【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は坩堝４と単結晶１２とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶１２を製造する。その際、制御装置１３は、単結晶１２の下端周縁部と坩堝４の内面との間に存在するシリコン融液１５の流れが坩堝４及び単結晶１２の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置６により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の清浄度を向上させることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷが洗浄槽１０の内槽１１内に載置された状態において、供給装置１５が洗浄液を内槽１１に供給し、キャリア２０に載置されたウエハＷ全体を洗浄液に浸漬させ、超音波シャワー３０のノズル３３全体を洗浄液に浸漬させる。次いで、供給装置３６が超音波シャワー３０に洗浄液を供給し、超音波シャワー３０が内部の超音波振動子３２によって供給された洗浄液を加振して、ノズル３３を介して内槽１１内に蓄積された洗浄液内に加振した洗浄液を噴射する。さらに、超音波シャワー３０からの洗浄液の噴射中に、排出装置１６が内槽１１内の洗浄液を排出する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによる鋸断の場合に先行技術において生じていたスライシングされたウェハのワイヤ出口の領域にソーインググルーブを回避する
【解決手段】ワークピースをソーワイヤにより形成されるワイヤセットを通るように供給するワークピースの鋸断方法において、鋸断工程の間にワークピースの切断溝をソーイング懸濁液で満たすことを特徴とするワークピースの鋸断方法及びソーワイヤにより形成されたワイヤセットと、鋸断すべきワークピースを収容しかつ前記ワークピースを前記ワイヤセットの方向に供給する送り装置と、ソーイング懸濁液で満たされたリザーバーとを有し、その際、前記リザーバーは、鋸断工程の間にそれぞれ少なくともソーワイヤの噛み合っている部分がリザーバーのソーイング懸濁液中に浸漬されるように配置されかつ満たされている、ワークピースの鋸断のために適した装置 （もっと読む）

【課題】本発明は厚さ１００ｎｍ未満のＳＯＩ層をもち、欠陥の発生を抑制した高品質なＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面単結晶シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、上記高温アニール後、あるいはその後必要に応じて実施するＩＴＯＸ処理後の残存ＳＯＩ層が１３０ｎｍ以上であり、引き続き１１００℃未満の温度の熱酸化して、ＳＯＩ厚を１００ｎｍ未満まで薄膜化することを特徴とする。
【効果】本発明により、厚さ１００ｎｍ未満のＳＯＩ層をもち、欠陥の発生を抑制した高品質なＳＩＭＯＸ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板、特に単結晶シリコン層の結晶面が｛１１１｝面に近く、かつ表面平坦性および界面急峻性に優れるＳＯＩ基板の製造方法およびＳＯＩ基板に関する。
【解決手段】少なくとも単結晶シリコン基板の一方の主表面から酸素をイオン注入して酸素イオン注入層を形成した後、該単結晶シリコン基板に対して該形成した酸素イオン注入層を埋め込み絶縁層へ変化させる第一の高温熱処理を行ない、引き続き該単結晶シリコン基板に対して該埋め込み絶縁層の厚みを増大させる第二の高温熱処理を行なうＳＯＩ基板製造方法において、該単結晶シリコン基板の主表面が｛１１１｝面に近い結晶面であり、該単結晶シリコン基板の主表面とその法線方向との角度をθとしたとき、０．０１°＜ θ ＜ ４°であることを特徴とする。
【効果】表面平坦性や界面急峻性に優れるＳＩＭＯＸ（１１１）基板の提供を可能とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウエハは、ＢＭＤの形態が八面体であるシリコンウエハであり、表面から深さ５０μｍ以上の位置に存在しているＢＭＤのうち、対角長が１０ｎｍ〜５０ｎｍであるＢＭＤの密度が５×１０^１１／ｃｍ^３以上であり、対角長が３００ｎｍ以上であるＢＭＤの密度が１×１０^７／ｃｍ^３以下である。また、好ましくは、さらに、シリコンウエハの格子間酸素濃度の平均値が、５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】部分ＳＯＩウェーハ、埋め込み酸化膜段差パターン付ＳＯＩウェーハ、埋め込み酸化膜段差パターン付２重ＳＯＩウェーハ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩウェーハ上に保護膜を形成する工程と、引き続き保護膜の一部分をエッチングによって除去して開口部を設ける工程と、引き続きウェーハを熱処理炉内に導入して埋め込み酸化膜厚を減ずる熱処理工程を含む部分ＳＯＩウェーハおよび埋め込み酸膜化段差パターン付ＳＯＩウェーハの製造方法であり、前記埋め込み酸化膜厚を減ずる熱処理雰囲気には塩素を含有する気体ならびに酸素が含まれ、さらに前記熱処理雰囲気は、当該熱処理温度においてウェーハ表面に表面酸化膜が成長する範囲の酸素分圧を有することを特徴とする部分ＳＯＩウェーハおよび埋め込み酸化膜段差パターン付ＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】改善された歩留まりで低欠陥半導体ウェハを製造することができるＭＣＺ法を提供する。
【解決手段】ルツボ中に含まれる融液から単結晶を引き上げ、引き上げられた単結晶から半導体ウェハをスライシングするシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に成長する単結晶の融液との界面の中心に熱を導入し、ＣＵＳＰ磁場の中立面が単結晶の引き上げ軸を、融液表面から少なくとも５０ｍｍの距離で横切るようにＣＵＳＰ磁場を融液に印加する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ長さに亘ってソーイングワイヤの均一な摩耗を達成する。
【解決手段】長手方向軸線と断面とを有する工作物から、多数のウェハをスライスするための方法において、テーブルに固定された前記工作物が、テーブルと、ワイヤソーのワイヤギャングとの、工作物の長手方向軸線に対して垂直に向けられた相対移動によって、有効速度で移動させられるソーイングワイヤによって形成されたワイヤギャングによって可変の前送り速度でフィードされるようになっており、ソーイングワイヤの有効速度が、ソーイングワイヤの均一な摩耗を生ぜしめるために、前送り速度と工作物断面とに関して調節される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を検出する方法に関する。
【解決手段】シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをＣｕイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後ＳＣ１洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたピットを分析することを特徴とする。
【効果】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を確実にかつ高精度で検出、評価することができる。 （もっと読む）