【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーガングを最適な運動に設定することができる、ワイヤー鋸に適したワイヤー案内ロールを提供する。
【解決手段】多重のウェーハを円筒形の被工作物から同時にスライスするためのワイヤー鋸に使用するワイヤー案内ロールの場合に、このワイヤー案内ロールは、少なくとも２ｍｍおよび最大７．５ｍｍの厚さを有するコーティングを備えており、少なくとも６０および最大９９のショアーＡ硬度を有する材料から構成されており、さらに鋸引きワイヤーが案内される多重の溝を有し、この溝は、それぞれ鋸引きワイヤー直径Ｄの０．２５〜１．６倍である曲率半径Ｒおよび６０〜１３０゜の開口角度を有する湾曲した溝ベースを有している。 （もっと読む）

【課題】ウェハの局所的な厚さの変化を回避する。
【解決手段】複数の半導体ウェハの両面を同時に研削するための方法において、それぞれの半導体ウェハが、転動装置によって回転させられる複数のキャリヤのうちの１つのキャリヤの切欠きにおいて自由に可動でありかつこれによりサイクロイド状の軌道上を移動させられるように配置されており、半導体ウェハが、回転するリング状の２つの作業ディスクの間で材料除去形式で機械加工されるようになっており、それぞれの作業ディスクが、固定と粒を含む作業層を有しており、作業層の間に形成された作業ギャップの形状が、研削の間に決定され、少なくとも１つの作業ディスクの作業領域の形状が、作業ギャップが所定の形状を有するように作業ギャップの測定されたジオメトリに応じて機械的に又は熱的に変化させられる。 （もっと読む）

【課題】費用のかかる付加的露光装置を必要とせずに、ＳＯＩウェハの半導体層を均一化する方法を提供すること
【解決手段】電気絶縁性材料の表面上に存在する半導体層の厚さを減少しかつ均一化する方法において、半導体層の表面をエッチャントの作用にさらし、その酸化還元ポテンシャルを前記材料及び前記半導体層の所望の最終厚さの関数として調節して、前記半導体層の表面の単位時間当たりのエッチャントによる材料浸食を半導体層の厚さの減少と共に低下させ、かつ前記材料浸食は所望の最終厚さに達した場合に１秒当たり前記の厚さの０〜１０％だけとなるようにし、その際、前記方法を光の作用なしで又は外部電圧の印加なしで実施する、半導体層の厚さを減少しかつ均一化する方法 （もっと読む）

【解決手段】界面で成長する単結晶をルツボ中に含まれる融液から引き上げる工程と、引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切り分ける工程とを有するシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に、界面の中心に熱を供給し、界面の中心から縁部までの比Ｖ／Ｇの半径方向プロフィールを、界面に対して垂直方向の温度勾配であるＧ及び融液から単結晶を引き上げる引き上げ速度であるＶを用いて制御する。比Ｖ／Ｇの半径方向ｒ／ｒｍａｘのプロフィールを、界面に接する単結晶中の熱機械応力場の影響が内因性点欠陥の発生に関して補償するように制御する。
【効果】０．６ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた単結晶から、３００ｍｍの直径を有する無欠陥のシリコン半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができた。この半導体ウェハに関して、Ａスワール欠陥も、ＦＰＤも、ＯＳＦ欠陥も検出できなかった。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面又はその近傍に存在する汚染または意図的に存在せしめた金属を迅速かつ高精度で分析するための方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面のシリコン層を所定の深さまでエッチングするに際して、シリコン酸化性ガスとＨＦガスとをノズルの先端からシリコンウェハ表面に吹き付けてエッチングすることにより、エッチング位置やエッチング深さの制御をするとともに迅速にエッチングすることが可能。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子材料、特にシリコンウエハ用の洗浄液およびそれを用いた洗浄方法に関する。
【解決手段】本発明にかかる洗浄方法は、超純水あるいは水素水を原料水とし、かつ水素マイクロバブルの存在下で、超音波照射を組合わせた洗浄液を用いることを特徴とする。
【効果】本発明の方法は、ウエハ表面のパーティクル成分等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶インゴットの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は、シリコン融液１５の深さをＨとしたときに、回転磁場装置６により発生する磁場のシリコン融液１５内での最大強度の位置を、融液１５の表面から深さ０．３Ｈ以内に位置させるべく、回転磁場装置６と坩堝４の引き上げ軸方向の相対位置を調節する制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＭＤの形態が板状であるシリコンウエハであって、シリコンウエハの表面から深さ５０μｍ以上の位置に存在しているＢＭＤのうち、対角長が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下のＢＭＤが１×１０^１１／ｃｍ^３以上であり、対角長が７５０ｎｍ以上のＢＭＤが１×１０^７／ｃｍ^３以下であり、且つ、格子間酸素濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】洗浄過程において生じる面荒れを低減することで、高品質なシリコンウエハの提供を可能とする疎水性シリコンウェハ用洗浄水及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄水は、水素ガス１．０ｐｐｍ以上と、アンモニアまたはＴＭＡＨと、過酸化水素とを含有する水溶液であって、前記洗浄水が、アンモニアを含有する場合、その濃度は３００〜２０００ｐｐｍの範囲で、過酸化水素の濃度は４００〜１５００ｐｐｍであり、好ましくは（０．８×アンモニア濃度）ｐｐｍ以上である水溶液である。また、前記洗浄水がTMAHを含有する場合、その濃度は５０〜２０００ｐｐｍの範囲が好ましく、過酸化水素の濃度は、（０．２×ＴＭＡＨ濃度）ｐｐｍ以上が好ましい。 （もっと読む）