【目的】製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【構成】互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオードと、第１ダイオードに直列に接続されており、第１オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第１可変分圧抵抗を含む第１電流路と、第２ダイオードに直列に接続されており、第２オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第２可変分圧抵抗を含む第２電流路と、第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧と第２電流路上の電位との差分を示す差分電圧を第１及び第２電流路各々に帰還供給しつつ差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧に基づいて温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較手段の数を抑制することができる異常検出装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子と、複数の半導体素子にそれぞれ対応して設けられ、複数の半導体素子の温度をそれぞれ検出する複数の温度検出手段と、複数の半導体素子の異常を検出する異常検出手段とを備え、異常検出手段は、複数の半導体素子のうち一の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度と、半導体素子の上限温度を示す第１の閾値温度とを比較する第１の比較手段と、複数の半導体素子のうち他の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度から、他の半導体素子の平均温度を算出する温度算出手段と、平均温度と所定の第２の閾値温度とを比較する第２の比較手段とを有し、第１の比較手段の比較結果及び第２の比較手段の比較結果に基づいて、複数の半導体素子の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】任意の範囲の温度検出出力を得る。
【解決手段】バンドギャップ回路１０は、異なる電流密度の電流を流すトランジスタのベースエミッタ間電圧（ＶＢＥ）の差ΔＶＢＥと、トランジスタのＶＢＥの温度特性が反対であることを利用し、αを所定の定数として、温度特性の補償されたバンドギャップ電圧ＶＢＧＲ＝ＶＢＥ＋ΔＶＢＥ・αを出力する。電圧シフト回路（Ｒ３，Ｒ４）は前記バンドギャップ電圧ＶＢＧＲから、予め定めた温度ＴｒｅｆにおけるΔＶＢＥ・αであるΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを減算した電圧ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを出力する。差分手段は、電圧シフト回路の出力ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆから、前記バンドギャップ回路から取り出した、ＶＢＥを減算し、ΔＶＢＥ・α−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを取り出す。これによって、ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆに対応する温度を基準点として、温度により変化する検出温度出力を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイオードを用いて精度良く温度を検出することができる温度測定回路を提供する。
【解決手段】温度測定用の半導体ダイオード５、電源電圧ＨＶｃｃ、定電流回路７、ＡＤ変換器１３とデジタル変換値に基づいて温度Ｔを算出する温度測定回路１において、基準電圧Ｖｒｅｆを前記ＡＤ変換器１３に出力する基準電源９を備え、前記ＡＤ変換器１３から出力された前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｒｅａｌと、前記電源電圧ＨＶｃｃに変動成分ΔＨＶｃｃが含まれない場合に前記ＡＤ変換器１３から出力される前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｉｄｅａｌとに基づいて、前記変動成分ΔＨＶｃｃを含む前記電源電圧ＨＶｃｃの電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」を算出し、当該電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」により前記両端電圧ＶＦのデジタル変換値、及び前記定電流の定電流値Ｉを補正して前記温度Ｔを算出する構成。 （もっと読む）

【課題】テスト工程におけるテスト温度の点数を抑えつつ、温度センサの温度検知精度の向上を図る。
【解決手段】半導体装置（１、２、３）は、温度センサ部（１００）で測定された温度データと温度との対応関係を表す特性関数における所定の温度での温度データの理論値とＮ（Ｎは１以上の整数）点の温度において測定されたＮ個の温度データの実測値とを含むＮ＋１個の温度データに基づいて、前記特性関数をＮ次近似した補正関数のＮ次までの係数を算出する係数算出部（１０４、２０４）と、前記温度センサ部で測定された温度データに基づいて、前記算出された係数を適用した前記補正関数を用いて演算を実行し、温度の情報を含むデータを生成する補正演算部（１０５、２０５、３０５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対する出力電圧の変化が線形性を有する温度検出回路を提供する。
【解決手段】入力信号に対して非反転増幅可能に構成されてなる出力増幅回路１０１と、この出力増幅回路１０１の非反転入力端子に接続される第１の所定電圧発生回路１０２と、出力増幅回路１０１の反転入力端子に接続される第２の所定電圧発生回路１０３とを具備してなり、第１の所定電圧発生回路１０２は、第１の所定電圧発生回路用ＰＮＰ型トランジスタ１８のベース・エミッタ間電圧に応じた電圧を、第２の所定電圧発生回路１０３は、第２の所定電圧発生回路用ＰＮＰ型トランジスタ２７のベース・エミッタ間電圧に応じた電圧を、それぞれ出力するよう構成されてなり、温度変化に対して出力電圧が線形的に変化するものとなっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現する。
【解決手段】本発明は、ＳＢＤサーミスタが、従来の飽和領域を使った駆動方法では自己発熱によりＳ／Ｎが高くならないという知見に基づき、ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現できるようにしたものである。そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 （もっと読む）

