【課題】決められた熱伝導率を有する、シリコンからなる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ素、リン、砒素またはアンチモンのような電気的活性のドーピング物質を含有し、場合により付加的にゲルマニウムがドーピングされ、所定の熱伝導率を有する、シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法であり、シリコンから単結晶を製造し、半導体ウェーハに更に処理し、その際電気的に活性なドーピング物質の濃度の選択によりおよび場合によりゲルマニウムの濃度の選択により熱伝導率を調節する。 （もっと読む）

【課題】支持体ウェハ２とこの支持体ウェハ２の１つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層８を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にＨＦ欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。
【解決手段】凹部３を含む層を、単結晶半導体材料から成るドナーウェハ１の表面に形成し、この凹部３を含むドナーウェハ１の層を支持体ウェハ２と接合し、支持体ウェハ２とドナーウェハ１との界面４のところで凹部３を封止するために熱処理を加えて、ドナーウェハ１内に中空室６の設けられた層を形成し、この中空室６の設けられた層に沿ってドナーウェハ１を分割して、支持体２上に半導体材料から成る層８を残す。 （もっと読む）

ウェハ用二層ＬＴＯ背面シール。二層ＬＴＯ背面シールは、第一の主要面と第二の主要面とを有する低応力ＬＴＯ層を含み、この場合、低応力ＬＴＯ層の第一の主要面はウェハの主要面の１つに隣接している。二層ＬＴＯ背面シールは、更に、第一の主要面と第二の主要面とを有する高応力ＬＴＯ層を含み、この場合、この場合、高応力ＬＴＯ層の第一の主要面は低応力ＬＴＯ層の第二の主要面に隣接している。
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