透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法
【課題】透明膜の段差の測定方法に関し、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定すること。
【解決手段】第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓａ1 ，…，Ｓａn の段差量ｔ1 ，…．ｔn と該第１の溝Ｓａ1 ，…，Ｓａn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程を含む。
【解決手段】第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓａ1 ，…，Ｓａn の段差量ｔ1 ，…．ｔn と該第１の溝Ｓａ1 ，…，Ｓａn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程を含む。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法に関し、より詳しくは、半導体装置の製造におけるリソグラフィー工程において、位相シフトマスクに用いられる透明膜の段差の測定方法及び被投影原版として用いられる位相シフトマスクの作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、フォトリソグラフィー法によって膜をパターニングする工程を有している。フォトリソグラフィー法は、膜の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像してパターニングした後に、フォトレジストのパターンをマスクに使用して膜をエッチングするといった工程を経て膜をパターニングする方法である。
【０００３】フォトレジストを露光する場合には、例えば投影露光装置が用いられている。投影露光装置では、原画パターンが描かれた露光マスクを透過した光をレジストに照射することにより、その原画パターンをレジストに転写して潜像を形成することが行われる。投影露光装置がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表す解像力は、露光マスク上のパターンがウェハ上に転写されたときに、隣接する２つのパターンが分離できるか否かで評価される。
【０００４】この解像力を向上させる１つの手法として、例えば位相シフトマスクが知られている。位相シフトマスクは、隣接する２箇所の透過部分を透過する露光光に位相差を与える構造を有するものである。そのような露光光に位相差を生じさせるために、マスク基板を構成する透明膜の厚さを部分的に異なるような構造が例えば特開昭62-189468 号公報に記載されている。
【０００５】１８０°の位相を変えるための透明膜の膜厚差Ｔは、透明膜の屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、Ｔ＝λ／２（ｎ−１）で与えられる。ところで、透明膜における厚さの差が実際にどのように現れているかを計測する方法として、例えば原子間力顕微鏡（ＡＭＦ(atomic force microscope))等の膜厚計測手段を用いて透明膜の膜厚差（段差）を計測することが行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡＦＭによる膜厚差の計測方法では、試料表面を針で走査するといった煩雑な手間を要し、作業の負担が大きい。また、ＡＦＭ法によれば、レジストを用いて透明膜に段差を形成した後に、レジストを一旦除去した状態でその段差を測定することになるため、段差の値が不十分な場合には再びレジストのパターンを形成して段差をさらに深くするといった煩雑な工程を繰り返して段差の大きさを調整することになる。
【０００７】それらのことから、ＡＭＦ法を用いて位相シフトマスクの段差を計測することは、位相シフトマスクの製造工程を煩雑なものとし、スループットの低下を招いている。平坦な表面を有する基板の上に形成された構造物の寸法や断面形状を偏光解析法を用いて測定する手法については、例えば特開平９−２３７８１２号公報に記載がある。この測定方法は、偏光解析の光学的手法で得られた測定値と、ウェハ上に形成された構造物の幅又は断面形状（テーパ角）との間の相関を求め、この相関から任意の構造物の幅又は断面形状を求めるものである。
【０００８】しかし、そこには、溝の深さを測定する手法は提案されていない。透明膜に形成された溝の深さを偏光解析法により測定する従来の方法は、一般に、透明基板と透明膜の界面での反射光が非常に小さいことが条件となる。しかし、位相シフトマスクを構成する透明基板とその上の透明膜は共に同じ屈折率の材料が用いられているので、位相シフトマスクの位相シフター部の段差の測定は実際は困難であった。そこで、偏光解析法を用いる場合には、高反射率のシリコン基板を用いて、基板と透明膜の界面の反射光強度が大きくなるようにして、間接的な測定を行っていた。
【０００９】本発明の目的は、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定する工程を含む透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）上記した課題は、図１、図２、図６及び図７に例示するように、第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の段差量ｔ1 ，…．ｔn と該第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求めることを特徴とする透明膜の段差の測定方法によって解決する。
【００１１】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パラメータは、偏光解析法によって測定されることを特徴とする。上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パラメータは、前記偏光状態の複素振幅反射率比Ψ及び位相差Δであることを特徴とする。上記した透明膜の段差の測定方法において、前記第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の前記段差量ｔ1 ，…,ｔn は原子間力顕微鏡によって測定されることを特徴とする。