【課題】ノイズレベルを低減させた温度検出電圧を生成可能な温度検出回路及びこれを用いたセンサー装置を提供すること。
【解決手段】温度検出回路１は、温度検出電圧発生部１０と、温度検出電圧反転部２０と、温度検出電圧加算部と、を含む。温度検出電圧発生部１０は、所与の基準電圧１４を基準とする電圧レベルが温度に応じて変化する第１の温度検出電圧１２を発生させる。温度検出電圧反転部２０は、第１の温度検出電圧１２を、基準電圧１４を基準に反転させるとともに所与の利得で増幅又は減衰させて第２の温度検出電圧２２を生成する。温度検出電圧加算部３０は、第１の温度検出電圧１２と第２の温度検出電圧２２を加算する。 （もっと読む）

【課題】消費電流が少なく、且つ検出温度付近で検出速度を犠牲にすることがない温度検知装置を提供すること。
【解決手段】基準電圧回路やコンパレータなどの内部回路をオン／オフ制御する制御信号を出力する制御回路を備え、制御信号は検出温度付近で検出速度が速くなるように、発振回路の発振周波数が正の温度特性を有する構成とした。さら、制御回路は波形整形回路を備え、内部回路をオン制御する制御信号波形を最適化し低消費電流とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの順方向電圧に基づいて判定基準温度付近の温度を正確に検出する。
【解決手段】温度が上昇してダイオード８の順方向電圧Ｖｆが基準電圧Ｖrefに近づくと、トランジスタ１２からダイオード８にベース電流が流れ始める。この温度領域では、低下していた順方向電圧Ｖｆが上昇に転じ、トランジスタ１８が完全にオフしないため、出力トランジスタ２０のベース電流が減少し十分なオン状態に移行しにくくなる。抵抗２８の温度係数は抵抗２７の温度係数よりも大きく設定されており、定電流出力回路２４は、出力トランジスタ２０に対し負の温度係数を持つ定電流を出力する。これにより、上記温度領域であっても出力トランジスタ２０のコレクタ・エミッタ間電圧が十分に低くなる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体装置における温度検出部の断線異常および短絡異常を同時に検出することが可能なパワー半導体装置の温度測定装置を提供する。
【解決手段】シリコンチップにパワースイッチング素子５，６と温度検出用ダイオードＤＵ２，ＤＤ２とを設けたパワー半導体装置のチップ温度を検出するチップ温度検出回路１３，１４に設けたパルス幅変調回路７６を、三角波発生回路７８と、該三角波発生回路から出力される三角波信号と前記入力信号とを比較して前記パルス幅変調信号を出力する比較器ＩＣ５とを備えた構成とし、前記三角波発生回路７８から出力する三角波信号の上限値および下限値を、前記パワースイッチング素子の温度測定範囲における定電流を供給した時の前記温度検出用ダイオードの順方向電圧の範囲外に設定した。 （もっと読む）

【課題】温度センサアレイ回路のためのアレイ素子に関し、より小型に形成され、解像度が向上した、製造歩留まりを改善し、コストを低減できるアレイ素子を提供する。
【解決手段】アレイ素子１６４は、スイッチトランジスタ１７２と、温度に応じて変動するインピーダンスを有する温度センサ素子１１０とを含み、温度センサ素子は、スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されている。温度センサ素子のカソードは出力回路と結合されており、上記スイッチトランジスタがオフにされるとき、上記出力回路は、上記温度センサ素子を通してバイアス電流を吸い込み、結果として生じる電圧を測定し、上記スイッチトランジスタがオンにされるとき、上記バイアス電流は、上記温度センサ素子の周囲で短絡される （もっと読む）

