとして働く工程とを含む。 （もっと読む）