【００１２】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記第２の透明膜４２の上にパターン４３，４４が形成されている場合に、前記パターン４３，４４の膜厚を予め測定した後に、前記データベースの前記相関関係から前記パターン４３，４４の膜厚を減算することにより前記第２の溝４２の前記第１の段差量が求められることを特徴とする。
【００１３】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パターン４３，４４は、遮光材料から構成されることを特徴とする。
（２）上記した課題は、図１、図２、図６及び図７に例示するように、試料用透明膜２の一部に形成された複数の第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の段差量ｔ1 ，…，ｔn と該第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値Δ1 ，…，Δn 及びΨ1 ，…，Ψn との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化する工程と、マスク用透明膜４２の上にレジストパターン４４を形成する工程と、前記レジストパターン４４の膜厚を測定する工程と、前記レジストパターン４４に覆われない部分の前記マスク用透明膜４２をエッチングして第２の溝４５を形成する工程と、前記第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値Δ，Ψを計測して、該第１の値Δ，Ψと前記データベースの前記相関関係ｆ1 に基づいて求めた段差量から前記レジストパターン４４の前記膜厚を減算することにより、該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程と、前記第１の段差量が目標値に達したか否か判断する工程と、前記第１の段差量が前記目標値に達しない場合には、前記第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータと前記データベースの前記相関関係ｆ1 に基づいて求められる前記第２の溝４５の第２の段差量が前記目標値に達するまで前記第２の溝４５のエッチングを繰り返す一方、前記第２の溝４５の前記第１又は第２の段差量が目標値に達した場合には前記第マスク用透明膜のエッチングを停止して前記レジストを剥離する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの作成方法によって解決する。
【００１４】上記した位相シフトマスクの作成において、前記マスク用透明膜４２の上には遮光パターン４３が形成され、前記第２の溝４５の前記第１及び第２の段差量は、前記データベースの前記相関関係から求められる値から前記遮光パターン４３の膜厚をさらに減算した値であることを特徴とする。なお、上記した図番、符号は、本発明の理解を容易にするために引用したものであって、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００１５】次に、本発明の作用について説明する。本発明によれば、ＡＦＭ法などの手段で透明膜の複数の溝の段差量を計測する一方、偏光解析の光学的手法でそれらの溝のパラメータΔ、Ψを測定し、それらの結果に基づいて段差量とパラメータΔ、Ψとの相関関係をデータベース化した後に、偏光解析法によって被検出対象である溝のパラメータΔ、Ψを測定し、そのパラメータΔ、Ψをデータベースに当てはめて段差量を算定するようにしている。
【００１６】これにより、透明膜に生じる段差を偏光解析法によるパラメータの測定を行うだけで、データベースから自動的に正確な溝の深さが引き出されることになる。従って、位相シフトマスクの位相シフター部の位相管理、位相調整を行う場合に、そのような透明膜の段差量の測定方法を適用すると、位相シフター部の溝の深さの測定がＡＦＭ法に比べて容易になる。
【００１７】しかも、溝が形成される透明膜の上にレジストが残っていても、ＡＦＭ法などによって１度だけレジストの膜厚を計測しておけば、データベースから算定された段差量からレジストの膜厚を減算すれば溝の段差量が決まるので、偏光解析のみを用いる測定法のように溝をエッチングする毎にレジストを除去して溝の段差を計測するといった煩雑な作業が不要になる。
【００１８】しかも、位相シフトマスクを構成する基板を高反射材料から構成する必要はなくなり、基板材料や基板上の透明膜の材料の選択幅が広がる。
【００１９】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態の位相シフトマスクの作成方法に必要な段差に関するデータを取得するためのフローチャート図、図２は、そのデータを取得するための膜厚測定の工程を示す断面図である。図３は、ＡＭＦ法により膜厚を測定するための装置の構成図、図４は、偏光解析法により膜厚を測定するための装置の構成図である。
【００２０】まず、図１の(1) と図２(a) に示すように、露光に使用される光を透過する材料、例えばガラスよりなる透明基板１の上に透明膜２を形成する。その透明膜２は、露光に使用される光を透過し且つ透明基板１よりもエッチングレートを大きく（例えば１０倍以上）選択できる材料、例えばＳＯＧ(spin on glass) から構成されている。
【００２１】次に、図１の(2) と図２(b) に示すように深さの異なる溝Ｓ1 ，Ｓ2 ，…，Ｓn を透明膜２に形成する。その溝Ｓ1 ，…，Ｓn は、複数のレジストマスクを使用することにより作り分けられ、且つエッチング時間を調整することによって深さが調整される。なお、溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さｔ1 ，ｔ2 ，…，ｔn は、透明膜２の最上面から溝Ｓ1 ，…，Ｓn の底までの距離を示し、以下に段差又は膜厚差ともいう。
【００２２】続いて、図１の(3) と図２(c) に示すように、図３に示すＡＦＭ装置１０を用いて各溝Ｓ1 ，…，Ｓn 毎に深さｔ1 ，…，ｔn を測定する。ＡＦＭ装置１０によって測定された深さｔ1 ，…，ｔn は、各溝Ｓ1 ，…，Ｓn に関連付けられてデータ処理装置２０に出力される。次に、図４に例示するような偏光解析（エリプソメトリー）装置３０を用いることにより、図１の(4) と図２(d) に示すように、各溝Ｓ1 〜Ｓn の偏光解析を行ってそれらの溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に偏光状態の変化を示す位相差Δ1 〜Δn と複素振幅反射率比Ψ1 〜Ψn を求める。
