【課題】正確なエッジ形状を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】本発明の内容は半導体ウェハ１であり、この半導体ウェハ１は、前側と、後側と、前記半導体ウェハ１の円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、エッジプロフィルは半導体ウェハの全周に亘って実質的に一定である。本発明の内容は多数の半導体ウェハ１でもあり、エッジプロフィルは半導体ウェハ１ごとに実質的に一定である。本発明の内容は、このタイプの半導体ウェハ１を製造する方法でもある。 （もっと読む）

【課題】可能な限り簡単に形成されていて、したがって、ほとんど故障しにくい、結晶のための支持装置を備えた結晶引上げ設備を提供する。
【解決手段】各爪７が、旋回軸８を中心として旋回可能に基体１に支承されており、該基体１が、各爪７に対して、休止位置を規定するストッパと、作業位置を規定するストッパとを有しており、休止位置において、爪７の重心が、ネック４から見て旋回軸８よりも外側に位置していて、作業位置において、旋回軸８よりも内側に位置しているように、ストッパが配置されているようにした。 （もっと読む）

【課題】更に小型化する際に問題を生じない半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】欠陥が減少した領域を有する単結晶半導体ウェーハであり、この欠陥が減少した領域は０／ｃｍ^２〜０.１／ｃｍ^２の範囲のＧＯＩ関係欠陥の密度を有し、全体として半導体ウェーハの平坦な平面の１０〜１００％の単位面積割合を占めており、その際半導体ウェーハの残りの領域は欠陥が減少した領域より明らかに高い欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】極めて線幅（「デザインルール」）の小さな電子素子を作製するのにも適している複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法を提供すること。
【解決手段】複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法であって、各半導体ウェハは、ローリング装置によって回転させられる複数の回転ディスクのうちの１つの切り欠き部において自由に運動できるように配置されており、これによってサイクロイドの軌跡曲線上を運動し、回転する２つの加工ディスクの間で材料を削り取ることによって前記半導体ウェハを加工し、各加工ディスクは、結合された研磨剤を有する加工層を含んでいる形式の、複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法において、加工中に、加工ギャップにおける温度一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】切り口の終端範囲で生じる局所的なうねりを一層著しく減少させる。
【解決手段】ソーイングストリップ１が、その長手方向に対して直角に凹面状に湾曲させられた、ワーク２との結合のために設けられた第１の面４と、該第１の面に背中合わせで位置する、マウントプレートとの結合のために設けられた第２の面５と、第１の面と第２の面とを結ぶ２つの側面６，７とを有しており、当該ソーイングストリップの両縁辺８，９が、互いに所定の間隔ａを有しており、仮想の直線１０が、第１の面４に沿って第２の面５に対する第１の面の最小間隔ｄを特徴付けており、側面６，７が、仮想の直線１０の高さで間隔ｄに対して直角に測定された間隔ｂを有しており、間隔ｂが間隔ａよりも小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ表面の不純物除去方法に関する。
【解決手段】回転させたシリコンウエハ表面に、フッ化水素酸とオゾンとを含む混合水溶液を供給して洗浄することにより、シリコンウエハ表面の不純物除去方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

本発明の対象は、規定の順序において以下の工程：ａ）半導体ウェハの特性を示すパラメータを位置に依存して測定し、半導体ウェハの面全体で位置に依存するこのパラメータの値を算出する工程、ｂ）５０ｍＰａｓ〜２０００ｍＰａｓの粘度を有するエッチング媒体を半導体ウェハのこの面全体に施与する工程、ｃ）半導体ウェハのこの面全体を、この面全体を同時に露光しながらエッチング媒体を作用させることによってエッチング処理し、その際、エッチング処理の除去率を半導体ウェハの面における光強度に依存させ、かつその際、工程ａ）において測定された位置に依存するパラメータの値における差異が位置に依存する除去率によって軽減されるように、光強度を位置に依存してプリセットする工程、およびｄ）エッチング媒体を半導体ウェハの面から除去する工程、を包含する半導体ウェハの処理方法である。
本発明の対象はまた、本発明による方法を実施するための装置である。
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【課題】結晶から分断された半導体ウェーハの形状付与加工が、大きな精度でかつ高い歩留りで達成されるようにする。
【解決手段】当該方法が、以下のステップ：すなわち、
結晶からの半導体ウェーハの分断；
エッジを機械的に加工しかつエッジが、目標プロファイル３に対して縮尺通りであるプロファイル２を獲得するエッジプロファイル形成ステップ；
半導体ウェーハの厚さを減少させる機械的な加工ステップ；
エッジを機械的に加工しかつエッジが目標プロファイル３を獲得するエッジプロファイル加工ステップ：
を有しているようにした。 （もっと読む）