【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供すること。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、かつ無転位であるシリコンからなる単結晶を提供する。
【解決手段】容器内の不活性ガス及び窒素からなる雰囲気が１．５〜２．２ｂａｒの圧力であり、前記の雰囲気を連続的に交換し、この場合、１時間当たり容器の容量の少なくとも２倍を交換し、かつ原料棒の溶融のために少なくとも２２０ｍｍの外径の平板コイルを使用し、単結晶を１．４〜２．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲内の速度で引き下げかつ回転角の１セットづつ周期的に回転させ、このセットの回転角ごとの各回転の後に回転方向を反転させる。例えば、単結晶はまず回転数Ｎ１で時計回りに角度α１だけ回転し、次いで回転方向の反転が行われ、回転数Ｎ２で反時計回りに角度α２だけ回転を行い、α１及びα２の周期的に繰り返す回転を行う。回転角の選択を適切におこなうことにより形状の安定した高品質の単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の単結晶の製造において、原材料としての細粒を溶融させかつ溶融状態を維持するための誘導加熱コイルを提供する。
【解決手段】出口管１１を有するプレート９上で、半導体材料から成る細粒１３を溶融させるための誘導加熱コイルにおいて、電流案内スロットが設けられたコイルボディ１が設けられている。コイルボディ１の中央外側に位置する領域に、細粒のための通過開口６を有しており、コイルボディ１の下側中央において突出し、下端部においてウェブ３によって導電可能に結合された通電セグメント２とを有している。細粒を溶融させるための前記誘導加熱コイルは、溶融した半導体材料のフィルム１２と、フィルム１２によって包囲された自由面を備えた溶融物とを誘導加熱し、これらを液体に保つので、プレート９から単結晶１０への連続的で制御可能な溶融物流を保証する。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる半導体ウェハ中で有害であると分類された凝集した内因性点欠陥の欠陥を確実かつ簡単な方法で回避しうる経済的な半導体ウェハの製造方法およびその方法により製造した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】最低濃度又は前記最低濃度を上回る濃度のフッ素でドープされているシリコンからなる融液を準備し、前記融液を、融液中にフッ素が不在の場合に単結晶中に臨界直径を有するかそれ以上の直径を有する凝集した内因性点欠陥が形成される特定の速度で、結晶化することにより、フッ素濃度を１・１０¹⁰〜１・１０¹⁶原子／ｃｍ³の範囲内で含有するシリコン単結晶を形成し、前記単結晶から半導体ウェハを分離する。その後、好ましくは前記半導体ウェハを５５０℃〜１１００℃の範囲内の温度で熱処理し、つづいてエピタキシャル層を前記半導体ウェハ上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの中央部に近接する領域における比抵抗と比較してウェハのエッジに近接する領域の比抵抗が増大するか又は減少するようにエピタキシャル層の比抵抗が処理の間に制御されるウェハを製造する方法
【解決手段】それぞれのウェハは中央部、円形の外側のエッジ、前記エッジに近接する領域、及び前面が定義され、前記方法は、前記ウェハの前面上にエピタキシャル層を堆積し、前記層は中心部に近接する第１の比抵抗を有しかつ前記エッジに近接する領域で第２の比抵抗を有する工程と、前記エピタキシャル層を堆積する工程の間に少なくとも１つのプロセスパラメータを調節して、前記の第１の比抵抗と比べて前記の第２の比抵抗を少なくとも約２％変化させるように制御する工程とを有する、シリコンウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハの中央部に近接する領域における厚さと比較して前記ウェハのエッジに近接する領域の厚さが増大するか又は減少するようにエピタキシャル層の厚さが処理の間に制御されるウェハ、及び前記ウェハを製造する方法に関する。
【解決手段】シリコンウェハは、中央部、エッジ及び前記エッジに近接する領域を規定し、前記ウェハエピタキシャル層を有し、前記ウェハは、中央部に近接する前記エピタキシャル層の第１の厚さ、及び前記エッジに近接する領域のエピタキシャル層の第２の厚さを有し、その際、前記の第２の厚さは、前記の第１の厚さと比べて少なくとも約２％変化している、シリコンウェハ。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶サブストレートに通常のアニール処理（高温熱処理工程Ｄ）を施す前に、通常よりも低温で熱処理（Ａ、Ｂ、Ｃ）を施すことにより、熱処理前と熱処理後の置換型炭素濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）の変化量ΔＣｓ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）を１．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲で調整し、かつ格子間酸素濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）の変化量ΔＯｉ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）を１．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上６．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲で調整する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰ無欠陥層が少なくとも５μｍより厚い、アニールシリコンウエハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のアニールシリコンウエハの製造方法は、５μｍより厚いＣＯＰ−ＤＺを有するアニールシリコンウエハの製造方法であって、サブストレートに、（Ａ）６００℃以上７５０℃以下の温度範囲、３０分以上１０時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、（Ｂ）さらに、１０００℃までの昇温処理を、０．１℃／分以上１℃／分以下の昇温速度、５時間以上５０時間以下の所要時間で行う昇温工程と、（Ｃ）さらに、１１００℃以上１２５０℃以下の温度範囲で、かつ、５分以上４時間以下の所要時間で行う高温熱処理工程と、を含む熱処理を行うことを特徴とする。
【効果】ＣＯＰ無欠陥層が少なくとも５μｍより厚い、アニールシリコンウエハを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ処理を実施することなく、0.5ｎｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さの単結晶炭化シリコン層を有するＳｉＣウエハを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に緩衝層２を形成する（Ｓ１）。緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。シリコン基板１から緩衝層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させる（Ｓ３）。シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成する（Ｓ４）。熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）