【００２３】その偏光解析装置３０において、複数の溝Ｓ1 ，…，Ｓn が形成された透明膜２を有する透明基板１をステージ３１上に載置し、He−Ne（ヘリウム−ネオン）レーザ３２から波長６３２８Åの光ビームを各溝Ｓ1 〜Ｓn に個々に照射する。He−Neレーザ３２の出力光は、第１の偏光子３３で所定の偏光角、例えば４５℃の偏光角を有する直線偏光に変化され、溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に所定の入射角、例えば７０°の入射角で照射される。
【００２４】そして、各溝Ｓ1 〜Ｓn を透過しさらに溝Ｓ1 ，…，Ｓn で反射された光ビームは楕円偏光状態を有する。そして、楕円偏光状態の光ビームは、回転検光子３４で直線偏光に変換された後に、受光素子３５に入射する。その際に、受光素子３５による入射光の検出は、回転検光子３４を回転させながら実行される。なお、回転検光子３４の前又は後には反射した光ビームの位相を調整するための１／４波長板３６が配置されている。
【００２５】受光素子３５は入射した光の強度に対応した信号を増幅器３７に送り、増幅器３７で増幅された信号は、Ａ／Ｄ変換器３８を介してデジタル信号の形で偏光処理装置３９に送られる。偏光処理装置３９は、供給されたデジタル信号に基づいて、受光素子３５に入射した光ビームに基づいて位相差Δ、複素振幅反射率比Ψを求め、これらのパタメータΔ、Ψをデータ処理装置２０に出力する。データ処理装置２０では、偏光処理装置３９から出力された位相差Δと複素振幅反射率比Ψが複数の溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に対応付けられてデータベース化される。
【００２６】データ処理装置２０は、複数の溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に位相差Δ1 ，Δ2 ，…，Δn及び複素振幅反射率比Ψ1 ，Ψ2 ，…，Ψn を対応付け、さらにそれらのパラメータΔ1 ，Δ2 ，…，Δn 、Ψ1 ，Ψ2 ，…，Ψn から重回帰分析法によって各溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に予測段差（深さ）ｔを算出する。その予測段差ｔは、ｔ＝ｆ（Δ，Ψ）（但し、Δ＝Δ1 ，…，Δn 、Ψ＝ Ψ1 ，…，Ψn ）で表される。さらに、データ処理装置２０は、各溝Ｓ1 ，…，Ｓn について重回帰分析法により求めた予測段差ｔとＡＦＭ法により実測した深さｔ1 〜ｔn とを関連付けて相関関数ｆ1 を求める。その相関関数ｆ1 を図式化すると例えば図５に示すような段差量とパラメータΔ、Ψとの検量線が得られる。
【００２７】そのような相関関数ｆ1 は、透明膜２の材料が変わる度に算出されてデータ処理装置２０に格納される。なお、上記した溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さをＡＦＭ法によって測定する代わりに、触針法、その他の方法によって溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さを実測してもよい。以上により溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さ（段差）に関するデータの取得作業が終了する。
【００２８】次に、レベンソン型の位相シフトマスクを透過する露光光に位相差を与えるための段差を形成する工程を図６、図７を参照して説明する。まず、図６の(1) と図７(a) に示すように、ガラス等の透明基板４１の上に酸化シリコンなどの透明膜４２を形成した後に、透明膜４２の上にクロムよりなる遮光膜を形成し、この遮光膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして遮光パターン４３を形成する。続いてその遮光パターン４３の膜厚ｔc をＡＦＭ法によって少なくとも１回で測定する。
【００２９】続いて、図６の(2) に示すように、透明膜３２及び遮光膜４３の上にレジストを塗布し、これを露光、現像してレジストパターン４４を形成する。そのレジストパターン４４の膜厚ｔr はＡＦＭ法によって求められる。レジストパターン４４の膜厚ｔr はほぼ一定であるために任意の領域で短時間で少なくとも１回で検出される。
【００３０】次に、図６の(3) と図７(b) に示すように、レジストパターン４４から露出した透明膜４２をエッチングして位相シフター部に溝４５を目標値ｔ0 よりも浅く形成する。透明膜４２に形成された溝４５の深さの目標値ｔ0 は、透明膜２の最上面と溝４５の底の高さに等しい膜厚の透明膜４２により得られる光の位相差であって、位相差を１８０°とすると、ｔ0 ＝λ／２（ｎ−１）となる。ただし、λは、露光時に使用される光の波長であり、また、ｎは、透明膜４２の屈折率である。
【００３１】その後に、図６の(4) と図７(c) に示すように、偏光解析装置３０を用いて溝４５のパラメータΔ0 、Ψ0 を測定する。そして、図６の(5) に示すように、データ処理装置２０にパラメータΔ0 、Ψ0 を入力して相関関数ｆ1 に基づいて溝４５の実際の段差量（深さ）ｔx を算出する。この場合、偏光解析装置３０によって測定したパラメータΔ0 、Ψ0 を相関関係ｆ1 に当てはめると、図８に示すように、その相関関係ｆ1 からはレジストパターン４４の膜厚ｔr と遮光パターン４３の膜厚ｔc を加算した値が引き出される。そこで、相関関係ｆ1 から算定される値ｔt からｔr とｔc を引いた値、即ちｔt −（ｔr ＋ｔc ）が実際の溝４５の段差量ｔx となる。もとより、遮光パターン４３が存在しない場合にはその膜厚ｔc は零であり、レジストパターン４４が存在しない場合にはその膜厚ｔr は零になる。
【００３２】溝４５の測定の段差量ｔx が目標の深さｔ0 に達しない場合には、図７(d) に示すように透明膜２の追加エッチングを行って溝４５の段差をさらに深くする。その後に、パラメータΔ、Ψを測定し、これに基づいて溝４５の深さｔx を求め、段差量ｔx が目標値ｔ0 に一致しない場合にはさらに、透明膜２の追加エッチングを行うといった処理を繰り返して行う。追加のエッチング時間は、ｔx とｔ0 の差を見ながら調整する。
【００３３】以上のような溝４５の深さｔx の測定とその後の追加エッチングは、図６の(6),(7) に示すようにｔx ＝ｔ0 ＝λ／２（ｎ−１）となるまで繰り返して行われる。そして、ｔx ＝ｔ0 となった時点でエッチング処理が終了となる。そして、図７(e) に示すようにレジストパターン４４を剥離して位相シフトマスクを完成させる。
