【課題】ポンププローブ測定装置とこの測定装置を利用した走査プローブ顕微鏡装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置１は、ポンプ光となる第１の超短光パルス列及びプローブ光となる第２の超短光パルス列を発生させる超短光パルスレーザー発生部１１と、超短光パルス列の遅延時間を調整する遅延時間調整部１５と、第１及び第２の超短光パルス列のそれぞれを入射させて任意の繰り返し周波数で１パルスを透過させて光パルスの実効的な繰り返し周波数を低減させる第１及び第２のパルスピッカー１３，１４と、パルスピッカーから通過させるパルスの選択箇所を周期的に変更する遅延時間変調部１０と、ポンプ光及びプローブ光を試料１９に照射する照射光学系１６と、試料からのプローブ信号を検出する測定部２０と、ロックイン検出部１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子放出源を備えた走査型プローブ顕微鏡用探針を提供する。
【解決手段】円錐状の針部１０１ａを備えたカンチレバー状の基部１０１と、基部１０１の上に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上に形成された電子放出層１０３とを備える。この探針は、これらの積層構造からなる探針部１１０と片持ちの梁部１１１とから構成されている。探針部１１０は、針部１０１ａの上に設けられた絶縁層１０２及び電子放出層１０３から構成され、この先端部に行くほど細くなるように形成されている。また、探針部１１０における電子放出層１０３の針部１１０の上面（探針部１１０の先端部上面）は、平坦に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は高精度な測定を行うことのできる測定装置を提供することにある。
【解決手段】測定時において、ワーク２０に対して位置及び姿勢が変化しないように保持された基準部材１２と、該ワーク２０表面を走査しながら、該ワーク２０表面の凹凸に応じて上下方向に変位するスタイラス１４と、該スタイラス１４の特定部位３６の変位を該基準部材１２との比較において測定する変位計１６と、該スタイラス１４を該ワーク２０表面に沿って走査させる走査手段１８と、を備え、該基準部材１２は該走査によっても該ワーク２０に対する位置及び姿勢が変化せず、該スタイラス１４の特定部位３６の上下方向への変位を該基準部材１２を基準にして測定し、該測定されたスタイラス１４の特定部位３６の変位に基づき該ワーク２０の微細な形状を把握することを特徴とする測定装置１０。 （もっと読む）

【課題】微小なＲＦ信号検出を容易かつ確実に行うことのできるヘテロダインビートプローブ走査プローブ顕微鏡、更にはこの走査プローブ顕微鏡によるへテロダインビート信号の特定方法を提供する。
【解決手段】既知の外部重畳参照高周波（ＲＦ）信号もしくは外部重畳参照電磁波信号および未知の高周波信号もしくは電磁波信号を走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）にセットされた試料と該試料に対向する探針との間に付与し、外部重畳参照高周波信号もしくは外部重畳参照電磁波信号を未知の高周波信号もしくは電磁波信号に干渉させてヘテロダインビート信号を発生させる。 （もっと読む）

【課題】走査型トンネル顕微鏡などにおいて、高分解能電子放出分布の測定も可能な電子放出分布測定装置測定方法を実現する。
【解決手段】 探針６と、探針６を試料７に対して移動させるピエゾ素子と、試料７にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加回路と、探針６と試料７との間を流れるトンネル電流を電圧変換するプリアンプ１０と、プリアンプ１０の出力側に順次設けられたＳＴＭ制御回路３と、を備えており、プリアンプ１０とＳＴＭ制御回路３との間にサンプルホールド回路２２を設け、ＳＴＭ像を計測（作成）するとともに、電子放出分布像を計測（作成）する。 （もっと読む）

【課題】有機分子薄膜中の炭素原子、または有機分子薄膜の膜厚をＳＴＭで高感度に計測する。
【解決手段】強磁性金属元素からなる基板表面に有機分子を吸着して、有機分子を構成する炭素原子に局在するＬＤＯＳを計測する。ＬＤＯＳの分布から炭素原子が計測され、またＬＤＯＳの大きさから膜厚が計測される。基板を強磁性金属とすることで、基板に吸着した炭素原子に局在するＬＤＯＳが大きくなり、高感度の計測がなされる。 （もっと読む）

【課題】 極めてサイズが小さく、高感度・高性能のセンサを少なくとも一部が弾性変形を生じる微細構造体の所望の位置に所望の形状・サイズで設けられるようにする。また、微細構造体の弾性変形を測定する際の部品の組立・調整の容易化、検出回路の小型化・簡略化を図るとともに、微細構造体の微細箇所の局所的変位を検知できるようにする。
【解決手段】 開示される微細構造体は、梁部１４が弾性変形を生じるカンチレバー１である。このカンチレバー１には、梁部１４の弾性変形をトンネル効果により検出するセンサ１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＦＩＢなどを使用して電気配線などを形成しても、スカム等の影響を受けることなく、絶縁膜の微細領域の電気的欠陥を測定することができる、絶縁膜の測定方法を提供する。
【解決手段】 測定すべき膜を有する素子の上に、前記膜の上に測定の障害となる不純物を付着させないための保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記素子を測定するための測定用電気配線を形成すべき領域の前記保護膜を除去する保護膜加工工程と、前記領域内に前記測定用電気配線を形成する測定用電気配線形成工程と、前記膜の上に形成されている前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、前記膜を電気的に測定する膜測定工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 たとえ基板が絶縁性であっても、基板表面又は該基板表面の面上の原子を操作することができる原子操作方法などを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ原子６０ａの上方に探針３２の先端を移動させ（図３（ｄ））。探針３２に所定の原子間力が作用するまで基板５１に近づけ（図３（ｅ））、探針３２に所定の原子間力が作用した状態を維持しながら、Ｇｅ原子７０ａに対応する位置まで、探針３２を主走査方向（横方向）に移動させる（図３（ｆ））。そして、探針３２に作用する原子間力が弱くなるように、探針３２を基板５１から遠ざける（図３（ｇ））。図３（ｄ）〜図３（ｇ）の処理を繰り返し、探針３２に所定の原子間力が作用した状態で、探針３２を横方向に移動するとき（図３（ｅ）→図３（ｆ））に、探針３２の先端とＳｎ原子６０ａ及びＧｅ原子７０ａとの間に作用した原子間力によって、Ｓｎ原子６０ａとＧｅ原子７０ａとの位置が交換される。 （もっと読む）

【課題】透明膜の段差の測定方法に関し、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定すること。
【解決手段】第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n の段差量ｔ₁ ，…．ｔ_n と該第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ₁ を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程を含む。 （もっと読む）