【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。
【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有する。
【効果】著しく低い"ヘイズ"およびＲＭＳ荒さ値を予想することができる。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位や反りを低減できるシリコンウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、ドナー濃度およびアクセプタ濃度間の差の絶対値が１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上で、かつ前記基板１０上に設けられた第一のエピタキシャル層１１と、ドナー濃度およびアクセプタ濃度間の差の絶対値が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下で、かつ第一のエピタキシャル層１１上に設けられ、該エピタキシャル層１１と同じ導電型である第二のエピタキシャル層１２と、を有し、第一のエピタキシャル層１１に格子定数調整成分を添加して、シリコン単結晶の格子定数（ａ_Ｓｉ）に対する第一のエピタキシャル層１１の格子定数（ａ_１）の変化量（（ａ_１−ａ_Ｓｉ）／ａ_Ｓｉ）およびシリコン単結晶の格子定数に対する第二のエピタキシャル層１２の格子定数（ａ_２）の変化量（（ａ_２−ａ_Ｓｉ）／ａ_Ｓｉ）を臨界格子不整合度未満に調整する。 （もっと読む）

【課題】全ウェハ体積中の安定ＢＭＤ核の密度が著しく低下したシリコンウェハと該シリコンウェハの製造方法とを提供する。
【解決手段】５×１０¹⁷から７．５×１０¹⁷ｃｍ^-3の酸素濃度を有するシリコンウェハであって、代替的に行なわれる、以下の熱プロセスの後に、
７８０℃で３時間、その後１０００℃で１６時間の処理後に、最大で１×１０⁸ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、および
シリコンウェハを１Ｋ／分の加熱速度で５００℃の開始温度から１０００℃の目標温度に加熱し、その後１０００℃で１６時間保持した後に、少なくとも１×１０⁹ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、を有するシリコンウェハと、閃光照射による上記シリコンウェハの製造方法とを提供する。 （もっと読む）

【課題】結合砥粒を含むとともに、平坦なワークピースの同時両面処理のための研削装置の上側および下側加工板の相互に面する側上に適用される２つの加工層を、少なくとも１つのトリミング装置によってトリミングするための方法およびトリミング装置を提供する。
【解決手段】トリミング体８は、トリミング板９上にて、規定された幅を有する輪形の領域内に配され、トリミング板９の外歯部１０は、トリミング板９に対して高さ調節可能であり、研削装置のすべての駆動部の回転方向が、トリミングまたは目立ての間に少なくとも２回変更され、２つの加工層の以前に測定した形状プロファイルに依って、下側および上側加工層からの材料除去が互いから独立して変動され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウェハを検査するための方法に関する。半導体ウェハのエッジをイメージング方法を用いて検査し、エッジ上の欠陥の位置および形状をこのようにして求める。加えて、その外縁がエッジから１０ｍｍ以下である、半導体ウェハの平坦領域上の環状領域を、光弾性応力測定によって検査し、上記環状領域の中で応力を受けた領域の位置をこのようにして求める。欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。本発明はまたこの方法の実施に適した装置に関する。 （もっと読む）

【課題】単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも１つの手段を含む方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法であって、るつぼ４内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶８を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを備え、単結晶８の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも１回２ｋＷ以上に上げられ、次に再び下げられ、さらに引き上げられた単結晶８から半導体ウェハを切断するステップを備える。 （もっと読む）

【解決手段】界面で成長する単結晶をルツボ中に含まれる融液から引き上げる工程と、引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切り分ける工程とを有するシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に、界面の中心に熱を供給し、界面の中心から縁部までの比Ｖ／Ｇの半径方向プロフィールを、界面に対して垂直方向の温度勾配であるＧ及び融液から単結晶を引き上げる引き上げ速度であるＶを用いて制御する。比Ｖ／Ｇの半径方向プロフィールを、界面に接する単結晶中の熱機械応力場の影響が内因性点欠陥の発生に関して補償するように制御する。
【効果】０．６ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた単結晶から、３００ｍｍの直径を有する無欠陥のシリコン半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができた。この半導体ウェハに関して、Ａスワール欠陥も、ＦＰＤも、ＯＳＦ欠陥も検出できなかった。 （もっと読む）

【課題】単結晶を加工することによって多数の半導体ウェハを製造する方法を提供することである。
【解決手段】この発明は、単結晶を加工することによって多数の半導体ウェハを製造する方法であって、上記単結晶の長手方向中心軸は、上記半導体ウェハの結晶格子の要求方位からずれた方位を有する、方法に関する。上記方法は、上記半導体ウェハの上記結晶格子の上記要求方位を示す結晶軸に垂直な切断面に沿って、成長した状態のままで存在する単結晶から少なくとも１つのブロックをスライスするステップと、上記結晶軸を中心にして上記ブロックの側面を研削するステップと、上記結晶軸に垂直な切断面に沿って、研削されたブロックから多数の半導体ウェハをスライスするステップとを備える。 （もっと読む）