【００３４】以上のように、露光マスクを構成する透明膜４２に溝４５を形成する際に、レジストパターン４４を残したままで溝４５の深さを高精度で測定することできるために、レジストパターン４４を剥離するといった手間が省け、スループットが向上する。しかも、その溝４５の深さの測定は、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で短時間で行われる。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ＡＦＭ法などの手段で透明膜の複数の溝の段差量を計測する一方、偏光解析の光学的手法でそれらの溝のパラメータΔ、Ψを測定し、それらの結果に基づいて段差量とパラメータΔ、Ψとの相関関係をデータベース化した後に、偏光解析法によって被検出対象である溝のパラメータΔ、Ψを測定し、そのパラメータΔ、Ψをデータベースに当てはめて段差量を算定するようにしたので、位相シフトマスクの位相シフター部の位相管理、位相調整にその方法を適用すると、位相シフター部の溝の深さの測定がＡＦＭ法に比べて容易になる。
【００３６】しかも、溝が形成される透明膜の上にレジストが残っていても、ＡＦＭ法などによって１度だけレジストの膜厚を計測しておけば、データベースから算定された段差量からレジストの膜厚を減算すれば溝の段差量が決まるので、溝をエッチングする毎にレジストを除去して溝の段差を計測するといった煩雑な作業を省くことができる。
【００３７】しかも、位相シフトマスクを構成する基板を高反射材料から構成する必要はなくなり、基板材料や基板上の透明膜の材料の選択幅を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を求めるフローチャートである。
【図２】図２は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を求めるための透明膜の加工と膜厚測定とパラメータΔ、Ψ測定の工程を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さを測定する装置とデータ処理装置との接続関係を示す図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、Ψを測定する偏光解析装置の構成図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、ΨとＡＦＭ法による溝の段差量（深さ）の相関関係の一例を示す図である。
【図６】図６は、図１で求めた溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を使用して露光マスクに溝を形成する工程を示すフローチャートである。
【図７】図７は、図１で求めた溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を使用して露光マスクに溝を形成する工程を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、ΨとＡＦＭ法による溝の段差量（深さ）の相関関係が透明膜上の層によって変化する状態を示す図である。
【符号の説明】
１：透明基板、２：透明膜、３：針、Ｓ1 ，…，Ｓn ：溝、１０：ＡＦＭ装置、２０：データ処理装置、３０：偏光解析装置、４１：透明基板、４２：透明膜、４３：遮光パターン、４４：レジストパターン、４５：溝。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法に関し、より詳しくは、半導体装置の製造におけるリソグラフィー工程において、位相シフトマスクに用いられる透明膜の段差の測定方法及び被投影原版として用いられる位相シフトマスクの作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、フォトリソグラフィー法によって膜をパターニングする工程を有している。フォトリソグラフィー法は、膜の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像してパターニングした後に、フォトレジストのパターンをマスクに使用して膜をエッチングするといった工程を経て膜をパターニングする方法である。
【０００３】フォトレジストを露光する場合には、例えば投影露光装置が用いられている。投影露光装置では、原画パターンが描かれた露光マスクを透過した光をレジストに照射することにより、その原画パターンをレジストに転写して潜像を形成することが行われる。投影露光装置がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表す解像力は、露光マスク上のパターンがウェハ上に転写されたときに、隣接する２つのパターンが分離できるか否かで評価される。
【０００４】この解像力を向上させる１つの手法として、例えば位相シフトマスクが知られている。位相シフトマスクは、隣接する２箇所の透過部分を透過する露光光に位相差を与える構造を有するものである。そのような露光光に位相差を生じさせるために、マスク基板を構成する透明膜の厚さを部分的に異なるような構造が例えば特開昭62-189468 号公報に記載されている。
【０００５】１８０°の位相を変えるための透明膜の膜厚差Ｔは、透明膜の屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、Ｔ＝λ／２（ｎ−１）で与えられる。ところで、透明膜における厚さの差が実際にどのように現れているかを計測する方法として、例えば原子間力顕微鏡（ＡＭＦ(atomic force microscope))等の膜厚計測手段を用いて透明膜の膜厚差（段差）を計測することが行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡＦＭによる膜厚差の計測方法では、試料表面を針で走査するといった煩雑な手間を要し、作業の負担が大きい。また、ＡＦＭ法によれば、レジストを用いて透明膜に段差を形成した後に、レジストを一旦除去した状態でその段差を測定することになるため、段差の値が不十分な場合には再びレジストのパターンを形成して段差をさらに深くするといった煩雑な工程を繰り返して段差の大きさを調整することになる。
【０００７】それらのことから、ＡＭＦ法を用いて位相シフトマスクの段差を計測することは、位相シフトマスクの製造工程を煩雑なものとし、スループットの低下を招いている。平坦な表面を有する基板の上に形成された構造物の寸法や断面形状を偏光解析法を用いて測定する手法については、例えば特開平９−２３７８１２号公報に記載がある。この測定方法は、偏光解析の光学的手法で得られた測定値と、ウェハ上に形成された構造物の幅又は断面形状（テーパ角）との間の相関を求め、この相関から任意の構造物の幅又は断面形状を求めるものである。