【課題】ダイオード、抵抗のサイズをアナログスイッチにて切り替えることなく、温度に対して一次関数的に変化する電圧の特性をプログラマブルに変更する電圧発生回路の提供。
【解決手段】抵抗Ｒ１およびダイオードＱ１からなる第１直列回路と、抵抗Ｒ２，Ｒ３およびダイオードＱ２からなる第２直列回路と、抵抗Ｒ１およびダイオードＱ１の共通接続点と抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ３の共通接続点の電位差を増幅するオペアンプＯＰと、該オペアンプＯＰの出力電圧に応じて第１直列回路に流れる電流Ｉ１と第２直列回路に流れる電流Ｉ２の値を調整する電流調整手段とを備える。該電流調整手段は、第１帰還トランジスタ群Ｍ３と、第２帰還トランジスタ群Ｍ４と、スイッチトランジスタ群Ｍ１と、スイッチトランジスタ群Ｍ２を有する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の温度依存性を示す曲線の曲率が小さく、レイアウト面積が小さな温度センサを提供する。
【解決手段】この温度センサは、アノードがノードＮ１に接続されたダイオードＤ０と、アノードが抵抗素子８を介してノードＮ２に接続されたダイオードＤ１〜Ｄｎと、ノードＮ１，Ｎ２の電圧を一致させる演算増幅器１と、抵抗素子９，１０を介してノードＮ１，Ｎ２に接続され、抵抗素子９，１０に流れる電流を調整し、温度センサの出力電圧ＶＯの温度依存性を示す曲線の曲率を小さくする電圧調整回路１２を備える。したがって、２つのサブ温度センサを設ける従来に比べ、レイアウト面積が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】センサ装置の回路規模および製造コストを従来よりも抑制しつつ、負荷短絡保護機能を実現する。
【解決手段】センサ用出力ＩＣ１０は、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするための出力用トランジスタ１１を備える。センサ用出力ＩＣ１０は、センサ用出力ＩＣ１０内の温度が所定値以上になると、出力用トランジスタ１１をオフ状態に維持する温度制限回路１３と、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂを所定値以下に制限する電圧制限回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】各スイッチング素子３５ａ，３５ｂに対応付けられた複数のダイオード１２２ａ，１２２ｂの発生電圧を選択する切替スイッチ１０３と、その選択された電圧をＰＷＭ変調により所定デューティ比のデューティ信号に変換するデューティ変換部１０６と、そのデューティ信号と周期が異なる固有のヘッダ信号を生成するヘッダ生成部１０８と、このヘッダ信号とデューティ信号とを選択する切替スイッチ１０４とを備える。制御部１１０で、切替スイッチ１０３で各ダイオード１２２ａ，１２２ｂの発生電圧が交互に選択され、切替スイッチ１０４で、ヘッダ信号の後に上記の交互に選択されたデューティ信号が順次配列され、このヘッダ信号及びデューティ信号の配列順が繰り返される選択が行われるように制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の発熱箇所を有するブリッジ回路を構成するスイッチ素子の温度検出において、簡素で安価かつ確実にスイッチ素子温度を検出するスイッチ素子の温度検出方法を提供する。
【解決手段】ブリッジ回路を構成するスイッチ素子４１ａ〜４３ｂの温度を、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂのそれぞれと同一チップ上に構成される温度検出用ダイオード素子４０２により検出する方法であって、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂを同一放熱体４０上に配置すると共に、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂから選択したスイッチ素子４１ａ、４２ａ、４３ａの温度検出用ダイオード素子４０２を直列接続し、スイッチ素子４１ａ、４２ａ、４３ａの温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の温度を高精度に検出すること。
【解決手段】直流及び交流間の電力変換を行うＩＧＢＴ素子１１の温度を検出するものであり、ＩＧＢＴ素子１１に設けられ、当該ＩＧＢＴ素子１１の温度に応じた電圧を出力する温度検出用ダイオードＤｉと、変換手段と、ＣＰＵ２４とを備える。変換手段は、ＩＧＢＴ素子１１において変化する幅広い温度に電圧振幅値が対応付けられた第１の三角波電圧Ｖｔ１、及び第１の三角波電圧Ｖｔ１よりも電圧振幅値が所定値小さく且つオフセット値が異なる第２の三角波電圧Ｖｔ２の何れか一方と、温度検出用ダイオードＤｉから出力されるダイオード出力電圧Ｖｆとを比較してパルス信号Ｐ１又はＰ２を生成する。ＣＰＵ２４は、変換手段からパルス信号Ｐ１又はＰ２がフォトカプラ２２を介して入力され、このパルス信号を、パルス信号の特徴値と温度とが対応付けられたマップ情報に照合して温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】 各種実施形態は、ダイオード等の半導体温度センサを用いてデバイスの温度を測定するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 本発明によると、正弦波的に変化するフォーシング電流をダイオードに印可し、ダイオード両端の電圧の変化率を測定することにより、非較正のダイオードを温度センサとして使用することが可能になる。各実施形態は、温度センサに付随するリード抵抗の影響を実質的に無くしながら、高速で応答性の高い有利な測定法を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定感度および測定範囲を向上させることができる温度検出方法および温度センサを提供する。
【解決手段】絶対温度に対し正の依存性を有する第１信号を出力する第１信号生成回路１００と、絶対温度に対し負の依存性を有し且つ正のオフセットを有する第２信号を出力する第２信号生成回路１２０と、第１信号から第２信号を減算したセンス信号に基くセンス電圧を出力する減算回路１１０と、を有する。 （もっと読む）