【課題】半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】１つの工程での半導体ウェーハの両面の同時研削、１Ｓ−ＤＤＧを有する半導体ウェーハの製造方法において、この研削が唯一の削る機械的処理工程であり、この工程により半導体ウェーハの平面を処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハ表面へのボロン汚染を抑制する方法を提供する。
【解決手段】オゾンを含む塩酸（ＨＣｌ／オゾン）又はフッ化水素酸水溶液（ＨＦ／オゾン）を用いてシリコンウエーハ表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】技術的に比較的簡単な方法を提案し、この方法により、周辺部領域内にも表面の局部的な平坦度を有する半導体ウェーハが入手可能となり、前記平坦度が前記パラメータに関して現在及び将来の世代の電子的な構成素子の作製のための前提とされる要求を満たすようにする。
【解決手段】半導体ウェーハを、該半導体ウェーハがキャリアボディよりも薄く、かつ半導体ウェーハを保護するためにキャリアの切欠きに装着されたインサートよりも厚くなるまで加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】改善されたエッジ質を有する半導体ウェーハ並びにこのような半導体ウェーハを作製する方法を提供する。
【解決手段】０．３μｍよりも大きい、又は０．３μｍに等しい欠陥部を有していないエッジ領域が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の表面および内部の温度勾配や速度分布を適切に制御することによって、シリコン単結晶の酸素濃度を制御して且つ径方向に均一に保ちつつシリコン単結晶を高速で引き上げることができる製造装置を提供する。
【解決手段】石英坩堝４ａを周囲から加熱するヒータと、輻射熱によるシリコン単結晶１２の加熱を防止する輻射熱遮蔽体１３と、シリコン単結晶１２の引き上げ方向に対して垂直な面内における回転の向きと回転周波数と磁場強度のうち、少なくとも回転周波数が異なる複数の回転磁場ＭＦを石英坩堝４ａ内のシリコン融液１５に印加する回転磁場装置と、を備えたシリコン単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝を使用するチョクラルスキ法によるシリコン単結晶の製造方法において、結晶径の変更、初期原料融液量の増減等の影響を受けることなく、酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶を歩留まり良く製造できるようにする。
【解決手段】石英坩堝の回転数（Ω）、坩堝の温度（Ｔ）、およびシリコン融液が坩堝の内壁と接触する面積と雰囲気ガスと接触する面積との比（β）の３つのパラメータの相関に基づいて、育成中のシリコン結晶中の酸素濃度を予測し、その予測濃度を目標濃度に一致させるべく、回転数（Ω）と温度（Ｔ）の少なくとも１つを制御するようにした。温度（Ｔ）と比（β）とを、石英のシリコン融液に対する溶解エネルギ（Ｅ）を用いた関数１／β×Ｅｘｐ（−E／T）として関連させることによって、シリコン単結晶中の酸素濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの製造にあたり、凝集した空格子点欠陥を除去しなければならないという必要性ひいてはそれに付随する困難を回避し、それにもかかわらずこのような欠陥タイプの現存が、以降のプロセスステップで半導体ウェハを後続処理して形成される電子コンポーネントの機能に対しリスクとはならないようにする。
【解決手段】シリコンから成る単結晶をチョクラルスキー法により引き出し、処理を施して半導体ウェハを形成する。単結晶引き上げ中、引き上げ速度Ｖと成長フロントにおける軸線方向温度勾配Ｇとの比Ｖ／Ｇを、臨界サイズを超えた大きさの凝集した空格子欠陥が単結晶中に生成されるようコントロールする。電子コンポーネント製造中、それに関連する半導体ウェハ領域内の凝集した空格子点欠陥を、その領域内のサイズが臨界サイズを超えないよう収縮させる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法において、炭素イオンをシリコンウェハの規定の深さに注入し、次いで該シリコンウェハを熱処理し、それにより該シリコンウェハ中に埋め込まれた単結晶炭化ケイ素層が形成し、そしてその炭化ケイ素層の上方と下方とに非晶質の遷移領域が形成し、引き続き上方のシリコン層と、単結晶炭化ケイ素層の上方にある非晶質の遷移領域とを分離し、それにより単結晶炭化ケイ素層が露出され、そして引き続き露出された単結晶炭化ケイ素層の表面を化学的機械的に平坦化して、０．５ｎｍ未満（ＲＭＳ）の表面粗さにする。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり； ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングする。 （もっと読む）

【課題】窒素でドープされたシリコンウェーハの熱処理による、該シリコンウェーハの表面上に付加的な欠陥の発生を、できるだけ広範囲に回避させる。
【解決手段】シリコンウェーハの前面が、ＤＮＮ通路内にＬＳＥの０．１３μｍを上廻る大きさの窒素誘起された４５個未満の欠陥、少なくとも５μｍの厚さを有する１つの層、但し、この場合には、少なくとも０．０９μｍの大きさを有する１・１０^４以下のＣＯＰ／ｃｍ^３が発生するものとし、および少なくとも５μｍの厚さを有するＢＭＤ不含の層を有する。 （もっと読む）