【０００８】しかし、そこには、溝の深さを測定する手法は提案されていない。透明膜に形成された溝の深さを偏光解析法により測定する従来の方法は、一般に、透明基板と透明膜の界面での反射光が非常に小さいことが条件となる。しかし、位相シフトマスクを構成する透明基板とその上の透明膜は共に同じ屈折率の材料が用いられているので、位相シフトマスクの位相シフター部の段差の測定は実際は困難であった。そこで、偏光解析法を用いる場合には、高反射率のシリコン基板を用いて、基板と透明膜の界面の反射光強度が大きくなるようにして、間接的な測定を行っていた。
【０００９】本発明の目的は、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定する工程を含む透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）上記した課題は、図１、図２、図６及び図７に例示するように、第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の段差量ｔ1 ，…．ｔn と該第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求めることを特徴とする透明膜の段差の測定方法によって解決する。
【００１１】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パラメータは、偏光解析法によって測定されることを特徴とする。上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パラメータは、前記偏光状態の複素振幅反射率比Ψ及び位相差Δであることを特徴とする。上記した透明膜の段差の測定方法において、前記第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の前記段差量ｔ1 ，…,ｔn は原子間力顕微鏡によって測定されることを特徴とする。
【００１２】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記第２の透明膜４２の上にパターン４３，４４が形成されている場合に、前記パターン４３，４４の膜厚を予め測定した後に、前記データベースの前記相関関係から前記パターン４３，４４の膜厚を減算することにより前記第２の溝４２の前記第１の段差量が求められることを特徴とする。
【００１３】上記した透明膜の段差の測定方法において、前記パターン４３，４４は、遮光材料から構成されることを特徴とする。
（２）上記した課題は、図１、図２、図６及び図７に例示するように、試料用透明膜２の一部に形成された複数の第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn の段差量ｔ1 ，…，ｔn と該第１の溝Ｓ1 ，…，Ｓn からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値Δ1 ，…，Δn 及びΨ1 ，…，Ψn との相関関係ｆ1 を求めてデータベース化する工程と、マスク用透明膜４２の上にレジストパターン４４を形成する工程と、前記レジストパターン４４の膜厚を測定する工程と、前記レジストパターン４４に覆われない部分の前記マスク用透明膜４２をエッチングして第２の溝４５を形成する工程と、前記第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値Δ，Ψを計測して、該第１の値Δ，Ψと前記データベースの前記相関関係ｆ1 に基づいて求めた段差量から前記レジストパターン４４の前記膜厚を減算することにより、該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程と、前記第１の段差量が目標値に達したか否か判断する工程と、前記第１の段差量が前記目標値に達しない場合には、前記第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータと前記データベースの前記相関関係ｆ1 に基づいて求められる前記第２の溝４５の第２の段差量が前記目標値に達するまで前記第２の溝４５のエッチングを繰り返す一方、前記第２の溝４５の前記第１又は第２の段差量が目標値に達した場合には前記第マスク用透明膜のエッチングを停止して前記レジストを剥離する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの作成方法によって解決する。
【００１４】上記した位相シフトマスクの作成において、前記マスク用透明膜４２の上には遮光パターン４３が形成され、前記第２の溝４５の前記第１及び第２の段差量は、前記データベースの前記相関関係から求められる値から前記遮光パターン４３の膜厚をさらに減算した値であることを特徴とする。なお、上記した図番、符号は、本発明の理解を容易にするために引用したものであって、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００１５】次に、本発明の作用について説明する。本発明によれば、ＡＦＭ法などの手段で透明膜の複数の溝の段差量を計測する一方、偏光解析の光学的手法でそれらの溝のパラメータΔ、Ψを測定し、それらの結果に基づいて段差量とパラメータΔ、Ψとの相関関係をデータベース化した後に、偏光解析法によって被検出対象である溝のパラメータΔ、Ψを測定し、そのパラメータΔ、Ψをデータベースに当てはめて段差量を算定するようにしている。
【００１６】これにより、透明膜に生じる段差を偏光解析法によるパラメータの測定を行うだけで、データベースから自動的に正確な溝の深さが引き出されることになる。従って、位相シフトマスクの位相シフター部の位相管理、位相調整を行う場合に、そのような透明膜の段差量の測定方法を適用すると、位相シフター部の溝の深さの測定がＡＦＭ法に比べて容易になる。
【００１７】しかも、溝が形成される透明膜の上にレジストが残っていても、ＡＦＭ法などによって１度だけレジストの膜厚を計測しておけば、データベースから算定された段差量からレジストの膜厚を減算すれば溝の段差量が決まるので、偏光解析のみを用いる測定法のように溝をエッチングする毎にレジストを除去して溝の段差を計測するといった煩雑な作業が不要になる。
【００１８】しかも、位相シフトマスクを構成する基板を高反射材料から構成する必要はなくなり、基板材料や基板上の透明膜の材料の選択幅が広がる。
