【課題】ラフネス及び形状に関する要求に完全に適合する、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造を可能にする方法を提供すること
【解決手段】半導体ウェハの少なくとも一方の側のポリシング及びポリシングされた半導体ウェハのエッジ部のポリシングを有し、その際、前記エッジ部はポリシング剤の存在で、固定砥粒を有する研磨布でポリシングされる、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＤＧ研削装置において研削位置の正確な軸方向アライメント測定を可能にする。
【解決手段】半導体ウェハの同時両面機械加工のための両面研削盤における研削スピンドル位置の修正のための方法において、それぞれが研削ディスクを受容するための研削ディスクフランジを有する２つの研削スピンドルが連結エレメントによってねじれて連結されており、傾斜計と距離測定のための２つのセンサとを有する測定ユニットが研削ディスクの代わりに２つの研削ディスクフランジの間に取り付けられており、これにより、研削スピンドルがこの場合実質的に、研削プロセスの間、取り付けられた研削ディスクと共に配置される位置にあり、連結された研削スピンドルが回転させられながら、２つの研削スピンドルの対称的な向き付けのために使用される２つの研削スピンドルの軸方向アライメントの半径方向及び軸方向の修正値を決定するために、傾斜計及びセンサが使用される。 （もっと読む）

【課題】被覆されたキャリアにおいて、ラッピング装置、ポリシング装置及び研削装置において使用する場合に特に低い摩耗にさらされ、かつ前記被覆は良好に付着される、被覆されたキャリアを提供すること
【解決手段】ラッピング装置、研削装置又はポリシング装置中で半導体ウェハの加工のために１つ又は複数の半導体ウェハを収容するのに適した、高い剛性を有する第１の材料からなるコアを有し、前記コアは完全に又は部分的に第２の材料で被覆され、かつ半導体を収容するための少なくとも１つのカットアウト部を有するキャリアにおいて、前記第２の材料がショアＡによる２０〜９０の硬度を有する熱硬化性ポリウレタン−エラストマーである、キャリア。 （もっと読む）

【課題】短いサイクル時間を可能にし、表面の粗さを許容できないほど増大させずに効果的な清浄化を可能にする方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置５０がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（マイクロバブル含有洗浄液）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハＷをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ２２に供給し、一方順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送し、各スクラビングブラシ２２のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってシリコンウェハＷをブラシスクラビング洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。
【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨材溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有する。
【効果】著しく低い"ヘイズ"およびＲＭＳ荒さ値を予想することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式処理の利点及び洗浄溶液を使用する箇所での洗浄溶液の準備の利点を上回るように改善された洗浄作用を有する洗浄方法を提供すること
【解決手段】初期の組成においてアンモニウム−アルカリ性の成分を含有する洗浄溶液を用いて、その際、前記半導体ウェハを枚葉式処理で洗浄溶液と接触させ、かつ洗浄の経過において、フッ化水素を他の成分として前記洗浄溶液に添加し、かつ前記洗浄溶液は、洗浄の完了時に、初期と組成とは異なる組成を有する、半導体ウェハを洗浄する方法 （もっと読む）

【課題】より一定の研削条件及び研削盤における冷却の改良された形式を達成する。
【解決手段】半導体ウェハを研削する方法であって、半導体ウェハが、半導体ウェハと少なくとも１つの研削ツールとの間の接触領域に冷媒を供給しながら、少なくとも１つの研削ツールによって片面又は両面において材料を除去するために処理されるようになっている方法において、冷媒の流量が、少なくとも１つの研削ツールの研削歯の高さに関して選択され、研削歯の高さが減少するに従って前記冷媒の流量が減少させられる。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度をさらに改善する洗浄法及び乾燥法を提供すること
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する （もっと読む）

【課題】ポリシングされた半導体ウェハのナノトポグラフィが要求条件を満たす、片面ポリシング方法を提供する。
【解決手段】弾性的な材料から形成されたメンブレンを備えたポリシングヘッドによる裸半導体ウェハの片面ポリシングのための方法において、該方法によって、ポリシング圧力が、ポリシングされる半導体ウェハの裏側に伝達され、半導体ウェハが、研磨剤を供給しながら、滑らかな表面を備える研磨布に対して押し付けられかつ、リテーナリングによってメンブレンから滑り落ちることを防止され、リテーナリングの、研磨布に面した側面にチャネルが設けられている。 （もっと読む）