【課題】成長する単結晶の近傍における高い程度の粒子形成を予想する必要なく、上部ネック部分を可逆的に弛緩させることが可能な単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】引上げケーブル６を巻き取るためのケーブルドラム７を有する、単結晶５を引き上げるための引き上げ装置が設けられており、単結晶５の重量の上部ネック部分を弛緩させるための支持装置に、開口及び掴み捕捉部材を有する支持リングが設けられており、掴み捕捉部材が、互いに向き合い、軸受の軸線を中心にして回動させられることができるように、支持リングに取り付けられており、掴み捕捉部材が待機位置から保持位置への可逆的な回動を行うことができ、掴み捕捉部材の軸受の軸線の両側において掴み捕捉部材に取り付けられた支持ケーブル１４及び補助ケーブル１５を巻き取るためのケーブルドラム７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好なゲッタリング特性を有し、電子デバイスの集積のために重要な領域において実質的に欠陥のない単結晶シリコンからなる半導体ウェハを提供し、かつ前記半導体ウェハを高い歩留まりで提供できる極めて経済的な方法を提供する。
【解決手段】窒素でドープされていて、ＯＳＦ領域及びＰ_v領域を有し、その際、前記ＯＳＦ領域は、前記半導体ウェハの中心から前記半導体ウェハの縁部の方向に向かってＰ_v領域にまで延在し；少なくとも３．５×１０⁸ｃｍ^-3のバルク中のＢＭＤ密度を有し、３より大きくないＢＭＤ_max／ＢＭＤ_minの商により表される変動幅を有する前記ＢＭＤ密度の半径方向の分布を有し、その際、ＢＭＤ_max及びＢＭＤ_minは、それぞれ最大のＢＭＤ密度もしくは最小のＢＭＤ密度を表し；１０ｃｍ^-2より低いＯＳＦ密度を有する、単結晶シリコンからなる半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】形成される炭化シリコン層の結晶性を悪化させることなく、従来に比べて生産性を向上させることができる炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にシリコン酸化層２を形成し、シリコン基板１内にシリコン酸化層２を通して炭素イオンを注入することによりシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成し、シリコン基板１からシリコン酸化層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させ、シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成し、熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させて、ＳｉＣウエハ１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤを用いて半導体ウェハに堆積させる層の厚さの均一性を改善するために簡単に実現することができる方法を提供する。
【解決手段】平面Eと窓５との間の距離Ｄは前記窓５の中央領域７において及び前記窓５の周辺領域８において外側が内側よりも大きく、かつ前記距離Ｄの半径方向のプロフィールの前記中央領域７と前記周辺領域８との境界部における接線は前記平面と共に１５度以上でかつ２５度以下の角度を形成するように選択することにより、堆積ガスが前記半導体ウェハ４に案内される速度を変更し、その際、前記窓５の中央領域７は前記半導体ウェハ４をカバーする前記窓５の内部領域であり、かつ前記窓５の周辺領域８は前記半導体ウェハ４をカバーしない前記窓の外部領域８であることを特徴とする、半導体ウェハ４に層を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】おもて面と裏面とを有する半導体ウェーハを研磨する方法。
【解決手段】前記半導体ウェーハの裏面を、ＣＭＰを用いて研磨し、前記研磨は、材料除去が、前記裏面のエッジ領域よりも前記裏面の中心領域においてより高い、前記半導体ウェーハの直径に沿ったプロファイルを有する材料除去を生じさせることを含む；及び前記半導体ウェーハのおもて面を、ＣＭＰを用いて研磨し、前記研磨は、材料除去が、前記おもて面のエッジ領域におけるよりも前記おもて面の中心領域においてより低い、前記半導体ウェーハの直径に沿ったプロファイルを有する材料除去を生じさせることを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの前面のグローバルフラットネスの明らかな改善も、ローカルフラットネスの明らかな改善も行えるＤＳＰポリシングを有する半導体ウェハを製造する方法を提供すること
【解決手段】上定盤と下定盤との間で半導体ウェハをポリシングする半導体ウェハの製造方法において、前記半導体ウェハを、キャリアのカットアウト部中に置き、ポリシング剤を供給して、前記半導体ウェハの中央での前記半導体ウェハの厚さと前記キャリアの厚さとの間の差が負になりかつ全体で１０μｍ〜３０μｍの材料除去が達成されるまで両面ポリシングし、前記ポリシング剤はＳｉＯ₂ ０．１〜０．４質量％及びアルカリ性成分０．１〜０．９質量％含有する、半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体材料の顆粒物１３を、コイル端子５、コイル体１及び複数のセグメント２から構成された第１の誘導加熱コイルにより、前記半導体材料からなる流出管１１を備えた皿９上で溶融させ、溶融した顆粒物１３の、融液ネック部１８及び融液肩部１６の形で前記流出管１１から相界面４にまで延びる融液を形成させ、前記融液ネック部１８が貫通する開口部６を有する第２の誘導加熱コイル１５により前記融液に熱を供給しながら前記相界面４で前記融液を結晶化させる半導体材料単結晶の製造方法において、前記流出管１１と前記融液ネック部１８との間の界面の軸方向位置を制御するために、冷却ガスを前記流出管１１及び前記溶融ネック部１８に向かって供給する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、転位除去のため結晶の幾何学的軸を実際の[１１０]結晶軸に対して所定の角度分傾斜させてて成長させたシリコン単結晶の方位を、単結晶育成後、エピタキシャル成長に適した方位に補正する方法を提供する。
【解決手段】（１１０）結晶面に比べて方位差を有する平面をウェハ表面として有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハにおいて、＜１１０＞方向はウェハ表面に対する法線から角度θ傾斜されていて、かつ傾斜された＜１１０＞方向の前記ウェハ平面中の方向＜−１１０＞での投影は角度φを形成し、θは０≦θ≦３゜及び４５゜≦φ≦９０゜（及び全ての対称的に等価の方向）で与えられるシリコンウェハ。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】先行技術の欠点を回避しながら応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供すること
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）