【００１９】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態の位相シフトマスクの作成方法に必要な段差に関するデータを取得するためのフローチャート図、図２は、そのデータを取得するための膜厚測定の工程を示す断面図である。図３は、ＡＭＦ法により膜厚を測定するための装置の構成図、図４は、偏光解析法により膜厚を測定するための装置の構成図である。
【００２０】まず、図１の(1) と図２(a) に示すように、露光に使用される光を透過する材料、例えばガラスよりなる透明基板１の上に透明膜２を形成する。その透明膜２は、露光に使用される光を透過し且つ透明基板１よりもエッチングレートを大きく（例えば１０倍以上）選択できる材料、例えばＳＯＧ(spin on glass) から構成されている。
【００２１】次に、図１の(2) と図２(b) に示すように深さの異なる溝Ｓ1 ，Ｓ2 ，…，Ｓn を透明膜２に形成する。その溝Ｓ1 ，…，Ｓn は、複数のレジストマスクを使用することにより作り分けられ、且つエッチング時間を調整することによって深さが調整される。なお、溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さｔ1 ，ｔ2 ，…，ｔn は、透明膜２の最上面から溝Ｓ1 ，…，Ｓn の底までの距離を示し、以下に段差又は膜厚差ともいう。
【００２２】続いて、図１の(3) と図２(c) に示すように、図３に示すＡＦＭ装置１０を用いて各溝Ｓ1 ，…，Ｓn 毎に深さｔ1 ，…，ｔn を測定する。ＡＦＭ装置１０によって測定された深さｔ1 ，…，ｔn は、各溝Ｓ1 ，…，Ｓn に関連付けられてデータ処理装置２０に出力される。次に、図４に例示するような偏光解析（エリプソメトリー）装置３０を用いることにより、図１の(4) と図２(d) に示すように、各溝Ｓ1 〜Ｓn の偏光解析を行ってそれらの溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に偏光状態の変化を示す位相差Δ1 〜Δn と複素振幅反射率比Ψ1 〜Ψn を求める。
【００２３】その偏光解析装置３０において、複数の溝Ｓ1 ，…，Ｓn が形成された透明膜２を有する透明基板１をステージ３１上に載置し、He−Ne（ヘリウム−ネオン）レーザ３２から波長６３２８Åの光ビームを各溝Ｓ1 〜Ｓn に個々に照射する。He−Neレーザ３２の出力光は、第１の偏光子３３で所定の偏光角、例えば４５℃の偏光角を有する直線偏光に変化され、溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に所定の入射角、例えば７０°の入射角で照射される。
【００２４】そして、各溝Ｓ1 〜Ｓn を透過しさらに溝Ｓ1 ，…，Ｓn で反射された光ビームは楕円偏光状態を有する。そして、楕円偏光状態の光ビームは、回転検光子３４で直線偏光に変換された後に、受光素子３５に入射する。その際に、受光素子３５による入射光の検出は、回転検光子３４を回転させながら実行される。なお、回転検光子３４の前又は後には反射した光ビームの位相を調整するための１／４波長板３６が配置されている。
【００２５】受光素子３５は入射した光の強度に対応した信号を増幅器３７に送り、増幅器３７で増幅された信号は、Ａ／Ｄ変換器３８を介してデジタル信号の形で偏光処理装置３９に送られる。偏光処理装置３９は、供給されたデジタル信号に基づいて、受光素子３５に入射した光ビームに基づいて位相差Δ、複素振幅反射率比Ψを求め、これらのパタメータΔ、Ψをデータ処理装置２０に出力する。データ処理装置２０では、偏光処理装置３９から出力された位相差Δと複素振幅反射率比Ψが複数の溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に対応付けられてデータベース化される。
【００２６】データ処理装置２０は、複数の溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に位相差Δ1 ，Δ2 ，…，Δn及び複素振幅反射率比Ψ1 ，Ψ2 ，…，Ψn を対応付け、さらにそれらのパラメータΔ1 ，Δ2 ，…，Δn 、Ψ1 ，Ψ2 ，…，Ψn から重回帰分析法によって各溝Ｓ1 〜Ｓn 毎に予測段差（深さ）ｔを算出する。その予測段差ｔは、ｔ＝ｆ（Δ，Ψ）（但し、Δ＝Δ1 ，…，Δn 、Ψ＝ Ψ1 ，…，Ψn ）で表される。さらに、データ処理装置２０は、各溝Ｓ1 ，…，Ｓn について重回帰分析法により求めた予測段差ｔとＡＦＭ法により実測した深さｔ1 〜ｔn とを関連付けて相関関数ｆ1 を求める。その相関関数ｆ1 を図式化すると例えば図５に示すような段差量とパラメータΔ、Ψとの検量線が得られる。
【００２７】そのような相関関数ｆ1 は、透明膜２の材料が変わる度に算出されてデータ処理装置２０に格納される。なお、上記した溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さをＡＦＭ法によって測定する代わりに、触針法、その他の方法によって溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さを実測してもよい。以上により溝Ｓ1 ，…，Ｓn の深さ（段差）に関するデータの取得作業が終了する。
【００２８】次に、レベンソン型の位相シフトマスクを透過する露光光に位相差を与えるための段差を形成する工程を図６、図７を参照して説明する。まず、図６の(1) と図７(a) に示すように、ガラス等の透明基板４１の上に酸化シリコンなどの透明膜４２を形成した後に、透明膜４２の上にクロムよりなる遮光膜を形成し、この遮光膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして遮光パターン４３を形成する。続いてその遮光パターン４３の膜厚ｔc をＡＦＭ法によって少なくとも１回で測定する。
【００２９】続いて、図６の(2) に示すように、透明膜３２及び遮光膜４３の上にレジストを塗布し、これを露光、現像してレジストパターン４４を形成する。そのレジストパターン４４の膜厚ｔr はＡＦＭ法によって求められる。レジストパターン４４の膜厚ｔr はほぼ一定であるために任意の領域で短時間で少なくとも１回で検出される。
【００３０】次に、図６の(3) と図７(b) に示すように、レジストパターン４４から露出した透明膜４２をエッチングして位相シフター部に溝４５を目標値ｔ0 よりも浅く形成する。透明膜４２に形成された溝４５の深さの目標値ｔ0 は、透明膜２の最上面と溝４５の底の高さに等しい膜厚の透明膜４２により得られる光の位相差であって、位相差を１８０°とすると、ｔ0 ＝λ／２（ｎ−１）となる。ただし、λは、露光時に使用される光の波長であり、また、ｎは、透明膜４２の屈折率である。
【００３１】その後に、図６の(4) と図７(c) に示すように、偏光解析装置３０を用いて溝４５のパラメータΔ0 、Ψ0 を測定する。そして、図６の(5) に示すように、データ処理装置２０にパラメータΔ0 、Ψ0 を入力して相関関数ｆ1 に基づいて溝４５の実際の段差量（深さ）ｔx を算出する。この場合、偏光解析装置３０によって測定したパラメータΔ0 、Ψ0 を相関関係ｆ1 に当てはめると、図８に示すように、その相関関係ｆ1 からはレジストパターン４４の膜厚ｔr と遮光パターン４３の膜厚ｔc を加算した値が引き出される。そこで、相関関係ｆ1 から算定される値ｔt からｔr とｔc を引いた値、即ちｔt −（ｔr ＋ｔc ）が実際の溝４５の段差量ｔx となる。もとより、遮光パターン４３が存在しない場合にはその膜厚ｔc は零であり、レジストパターン４４が存在しない場合にはその膜厚ｔr は零になる。
【００３２】溝４５の測定の段差量ｔx が目標の深さｔ0 に達しない場合には、図７(d) に示すように透明膜２の追加エッチングを行って溝４５の段差をさらに深くする。その後に、パラメータΔ、Ψを測定し、これに基づいて溝４５の深さｔx を求め、段差量ｔx が目標値ｔ0 に一致しない場合にはさらに、透明膜２の追加エッチングを行うといった処理を繰り返して行う。追加のエッチング時間は、ｔx とｔ0 の差を見ながら調整する。
【００３３】以上のような溝４５の深さｔx の測定とその後の追加エッチングは、図６の(6),(7) に示すようにｔx ＝ｔ0 ＝λ／２（ｎ−１）となるまで繰り返して行われる。そして、ｔx ＝ｔ0 となった時点でエッチング処理が終了となる。そして、図７(e) に示すようにレジストパターン４４を剥離して位相シフトマスクを完成させる。
【００３４】以上のように、露光マスクを構成する透明膜４２に溝４５を形成する際に、レジストパターン４４を残したままで溝４５の深さを高精度で測定することできるために、レジストパターン４４を剥離するといった手間が省け、スループットが向上する。しかも、その溝４５の深さの測定は、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で短時間で行われる。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ＡＦＭ法などの手段で透明膜の複数の溝の段差量を計測する一方、偏光解析の光学的手法でそれらの溝のパラメータΔ、Ψを測定し、それらの結果に基づいて段差量とパラメータΔ、Ψとの相関関係をデータベース化した後に、偏光解析法によって被検出対象である溝のパラメータΔ、Ψを測定し、そのパラメータΔ、Ψをデータベースに当てはめて段差量を算定するようにしたので、位相シフトマスクの位相シフター部の位相管理、位相調整にその方法を適用すると、位相シフター部の溝の深さの測定がＡＦＭ法に比べて容易になる。
【００３６】しかも、溝が形成される透明膜の上にレジストが残っていても、ＡＦＭ法などによって１度だけレジストの膜厚を計測しておけば、データベースから算定された段差量からレジストの膜厚を減算すれば溝の段差量が決まるので、溝をエッチングする毎にレジストを除去して溝の段差を計測するといった煩雑な作業を省くことができる。
【００３７】しかも、位相シフトマスクを構成する基板を高反射材料から構成する必要はなくなり、基板材料や基板上の透明膜の材料の選択幅を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を求めるフローチャートである。
【図２】図２は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を求めるための透明膜の加工と膜厚測定とパラメータΔ、Ψ測定の工程を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝の深さを測定する装置とデータ処理装置との接続関係を示す図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、Ψを測定する偏光解析装置の構成図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、ΨとＡＦＭ法による溝の段差量（深さ）の相関関係の一例を示す図である。
【図６】図６は、図１で求めた溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を使用して露光マスクに溝を形成する工程を示すフローチャートである。
【図７】図７は、図１で求めた溝の深さとパラメータΔ、Ψの相関関係を使用して露光マスクに溝を形成する工程を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態の位相シフトマスクの作成方法における溝のパラメータΔ、ΨとＡＦＭ法による溝の段差量（深さ）の相関関係が透明膜上の層によって変化する状態を示す図である。
【符号の説明】
１：透明基板、２：透明膜、３：針、Ｓ1 ，…，Ｓn ：溝、１０：ＡＦＭ装置、２０：データ処理装置、３０：偏光解析装置、４１：透明基板、４２：透明膜、４３：遮光パターン、４４：レジストパターン、４５：溝。
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１の透明膜の一部に形成された複数の第１の溝の段差量と該第１の溝からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜の一部に形成された第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝の第１の段差量を求めることを特徴とする透明膜の段差の測定方法。
【請求項２】前記パラメータは、偏光解析法によって測定されることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項３】前記パラメータは、前記偏光状態の複素振幅反射率比Ψ及び位相差Δであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項４】前記第１の溝の前記段差量は、原子間力顕微鏡によって測定されることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項５】前記第２の透明膜の上にパターンが形成されている場合において、前記パターンの膜厚を予め測定した後に、前記データベースの前記相関関係から前記パターンの膜厚を減算することにより前記第２の溝の前記第１の段差量が求められることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項６】前記パターンは、遮光材料から構成されることを特徴とする請求項５記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項７】試料用透明膜の一部に形成された複数の第１の溝の段差量と該第１の溝からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係を求めてデータベース化する工程と、マスク用透明膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの膜厚を測定する工程と、前記レジストパターンに覆われない部分の前記マスク用透明膜をエッチングして第２の溝を形成する工程と、前記第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて求めた段差量から前記レジストパターンの前記膜厚を減算することにより、該第２の溝の第１の段差量を求める工程と、前記第１の段差量が目標値に達したか否か判断する工程と、前記第１の段差量が前記目標値に達しない場合には、前記第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータと前記データベースの前記相関関係に基づいて求められる前記第２の溝の第２の段差量が前記目標値に達するまで前記第２の溝のエッチングを繰り返す一方、前記第２の溝の前記第１又は第２の段差量が目標値に達した場合には前記マスク用透明膜のエッチングを停止して前記レジストを剥離する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの作成方法。
【請求項８】前記マスク用透明膜の上には遮光パターンが形成され、前記第２の溝の前記第１及び第２の段差量は、前記データベースの前記相関関係から求められる値から前記遮光パターンの膜厚をさらに減算した値であることを特徴とする請求項７記載の位相シフトマスクの作成方法。
【請求項１】第１の透明膜の一部に形成された複数の第１の溝の段差量と該第１の溝からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜の一部に形成された第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝の第１の段差量を求めることを特徴とする透明膜の段差の測定方法。
【請求項２】前記パラメータは、偏光解析法によって測定されることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項３】前記パラメータは、前記偏光状態の複素振幅反射率比Ψ及び位相差Δであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項４】前記第１の溝の前記段差量は、原子間力顕微鏡によって測定されることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項５】前記第２の透明膜の上にパターンが形成されている場合において、前記パターンの膜厚を予め測定した後に、前記データベースの前記相関関係から前記パターンの膜厚を減算することにより前記第２の溝の前記第１の段差量が求められることを特徴とする請求項１記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項６】前記パターンは、遮光材料から構成されることを特徴とする請求項５記載の透明膜の段差の測定方法。
【請求項７】試料用透明膜の一部に形成された複数の第１の溝の段差量と該第１の溝からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係を求めてデータベース化する工程と、マスク用透明膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの膜厚を測定する工程と、前記レジストパターンに覆われない部分の前記マスク用透明膜をエッチングして第２の溝を形成する工程と、前記第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて求めた段差量から前記レジストパターンの前記膜厚を減算することにより、該第２の溝の第１の段差量を求める工程と、前記第１の段差量が目標値に達したか否か判断する工程と、前記第１の段差量が前記目標値に達しない場合には、前記第２の溝の反射光の偏光状態を示すパラメータと前記データベースの前記相関関係に基づいて求められる前記第２の溝の第２の段差量が前記目標値に達するまで前記第２の溝のエッチングを繰り返す一方、前記第２の溝の前記第１又は第２の段差量が目標値に達した場合には前記マスク用透明膜のエッチングを停止して前記レジストを剥離する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの作成方法。
【請求項８】前記マスク用透明膜の上には遮光パターンが形成され、前記第２の溝の前記第１及び第２の段差量は、前記データベースの前記相関関係から求められる値から前記遮光パターンの膜厚をさらに減算した値であることを特徴とする請求項７記載の位相シフトマスクの作成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図５】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０００−２０５８２８（Ｐ２０００−２０５８２８Ａ）
【公開日】平成１２年７月２８日（２０００．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平１１−１００８２
【出願日】平成１１年１月１９日（１９９９．１．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１２年７月２８日（２０００．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１１年１月１９日（１９９９．１．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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